CN113948659A - 显示装置 - Google Patents
显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113948659A CN113948659A CN202110613641.4A CN202110613641A CN113948659A CN 113948659 A CN113948659 A CN 113948659A CN 202110613641 A CN202110613641 A CN 202110613641A CN 113948659 A CN113948659 A CN 113948659A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- refractive index
- light emitting
- index control
- layer
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 170
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 31
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 9
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 39
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 description 22
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 19
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 19
- 101100456957 Arabidopsis thaliana MEX1 gene Proteins 0.000 description 18
- 101100355951 Synechocystis sp. (strain PCC 6803 / Kazusa) rcp1 gene Proteins 0.000 description 18
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 18
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 17
- 102100027094 Echinoderm microtubule-associated protein-like 1 Human genes 0.000 description 15
- 101001057941 Homo sapiens Echinoderm microtubule-associated protein-like 1 Proteins 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 102100027126 Echinoderm microtubule-associated protein-like 2 Human genes 0.000 description 9
- 102100027095 Echinoderm microtubule-associated protein-like 3 Human genes 0.000 description 9
- 101001057942 Homo sapiens Echinoderm microtubule-associated protein-like 2 Proteins 0.000 description 9
- 101001057939 Homo sapiens Echinoderm microtubule-associated protein-like 3 Proteins 0.000 description 9
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 9
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 8
- -1 naphthalene-l-yl Chemical group 0.000 description 8
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002585 base Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 5
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- JYBNOVKZOPMUFI-UHFFFAOYSA-N n-(3-hydroxy-2-methyl-3,4-diphenylbutyl)-n-methylpropanamide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)(C(C)CN(C)C(=O)CC)CC1=CC=CC=C1 JYBNOVKZOPMUFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-3-naphthalen-1-yl-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(C=2C(=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N (S)-camphorsulfonic acid Chemical compound C1C[C@@]2(CS(O)(=O)=O)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N 0.000 description 2
- YMRHXVOHLPIMNN-UHFFFAOYSA-N 1-n-(3-methylphenyl)-2-n,2-n-diphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(NC=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 YMRHXVOHLPIMNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 2
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CATUKADCLPCACU-UHFFFAOYSA-N 4-(4-aminophenyl)-3-(4-phenylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 CATUKADCLPCACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MAGFQRLKWCCTQJ-UHFFFAOYSA-M 4-ethenylbenzenesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C1=CC=C(C=C)C=C1 MAGFQRLKWCCTQJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AOQKGYRILLEVJV-UHFFFAOYSA-N 4-naphthalen-1-yl-3,5-diphenyl-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C(N1C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)=NN=C1C1=CC=CC=C1 AOQKGYRILLEVJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LPTWEDZIPSKWDG-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid;dodecane Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1.CCCCCCCCCCCC LPTWEDZIPSKWDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 229940060296 dodecylbenzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 2
