CN107731868B - 有机发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种有机发光显示装置，该有机发光显示装置包括基体基底、像素层、量子点层和薄膜包封部。像素层包括位于基体基底上的多个有机发光二极管。量子点层位于像素层上并且包括量子点。薄膜包封部位于量子点层与像素层之间，并且密封像素层。薄膜包封部包括第一无机膜和有机膜。第一无机膜具有均具有第一折射率的多个第一辅助膜和均具有与第一折射率不同的第二折射率的多个第二辅助膜，多个第二辅助膜沿基体基底的厚度方向与多个第一辅助膜交替地堆叠。

Description

有机发光显示装置
于2016年8月12日提交并且名称为“Organic Light Emitting Display Device(有机发光显示装置)”的第10-2016-0103262号韩国专利申请通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种有机发光显示装置，更具体地，涉及一种具有改善的显示品质的显示装置。
背景技术
有机发光显示装置是一种类型的平坦显示装置，其中，布置在多个像素中的每个像素上并且发光的有机发光二极管用于显示图像。这样的有机发光二极管包括阳极、阴极和位于阳极与阴极之间的有机发光层。
当电力信号被施加到有机发光二极管时，空穴通过阳极被供应到有机发光层，电子通过阴极被供应到有机发光层。有机发光层中的电子和空穴复合以产生激子，由于激子从激发态向基态跃迁而产生的能量使得从有机发光层产生光。
发明内容
实施例提供了一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：基体基底、像素层、量子点层和薄膜包封部。像素层包括位于基体基底上的多个有机发光二极管。量子点层位于像素层上并包括量子点。薄膜包封部位于量子点层与像素层之间，并且密封像素层。
薄膜包封部包括第一无机膜和有机膜。第一无机膜具有均具有第一折射率的多个第一辅助膜和均具有与第一折射率不同的第二折射率的多个第二辅助膜。多个第二辅助膜可以在基体基底的厚度方向上与多个第一辅助膜交替地堆叠。
附图说明
通过参照附图详细地描述示例性实施例，特征对本领域的技术人员来说将变得明显，在附图中：
图1A示出了根据实施例的有机发光显示装置的透视图；
图1B示出了沿图1A中的I-I'的剖视图；
图2A示出了图1A和图1B中的像素层中的第一像素的平面图；
图2B示出了沿图2A中的II-II'的剖视图；
图3A示出了图2B中的薄膜包封部中的第一无机膜的放大的剖视图；
图3B示出了根据针对第一无机膜的波长的透射率和反射率；
图3C示出了图2B中示出的薄膜包封部中的第二无机膜的放大的剖视图；
图3D示出了根据针对第二无机膜的波长的透射率和反射率；
图4A示出了图1A中的第一像素、第二像素和第三像素的放大的平面图；
图4B示出了沿图4A中的III-III'的剖视图；
图5A示出了根据另一实施例的有机发光显示装置的剖视图；
图5B示出了图5A中的薄膜包封部中的第二无机膜的放大的剖视图；
图5C示出了根据针对第二无机膜的波长的透射率和反射率；
图6示出了根据另一实施例的有机发光显示装置的剖视图；
图7示出了根据另一实施例的有机发光显示装置的剖视图；
图8A示出了根据另一实施例的有机发光显示装置的剖视图；以及
图8B示出了图8A中的第三无机膜的放大的剖视图。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更充分地描述示例实施例；然而，示例实施例可以以不同的形式来实施并且不应解释为局限于在此阐述的实施例。相反，这些实施例被提供为使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域的技术人员充分地传达示例性实施方式。
在附图中，为了图示的清楚，可以夸大层和区域的尺寸。还将理解的是，当层或元件被称作“在”另一层或基底“上”时，该层或元件可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在中间层。此外，将理解的是，当层被称作“在”另一层“下方”时，所述层可直接在所述另一层下方，也可以存在一个或更多个中间层。另外，还将理解的是，当层被称作“在(位于)”两个层“之间”时，该层可以是在这两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或更多个中间层。同样的附图标记始终表示同样的元件。
此外，尽管在此可以使用术语‘第一’、‘第二’等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用来将一个元件与另一元件区分开。因此，当膜、区域、元件等被称作‘在’膜、区域、元件等‘上方’或‘上’时，它可以直接‘在’另一膜、区域、元件等‘上方’或‘上’，也可以存在中间膜、区域、元件等。
图1A是示出了根据实施例的有机发光显示装置100的透视图，图1B是沿图1A中的I-I'的剖视图。参照图1A和图1B，有机发光显示装置100包括基体基底BS1、像素层PL、薄膜包封部TFE、量子点层QL、覆盖层CL和窗口组件WA。
基体基底BS1是透射的，多个像素区PA和非像素区NPA可以限定在基体基底BS1中。在实施例中，基体基底BS1可以是玻璃基底或塑料基底。当基体基底BS1是塑料基底时，基体基底BS1可以是柔性的。