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- FGDZQCVHDSGLHJ-UHFFFAOYSA-M rubidium chloride Chemical compound [Cl-].[Rb+] FGDZQCVHDSGLHJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LWNGJAHMBMVCJR-UHFFFAOYSA-N (2,3,4,5,6-pentafluorophenoxy)boronic acid Chemical compound OB(O)OC1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F LWNGJAHMBMVCJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- IJVBYWCDGKXHKK-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,2-n,2-n-tetraphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IJVBYWCDGKXHKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n-diphenyl-4-n,4-n-bis[4-(n-phenylanilino)phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 1-n-[4-[4-(n-[4-(3-methyl-n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]-4-n,4-n-bis(3-methylphenyl)-1-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRFNBEZIAWKNCO-UHFFFAOYSA-N 3-pyridinol Chemical compound OC1=CC=CN=C1 GRFNBEZIAWKNCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003349 3-pyridyl group Chemical group N1=C([H])C([*])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- YACSIMLPPDISOJ-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-3-(3-methylphenyl)-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(C=2C(=CC=C(NC=3C=CC=CC=3)C=2)C=2C=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)=C1 YACSIMLPPDISOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YWKKLBATUCJUHI-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-(4-methylphenyl)-n-phenylaniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=CC=C1 YWKKLBATUCJUHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYNTUCBQEHUHCS-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n-[4-[4-(n-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]-1-n,4-n-diphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 QYNTUCBQEHUHCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZYDBGLUVPLRKR-UHFFFAOYSA-N 9-(3-carbazol-9-ylphenyl)carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=CC=C1 MZYDBGLUVPLRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CCYFKNVEUKJWJF-UHFFFAOYSA-N N1=CC(=CC=C1)C=1C=C(C=CC1)C1=CC(=CC=C1)C1=NC(=NC(=N1)C=1C=C(C=CC1)C1=CC(=CC=C1)C=1C=NC=CC1)C=1C=C(C=CC1)C1=CC(=CC=C1)C=1C=NC=CC1.N1=CC(=CC=C1)C=1C=C(C=CC1)C1=CC(=CC=C1)C1=NC(=NC(=N1)C=1C=C(C=CC1)C1=CC(=CC=C1)C=1C=NC=CC1)C=1C=C(C=CC1)C1=CC(=CC=C1)C=1C=NC=CC1 Chemical compound N1=CC(=CC=C1)C=1C=C(C=CC1)C1=CC(=CC=C1)C1=NC(=NC(=N1)C=1C=C(C=CC1)C1=CC(=CC=C1)C=1C=NC=CC1)C=1C=C(C=CC1)C1=CC(=CC=C1)C=1C=NC=CC1.N1=CC(=CC=C1)C=1C=C(C=CC1)C1=CC(=CC=C1)C1=NC(=NC(=N1)C=1C=C(C=CC1)C1=CC(=CC=C1)C=1C=NC=CC1)C=1C=C(C=CC1)C1=CC(=CC=C1)C=1C=NC=CC1 CCYFKNVEUKJWJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-M acetoacetate Chemical compound CC(=O)CC([O-])=O WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ATMLPEJAVWINOF-UHFFFAOYSA-N acrylic acid acrylic acid Chemical compound OC(=O)C=C.OC(=O)C=C ATMLPEJAVWINOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910001508 alkali metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008045 alkali metal halides Chemical class 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Inorganic materials [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPQPMUCUCNOIKJ-UHFFFAOYSA-N cyclohexa-2,4-dien-1-ylbenzene Chemical compound C1C=CC=CC1C1=CC=CC=C1 WPQPMUCUCNOIKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile Chemical compound C12=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=C1N=C(C#N)C(C#N)=N2 DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003037 imidazol-2-yl group Chemical group [H]N1C([*])=NC([H])=C1[H] 0.000 description 1
- IMKMFBIYHXBKRX-UHFFFAOYSA-M lithium;quinoline-2-carboxylate Chemical compound [Li+].C1=CC=CC2=NC(C(=O)[O-])=CC=C21 IMKMFBIYHXBKRX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001037 p-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- IRFHMTUHTBSEBK-QGZVFWFLSA-N tert-butyl n-[(2s)-2-(2,5-difluorophenyl)-3-quinolin-3-ylpropyl]carbamate Chemical compound C1([C@H](CC=2C=C3C=CC=CC3=NC=2)CNC(=O)OC(C)(C)C)=CC(F)=CC=C1F IRFHMTUHTBSEBK-QGZVFWFLSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供一种显示装置。一实施例的显示装置包括在平面上相邻而布置的第一像素区域、第二像素区域以及第三像素区域,包括:显示面板,包含与第一像素区域重叠的第一发光元件、与第二像素区域重叠的第二发光元件及与第三像素区域重叠的第三发光元件;以及折射率控制层,包含对应于第一发光元件而布置的第一折射率控制部及对应于第二发光元件而布置的第二折射率控制部,其中,第一折射率控制部及第二折射率控制部的折射率彼此不同,这种显示装置能够表现出改善的光提取效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种显示装置。更详细而言,涉及一种光提取效率得到提高的显示装置。
背景技术
正在开发用于诸如电视(TV)、移动电话、平板电脑、导航仪、游戏机之类的多媒体装置的多样的显示装置。在这些显示装置中,使用通过使包括有机化合物的发光材料发光来实现显示的所谓的自发光型显示元件。
并且,正持续进行通过改善显示装置的结构来进一步提高光效率而提高显示装置的质量的研究。
发明内容
本发明的目的在于提供一种为了提高光提取效率而引入折射率受控制的层的显示装置。
在一实施例中,提供了一种显示装置,包括在平面上相邻而布置的第一像素区域、第二像素区域以及第三像素区域,包括:显示面板,包含与所述第一像素区域重叠的第一发光元件、与所述第二像素区域重叠的第二发光元件及与所述第三像素区域重叠的第三发光元件;以及折射率控制层,包含对应于所述第一发光元件而布置的第一折射率控制部及对应于所述第二发光元件而布置的第二折射率控制部,其中,所述第一折射率控制部及所述第二折射率控制部具有彼此不同的折射率。
所述第一折射率控制部的折射率可以是1.51至2.10,所述第二折射率控制部的折射率可以是1.51至1.95。
所述第一发光元件可以发出蓝色光,所述第二发光元件可以发出绿色光。
所述第一折射率控制部及所述第二折射率控制部的厚度可以彼此不同。
所述第一折射率控制部的厚度可以是80nm至100nm,所述第二折射率控制部的厚度可以是110nm至140nm。
所述折射率控制层还可以包括对应于所述第三发光元件而布置的第三折射率控制部,所述第三折射率控制部的折射率及厚度不同于所述第一折射率控制部及所述第二折射率控制部的折射率及厚度。
所述第三折射率控制部的折射率可以是1.51至1.85,所述第三折射率控制部的厚度可以是170nm至200nm。
所述第一发光元件、所述第二发光元件及所述第三发光元件中的每一个可以包括:第一电极;空穴传输区域,布置于所述第一电极上;发光层,布置于所述空穴传输区域上;电子传输区域,布置于所述发光层上;以及第二电极,布置于所述电子传输区域上。
所述显示装置还可以包括:封盖层,布置于所述第二电极与所述折射率控制层之间。
所述显示装置还可以包括:封装层,密封所述第一像素区域至所述第三像素区域,并且包含布置有所述显示面板的下表面及与所述下表面相面对的上表面。
所述折射率控制层可以直接布置于所述封装层的下表面上。
所述折射率控制层可以直接布置于所述封装层的上表面上。
所述封装层可以包括玻璃基板,在所述封装层与所述显示面板之间可以定义有内部空间。
所述封装层可以包括至少一个无机层及至少一个有机层,所述折射率控制层可以直接布置于所述显示面板上。
在一实施例中,提供了一种包括在平面上相邻而布置的第一像素区域、第二像素区域以及第三像素区域的显示装置,所述显示装置包括:显示面板,包含与所述第一像素区域重叠的第一发光元件、与所述第二像素区域重叠的第二发光元件及与所述第三像素区域重叠的第三发光元件;以及折射率控制层,包含对应于所述第一发光元件而布置的第一折射率控制部及对应于所述第二发光元件而布置的第二折射率控制部,其中,所述第一折射率控制部及所述第二折射率控制部的厚度彼此不同。
在一实施例中,提供了一种包括在平面上相邻而布置的第一像素区域、第二像素区域以及第三像素区域的显示装置,所述显示装置包括:显示面板,包含与所述第一像素区域重叠的第一发光元件、与所述第二像素区域重叠的第二发光元件及与所述第三像素区域重叠的第三发光元件;以及折射率控制层,包含对应于所述第一发光元件而布置的第一折射率控制部、对应于所述第二发光元件而布置的第二折射率控制部及对应于所述第三发光元件而布置的第三折射率控制部,其中,所述第一折射率控制部、所述第二折射率控制部及所述第三折射率控制部的折射率及厚度彼此不同。
一实施例的显示装置包括折射率受控制的折射率控制层,从而能够提高光提取效率。
附图说明
图1是一实施例的电子装置的结合立体图。
图2是一实施例的电子装置的分解立体图。
图3是示出根据一实施例的显示装置的平面图。
图4至图8是一实施例的显示装置的剖面图。
图9及图10是示出根据本发明的比较例及实施例的显示装置的光透射率的曲线图。
附图标记说明:
DD:显示装置 DP:显示面板
ED:发光元件 RCL:折射率控制层
RCP:折射率控制部 EN:封装层
具体实施方式
本发明可以进行多样的变更,可以具有多种形态,因此,在附图中示出特定实施例,并且在本文中进行详细说明。然而,这并不是为了将本发明限定于特定的公开形态,并且应当理解为包括包含于本发明的思想及技术范围内的所有变更、等同物及替代物。
在本说明书中,当提到某一构成要素(或者区域、层、部分等)在另一构成要素“之上”、或者与另一构成要素“连接”或“结合”时,表示其可以直接布置在另一构成要素上或者与另一构成要素直接连接/结合,或者在它们之间也可以布置有第三构成要素。
另外,在本申请中“直接布置”可以表示层、膜、区域、板等的部分与另一部分之间没有追加的层、膜、区域、板等。例如,“直接布置”可以表示在不使用粘合部件等追加部件的情况下布置于两个层或两个部件之间。
相同的附图标记指代相同的构成要素。并且,在附图中,构成要素的厚度、比率以及尺寸为了针对技术内容进行有效的说明而被夸大。
“和/或”包括相关的构成要素可以定义的一个以上的全部的组合。
第一、第二等术语可以用于说明多样的构成要素,但所述构成要素不应被所述术语限定。所述术语仅用于将一个构成要素与另一构成要素进行区分的目的。例如,在不脱离本发明的权利范围的情况下,第一构成要素可以被命名为第二构成要素,相似地,第二构成要素也可以被命名为第一构成要素。只要在语境中没有明确表示不同含义,单数的表述便包括复数的表述。
并且,“下方”、“下侧”、“上方”、“上侧”等术语用于说明附图中示出的构成要素之间的相关关系。所述术语为相对概念,以附图中表示的方向为基准而被说明。
只要没有被不同地定义,本说明书中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属技术领域的技术人员通常所理解的含义相同的含义。并且,与通常使用的词典中所定义的术语相同的术语应当被解释为具有与在相关技术的语境中的含义一致的含义,并且只要没有被解释为理想的或者过度地形式性的含义,则在此明示性地定义。
“包括”或者“具有”等术语应当被理解为:用于指定说明书中所记载的特征、数字、步骤、操作、构成要素、部件或者其组合的存在,而不是预先排除一个或者其以上的其他特征或者数字、步骤、操作、构成要素、部件或者其组合的存在或者附加的可能性。
以下,参照附图,对根据本发明的实施例的量子点组合物、发光元件及包括其的显示装置进行说明。
图1是示出电子装置EA的一实施例的立体图。图2是一实施例的电子装置EA的分解立体图。
在一实施例中,电子装置EA可以是诸如电视(TV)、显示器或外部广告牌之类的大型电子装置。并且,电子装置EA可以是诸如个人用计算机、笔记本计算机、个人数字终端、汽车导航单元、游戏机、智能电话、平板电脑以及相机之类的中小型电子装置。并且,这些只是作为实施例而提到的,在不脱离本发明的概念的情况下,也可以采用其他电子装置。在本实施例中,电子装置EA被示例性地示出为智能手机。
电子装置EA可以包括显示装置DD及壳体HAU。显示装置DD可以通过显示面IS显示图像IM。图1示出为显示面IS平行于由第一方向DR1和与第一方向DR1交叉的第二方向DR2所定义的表面。但是,这仅是示例性的,在其他实施例中,显示装置DD的显示面IS可以具有弯曲的形状。
在显示面IS的法线方向(即,显示装置DD的厚度方向)中,显示图像IM的方向由第三方向DR3指示。各个部件的前表面(或上表面)和后表面(或下表面)可以通过第三方向DR3来划分。
第四方向DR4(参照图3)可以是第一方向DR1与第二方向DR2之间的方向。第四方向DR4可以位于与由第一方向DR1和第二方向DR2所定义的表面平行的表面上。另外,第一方向DR1、第二方向DR2、第三方向DR3及第四方向DR4指示的方向是相对概念,可以转换为其他方向。
在电子装置EA中,显示图像IM的显示面IS可以对应于显示装置DD的前表面(frontsurface),并且可以对应于窗口WP的前表面FS。以下,电子装置EA的显示面、前表面及窗口WP的前表面将使用相同的附图标记。图像IM可以包括静态图像以及动态图像。另外,尽管未在附图中示出,电子装置EA可以包括包含折叠区域和非折叠区域的可折叠显示装置或者包含至少一个弯曲部的弯曲显示装置等。