像素层PL设置在基体基底BS1上并且发射用于在有机发光显示装置100中显示图像的光。像素层PL可以包括多个像素PX。多个像素PX可以布置为与多个像素区PA一一对应。
例如，多个像素区PA可以包括在第一方向D1上顺序地布置的第一像素区PA1、第二像素区PA2和第三像素区PA3。多个像素PX可以包括设置在第一像素区PA1中的第一像素PX1、设置在第二像素区PA2中的第二像素PX2和设置在第三像素区PA3中的第三像素PX3。在实施例中，多个像素PX可以沿第一方向D1和与第一方向D1垂直的第二方向D2以矩阵布置。
薄膜包封部TFE可以设置在基体基底BS1上并且覆盖像素层PL。因此，薄膜包封部TFE与基体基底BS1一起密封像素层PL。
更详细地，薄膜包封部TFE覆盖像素层PL的顶部UP，基体基底BS1覆盖像素层PL的底部BP。薄膜包封部TFE可以朝向基体基底BS1的两侧比像素层PL延伸得更远。换言之，薄膜包封部TFE可以在第一方向D1上比像素层PL延伸更远并且可以沿像素层PL的侧面在第三方向D3上延伸以与基体基底BS1接触。因此，因为像素层PL的互相面对的第一侧部SP1和第二侧部SP2被薄膜包封部TFE覆盖，并且基体基底BS1和薄膜包封部TFE围绕像素层PL，所以可以密封像素层PL。可选择地，基体基底BS1可以沿像素层PL的侧部SP1和SP2在第三方向D3上延伸以密封像素层PL。
量子点层QL可以设置在像素层PL上方且薄膜包封部TFE设置在量子点层QL与像素层PL之间。量子点层QL可以包括量子点(图4B中的QD1和QD2)。量子点层QL对从像素层PL提供的光的波长进行转换。因此，量子点层QL可以使彩色光从多个像素区PA输出。
覆盖层CL可以位于量子点层QL上并且覆盖量子点层QL。在实施例中，覆盖层CL可以包括聚合物材料。覆盖层CL是透射的并且保护量子点层QL。覆盖层CL可以向顶侧提供平坦的面，使得设置在量子点层QL上方的元件可以平稳地设置在由覆盖层CL提供的平坦的面上。覆盖层CL可以在第三方向D3上沿量子点层QL的侧面延伸并且可以与薄膜包封部TFE接触。
窗口组件WA设置在覆盖层CL上。在实施例中，还可以在覆盖层CL上设置粘附层，窗口组件WA可以通过粘附层粘附到具有基体基底BS1、像素层PL、薄膜包封部TFE和覆盖层CL的显示面板组件。在有机发光显示装置100中，窗口组件WA设置在最上层上而因此暴露到外部，并且覆盖像素层PL和量子点层QL。
在实施例中，窗口组件WA可以包括透射窗口和与窗口叠置的触摸感测单元。触摸感测单元与触摸屏面板一起可以产生与窗口上用户触摸位置的坐标有关的数据。
图2A是图1A和图1B中示出的像素层PL中的第一像素PX1的平面图，图2B是沿图2A中的II-II'的剖视图。在实施例中，多个像素(图1A中的PX)可以共用除了量子点层QL之外的相同的结构，因此，参照图1A、图2A和图2B，将示例性地描述多个像素之中的第一像素PX1的结构和第一像素PX1附近的元件的结构，然而将排除其它像素的描述。在多个像素之间，仅量子点层的细节可以不同。
参照图2A和图2B，栅极线SL、数据线DL、电力信号线DVL、开关晶体管TFT1、驱动晶体管TFT2、存储电容器CST和有机发光二极管OLED设置在有机发光显示装置100的第一像素PX1中。
栅极线SL可以设置在基体基底BS1上并且传输栅极信号。数据线DL与栅极线SL绝缘，设置在基体基底BS1上，并且传输数据信号。在实施例中，栅极线SL可以在第一方向D1上延伸，数据线DL可以在第二方向D2上延伸。
开关晶体管TFT1与栅极线SL和数据线DL电连接。开关晶体管TFT1通过栅极线SL被提供栅极信号并且通过数据线DL被提供数据信号。开关晶体管TFT1可以包括第一半导体图案SM1、第一栅电极GE1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1。
第一半导体图案SM1可以包括半导体材料。在实施例中，第一半导体图案SM1的组成材料可以包括多晶硅。然而，实施例不限于第一半导体图案SM1的具体的半导体材料。例如，在另一实施例中，第一半导体图案SM1可以包括氧化物半导体，例如氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)、氧化铟(In2O3)、氧化锌锡(Zn2SnO4)、氧化锗(Ge2O3)或氧化铪(HfO2)。在再一实施例中，第一半导体图案SM1可以包括化合物半导体，例如砷化镓(GsAs)、磷化镓(GaP)或磷化铟(InP)。在另一实施例中，第一半导体图案SM1可以包括非晶硅。
第一栅电极GE1(例如，沿第二方向D2和第三方向D3)与栅极线SL连接并且与第一半导体图案SM1叠置。第一源电极SE1与数据线DL连接并且与第一半导体图案SM1的源区接触。第一漏电极DE1与第一半导体图案SM1的漏区接触并且与存储电容器CST连接。
存储电容器CST包括彼此叠置的第一存储电极CE1和第二存储电极CE2。第一存储电极CE1通过第一通孔VH1与第一漏电极DE1连接。栅极绝缘膜L1和中间绝缘膜L2中的至少一个可以设置在第一存储电极CE1与第二存储电极CE2之间。
第一存储电极CE1与第一漏电极DE1连接，第二存储电极CE2与电力信号线DVL连接。因此，与从开关晶体管TFT1接收的数据信号对应的电压和与从电力信号线DVL接收的电力信号对应的电压之间的电压差的量所对应的电荷充入到存储电容器CST中。当开关晶体管TFT1截止时，电荷的充入量可以供应到驱动晶体管TFT2侧。