壳体HAU可以收纳显示装置DD。壳体HAU可以布置为以使作为显示装置DD的显示面IS的上表面暴露的方式覆盖显示装置DD。壳体HAU可以覆盖显示装置DD的侧表面和底表面并暴露整个上表面。然而,实施例并不限于此,壳体HAU不仅可以覆盖显示装置DD的侧表面和底表面,还可以覆盖显示装置DD的上表面的一部分。
在一实施例的电子装置EA中,窗口WP可以包括光学透明绝缘物质。窗口WP可以包括透射区域TA及边框区域BZA。包括透射区域TA及边框区域BZA的窗口WP的前表面FS对应于电子装置EA的前表面FS。用户可以看到通过对应于电子装置EA的前表面FS的透射区域TA提供的图像。
在图1及图2中,透射区域TA被示出为边角圆滑的四边形形状。然而,这仅是示例性示出的,透射区域TA可以具有多样的形状,并不限于一个实施例。
透射区域TA可以是光学透明区域。边框区域BZA可以是与透射区域TA相比具有相对更低的光透射率的区域。边框区域BZA可以具有预定颜色。边框区域BZA可以与透射区域TA相邻,并且可以围绕透射区域TA。边框区域BZA可以定义透射区域TA的形状。然而,实施例并不限于上述的实施例,边框区域BZA可以仅与透射区域TA的一侧相邻而布置,也可以被省略其一部分。
显示装置DD可以布置于窗口WP的下方。在本说明书中,“下方”可以指与显示装置DD提供图像的方向相反的方向。
在一个实施例中,显示装置DD可以是实质上生成图像IM的构成。由显示装置DD生成的图像IM显示于显示面IS,并且用户在外部通过透射区域TA看到图像IM。显示装置DD包括显示区域DA及非显示区域NDA。显示区域DA可以是根据电信号而激活的区域。非显示区域NDA可以是被边框区域BZA覆盖的区域。非显示区域NDA与显示区域DA相邻。非显示区域NDA可以围绕显示区域DA。
图3是示出一实施例的显示装置DD的平面图。图4是一实施例的显示装置DD的剖面图。图4是对应于图3的II-II'线的剖面图。
参照图3及图4,一实施例的显示装置DD包括多个发光元件ED-1、ED-2、ED-3,并且包括包含在各个发光元件ED-1、ED-2、ED-3上对应地布置的折射率控制部RCP1、RCP2、RCP3的折射率控制层RCL。折射率控制层RCL可以提高显示装置DD的光提取效率。
显示面板DP可以包括基底基板BS、设置在基底基板BS上的电路层DP-CL及显示元件层DP-EL,显示元件层DP-EL可以包括像素定义膜PDL、布置在像素定义膜PDL之间的发光元件ED-1、ED-2、ED-3以及布置在发光元件ED-1、ED-2、ED-3上的封装层EN。
显示装置DD可以包括非发光区域NPXA及发光区域PXA-B、PXA-G、PXA-R。发光区域PXA-B、PXA-G、PXA-R中的每一个可以是发出从发光元件ED-1、ED-2、ED-3中的每一个产生的光的区域。发光区域PXA-B、PXA-G、PXA-R可以在平面上彼此隔开。
发光区域PXA-B、PXA-G、PXA-R可以根据从发光元件ED-1、ED-2、ED-3产生的光的颜色而被划分为多个组。在图3和图4所示的一实施例的显示装置DD中,示例性地示出了发出蓝色光、绿色光及红色光的三个发光区域PXA-B、PXA-G、PXA-R。例如,一实施例的显示装置DD可以包括彼此被划分的蓝色发光区域PXA-B、绿色发光区域PXA-G及红色发光区域PXA-R。在一实施例中,红色光可以是625nm至675nm波长区域的光,绿色光可以是500nm至570nm波长区域的光,蓝色光可以是410nm至480nm波长区域的光。
多个发光元件ED-1、ED-2、ED-3可以发出不同波长区域的光。例如,在一实施例中,显示装置DD可以包括发出蓝色光的第一发光元件ED-1、发出绿色光的第二发光元件ED-2及发出红色光的第三发光元件ED-3。然而,实施例并不限于此,第一发光元件ED-1、第二发光元件ED-2及第三发光元件ED-3可以发出相同的波长区域的光,或者其中的至少一个发出不同的波长区域的光。
例如,显示装置DD的蓝色发光区域PXA-B、绿色发光区域PXA-G及红色发光区域PXA-R可以分别与第一发光元件ED-1、第二发光元件ED-2及第三发光元件ED-3重叠。
第一发光元件ED-1的第一发光层EML1可以发出蓝色光。第二发光元件ED-2的第二发光层EML2可以发出绿色光。第三发光元件ED-3的第三发光层EML3可以发出红色光。在这种情况下,第一发光层EML1可以包括蓝色发光物质,第二发光层EML2可以包括绿色发光物质,第三发光层EML3可以包括红色发光物质。
在一实施例的显示装置DD中,显示面板DP可以是发光型显示面板。例如,显示面板DP可以是包括有机电致发光元件的有机电致发光显示面板。但是,实施例并不限于此,也可以是包括量子点发光元件的量子点发光显示面板。发光层EML1、EML2、EML3可以包括有机发光物质。然而,实施例并不限于此,也可以包括量子点。
在一实施例的显示装置DD中,各个发光区域PXA-B、PXA-G、PXA-R的面积可以彼此不同。此时,面积可以表示在由第一方向DR1和第二方向DR2定义的平面上观察时的面积。
发光区域PXA-B、PXA-G、PXA-R可以根据从发光元件ED-1、ED-2、ED-3的发光层EML1、EML2、EML3发出的光的颜色而具有不同的面积。例如,参照图3及图4,在一实施例的显示装置DD中,与发出蓝色光的第一发光元件ED-1对应的蓝色发光区域PXA-B可以具有最大面积,并且与发出绿色光的第二发光元件ED-2对应的绿色发光区域PXA-G可以具有最小面积。然而,实施例并不限于此,发光区域PXA-B、PXA-G、PXA-R可以发出除了蓝色光、绿色光和红色光之外的其他颜色的光,或者发光区域PXA-B、PXA-G、PXA-R可以具有相同的面积,或者可以以与图3所示的面积比不同的面积比设置发光区域PXA-B、PXA-G、PXA-R。
发光区域PXA-B、PXA-G、PXA-R中的每一个可以是由像素定义膜PDL划分的区域。非发光区域NPXA可以是相邻的发光区域PXA-B、PXA-G、PXA-R之间的区域,并且是与像素定义膜PDL对应的区域。另外,在本说明书中,发光区域PXA-B、PXA-G、PXA-R中的每一个可以分别对应于像素(Pixel)。像素定义膜PDL可以划分发光元件ED-1、ED-2、ED-3。发光元件ED-1、ED-2、ED-3的发光层EML1、EML2、EML3可以布置于由像素定义膜PDL定义的开口部OH而被划分。
像素定义膜PDL可以利用聚合物树脂形成。例如,像素定义膜PDL可以包括聚丙烯酸酯(Polyacrylate)系树脂或聚酰亚胺(Polyimide)系树脂。并且,除了聚合物树脂之外,像素定义膜PDL还可以包括无机物。另外,像素定义膜PDL可以包括光吸物质,或者可以包括黑色颜料或黑色染料。包括黑色颜料或黑色染料的像素定义膜PDL可以实现黑色像素定义膜。当形成像素定义膜PDL时,可以使用炭黑等作为黑色颜料或黑色染料,但实施例并不限于此。
并且,像素定义膜PDL可以利用无机物而形成。例如,像素定义膜PDL可以包括硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOy)、氮氧化硅(SiOyNx)等。像素定义膜PDL可以定义发光区域PXA-B、PXA-G、PXA-R。发光区域PXA-B、PXA-G、PXA-R和非发光区域NPXA可以通过像素定义膜PDL而被划分。
显示面板DP可以包括基底基板BS、布置于基底基板BS上的电路层DP-CL及布置于电路层DP-CL上的显示元件层DP-EL。
基底基板BS可以是提供布置显示元件层DP-EL的基底表面的部件。基底基板BS可以是玻璃基板、金属基板、塑料基板等。然而,实施例并不限于此,基底基板BS可以是无机层、有机层或复合材料层。基底基板BS可以是能够容易地弯曲或折叠的柔性(flexible)基板。
在一实施例中,电路层DP-CL布置于基底基板BS上,并且电路层DP-CL可以包括多个晶体管(未示出)。晶体管(未示出)可以分别包括控制电极、输入电极及输出电极。例如,电路层DP-CL可以包括用于驱动显示元件层DP-EL的发光元件ED-1、ED-2、ED-3的开关晶体管及驱动晶体管。
图4是示出根据一实施例的发光元件ED-1、ED-2、ED-3的图。以下,将以第一发光元件ED-1为中心说明发光元件。在包括于一实施例的显示装置DD的发光元件ED-1、ED-2、ED-3中,除了包括于发光层EML1、EML2、EML3的发光材料彼此不同之外,对于第一电极EL1、空穴传输区域HTR、电子传输区域ETR及第二电极EL2将应用相同的内容。
根据一实施例的第一发光元件ED-1包括:第一电极EL1;第二电极EL2,与第一电极EL1面对;以及多个功能层,布置于第一电极EL1与第二电极EL2之间,并包括第一发光层EML1。多个功能层可以包括:空穴传输区域HTR,布置于第一电极EL1与第一发光层EML1之间;以及电子传输区域ETR,布置于第一发光层EML1与第二电极EL2之间。
空穴传输区域HTR和电子传输区域ETR可以分别包括多个子功能层。例如,空穴传输区域HTR可以包括空穴注入层及空穴传输层作为子功能层,电子传输区域ETR可以包括电子注入层及电子传输层作为子功能层。另外,实施例并不限于此,空穴传输区域HTR还可以包括电子阻挡层等作为子功能层,电子传输区域ETR还可以包括空穴阻挡层等作为子功能层。
在根据一实施例的第一发光元件ED-1中,第一电极EL1具有导电性。第一电极EL1可以利用金属合金或导电性化合物形成。第一电极EL1可以是阳极(anode)。第一电极EL1可以是像素电极。
在根据一实施例的第一发光元件ED-1中,第一电极EL1可以是反射型电极。然而,实施例并不限于此。例如,第一电极EL1可以是透射型电极或半透射型电极等。在第一电极EL1为半透射型电极或反射型电极的情况下,第一电极EL1可以包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti或者它们的化合物或混合物(例如,Ag和Mg的混合物)。或者可以是包括利用上述的示例性的物质形成的反射膜或半透射膜及利用铟锡氧化物(ITO:indium tin oxide)、铟锌氧化物(IZO:indium zinc oxide)、氧化锌(ZnO:zinc oxide)、铟锡锌氧化物(IZTO:indium zinc tin oxide)等形成的透明导电膜的多层结构。例如,第一电极EL1可以是多层金属膜,并且可以具有ITO/Ag/ITO的金属膜堆叠的结构。
空穴传输区域HTR设置在第一电极EL1上。空穴传输区域HTR可以包括空穴注入层及空穴传输层等。并且,除了空穴注入层和空穴传输层之外,空穴传输区域HTR还可以包括空穴缓冲层及电子阻挡层中的至少一个。空穴缓冲层可以补偿由第一发光层EML1发出的光的波长引起的谐振距离,从而提高发光效率。作为包括于空穴缓冲层(未示出)的物质,可以使用可包括于空穴传输区域HTR的物质。电子阻挡层(未示出)是起到防止电子从电子传输区域ETR注入到空穴传输区域HTR的作用的层。
空穴传输区域HTR可以具有多层结构,所述多层结构具有利用单一物质形成的单层、利用多个彼此不同的物质形成的单层或利用多个彼此不同的物质形成的多个层。例如,空穴传输区域HTR可以具有利用多个彼此不同的物质形成的单层结构,或者可以具有从第一电极EL1依次堆叠的结构,例如,空穴注入层/空穴传输层、空穴注入层/空穴传输层/空穴缓冲层、空穴注入层/空穴缓冲层、空穴传输层/空穴缓冲层或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层等,但实施例并不限于此。
空穴传输区域HTR可以利用诸如真空沉积法、旋涂法、浇铸法、LB(Langmuir-Blodgett)法、喷墨印刷法、激光印刷法、激光诱导热成像(LITI:Laser Induced ThermalImaging)法等的多样的方法而形成。
例如,空穴注入层可以包括铜酞菁(copper phthalocyanine)等酞菁(phthalocyanine)化合物、N,N'-二苯基-N,N'-双-[4-(苯基-间甲苯基-氨基)-苯基]-联苯-4,4'-二胺(DNTPD:N,N'-diphenyl-N,N'-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4'-diamine)、4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA:4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine)、4,4'4"-三(N,N-二苯氨基)三苯胺(TDATA:4,4'4"-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine)、4,4',4"-三{N,-(2-萘基)-N-苯氨基}-三苯胺(2-TNATA:4,4',4"-tris{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS:Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate))、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA:Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA:Polyaniline/Camphor sulfonicacid)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS:(Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate))、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB:N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine)、包含三苯胺的聚醚酮(TPAPEK)、4-异丙基-4'-甲基二苯基碘离子四(五氟苯基)硼酸酯(4-Isopropyl-4'-methyldiphenyliodonium Tetrakis(pentafluorophenyl)borate)、二吡嗪并[2,3-f:2',3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈(HAT-CN:dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile)等。
例如,空穴传输层可以包括N-苯基咔唑和聚乙烯咔唑等的咔唑系衍生物、芴(fluorene)系衍生物、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-联苯]-4,4'-二胺(TPD:N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine)、诸如4,4',4"-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA:4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine)等的三苯胺系衍生物、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB:N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine)、4,4'-环己基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺](TAPC:4,4′-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine])、4,4'-双[N,N'-(3-甲苯基)氨基]-3,3'-二甲基联苯(HMTPD:4,4'-Bis[N,N'-(3-tolyl)amino]-3,3'-dimethylbiphenyl)、1,3-双(N-咔唑基)苯(mCP:1,3-Bis(N-carbazolyl)benzene)等。
第一发光层EML1设置在空穴传输区域HTR上。如上所述,第一发光层EML1可以包括有机发光物质。然而,本发明并不限于此,可以包括量子点。
第一发光层EML1可以利用诸如真空沉积法、旋涂法、浇铸法、LB(Langmuir-Blodgett)法、喷墨印刷法、激光印刷法、激光诱导热成像(LITI:Laser Induced ThermalImaging)法等的多样的方法而形成。
在一实施例的第一发光元件ED-1中,电子传输区域ETR设置在第一发光层EML1上。电子传输区域ETR可以包括空穴阻挡层、电子传输层及电子注入层中的至少一个,但实施例并不限于此。
电子传输区域ETR可以具有多层结构,所述多层结构具有利用单一物质形成的单层、利用多个彼此不同的物质形成的单层或利用多个彼此不同的物质形成的多个层。
例如,电子传输区域ETR可以具有电子注入层或电子传输层的单层结构,也可以具有利用电子注入物质和电子传输物质形成的单层结构。并且,电子传输区域ETR可以具有利用多个彼此不同的物质形成的单层结构,或者可以具有从第一发光层EML1依次堆叠的电子传输层/电子注入层、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构,但并不限于此。电子传输区域ETR的厚度例如可以为约至约
电子传输区域ETR可以利用诸如真空沉积法、旋涂法、浇铸法、LB(Langmuir-Blodgett)法、喷墨印刷法、激光印刷法、激光诱导热成像(LITI:Laser InducedThermalImaging)法等的多样的方法而形成。