驱动晶体管TFT2与开关晶体管TFT1、电力信号线DVL和有机发光二极管OLED电连接，并且将从电力信号线DVL提供的电力信号转移到有机发光二极管OLED侧。驱动晶体管TFT2可以包括第二半导体图案SM2、第二栅电极GE2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2。
第二栅电极GE2通过第一存储电极CE1与第一漏电极DE1连接，第二源电极SE2与电力信号线DVL连接。第二漏电极DE2通过限定在盖绝缘膜L3中的第二通孔VH2与有机发光二极管OLED连接。
栅极绝缘膜L1覆盖第二半导体图案SM2。中间绝缘膜L2设置在栅极绝缘膜L1上并且覆盖第二栅电极GE2。盖绝缘膜L3设置在中间绝缘膜L2上并且覆盖第二源电极SE2和第二漏电极DE2。
有机发光二极管OLED响应于通过驱动晶体管TFT2提供的电力信号而发光。在实施例中，有机发光二极管OLED包括阳极AN、空穴控制层HTR、有机发光层EML、电子控制层ETR和阴极CE。
阳极AN设置在盖绝缘膜L3上并且通过穿过盖绝缘膜L3的第二通孔VH2与第二漏电极DE2连接。在实施例中，阳极AN可以是反射电极，在该情况下，阳极AN可以是包括例如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)或铬(Cr)的金属的金属层。在另一实施例中，阳极AN还可以包括设置在金属层上的金属氧化物层。例如，阳极AN可以具有诸如氧化铟锡(ITO)/Mg或ITO/MgF的双层结构或者诸如ITO/Ag/ITO的多层结构。
像素限定膜PDL设置在阳极AN上。与阳极AN的位置对应的开口限定在像素限定膜PDL中，有机发光层EML可以通过像素限定膜PDL中的开口与阳极AN接触。
在实施例中，空穴控制层HTR可以包括空穴注入层和空穴传输层。在另一实施例中，空穴控制层HTR还可以包括空穴缓冲层和电子阻挡层中的至少一个。
在实施例中，空穴注入层可以包括空穴注入材料，空穴注入材料可以包括例如酞菁铜的酞菁化合物，或N,N'-联苯-N,N'-双-[4-(苯基-m-甲苯基-氨基)-萘基]-联苯-4,4'-二胺(DNTPD)、4,4',4"-三(3-甲苯基苯胺基)三苯胺(m-MTDATA)、4,4'4"-三(N,N-二苯胺)三苯胺(TDATA)、4,4',4"-三{N,-(2-萘基)-N-苯基氨基}-三苯胺(2-TNATA)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)和(聚苯胺)/聚(4-苯乙烯磺酸)(PANI/PSS)等。然而，实施例不限于具体的空穴注入材料。
在实施例中，为了改善空穴控制层HTR的导电率，空穴注入层还可以包括电荷产生材料。电荷产生材料可以是p型掺杂剂，p型掺杂剂可以是醌衍生物、金属氧化物和含氰基的化合物中的一种，但是实施例不限于具体的p型掺杂剂。例如，在另一个实施例中，p型掺杂剂也可以包括：例如，四醌二甲烷(TCNQ)或2,3,5,6-四氟-四醌二甲烷(F4-TCNQ)的醌衍生物或者诸如氧化钨或氧化钼的金属氧化物。
空穴传输层包括空穴传输材料。空穴传输材料可以包括诸如N-苯基咔唑或聚乙烯咔唑的咔唑类衍生物，芴类衍生物，例如N,N'-双(3-甲苯基)-N,N'-联苯-[1,1-联苯]-4,4'-二胺(TPD)或4,4',4"-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)的三苯胺类衍生物，或者N,N'-双(1-萘基)-N,N'-二苯基联苯二胺(NPB)、4,4′-亚环己基-双[N,N-双(4-甲苯基)苯胺](TAPC)等。然而，实施例不限于具体的空穴传输层材料。
有机发光层EML设置在空穴控制层HTR上。在实施例中，有机发光层EML可以发射蓝光并且可以是沿多个像素区PA和非像素区NPA形成的连续膜。
在实施例中，有机发光显示装置100可以是顶发射型。因此，从有机发光层EML输出的蓝光在穿过阴极CE之后提供到量子点层QL，提供到量子点层QL的蓝光可以被量子点层QL转换成具有与蓝光不同颜色的光。
电子控制层ETR可以包括电子传输层和电子注入层。在实施例中，电子控制层ETR可以具有电子传输层与电子注入层相层叠的结构。在另一个实施例中，电子注入层可以从电子控制层ETR排除。
电子传输层可以包括电子传输材料，例如三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯基(TPBi)、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-联苯-1,10-菲咯啉(Bphen)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(萘乙酰胺-1-基)-3,5-联苯-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(tBu-PBD)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯基-4-羟基)铝(BAlq)、双(苯并喹啉-10-酯)铍(Bebq2)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)或它们的混合物。然而，实施例不限于具体的电子传输材料。