在电子传输区域ETR包括电子传输层的情况下,电子传输区域ETR可以包括蒽系化合物。然而,并不限于此,例如,电子传输区域ETR可以包括三(8-羟基喹啉)铝(Alq3:Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum)、1,3,5-三[(3-吡啶基)-苯-3-基]苯(1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene)、2,4,6-三(3'-(吡啶-3-基)联苯-3-基)-1,3,5-三嗪(2,4,6-tris(3'-(pyridin-3-yl)biphenyl-3-yl)-1,3,5-triazine)、2-(4-(N-苯基苯并咪唑基-1-基苯基)-9,10-二萘基蒽(2-(4-(N-phenylbenzoimidazolyl-1-ylphenyl)-9,10-dinaphthylanthracene))、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯基(TPBi:1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)phenyl)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP:2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen:4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁苯基-1,2,4-三唑(TAZ:3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ:4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁苯基)-1,3,4-恶二唑(tBu-PBD:2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯基-4-羟基)铝(BAlq:Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum)、双(苯并喹啉-10-羟基)铍(Bebq2:berylliumbis(benzoquinolin-10-olate))、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN:9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene)及其的混合物。或者,电子传输层可以包括ZnO等的金属氧化物。电子传输层的厚度可以是约至约(例如,约至约)。在电子传输层的厚度满足上述范围的情况下,可以在无实质的驱动电压的上升的情况下获得令人满意的电子传输特性。
在电子传输区域ETR包括电子注入层的情况下,电子注入层可以包括卤化金属、金属氧化物、镧系金属、或者卤化金属和镧系金属的共沉积物质等。另外,卤化金属可以是卤化碱金属。例如,电子传输区域ETR可以包括LiF、Liq(Lithium quinolate)、Li2O、BaO、NaCl、CsF、Yb、RbCl、RbI、KI、CuI或KI:Yb等,但实施例并不限于此。电子注入层也可以利用将电子传输物质和绝缘性的有机金属盐(organo metal salt)混合的物质而形成。例如,有机金属盐可以包括金属乙酸盐(metal acetate)、金属苯甲酸盐(metalbenzoate)、金属乙酰乙酸盐(metalacetoacetate)、金属乙酰丙酮化物(metalacetylacetonate)或金属硬脂酸盐(stearate)。电子注入层的厚度可以是约至约约至约在电子注入层的厚度满足上述范围的情况下,可以在无实质的驱动电压的上升的情况下获得令人满意的电子注入特性。
如上所述,电子传输区域ETR可以包括空穴阻挡层。例如,空穴阻挡层可以包括2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP:2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)及4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen:4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline)中的至少一个,但并不限于此。
第二电极EL2设置在电子传输区域ETR上。第二电极EL2可以是公共电极或负极。第二电极EL2可以是透射型电极、半透射型电极或反射型电极。在第二电极EL2为透射型电极的情况下,第二电极EL2可以利用透明金属氧化物(例如,铟锡氧化物(ITO:indiumtinoxide)、铟锌氧化物(IZO:indium zinc oxide)、氧化锌(ZnO:zinc oxide)、铟锡锌氧化物(IZTO:indiumzinc tin oxide))等形成。
在第二电极EL2为半透射型电极或反射型电极的情况下,第二电极EL2可以包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、Yb或包括它们的化合物(例如,AgYb,根据含量,有AgMg和MgAg化合物等)或混合物(例如,Ag和Mg的混合物)。或者包括利用上述物质形成的反射膜或半透射膜以及利用铟锡氧化物(ITO:indium tinoxide)、铟锌氧化物(IZO:indiumzinc oxide)、氧化锌(ZnO:zinc oxide)、铟锡锌氧化物(IZTO:indium zinc tin oxide)等形成的透明导电膜的多个层结构。
尽管未示出,第二电极EL2可以连接到辅助电极。当第二电极EL2连接到辅助电极时,可以减小第二电极EL2的电阻。
根据本发明的显示装置DD包括布置于显示面板DP上的折射率控制层RCL。折射率控制层RCL可以包括第一折射率控制部RCP1、第二折射率控制部RCP2及第三折射率控制部RCP3。然而,并不限于此,可以省略其中的一个。例如,折射率控制层RCL可以仅包括第一折射率控制部RCP1及第二折射率控制部RCP2。
在一实施例中,第一折射率控制部RCP1、第二折射率控制部RCP2及第三折射率控制部RCP3中的每一个可以具有彼此不同的折射率。由于显示装置DD包括以使第一折射率控制部RCP1、第二折射率控制部RCP2及第三折射率控制部RCP3具有彼此不同的折射率的方式控制折射率的折射率控制层RCL,因此可以有效地提高光提取效率。
在一实施例中,第一折射率控制部RCP1、第二折射率控制部RCP2及第三折射率控制部RCP3可以布置成在平面上彼此隔开。参照图4,第一折射率控制部RCP1、第二折射率控制部RCP2及第三折射率控制部RCP3可以排列成在由第一方向DR1的轴和第三方向DR3的轴定义的平面上彼此隔开。
第一折射率控制部RCP1对应于第一发光元件ED-1而布置,并且使第一发光元件ED-1发出的光折射。第二折射率控制部RCP2对应于第二发光元件ED-2而布置,并且使第二发光元件ED-2发出的光折射。第三折射率控制部RCP3对应于第三发光元件ED-3而布置,并且使第三发光元件ED-3发出的光折射。
遮光部BM可以布置于隔开布置的第一折射率控制部RCP1与第二折射率控制部RCP2之间以及第二折射率控制部RCP2与第三折射率控制部RCP3之间。遮光部BM对应于非发光区域NPXA而设置。遮光部BM可以形成为包括包含黑色颜料或染料的有机遮光物质或无机遮光物质。遮光部BM可以防止漏光现象,并且可以划分相邻的折射率控制部之间的边界。遮光部BM的至少一部分可以与相邻的折射率控制部重叠而布置。即,在由第一方向DR1的轴和第三方向DR3的轴定义的平面上,遮光部BM可以布置成与在厚度方向上相邻的折射率控制部重叠至少一部分。然而,并不限于此。在本发明的一实施例中,公开了遮光部BM包括于折射率控制层RCL,但是并不限于此。
在一实施例中,第一折射率控制部RCP1的折射率可以是1.51至2.10。第二折射率控制部RCP2的折射率可以是1.51至1.95。第三折射率控制部RCP3的折射率可以是1.51至1.85。
当发光元件ED-1、ED-2、ED-3的发光层EML1、EML2、EML3分别向折射率控制层RCL发出具有彼此不同的波长的光时,从彼此不同的发光层EML1、EML2、EML3发出的光相对于折射率控制层RCL具有彼此不同的入射角。此时,在入射角具有全反射角以上的大小的情况下,入射光在界面处被反射100%而不能向外部发出。所述全反射角的大小遵循斯涅尔定律。另外,入射角可以是与由第一方向DR1及与第一方向DR1交叉的第二方向DR2定义的表面垂直的虚拟的线与入射到折射率控制层RCL的光形成的角度。
因此,在将具有受控制的折射率的第一折射率控制部RCP1、第二折射率控制部RCP2及第三折射率控制部RCP3在第一发光层EML1、第二发光层EML2及第三发光层EML3上分别对应地布置的情况下,可以通过调节入射角来增加向外部发出的光量,据此,也会提高光提取效率。