电子注入层包括电子注入材料，例如氟化锂(LiF)、喹啉锂(LiQ)、氧化锂(Li2O)、氧化钡(BaO)、氯化钠(NaCl)、氟化铯(CsF)、诸如镱(Yb)的镧系金属、诸如氯化铷(RbCl)或碘化铷(RbI)的卤化金属等。然而，实施例不限于具体的电子注入材料。例如，在另一个实施例中，电子注入层可以包括电子传输材料和绝缘有机金属盐的混合材料，有机金属盐可以是具有至少大约4eV的能带隙的材料。具体地，有机金属盐可以包括例如金属醋酸盐、金属苯甲酸盐、金属乙酰乙酸盐、金属乙酰丙酮化物或金属硬脂酸盐。
阴极CE可以设置在有机发光层EML上。在实施例中，阴极CE可以是半透射的或透射的。
在阴极CE是半透射的实施例中，阴极CE的组成材料可以包括银(Ag)、镁(Mg)、铜(Cu)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂(LiF)/Ca，LiF/Al，钼(Mo)、钛(Ti)或者它们的化合物或混合物，例如，Ag和Mg的混合物。此外，当阴极CE的厚度是大约数十埃或数百埃时，阴极CE可以是半透射的。
在阴极CE是透射的实施例中，阴极CE的组成材料可以包括透明导电氧化物(TCO)。例如，阴极CE的组成材料可以包括氧化钨(WxOx)、氧化钛(TiO2)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)或氧化镁(MgO)。
薄膜包封部TFE设置在阴极CE上并且密封有机发光二极管OLED。因此，薄膜包封部TFE阻挡可以通过有机发光二极管OLED侧潜在地渗透的气体或湿气。
薄膜包封部TFE可以包括无机膜和设置在无机膜上的有机膜。在实施例中，薄膜包封部可以包括在基体基底BS1的厚度方向或第三方向D3上依次堆叠的第一无机膜CL1、第一有机膜OL1和第二无机膜CL2。实施例不限于薄膜包封部TFE中的无机膜和有机膜的具体数量。例如，在另一实施例中，薄膜包封部TFE可以包括与两个无机膜交替地设置的两个有机膜。
如上所讨论的，薄膜包封部TFE密封有机发光二极管OLED。此外，薄膜包封部TFE可以使用第一无机膜CL1和第二无机膜CL2的结构反射从量子点层QL发射的彩色光。因此，量子点层QL反射的彩色光可以通过窗口组件WA向外发射。因此，被有机发光显示装置用于显示图像的彩色光的强度可以由于薄膜包封部TFE而增大。考虑到上述的薄膜包封部TFE反射彩色光的路径，薄膜包封部TFE回收彩色光。
量子点层QL和光阻挡层BM设置在薄膜包封部TFE上。在一个实施例中，量子点层QL包括第一量子点(图4B中的QD1)和第二量子点(图4B中的QD2)。
在实施例中，量子点层QL将从有机发光二极管OLED提供的光转换成具有与所述光不同波长的光。例如，当从有机发光二极管OLED输出蓝光时，量子点层QL中的第一量子点QD1将蓝光转换成红光，量子点层QL中的第二量子点QD2将蓝光转换成绿光。
在实施例中，第一无机膜CL1和第二无机膜CL2反射具有不同波长的光。更详细地，第一无机膜CL1反射红光并且透射具有与红光不同波长的光。第二无机膜CL2反射绿光并且透射具有与绿光不同波长的光。下面参照图3A至图3D提供了第一无机膜CL1和第二无机膜CL2的结构和功能的更详细的描述。
图3A是图2B中示出的薄膜包封部中的第一无机膜CL1的放大的剖视图，图3B示出了第一无机膜根据波长的透射率和反射率。图3C是图2B中示出的薄膜包封部中的第二无机膜CL2的放大的剖视图，图3D示出了根据针对第二无机膜的波长的透射率和反射率。
参照图2B、图3A和图3B，薄膜包封部TFE中的第一无机膜CL1包括在基体基底BS1的厚度方向上交替地堆叠的多个第一辅助膜AL1和多个第二辅助膜AL2。
在实施例中，在第一无机膜CL1中，多个第一辅助膜AL1的数量可以是大约3至10，多个第二辅助膜AL2的数量可以是大约3至10。然而，实施例不限于第一辅助膜AL1和第二辅助膜AL2的具体数量。在其它实施例中，多个第一辅助膜AL1的数量和多个第二辅助膜AL2的数量中的每个可以超过10。
在实施例中，每个第一辅助膜AL1可以具有第一折射率，每个第二辅助膜AL2可以具有第二折射率，其中，第一折射率比第二折射率大。在实施例中，第一辅助膜AL1可以包括具有大约2.05的折射率的氮化硅(SiNx)，第二辅助膜AL2可以包括具有大约1.46的折射率的氧化硅(SiOx)。在另一实施例中，第一辅助膜AL1可以包括具有大约2.05的折射率的SiNx，第二辅助膜AL2可以包括具有大约1.83的折射率的碳氮化硅(SiCN)。
然而，只要第一辅助膜AL1和第二辅助膜AL2的折射率不同，那么实施例不限于用于第一辅助膜AL1和第二辅助膜AL2的具体材料。例如，在另一实施例中，用于第一辅助膜AL1和第二辅助膜AL2的材料的组合可以是SiNx和氮氧化硅(SiON)的组合。在又一实施例中，用于第一辅助膜AL1和第二辅助膜AL2的材料的组合可以是SiON和SiOx的组合。在此，当考虑到SiON的折射率随着SiON中氮相对于氧的含量增大而增大并且SiON的折射率随着SiON中氧相对于氮的含量增大而减小时，可以调整SiON的折射率以使其位于SiOx的折射率与SiNx的折射率之间。
当第一无机膜CL1具有上述的结构时，由于在多个第一辅助膜AL1和多个第二辅助膜AL2之中的相邻辅助膜之间的界面处反射的反射光之间的干涉，可以在第一无机膜CL1中使特定波长范围内的反射光的强度最大化。在实施例中，可以调整第一辅助膜AL1和第二辅助膜AL2的折射率和厚度以使具有特定波长范围的反射光的强度最大化，从而满足下面的方程式。
[方程式]
(d1+d2)≒{(λ/4)×(1/n1)}+{(λ/4)×(1/n2)}
在方程式中，d1是第一辅助膜AL1的第一厚度T1，d2是第二辅助膜AL2的第二厚度T2，n1是第一辅助膜AL1的第一折射率，n2是第二辅助膜AL2的第二折射率，λ是反射光的中心波长。
在实施例中，在满足上面方程式的条件的范围内，可以调整第一辅助膜AL1和第二辅助膜AL2中的每个的厚度和折射率。例如，当第一折射率是大约1.5而第二折射率是大约2.0且反射光的中心波长是大约670nm时，可以调整第一厚度T1和第二厚度T2，使得第一厚度T1和第二厚度T2的总和可以是大约195nm。例如，第一厚度T1可以是大约127nm，第二厚度T2可以是大约68nm。
参照图3B，第一曲线G1示出了第一无机膜CL1的根据波长的透射率，第二曲线G2示出了第一无机膜CL1的根据波长的反射率。参照第一曲线G1和第二曲线G2，第一无机膜CL1的透射率相对于近似蓝色和绿色波长范围内的光是高的而相对于大约630nm至大约680nm的红色波长范围内的光是低的。相反，第一无机膜CL1的反射率相对于蓝色和绿色波长范围内的光是低的而相对于红色波长范围内的光是高的。即，当观察第一曲线G1和第二曲线G2两者时，第一无机膜CL1具有更大的倾向透射而不是反射蓝光和绿光并具有更大的倾向反射而不是透射红光。
参照图2B、图3C和图3D，薄膜包封部TFE中的第二无机膜CL2包括在基体基底BS1的厚度方向或第三方向上交替地堆叠的多个第三辅助膜AL3和多个第四辅助膜AL4。
在实施例中，在第二无机膜CL2中，多个第三辅助膜AL3的数量可以是大约3至10，多个第四辅助膜AL4的数量可以是大约3至10。然而，实施例不限于第三辅助膜AL3和第四辅助膜AL4的具体数量。在其它实施例中，多个第三辅助膜AL3的数量和多个第四辅助膜AL4的数量中的每个可以超过10。
在实施例中，每个第三辅助膜AL3具有第三折射率，每个第四辅助膜AL4具有第四折射率，其中，第三折射率比第四折射率大。在实施例中，上述的第一辅助膜和第二辅助膜(图3A中的AL1和AL2)的材料的组合可以用作第三辅助膜AL3和第四辅助膜AL4的材料的组合。
当第二无机膜CL2具有上述的结构时，由于在多个第三辅助膜AL3和多个第四辅助膜AL4之中的相邻的辅助膜之间的界面处反射的反射光之间的干涉，可以在第二无机膜CL2中使特定波长范围内的反射光的强度最大化。在实施例中，当第三辅助膜AL3具有第三厚度T3而第四辅助膜AL4具有第四厚度T4，可以调整第三折射率、第四折射率、第三厚度T3和第四厚度T4的值以使具有特定波长范围的反射光的强度最大化，从而满足上述的方程式。
在实施例中，在满足上面方程式的条件的范围内，可以调整第三辅助膜AL3和第四辅助膜AL4中的每个的厚度和折射率。例如，当第三折射率是大约1.5而第四折射率是大约2.0且反射光的中心波长是大约570nm时，可以调整第三厚度T3和第四厚度T4，使得第三厚度T3和第四厚度T4的总和可以是大约166nm。例如，第三厚度T3可以是大约113nm，第四厚度T4可以是大约53nm。
参照图3D，在第三曲线G3中示出了第二无机膜CL2的根据波长的透射率，在第四曲线G4中示出了第二无机膜CL2的根据波长的反射率。参照第三曲线G3和第四曲线G4，第二无机膜CL2的透射率相对于近似蓝色和红色波长范围内的光是高的而相对于大约520nm至大约580nm的绿色波长范围内的光是低的。相反，第二无机膜CL2的反射率相对于蓝色和红色波长范围内的光是低的而相对于绿色波长范围的光是高的。即，当观察第三曲线G3和第四曲线G4两者时，第二无机膜CL2具有更大的倾向透射而不是反射蓝光和红光并具有更大的倾向反射而不是透射绿光。
再次参照图3C，当限定第二无机膜CL2处反射的反射光中的每个的特定波长并且限定第三厚度T3和第四厚度T4的总和时，特定波长的值可以随着第三折射率和第四折射率之间的差增大而增大。
此外，当限定第二无机膜CL2处反射的反射光中的每个的特定波长并且限定第三折射率和第四折射率的值时，特定波长的值可以与第三厚度T3和第四厚度T4的总和成正比。因此，参照图3A和图3C，因为第一辅助膜AL1和第三辅助膜AL3具有相同的折射率，第二辅助膜AL2和第四辅助膜AL4具有相同的折射率，在第一无机膜CL1处反射的红光的波长比在第二无机膜CL2处反射的绿光的波长长，所以第一厚度T1和第二厚度T2的总和可以比第三厚度T3和第四厚度T4的总和大。即，在制备第一无机膜CL1和第二无机膜CL2时，可以通过调整第一辅助膜AL1至第四辅助膜AL4的第一厚度T1至第四厚度T4而不调整第一辅助膜AL1和第四辅助膜AL4中的材料的折射率来调整在第一无机膜CL1和第二无机膜CL2中的每个处反射的反射光的特定波长的值。
在实施例中，可以使用化学气相沉积法形成第一无机膜CL1和第二无机膜CL2。此外，可以通过控制引入到单个腔室中的源气体的类型同时形成第一无机膜CL1和第二无机膜CL2中的每个。例如，当第一辅助膜AL1由SiNx形成而第二辅助膜AL2由SiOx形成时，可以通过调整引入到腔室中的例如甲硅烷(SiH4)、氨(NH3)、氮气(N2)和氢气(H2)的源气体的混合比使得交替地堆叠第一辅助膜AL1和第二辅助膜AL2来形成第一无机膜CL1。此外，当第三辅助膜AL3由SiCN形成而第四辅助膜AL4由SiNx形成时，可以通过调整引入到腔室中的例如SiH4、NH3、N2和H2的源气体的混合比使得交替地堆叠第三辅助膜AL3和第四辅助膜AL4来形成第二无机膜CL2。
图4A示出了图1A中示出的第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的放大的平面图。图4B示出了沿图4A中的III-III'的剖视图。在描述图4A和图4B时，使用与上面相同的附图标记表示上面描述的元件，不重复上面给出的这样的元件的描述。