在一实施例中,显示装置DD还可以包括布置于显示面板DP上的封装层EN。封装层EN可以覆盖显示区域DA。封装层EN布置于发光元件ED-1、ED-2、ED-3上以密封发光元件ED-1、ED-2、ED-3。封装层EN可以阻挡发光元件ED-1、ED-2、ED-3暴露于外部的水分及空气等。
封装层EN可以包括沿第三方向DR3布置显示面板DP的下表面及与下表面相面对的上表面。在一实施例中,折射率控制层RCL可以直接布置于封装层EN的下表面上。然而,并不限于此,折射率控制层RCL也可以直接布置于封装层EN的上表面上(图7)。
在一实施例中,封装层EN可以提供为玻璃基板或塑料基板。然而,并不限于此,封装层EN可以利用有机膜或无机膜形成。封装层EN的折射率可以为1.5以下。
在封装层EN与显示面板DP之间可以形成有内部空间AR。内部空间AR可以形成为真空。然而,并不限于此,内部空间AR可以被氮气N2填充,或者被绝缘物质填充。
图5至图8是又一实施例的显示装置DD1、DD2、DD3、DD4的剖面图。图5至图8是对应于图3的II-II'线的剖面图。以下,将省略针对与参照图1至图4说明的构成相同的构成的详细说明。
参照图5,在一实施例中,第一折射率控制部RCP1、第二折射率控制部RCP2及第三折射率控制部RCP3中的每一个可以具有彼此不同的厚度。由于显示装置DD2包括第一折射率控制部RCP1、第二折射率控制部RCP2及第三折射率控制部RCP3具有彼此不同的厚度的折射率控制层RCL,因此可以有效地提高光提取效率。另外,在本发明中,厚度可以定义为在由第一方向DR1的轴和第三方向DR3的轴定义的平面上沿第三方向DR3测量的长度。
在一实施例中,第一折射率控制部RCP1的厚度可以最小,并且第三折射率控制部RCP3的厚度最大。例如,第一折射率控制部RCP1的厚度可以是80nm至100nm。第二折射率控制部RCP2的厚度可以是110nm至140nm。第三折射率控制部RCP3的厚度可以是170nm至200nm。
参照图6,一实施例的显示装置DD2还可以包括布置于第二电极EL2上的封盖层CPL。例如,封盖层CPL可以包括α-NPD、NPB、TPD、m-MTDATA、Alq3、CuPc、N4,N4,N4',N4'-四(联苯-4-基)联苯-4,4'-二胺(TPD15:N4,N4,N4',N4'-tetra(biphenyl-4-yl)biphenyl-4,4'-diamine)、4,4',4"-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA:4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine)、N,N'-双(萘-1-基)(N,N'-bis(naphthalen-1-yl))等。
参照图7,在一实施例的显示装置DD3中,折射率控制层RCL可以布置于封装层EN上。在一实施例中,折射率控制层RCL可以直接布置于封装层EN的上表面。
参照图8,在一实施例的显示装置DD3中,封装层可以是薄膜封装层TFE。薄膜封装层TFE可以包括无机膜IL及有机膜OL。并且,薄膜封装层TFE可以具有无机膜IL及有机膜OL交替反复的结构。然而,与折射率控制层RCL接触的层可以是无机膜IL。
在一实施例中,所述无机膜IL可以具有1.5以下的折射率。只要是满足上述的折射率的物质,所述无机膜IL就不受特别限制地包括这些物质,例如,可以包括硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOyNx)、硅氧化物(SiOy)、钛氧化物(TiOy)或铝氧化物(AlOy)等。
有机膜OL可以包括丙烯酸酯(acrylate)系的有机物,但并不限于此。所述无机膜IL可以通过沉积法等而形成,所述有机膜OL可以通过沉积法、涂覆法等而形成。
图9及图10是示出根据本发明的比较例(Ref)及实施例的显示装置的光透射率的曲线图。在图9及图10中,根据实施例的显示装置具有与图4的显示装置DD相同的结构,并且根据比较例(Ref)的显示装置与在图4的显示装置DD中去除了折射率控制层RCL的显示装置对应。图9是蓝色光的光透射率,图10是绿色光的光透射率。另外,光透射率表示假设从发光层发出的光的总量为1时从显示装置向外部发出的光量。
图9是示出关于第一折射率控制部RCP1的折射率为1.8的相同的实施例的显示装置的光透射率的曲线图。确认在450nm处测量的光透射率时,可以确认,在第一折射率控制部RCP1的厚度为80nm、100nm及200nm的情况下,与比较例的显示装置相比光透射率有上升。
另外,当以与此相同的方法确认在450nm附近测量的光透射率时,针对第一折射率控制部RCP1的厚度为100nm的相同的实施例的显示装置改变其折射率而测量的光透射率如下表1所示。
[表1]
折射率1.15 | 折射率1.8 | 折射率2.1 | |
厚度100nm | 0.8 | 0.85 | 0.73 |
在表1及图9中可以确认,与比较例的显示装置相比,具有所述折射率的显示装置具有更高的光透射率。
图10是示出关于第二折射率控制部RCP2的折射率为1.75的相同的实施例的显示装置的光透射率的曲线图。确认在520nm处测量的光透射率时,可以确认,在第二折射率控制部RCP2的厚度为110nm、130nm及140nm的情况下,与比较例的显示装置相比光透射率有上升。
另外,以与此相同的方法,对于第二折射率控制部RCP2的厚度为110nm的相同的实施例的显示装置改变折射率而测量的光透射率如下表2所示。
[表2]
折射率1.15 | 折射率1.75 | 折射率1.95 | |
厚度110nm | 0.75 | 0.83 | 0.83 |
在表2及图10中可以确认,与比较例的显示装置相比,具有上述的折射率的显示装置具有更高的光透射率。
根据本发明的显示装置可以包括折射率控制层而改变从发光层发出的光的折射路径,据此,可以提高显示装置的光提取效率。
以上,虽然参照本发明的优选实施例进行了说明,但只要是本技术领域的熟练的技术人员或者具有本技术领域中的普通知识的人员,便可以理解在不脱离权利要求书中记载的本发明的思想和技术领域的范围内,可以对本发明进行多种修改和变更。
因此,本发明的技术范围并不应该局限于说明书的详细说明中记载的内容,而应当通过权利要求范围来确定。
Claims (14)
1.一种显示装置,包括在平面上相邻而布置的第一像素区域、第二像素区域以及第三像素区域,包括:
显示面板,包含与所述第一像素区域重叠的第一发光元件、与所述第二像素区域重叠的第二发光元件及与所述第三像素区域重叠的第三发光元件;以及
折射率控制层,包含对应于所述第一发光元件而布置的第一折射率控制部及对应于所述第二发光元件而布置的第二折射率控制部,
其中,所述第一折射率控制部及所述第二折射率控制部具有彼此不同的折射率。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第一折射率控制部的折射率是1.51至2.10,
所述第二折射率控制部的折射率是1.51至1.95。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第一发光元件发出蓝色光,所述第二发光元件发出绿色光。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第一折射率控制部及所述第二折射率控制部的厚度彼此不同。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,
所述第一折射率控制部的厚度是80nm至100nm,
所述第二折射率控制部的厚度是110nm至140nm。
6.根据权利要求4所述的显示装置,其中,
所述折射率控制层还包括对应于所述第三发光元件而布置的第三折射率控制部,
所述第三折射率控制部的折射率及厚度不同于所述第一折射率控制部及所述第二折射率控制部的折射率及厚度。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,
所述第三折射率控制部的折射率是1.51至1.85,
所述第三折射率控制部的厚度是170nm至200nm。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第一发光元件、所述第二发光元件及所述第三发光元件中的每一个包括:
第一电极;
空穴传输区域,布置于所述第一电极上;
发光层,布置于所述空穴传输区域上;
电子传输区域,布置于所述发光层上;以及
第二电极,布置于所述电子传输区域上。
9.根据权利要求8所述的显示装置,还包括:
封盖层,布置于所述第二电极与所述折射率控制层之间。
10.根据权利要求1所述的显示装置,还包括:
封装层,密封所述第一像素区域至所述第三像素区域,并且包含布置有所述显示面板的下表面及与所述下表面相面对的上表面。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,
所述折射率控制层直接布置于所述封装层的下表面上。
12.根据权利要求10所述的显示装置,其中,
所述折射率控制层直接布置于所述封装层的上表面上。
13.根据权利要求10所述的显示装置,其中,
所述封装层包括玻璃基板,