参照图4A和图4B，参照图2A和图2B描述的第一像素PX1设置在第一像素区PA1中，第二像素PX2设置在第二像素区PA2中，第三像素PX3设置在第三像素区PA3中。在实施例中，第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每个可以包括上述的发射蓝光的基础光BL的有机发光二极管OLED。此外，量子点层QL包括与第一像素区PA1对应的第一量子点QD1、与第二像素区PA2对应的第二量子点QD2，没有量子点层QL设置在第三像素区PA3中。
在下文中，描述使用有机发光二极管OLED和量子点层QL的构造通过第一像素区PA1、第二像素区PA2和第三像素区PA3输出不同的彩色光的有机发光显示装置100以及使用薄膜包封部TFE使彩色光回收的功能。
基础光BL从有机发光二极管OLED输出，并且可以是蓝光。在实施例中，因为有机发光二极管OLED中的有机发光层EML是横跨第一像素区至第三像素区PA1、PA2和PA3的连续膜，所以基础光BL可以横跨第一像素区至第三像素区PA1、PA2和PA3从有机发光层EML共同输出。
从有机发光层EML输出的基础光BL穿过薄膜包封部TFE以被提供到第一像素区PA1和第二像素区PA2中的量子点层QL。如上参照图3A和图3B所述，因为第一无机膜CL1和第二无机膜CL2允许蓝光穿过，所以当基础光BL被提供到量子点层QL时，基础光BL可以穿过第一无机膜CL1和第二无机膜CL2。
当基础光BL被提供到量子点层QL中的第一量子点QD1时，基础光BL被第一量子点QD1转换成具有与基础光BL不同波长的第一光LT1。在实施例中，第一光LT1可以是红光。因为每个第一量子点QD1可以具有点状，所以第一光LT1可以从第一量子点QD1基本各向同性地发射。因此，第一光LT1的第一部分通过窗口组件WA输出到外部，而第一光LT1的第二部分朝向薄膜包封部TFE行进。
如上参照图3A和图3B所述，因为薄膜包封部TFE中的第一无机膜CL1反射红光，所以第一光LT1在第一无机膜CL1处被反射，从而产生第一反射光RT1，使得第一反射光RT1可以通过窗口组件WA输出到外部。即，第一光LT1可以通过薄膜包封部TFE中的第一无机膜CL1再产生。
当基础光BL被提供到量子点层QL中的第二量子点QD2时，基础光BL被第二量子点QD2转换成具有与基础光BL和第一光LT1的波长不同的波长的第二光LT2。在实施例中，第二光LT2可以是绿光。
此外，因为第二光LT2从第二量子点QD2基本各向同性地发射，第二光LT2的一部分通过窗口组件WA输出到外部，第二光LT2的另一部分朝向薄膜包封部TFE行进。在该情况下，如上参照图3C和图3D所述，因为薄膜包封部TFE中的第二无机膜CL2反射绿光，所以第二光LT2在第二无机膜CL2处被反射，从而产生第二反射光RT2，使得第二反射光RT2可以通过窗口组件WA输出到外部。即，第二光LT2可以通过薄膜包封部TFE中的第二无机膜CL2再产生。
参照上述薄膜包封部TFE再产生第一光LT1和第二光LT2的功能，因为通过窗口组件WA输出到外部的第一光LT1和第二光LT2的强度增大，所以可以改善有机发光显示装置100的显示品质。
图5A是根据另一实施例的有机发光显示装置101的剖视图，图5B是图5A中示出的薄膜包封部TFE-1中的第二无机膜CL4的放大的剖视图，图5C示出了第二无机膜CL4的根据波长的透射率和反射率。在描述图5A至图5C时，相同的附图标记将用于上面已经描述的那些元件，将不重复针对这样的元件的描述。
首先，参照图5A和图5B，基础光BL从有机发光显示装置101中的有机发光二极管OLED输出，基础光BL穿过薄膜包封部TFE-1以被提供到量子点层QL。在实施例中，基础光BL可以是蓝光。在实施例中，薄膜包封部TFE-1可以包括第一无机膜CL3、第一有机膜OL1和第二无机膜CL4。
在实施例中，第一无机膜CL3可以由单一材料形成并且允许整个可见光波长范围内的光穿过。相反，第二无机膜CL4可以具有多个第一辅助膜AL1-1和多个第二辅助膜AL2-1彼此交替地布置的结构。
在实施例中，当多个第一辅助膜AL1-1中的每个第一辅助膜AL1-1具有第一折射率而多个第二辅助膜AL2-1中的每个第二辅助膜AL2-1具有第二折射率时，第一折射率比第二折射率大。在实施例中，第一辅助膜AL-1可以包括具有大约2.26的折射率的TiO2，第二辅助膜AL-2可以包括具有大约1.46的折射率的SiO2。
与第一无机膜(图3A中的CL1)或第二无机膜(图3C中的CL2)的情况一样，当第二无机膜CL4具有上述的结构时，由于在多个第一辅助膜AL-1和多个第二辅助膜AL2-1之中的相邻辅助膜之间的界面处反射的反射光之间的干涉，具有特定波长的反射光可以在第二无机膜CL4处被反射。
此外，如上参照图3A和图3B所述，可以使用第一辅助膜AL1-1和第二辅助膜AL2-1的折射率和厚度来调整在第二无机膜CL4处反射的反射光的特定波长的值。
在图5A和图5B中公开的实施例中，作为第一辅助膜AL1-1和第二辅助膜AL2-1中的材料，TiO2/SiO2的折射率之间的差是大约0.8，作为上面图3A中示出的实施例中的第一辅助膜和第二辅助膜(图3A中的AL1和AL2)的材料，SiNx/SiOx或者SiNx/SiCN的折射率之间的差是大约0.3至0.6。如上所述，当折射率的差增大时，在第二无机膜CL4处反射的反射光的特定波长的值可以比在第一无机膜(图3A中的CL1)处反射的反射光的特定波长的值大。这在下面参照图5C描述。
参照图5C，第五曲线G5示出了第二无机膜CL4的根据波长的透射率，第六曲线G6示出了第二无机膜CL4的根据波长的反射率。参照第五曲线G5和第六曲线G6，第二无机膜CL4的透射率相对于近似蓝色波长范围内的光是高的而相对于大约530nm至680nm的红色和绿色波长范围内的光是低的。相反，第二无机膜CL4的反射率相对于蓝色波长范围内的光是低的而相对于红色和绿色波长范围内的光是高的。即，当考虑第五曲线G5和第六曲线G6两者时，第二无机膜CL4具有更大的倾向透射而不是反射蓝光并具有更大的倾向反射而不是透射红光和绿光。
再次参照图5A，如上所述，因为第一无机膜CL3和第二无机膜CL4允许蓝光穿过，所以当从有机发光二极管OLED输出的基础光BL穿过薄膜包封部TFE-1从而被提供到量子点层QL时，基础光BL可以穿过第一无机膜CL3和第二无机膜CL4。
此外，当基础光BL被提供到量子点层QL中的第一量子点QD1时，基础光BL被第一量子点QD1转换成具有与基础光BL不同的波长的第一光LT1。此外，当基础光BL被提供到量子点层QL中的第二量子点QD2时，基础光BL被第二量子点QD2转换成具有与基础光BL的波长和第一光LT1的波长不同的波长的第二光LT2。在实施例中，第一光LT1可以是红光，第二光LT2可以是绿光。
此外，因为第一光LT1和第二光LT2从第一量子点QD1和第二量子点QD2基本各向同性地发射，所以第一光LT1和第二光LT2的第一部分通过窗口组件WA输出到外部，第一光LT1和第二光LT2的第二部分朝向薄膜包封部TFE-1行进。在这种情况下，如上所述，因为薄膜包封部TFE-1中的第二无机膜CL4反射红光和绿光，所以第一光LT1和第二光LT2在第二无机膜CL4处被反射，从而产生第一反射光RT1和第二反射光RT2，第一反射光RT1和第二反射光RT2可以通过窗口组件WA输出到外部。即，第一光LT1和第二光LT2可以通过薄膜包封部TFE-1中的第二无机膜CL4再产生。
图6是根据另一实施例的有机发光显示装置102的剖视图。在描述图6时，使用与上面相同的附图标记表示上面描述的元件，不重复这样的元件的描述。
参照图6，与图4B所示的有机发光显示装置(图4B的100)相比，图6所示的有机发光显示装置102还包括第一滤色器CF1和第二滤色器CF2。
第一滤色器CF1设置在像素层PL上方的第一像素区PA1中且具有第一量子点QD1的量子点层QL位于第一滤色器CF1与像素层PL之间。第二滤色器CF2设置在像素层PL上方的第二像素区PA2中且具有第二量子点QD2的量子点层QL位于第二滤色器CF2与像素层PL之间。在第三像素区PA3中可以不设置滤色器。
在实施例中，第一滤色器CF1阻挡绿光和蓝光而透射红光。因此，可以由第一滤色器CF1提高从第一像素区PA1输出的红光的纯度。此外，因为透过窗口组件WA朝量子点层QL行进的外部光被第一滤色器CF1阻挡，所以可以防止量子点层QL被外部光照射。
在实施例中，第二滤色器CF2阻挡红光和蓝光而透射绿光。因此，可以由第二滤色器CF2提高从第二像素区PA2输出的绿光的纯度。此外，因为外部光被第二滤色器CF2阻挡，所以可以防止量子点层QL被外部光照射。
图7是根据另一实施例的有机发光显示装置103的剖视图。在描述图7时，使用与上面相同的附图标记表示上面描述的元件，不重复这样的元件的描述。
参照图7，有机发光显示装置103还包括共同设置在第一像素区PA1和第二像素区PA2中的滤色器CF。
滤色器CF可以不位于第三像素区PA3中。滤色器CF可以位于第三像素区PA3中，但是滤色器CF不应被这个形状限制。滤色器CF设置在像素层PL上方且量子点层QL位于滤色器CF与像素层PL之间。
在实施例中，滤色器CF阻挡蓝光而透射红光和绿光。因此，可以通过滤色器CF防止从第一像素区PA1输出的红光的纯度被蓝光劣化，可以通过滤色器CF防止从第二像素区PA2发射的绿光的纯度被蓝光劣化。此外，因为滤色器CF阻挡例如紫外线的外部光，所以可以通过滤色器CF防止由量子点层QL发射光。
图8A是根据另一实施例的有机发光显示装置104的剖视图，图8B是图8A中示出的第三无机膜CL6的放大的剖视图。在描述图8A和8B时，使用与上面相同的附图标记表示上面描述的元件，不重复这样的元件的描述。
参照图8A和8B，有机发光显示装置104包括薄膜包封部TFE-2，薄膜包封部TFE-2包括第一无机膜CL1和第二无机膜CL5。第一无机膜CL1可以包括多个第一辅助膜(图4B中的AL1)和多个第二辅助膜(图4B中的AL2)并且反射红光。相反，第二无机膜CL5可以是透射可见光范围内的光的单一材料。
在实施例中，第三无机膜CL6、量子点层QL和粘合膜PSA设置于窗口组件WA，量子点层QL、第三无机膜CL6和粘合膜PSA在窗口组件WA上沿窗口组件WA的厚度方向或沿第三方向顺序地层叠。此外，窗口组件WA可以通过粘附层PSA粘附到薄膜包封部TFE-2。
在实施例中，有机发光显示装置104中的第三无机膜CL6的位置与图3C中示出的第二无机膜(图3C中的CL2)的位置不同，但是第三无机膜CL6的结构可以与第二无机膜的结构基本相同。更详细地，第三无机膜CL6可以包括交替地层叠的多个第三辅助膜AL3-1和多个第四辅助膜AL4-1，多个第三辅助膜AL3-1的结构可以与多个第三辅助膜(图3C中的AL3)的结构相同，多个第四辅助膜AL4-1的结构可以与多个第四辅助膜(图3C中的AL4)的结构相同。
因此，与图3C中示出的第二无机膜(图3C中的CL2)相似，第三无机膜CL6可以具有更大的倾向透射而不是反射蓝光和红光并具有更大的倾向反射而不是透射绿光。根据上述的第一无机膜CL1和第三无机膜CL6的结构，从量子点层QL输出的红光可以被薄膜包封部TFE-2中的第一无机膜CL1反射使得红光再产生，从量子点层QL输出的绿光可以被窗口组件WA中的第三无机膜CL6反射使得绿光再产生。
根据实施例，可以通过在有机发光显示装置的薄膜包封部中的至少一个无机膜中交替地层叠具有彼此不同的折射率的辅助膜来实现选择性地反射特定波长的光的镜面层。因此，因为可以通过使用膜包封部的结构来反射从量子点层发射的光以使被有机发光显示装置用来显示图像的彩色光的光强度增大，所以可以改善有机发光显示装置的显示品质。
此外，因为在薄膜包封部中的无机膜中实现了具有彩色光的再生功能的镜面层，所以不需要有机发光显示装置中的单独的镜面层。因此，可以简化有机发光显示装置的结构和用于所述有机发光显示装置的制造方法。
在此已经公开了示例实施例，尽管采用了具体术语，但仅以一般的和描述性的含义而非限制性的目的来使用和解释这些术语。在一些情况下，如对于到提交本申请时为止的本领域普通技术人员而言将明显的是，结合具体实施例描述的特征、特性和/或元件可单独使用，或者可与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用，除非另有明确说明。因此，本领域技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求书中阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以进行形式和细节上的各种变化。

Claims (10)

1.一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：
基体基底；
像素层，包括多个有机发光二极管并且设置在所述基体基底上；
量子点层，位于所述像素层上并且包括量子点；以及
薄膜包封部，位于所述量子点层与所述像素层之间，并且密封所述像素层，其中，所述薄膜包封部包括位于所述像素层上的第一无机膜和位于所述第一无机膜上的有机膜，所述第一无机膜具有均具有第一折射率的多个第一辅助膜以及均具有与所述第一折射率不同的第二折射率的多个第二辅助膜，所述多个第二辅助膜沿所述基体基底的厚度方向与所述多个第一辅助膜交替地堆叠。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中：
所述多个有机发光二极管中的每个包括发射基础光的有机发光层，
所述第一无机膜透射所述基础光并且反射从所述量子点层发射的第一光，
所述第一光具有与所述基础光的波长不同的第一波长。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中：
所述多个第一辅助膜包括TiO2；
所述多个第二辅助膜包括SiO2。
4.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，所述薄膜包封部还包括第二无机膜，所述第二无机膜位于所述第一无机膜上且所述有机膜位于所述第一无机膜与所述第二无机膜之间，所述第二无机膜包括：
多个第三辅助膜，均具有第三折射率；以及
多个第四辅助膜，均具有与所述第三折射率不同的第四折射率，与所述多个第三辅助膜交替地叠置。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其中：
第一像素区、第二像素区和第三像素区限定在所述基体基底中；
所述量子点层包括：第一量子点，位于所述第一像素区中并且将所述基础光转换成所述第一光；以及第二量子点，位于所述第二像素区中并且将所述基础光转换成具有与所述基础光的波长和所述第一波长不同的第二波长的第二光。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示装置，其中，所述第二无机膜透射所述基础光并且反射所述第二光。
7.根据权利要求5所述的有机发光显示装置，其中，所述第一量子点和所述第二量子点从所述第三像素区中排除。
8.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其中，所述多个第一辅助膜中的一个第一辅助膜的厚度与所述多个第二辅助膜中的一个第二辅助膜的厚度的总和比所述多个第三辅助膜中的一个第三辅助膜的厚度与所述多个第四辅助膜中的一个第四辅助膜的厚度的总和大。
9.根据权利要求5所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括：
滤色器，在所述第一像素区和所述第二像素区中位于所述像素层上方且所述量子点层位于所述滤色器与所述像素层之间，其中，所述滤色器阻挡所述基础光并且透射所述第一光和所述第二光。
10.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括：
窗口组件，位于所述薄膜包封部上方且所述量子点层位于所述窗口组件与所述薄膜包封部之间，并且所述窗口组件暴露到外部；
粘附层，位于所述薄膜包封部与所述量子点层之间；
多个第三辅助膜，均具有第三折射率，位于所述粘附层与所述量子点层之间；以及
多个第四辅助膜，均具有与所述第三折射率不同的第四折射率，沿所述厚度方向与所述多个第三辅助膜交替地堆叠。
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