在所述封装层与所述显示面板之间定义有内部空间。
14.根据权利要求10所述的显示装置,其中,
所述封装层包括至少一个无机层及至少一个有机层,
所述折射率控制层直接布置于所述显示面板上。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2020-0088533 | 2020-07-17 | ||
KR1020200088533A KR20220010653A (ko) | 2020-07-17 | 2020-07-17 | 표시장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113948659A true CN113948659A (zh) | 2022-01-18 |
Family
ID=79293658
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110613641.4A Pending CN113948659A (zh) | 2020-07-17 | 2021-06-02 | 显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11871612B2 (zh) |
KR (1) | KR20220010653A (zh) |
CN (1) | CN113948659A (zh) |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11326603A (ja) | 1998-05-19 | 1999-11-26 | Seiko Epson Corp | マイクロレンズアレイ及びその製造方法並びに表示装置 |
KR20060078405A (ko) | 2004-12-31 | 2006-07-05 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 렌즈 기판 어레이, 그를 포함하는 입체 영상디스플레이 장치 및 그의 제조 방법 |
US8670171B2 (en) | 2010-10-18 | 2014-03-11 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display having an embedded microlens array |
KR101991100B1 (ko) | 2013-01-09 | 2019-06-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102472607B1 (ko) * | 2016-02-03 | 2022-11-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102469498B1 (ko) | 2017-12-29 | 2022-11-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
US10983388B2 (en) * | 2017-03-15 | 2021-04-20 | Lg Display Co., Ltd. | Display device |
KR102501537B1 (ko) | 2017-06-21 | 2023-02-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전자 기기용 커버 윈도우를 포함하는 전자 기기 |
JP2019046175A (ja) * | 2017-09-01 | 2019-03-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR102516923B1 (ko) * | 2017-09-20 | 2023-04-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 헤드 마운트 표시 장치 |
KR102433274B1 (ko) * | 2017-11-28 | 2022-08-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102573486B1 (ko) * | 2017-12-04 | 2023-09-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
US10950674B2 (en) * | 2018-12-25 | 2021-03-16 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display panel |
-
2020
- 2020-07-17 KR KR1020200088533A patent/KR20220010653A/ko unknown
-
2021
- 2021-04-28 US US17/243,552 patent/US11871612B2/en active Active
- 2021-06-02 CN CN202110613641.4A patent/CN113948659A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20220010653A (ko) | 2022-01-26 |
US20220020967A1 (en) | 2022-01-20 |
US11871612B2 (en) | 2024-01-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102477262B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 장치 | |
US11545643B2 (en) | Organic electroluminescence display device | |
US11683983B2 (en) | Organic light emitting diode and organic light emitting device including the same | |
US20220123061A1 (en) | Display device | |
US11621306B2 (en) | Display panel having improved transmittance, display apparatus including the same | |
US20220190052A1 (en) | Display device | |
CN113948659A (zh) | 显示装置 | |
KR20170099458A (ko) | 유기 발광 소자 | |
CN220629953U (zh) | 显示装置 | |
US11778844B2 (en) | Light emitting element and display panel including the same | |
US20240188388A1 (en) | Display panel and display device including the same | |
US20240138225A1 (en) | Display panel and electronic apparatus including the same | |
US20230157125A1 (en) | Light receiving element and electronic device including the same | |
US20230096610A1 (en) | Electronic device | |
US20240179937A1 (en) | Display panel and electronic apparatus including the same | |
US20220045296A1 (en) | Display device | |
US20230039703A1 (en) | Display device | |
US20230076553A1 (en) | Electronic device | |
US20220328582A1 (en) | Display device | |
KR20240079312A (ko) | 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 장치 | |
JP2024077621A (ja) | 表示パネル及びそれを含む電子装置 | |
KR20240057310A (ko) | 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 장치 | |
KR20220034948A (ko) | 전자 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |