CN220629953U - 显示装置 - Google Patents
显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN220629953U CN220629953U CN202321993644.6U CN202321993644U CN220629953U CN 220629953 U CN220629953 U CN 220629953U CN 202321993644 U CN202321993644 U CN 202321993644U CN 220629953 U CN220629953 U CN 220629953U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- disposed
- pixel
- optical sensing
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 68
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 264
- 239000000463 material Substances 0.000 description 34
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 19
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 15
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 15
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 14
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 13
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 10
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 9
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 9
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 6
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 4
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 208000029523 Interstitial Lung disease Diseases 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 3
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 3
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 208000036252 interstitial lung disease 1 Diseases 0.000 description 3
- 208000036971 interstitial lung disease 2 Diseases 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TXBFHHYSJNVGBX-UHFFFAOYSA-N (4-diphenylphosphorylphenyl)-triphenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC(=CC=1)[Si](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)(=O)C1=CC=CC=C1 TXBFHHYSJNVGBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n-diphenyl-4-n,4-n-bis[4-(n-phenylanilino)phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MAGFQRLKWCCTQJ-UHFFFAOYSA-M 4-ethenylbenzenesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C1=CC=C(C=C)C=C1 MAGFQRLKWCCTQJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- YWKKLBATUCJUHI-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-(4-methylphenyl)-n-phenylaniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=CC=C1 YWKKLBATUCJUHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AOQKGYRILLEVJV-UHFFFAOYSA-N 4-naphthalen-1-yl-3,5-diphenyl-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C(N1C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)=NN=C1C1=CC=CC=C1 AOQKGYRILLEVJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile Chemical compound C12=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=C1N=C(C#N)C(C#N)=N2 DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004059 quinone derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 2
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N (S)-camphorsulfonic acid Chemical compound C1C[C@@]2(CS(O)(=O)=O)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N 0.000 description 1
- JXKQGMUHBKZPCD-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,4-n,4-n-tetraphenylpyrene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=C3C=CC=C4C=C(C(C2=C43)=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 JXKQGMUHBKZPCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 1-n-[4-[4-(n-[4-(3-methyl-n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]-4-n,4-n-bis(3-methylphenyl)-1-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTJFHMXDKGXZFC-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-tris(3-pyrimidin-5-ylphenyl)-1,3,5-triazine Chemical compound c1cc(cc(c1)-c1nc(nc(n1)-c1cccc(c1)-c1cncnc1)-c1cccc(c1)-c1cncnc1)-c1cncnc1 VTJFHMXDKGXZFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 2,5,8,11-tetratert-butylperylene Chemical group CC(C)(C)C1=CC(C2=CC(C(C)(C)C)=CC=3C2=C2C=C(C=3)C(C)(C)C)=C3C2=CC(C(C)(C)C)=CC3=C1 BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSUNFLLNZQIJJG-UHFFFAOYSA-N 2-n-naphthalen-2-yl-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C2C=CC=CC2=CC=1)C1=CC=CC=C1 XSUNFLLNZQIJJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWMRCWLCHQMXOQ-UHFFFAOYSA-N 3-(3-phenylphenyl)pyridine Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=NC=CC=2)=C1 CWMRCWLCHQMXOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYNTUCBQEHUHCS-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n-[4-[4-(n-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]-1-n,4-n-diphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 QYNTUCBQEHUHCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZYDBGLUVPLRKR-UHFFFAOYSA-N 9-(3-carbazol-9-ylphenyl)carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=CC=C1 MZYDBGLUVPLRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHKEPSYODOQJR-UHFFFAOYSA-N [9-(4-tert-butylphenyl)-6-triphenylsilylcarbazol-3-yl]-triphenylsilane Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1N1C2=CC=C([Si](C=3C=CC=CC=3)(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)C=C2C2=CC([Si](C=3C=CC=CC=3)(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=C21 WIHKEPSYODOQJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000004729 acetoacetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 1
- JPNZKPRONVOMLL-UHFFFAOYSA-N azane;octadecanoic acid Chemical class [NH4+].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O JPNZKPRONVOMLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPTWEDZIPSKWDG-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid;dodecane Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1.CCCCCCCCCCCC LPTWEDZIPSKWDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001558 benzoic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MIOPJNTWMNEORI-UHFFFAOYSA-N camphorsulfonic acid Chemical compound C1CC2(CS(O)(=O)=O)C(=O)CC1C2(C)C MIOPJNTWMNEORI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 229940060296 dodecylbenzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 150000002219 fluoranthenes Chemical class 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003037 imidazol-2-yl group Chemical group [H]N1C([*])=NC([H])=C1[H] 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- IMKMFBIYHXBKRX-UHFFFAOYSA-M lithium;quinoline-2-carboxylate Chemical compound [Li+].C1=CC=CC2=NC(C(=O)[O-])=CC=C21 IMKMFBIYHXBKRX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 125000000538 pentafluorophenyl group Chemical group FC1=C(F)C(F)=C(*)C(F)=C1F 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001651 triphenylamine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
- G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
- G06V40/12—Fingerprints or palmprints
- G06V40/13—Sensors therefor
- G06V40/1318—Sensors therefor using electro-optical elements or layers, e.g. electroluminescent sensing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
- H10K50/131—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit with spacer layers between the electroluminescent layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
- H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geometry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
提供了一种显示装置,所述显示装置包括:显示面板,其中,第一单位像素重复地设置在第一显示区域中,第一单位像素和第二单位像素重复地设置在第二显示区域中,第一单位像素包括红色像素、绿色像素和蓝色像素,并且第二单位像素包括红色像素、绿色像素、蓝色像素和光学感测像素,光学感测像素包括:晶体管,设置在基底上;第一电极,电连接到晶体管;第一共层,设置在第一电极上;光学感测层和第一发射层,设置在第一共层上;以及第二电极,设置在第一发射层和光学感测层上,并且光学感测层的平面面积大于第一发射层的平面面积。显示装置可以更容易地感测用户的输入,从而可以在实现高分辨率的同时提供改善的显示质量。
Description
本申请要求于2022年7月26日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0092715号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
公开涉及一种显示装置。
背景技术
作为图像显示装置,正在积极地开发有机电致发光显示器。有机电致发光显示器可以不同于液晶显示器(LCD),并且可以是所谓的自发射显示装置,在自发射显示装置中可以通过将从第一电极和第二电极注入到发射层中的空穴和电子复合以使包括在发射层中的可以是有机化合物的发光材料发光来实现显示。
有机电致发光显示器通常被称为有机发光二极管(OLED)显示器,并且可以包括第一电极、设置在第一电极上的空穴传输层、设置在空穴传输层上的发射层、设置在发射层上的电子传输层和设置在电子传输层上的第二电极。
空穴可以从第一电极注入,并且注入的空穴通过空穴传输层移动并且可以注入到发射层中。电子可以从第二电极注入,并且注入的电子通过电子传输层移动并且可以注入到发射层中。当注入到发射层中的空穴和电子复合时,可以在发射层中产生激子。有机电致发光显示器使用激子回落到基态时产生的光来发射光。另外,有机电致发光显示器可以不限于上述构造,并且各种修改可以是可能的。
在该背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对实用新型背景的理解,因此对本领域普通技术人员而言,它可以包含不形成在该国家可能是已知的现有技术的信息。
实用新型内容
本实用新型的一个目的是为了提供一种显示装置,所述显示装置在显示区域中包括光感测像素时,可以在实现高分辨率的同时提供改善的显示质量的显示装置。
根据实施例的显示装置包括:显示面板,包括第一显示区域和第二显示区域,其中,第一单位像素重复地设置在第一显示区域中,第一单位像素和第二单位像素重复地设置在第二显示区域中,第一单位像素包括第一红色像素、第一绿色像素和第一蓝色像素,并且第二单位像素包括第二红色像素、第二绿色像素、第二蓝色像素和光学感测像素,光学感测像素包括:晶体管,设置在基底上;第一电极,电连接到晶体管;第一共层,设置在第一电极上;光学感测层和第一发射层,设置在第一共层上;以及第二电极,设置在第一发射层和光学感测层上,并且光学感测层的平面面积大于第一发射层的平面面积。
第一发射层可以发射绿光。
显示装置还可以包括:堤,设置在第一电极上,其中,光学感测层的端部可以设置在堤的顶表面上。
光学感测层可以设置在堤的侧表面上。
堤可以包括开口,并且第一发射层可以设置在开口内。
光学感测层的平面面积可以大于开口的平面面积。
第一发射层可以设置在光学感测层上。
显示装置还可以包括:第二共层,设置在光学感测层与第一发射层之间;以及第三共层,设置在第一发射层上。
光学感测层可以设置在第一发射层上。
显示装置还可以包括:第二共层,设置在第一发射层与光学感测层之间;以及第三共层,设置在光学感测层与第二电极之间。
第一红色像素可以包括第一红色发射层,并且第二红色发射层可以设置在第一电极上,并且第一共层可以设置在第一电极与第一红色发射层之间,第二共层可以设置在第一红色发射层与第二红色发射层之间,并且第三共层可以设置在第二红色发射层与第二电极之间。
显示装置还可以包括布置在第一电极上并包括开口的堤,并且第一红色发射层和第二红色发射层可以设置在开口内。
在第二显示区域中,第一单位像素和第二单位像素可以交替地设置在第二显示区域中。
第一显示区域可以大于第二显示区域。
根据实施例的显示装置包括显示面板,显示面板包括第一显示区域和第二显示区域,其中,第一显示区域可以包括第一单位像素,第二显示区域可以包括第一单位像素和第二单位像素,第一单位像素可以包括第一红色像素、第一绿色像素和第一蓝色像素,第二单位像素可以包括第二红色像素、第二绿色像素、第二蓝色像素和光学感测像素,光学感测像素可以包括布置在堤层中的开口中的光学感测层和绿色发射层,第二红色像素、第二绿色像素、第二蓝色像素以及光学感测像素可以由堤层的开口限定,并且光学感测层可以延伸到开口外部。
光学感测层的端部可以设置在堤层的顶表面上。
绿色发射层可以设置在开口内。
绿色发射层可以设置在光学感测层上。
光学感测层可以设置在绿色发射层上。
第一单位像素和第二单位像素可以交替地设置在第二显示区域中。
根据本实用新型,显示装置的光学感测层的一端可以设置在堤的上表面上并且发射层可以仅限制在开口内或仅设置在开口内。也就是说,光学感测层的平面面积大于发射层的平面面积,因此,显示装置可以更容易地感测用户的输入,从而可以在实现高分辨率的同时提供改善的显示质量。
附图说明
通过参照附图详细描述公开的实施例,根据公开的实施例的附加理解将变得更加明显,在附图中:
图1是示出根据实施例的显示装置的使用状态的示意性透视图;
图2是根据实施例的显示装置的分解透视图;
图3是根据实施例的设置在第一显示区域中的像素的俯视平面图;
图4是根据实施例的设置在第二显示区域中的像素的俯视平面图;
图5是根据实施例的设置在第一显示区域中的像素的示意性剖视图;
图6是根据实施例的设置在第二显示区域中的像素的示意性剖视图;以及
图7是根据实施例的设置在第二显示区域中的像素的示意性剖视图。
具体实施方式
参照附图,将详细描述公开,并且因此本领域普通技术人员可以在可以包括公开的技术领域中容易地实现公开。公开可以以若干不同的形式实现,并且可以不限于这里描述的实施例。
为了清楚地解释公开,可以省略与描述无关的部分,并且在整个说明书中,相同的附图标记可以被指定为相同或相似的构成元件。
由于为了更好地理解且易于描述,附图中所示的每个组件的尺寸和厚度是任意的,因此公开可以不必受附图限制。在附图中,为了清楚,可以夸大层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中,为了更好地理解和易于描述,可以夸大一些层和区域的厚度。
除非明确相反地描述,否则词语“包括”和变形将被理解为暗示包括所陈述的元件但是不排除任何其他元件。
此外,在整个说明书中,短语“在平面上”意指从顶部观看目标部分,并且短语“在剖面上”意指从侧面观看通过竖直切割目标部分而形成的剖面。
出于描述的目的,可以在这里使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“在……下面”、“下”、“在……上”、“在……上方”、“上”、“在……之上”、“更/较高”、“侧”(例如,如在“侧壁”中)等的空间相对术语,并且由此描述如附图中所示的一个元件与另外的元件的关系。空间相对术语还意图包括除了包括在附图中描绘的方位之外的设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如,如果翻转附图中的设备,则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定向为“在”所述其他元件或特征“上方”。因此,术语“在……下方”可以包含上方和下方两种方位。此外,设备可以被另外定向(例如,旋转90度或在其他方位处),并且如此,应相应地解释在这里使用的空间相对描述符。
当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时,它可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层,或者可以存在居间元件或层。然而,当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时,不存在居间元件或层。为此,术语“连接”可以指在具有或不具有居间元件的情况下的物理连接、电连接和/或流体连接。
术语“和/或”包括相关构造可以限定的一个或更多个的所有组合。例如,“A和/或B”可以被理解为意指“A、B或者A和B”。
为了本公开的目的,短语“A和B中的至少一个(种/者)”可以被解释为仅A、仅B、或者A和B的任何组合。此外,“X、Y和Z中的至少一个(种/者)”和“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个(种/者)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z,或者X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合。
除非这里另有定义或暗示,否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是,术语(诸如在通用字典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域和公开的上下文中的含义一致的含义,而将不以理想化或者过于形式化的意义来解释,除非在这里如此明确地定义。
在下文中,将参照图1至图2示意性地描述显示装置的结构。图1是示出根据实施例的显示装置的使用状态的示意性透视图,图2是根据实施例的显示装置的分解透视图。
参照图1,根据实施例的显示装置1000可以是用于显示电影或静止图像的装置,并且可以用作各种产品的显示屏幕,这些产品不仅是便携式电子装置(诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(平板PC)、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航、超移动PC(UMPC)等或其组合)而且还可以用作电视、膝上型计算机、监视器、广告牌、物联网(IOT)装置或其组合。另外,根据实施例的显示装置1000可以用在诸如智能手表、手表电话、眼镜显示器和头戴式显示器(HMD)的可穿戴显示器中。另外,根据实施例的显示装置1000可以用作车辆的仪表板、设置在车辆的中心仪表板或仪表板上的中心信息显示器(CID)、代替车辆的侧视镜的室内镜显示器以及设置在前排座椅的后部用于车辆后排座椅的娱乐的显示器。为了更好地理解和易于描述,图1示出了显示装置1000可以用作智能电话。
显示装置1000可以在可以与第一方向DR1和第二方向DR2平行的显示表面上朝向第三方向DR3显示图像。可以在其上显示图像的显示表面可以与显示装置1000的前表面对应,并且可以与覆盖窗WU的前表面对应。图像可以包括静止图像以及运动图像。
在实施例中,可以参照可以显示图像的方向来限定每个构件的前部(或顶部)和后部(或底部)。前表面和后表面可以在第三方向DR3上彼此相对,前表面和后表面的法线方向可以平行于第三方向DR3。前表面与后表面之间在第三方向DR3上的分离距离可以与显示面板的第三方向DR3上的厚度对应。
根据实施例的显示装置1000可以检测从外部施加的用户输入(参照图1中的手)。用户的输入可以包括各种类型的外部输入(诸如用户身体的一部分、光、热或压力)。在实施例中,用户的输入可以示出为施加到前部的用户的手。然而,公开可以不限于此。可以以各种形式提供用户的输入,并且显示装置1000也可以根据显示装置1000的结构来感测施加到显示装置1000的侧表面或后表面的用户的输入。
参照图1和图2,显示装置1000可以包括覆盖窗WU、外壳HM、显示面板DP和光学元件ES。在实施例中,覆盖窗WU和外壳HM可以组合以形成显示装置1000的外观。
外壳HM可以与覆盖窗WU组合。覆盖窗WU可以设置在外壳HM的前部。外壳HM可以与覆盖窗WU组合以提供预定的容纳空间。显示面板DP和光学元件ES可以容纳在设置在外壳HM与覆盖窗WU之间的预定容纳空间内。
外壳HM可以包含具有相对高的刚度的材料。例如,外壳HM可以包括由玻璃、塑料、金属或者其组合制成的多个框架和/或板。外壳HM可以可靠地保护容纳在容纳空间内的显示装置1000的组件免受外部冲击。
覆盖窗WU可以包括绝缘面板。例如,覆盖窗WU可以由玻璃、塑料或其组合形成。
覆盖窗WU的前部可以限定显示装置1000的前部。覆盖窗WU可以包括围绕透射区域TA的外围的阻挡区域BA。透射区域TA可以是光学透明区域。例如,透射区域TA可以是具有约90%或更大的可见光透射率的区域。
阻挡区域BA可以限定透射区域TA的形状。阻挡区域BA可以与透射区域TA相邻,并且可以围绕透射区域TA的外围。与透射区域TA相比,阻挡区域BA可以是具有相对低的光透射率的区域,可以包括阻挡光的不透明材料,可以具有预定颜色,可以由与限定透射区域TA的透明基底分开设置的边框层限定,或者可以由通过在透明基底上插入或着色而形成的墨层限定。
显示面板DP可以包括显示区域DA和用于显示图像的驱动器50。显示面板DP可以包括包含显示区域DA和非显示区域PA的前表面。显示区域DA可以是其中像素根据电信号操作并发射光的区域。
在实施例中,显示区域DA可以是包括像素并且其中可以显示图像的区域,并且同时地是其中可以在像素的第三方向DR3上通过设置在显示区域DA的上侧的触摸传感器感测外部输入的区域。
显示区域DA可以包括第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。第一显示区域DA1和第二显示区域DA2都可以通过包括像素来显示图像。第二显示区域DA2也可以包括用于从用户的输入感测指纹的光感测电路(例如,指纹感测像素)。第二显示区域DA2的面积可以小于第一显示区域DA1的面积,但是可以不限于此。
多个第一像素PX1可以设置在第一显示区域DA1中,多个第二像素PX2可以设置在第二显示区域DA2中。稍后将描述具体细节。显示区域DA包括多个发光二极管和多个像素,多个像素产生发光电流并将发光电流传输到发光二极管中的每个。
覆盖窗WU的透射区域TA可以与显示面板DP的显示区域DA至少部分地叠置(或遍及显示面板DP的显示区域DA布置)。例如,透射区域TA可以与显示区域DA的整个表面叠置,或者可以与显示区域DA的至少一部分叠置。因此,用户可以通过透射区域TA识别图像或者基于图像提供外部输入。然而,公开可以不限于此。例如,在显示区域DA中,可以显示图像的区域和可以感测外部输入的区域可以彼此分离。
显示面板DP的非显示区域PA可以与覆盖窗WU的阻挡区域BA至少部分地叠置。非显示区域PA可以是被阻挡区域BA覆盖的区域。非显示区域PA可以与显示区域DA相邻并且可以围绕显示区域DA。图像可以不显示在非显示区域PA中,并且用于驱动显示区域DA的驱动电路或驱动布线可以设置在非显示区域PA中。非显示区域PA可以包括设置在显示区域DA外侧的第一外围区域PA1以及包括连接布线和弯曲区域的第二外围区域PA2。在图2的实施例中,第一外围区域PA1可以设置在显示区域DA的三侧,第二外围区域PA2可以设置在显示区域DA的剩余侧。
在实施例中,显示面板DP可以以平坦状态组装,且显示区域DA和非显示区域PA面对覆盖窗WU。然而,公开可以不限于此。例如,显示面板DP的非显示区域PA的一部分可以弯曲。非显示区域PA的一部分面对显示装置1000的后表面,因此可以减小在显示装置1000的前表面上示出的阻挡区域BA,并且如图2中所示,第二外围区域PA2可以弯曲并设置在显示区域DA的后侧并组装。
第二外围区域PA2可以包括弯曲部分。显示区域DA和第一外围区域PA1可以是平坦的并且设置为与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面基本上平行,第二外围区域PA2的一侧可以从显示面板DP的平坦部分延伸并且穿过弯曲部分到达平坦部分。因此,第二外围区域PA2的一部分可以弯曲并组装以设置在显示区域DA的后表面上。在组装时,第二外围区域PA的至少一部分在平面上布置在显示区域DA下方,因此可以减小显示装置1000的阻挡区域BA。然而,公开可以不限于此。例如,第二外围区域PA2可以不弯曲。
驱动器50可以安装在第二外围区域PA2中,并且可以安装在弯曲部分上或设置在弯曲部分的任一侧。驱动器50可以以芯片的形式设置。
驱动器50可以电连接到显示区域DA以将电信号传输到显示区域DA。例如,驱动器50可以将数据信号提供到设置在显示区域DA中的像素PX1和PX2。作为另一示例,驱动器50可以包括触摸驱动电路,并且可以电连接到设置在显示区域DA中的触摸传感器。驱动器50可以包括除了上述电路之外的各种电路,或者可以设计为将各种电信号提供到显示区域DA。
在显示装置1000中,垫(pad,或被称为“焊盘”)部分可以设置在第二外围区域PA2的端部处,因此第二外围区域PA2可以通过垫部分电连接到包括驱动芯片的柔性印刷电路板(FPCB)。这里,设置在柔性印刷电路板中的驱动芯片可以包括用于驱动显示装置1000的各种驱动电路或用于电力供应的连接件。根据实施例,可以使用刚性印刷电路板(PCB)代替柔性印刷电路板。
光学元件ES可以设置在显示面板DP下方。光学元件ES可以包括第一光学元件ES1和第二光学元件ES2。
第一光学元件ES1可以是使用光或声音的电子元件。例如,第一光学元件ES1可以是像红外传感器那样接收并使用光的传感器、输出并感测光或声音以测量距离或识别指纹等的传感器、输出光的小灯、输出声音的扬声器等。在光学元件ES是使用光的电子元件的情况下,可以使用诸如可见光、红外光、紫外(UV)光或其组合的各种波段的光。
第二光学元件ES2可以是相机、红外(IR)相机、点阵投影仪、红外照明器、飞行时间(ToF)传感器和其组合中的至少一个。
在下文中,参照图3至图6,将描述根据实施例的显示区域。图3是根据实施例的设置在第一显示区域DA1中的像素PX1的俯视平面图,图4是根据实施例的设置在第二显示区域DA2中的像素PX2的俯视平面图,图5是根据实施例的设置在第一显示区域DA1中的像素PX1的示意性剖视图,图6是根据实施例的设置在第二显示区域DA2中的像素PX2的示意性剖视图。
参照图3,第一像素PX1可以设置在第一显示区域DA1中。在第一像素PX1中,包括选自R1、G1和B1的四个像素的第一单位像素RU1可以重复地布置。构成一个第一单位像素RU1的四个像素可以包括一个红色像素R1、一个蓝色像素B1和两个绿色像素G1。然而,根据实施例,可以包括至少一个红色像素R1、至少一个绿色像素G1和至少一个蓝色像素B1。
参照图4,第二像素PX2可以设置在第二显示区域DA2中。第二像素PX2包括第一单位像素RU1和第二单位像素RU2,第一单位像素RU1包括选自R1、G1和B1的四个像素,第二单位像素RU2包括包含R2、G2、B2和G2'的四个像素。
构成一个第一单位像素RU1的四个像素可以包括一个红色像素R1、一个蓝色像素B1和两个绿色像素G1。然而,根据实施例,可以包括至少一个红色像素R1、至少一个绿色像素G1和至少一个蓝色像素B1。另外,形成一个第二单位像素RU2的四个像素可以包括一个红色像素R2、一个蓝色像素B2以及两个绿色像素G2和G2'。两个绿色像素G2和G2'中的任何一个可以是包括光感测层的光感测像素,但是现在将讨论G2'是光感测像素的场景。光感测像素G2'可以感测用户的输入,并且可以是例如用于通过用户的输入检测指纹的指纹感测像素。一个绿色像素G2和一个光感测像素G2'都可以发射绿光,但是发射的绿光的亮度可以不同。
在根据实施例的第二显示区域DA2中,第一单位像素RU1和第二单位像素RU2可以交替地布置。例如,第一单位像素RU1和第二单位像素RU2可以布置为沿着相对于第一方向DR1和第二方向DR2的斜线方向交替。然而,公开可以不限于此,并且第一单位像素RU1和第二单位像素RU2的重复形式和布置可以不同地改变。
在下文中,参照图5,将描述设置在第一显示区域DA1中的第一单位像素RU1的示意性剖面结构。在说明书中,描述了第一红色像素R1和第一绿色像素G1的剖面,但是这可以等同地适用于第一蓝色像素B1。
参照图5,第一像素PX1可以设置在基底SUB上。基底SUB可以包括无机绝缘材料(诸如玻璃)或有机绝缘材料(诸如塑料(诸如聚酰亚胺(PI)))。基底SUB可以是单层的或多层的。基底SUB可以具有其中至少一个包含顺序地堆叠的聚合物树脂的基体层和至少一个无机层可以交替地堆叠的结构。
基底SUB可以具有各种程度的柔性。基底SUB可以是可以弯曲、折叠、卷曲等或其组合的刚性基底或柔性基底。
缓冲层BF可以设置在基底SUB上。缓冲层BF可以阻止杂质从基底SUB转移到设置在缓冲层BF上方的层(例如半导体层ACT),从而防止半导体层ACT的特性劣化并减小应力。缓冲层BF可以包括无机绝缘材料(诸如氮化硅或氧化硅)或有机绝缘材料。可以省略缓冲层BF的一部分或全部。
半导体层ACT可以设置在缓冲层BF上。半导体层ACT可以包括多晶硅和氧化物半导体中的至少一种。半导体层ACT包括沟道区Q、第一区P和第二区R。第一区P和第二区R可以分别设置在沟道区Q的相对侧。沟道区Q可以包括掺杂有少量杂质的半导体或者可以是本征半导体,第一区P和第二区R可以包括与沟道区Q相比掺杂有大量杂质的半导体。半导体层ACT可以由氧化物半导体形成。可以添加单独的保护层(未示出)以保护可能易受外部条件(诸如高温)的影响的氧化物半导体材料。
第一栅极绝缘层GI1可以设置在半导体层ACT上。栅电极GE1可以设置在第一栅极绝缘层GI1上。根据实施例,栅电极GE1和存储电容器的下电极可以彼此为一体。栅电极GE1可以是其中可以层压有包括铜(Cu)、铜合金、铝(Al)、铝合金、钼(Mo)、钼合金、钛(Ti)、钛合金和其组合中的任何一种的金属膜的单层或多层。栅电极GE1可以与半导体层ACT的沟道区Q叠置或布置在半导体层ACT的沟道区Q的顶部上。
第二栅极绝缘层GI2可以设置在栅电极GE1和第一栅极绝缘层GI1上。第一栅极绝缘层GI1和第二栅极绝缘层GI2可以是包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)和其组合中的至少一种的单层或多层。
上电极GE2可以设置在第二栅极绝缘层GI2上。上电极GE2可以与下电极(或栅电极)GE1叠置或布置在下电极(或栅电极)GE1的顶部上以形成存储电容器。
第一层间绝缘层ILD1可以设置在上电极GE2上。第一层间绝缘层ILD1可以是包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)和其组合中的至少一种的单层或多层。
源电极SE和漏电极DE可以设置在第一层间绝缘层ILD1上。源电极SE和漏电极DE可以通过形成在绝缘层中的接触孔分别电连接到半导体层ACT的第一区P和第二区R。
源电极SE和漏电极DE可以包括铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、铬(Cr)、镍(Ni)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)或其组合,并且可以是包括该材料的单层结构或多层结构。
第二层间绝缘层ILD2可以设置在第一层间绝缘层ILD1、源电极SE和漏电极DE上。第二层间绝缘层ILD2可以包括诸如通用聚合物(诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酰类聚合物、酰亚胺类聚合物、聚酰亚胺、硅氧烷类聚合物等或其组合的有机绝缘材料。
第一电极E1可以设置在第二层间绝缘层ILD2上。第一电极E1可以通过第二层间绝缘层ILD2的接触孔电连接到漏电极DE。
第一电极E1可以包括诸如银(Ag)、锂(Li)、钙(Ca)、铝(Al)、镁(Mg)或金(Au)的金属,或者可以包括诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的透明导电氧化物(TCO)。第一电极E1可以由包括金属材料或透明导电氧化物的单层形成,或者由包括它们的多层形成。例如,第一电极E1可以具有氧化铟锡(ITO)/银(Ag)/氧化铟锡(ITO)的三层结构。
由栅电极GE1、半导体层ACT、源电极SE和漏电极DE形成的晶体管可以电连接到第一电极E1,以将电流供应到发光元件。
堤(或被称为分隔壁或堤层)BANK可以设置在第二层间绝缘层ILD2和第一电极E1上。尽管未示出,但是间隔件(未示出)可以设置在堤BANK上。堤BANK与第一电极E1的至少一部分叠置(或布置在第一电极E1的至少一部分的顶部上)。堤BANK可以包括由限定发光区域的开口OP穿孔的顶表面(或被称为上表面)TB,并且还可以包括设置在开口OP与顶表面TB的邻接部分之间的侧壁SB。
堤BANK可以包括诸如通用聚合物(诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酰类聚合物、酰亚胺类聚合物、聚酰亚胺、硅氧烷类聚合物等或其组合的有机绝缘材料。
第一共层FL1、第二共层FL2、第三共层FL3、发射层EML和第二电极E2可以设置在第一电极E1和堤BANK上。
发射层EML可以包括红色发射层R-EML1和R-EML2、绿色发射层G-EML1和G-EML2以及蓝色发射层。根据实施例的第一红色像素R1可以包括第一红色发射层R-EML1和第二红色发射层R-EML2。第一绿色像素G1可以包括第一绿色发射层G-EML1和第二绿色发射层G-EML2。尽管未示出,但是第一蓝色像素B1可以包括第一蓝色发射层和第二蓝色发射层。
包括在第一单位像素PU1中的像素R1、G1和B1中包括的每个发射层EML可以仅限于或仅布置在堤BANK中的开口OP内。例如,第一红色发射层R-EML1和第二红色发射层R-EML2可以不设置在堤BANK的顶表面TB上。同样地,第一绿色发射层G-EML1和第二绿色发射层G-EML2可以不设置在堤BANK的顶表面TB上。类似地,第一蓝色发射层和第二蓝色发射层可以不设置在堤BANK的顶表面TB上。
第一共层FL1可以设置在第一电极E1与第一红色发射层R-EML1之间。第二共层FL2可以设置在第一红色发射层R-EML1与第二红色发射层R-EML2之间。第三共层FL3可以设置在第二红色发射层R-EML2与第二电极E2之间。
第一共层FL1可以设置在第一电极E1与第一绿色发射层G-EML1之间。第二共层FL2可以设置在第一绿色发射层G-EML1与第二绿色发射层G-EML2之间。第三共层FL3可以设置在第二绿色发射层G-EML2与第二电极E2之间。
根据实施例的第一共层FL1、第二共层FL2、第三共层FL3和第二电极E2可以遍及第一红色像素R1和第一绿色像素G1连续地形成。另外,第一共层FL1、第二共层FL2、第三共层FL3和第二电极E2可以遍及整个第一显示区域DA1和第二显示区域DA2连续地形成。
第一共层FL1可以包括空穴传输区域。空穴传输区域可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层或其任何组合。
空穴传输区域可以使用通用技术形成。例如,空穴传输区域可以使用诸如真空沉积、旋涂、浇铸、朗格缪尔-布朗杰特(Langmuir-Blodgett)(LB)、喷墨印刷、激光印刷、激光诱导热成像(LITI)或其组合的各种技术形成。
包括在空穴传输区域中的空穴注入层(HIL)可以包括空穴注入材料。空穴注入材料可以包括酞菁化合物(诸如铜酞菁)、DNTPD(N,N'-二苯基-N,N'-双[4-(苯基-间甲苯基-氨基)-苯基]联苯-4,4'-二胺)、m-MTDATA(4,4',4"-[三(3-甲基苯基)苯基氨基]三苯胺)、TDATA(4,4',4"-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺)、2-TNATA(4,4',4"-三[N-(2-萘基)-N-苯基氨基]-三苯胺)、PEDOT/PSS(聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐))、PANI/DBSA(聚苯胺/十二烷基苯磺酸)、PANI/CSA(聚苯胺/樟脑磺酸)、PANI/PSS(聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐))、NPB(N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺)、NPD(N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基-(1,1'-联苯)-4,4'-二胺)、包括三苯胺的聚醚酮(TPAPEK)、4-异丙基-4'-甲基二苯基碘离子[四(五氟苯基)硼酸盐]、HAT-CN(2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲)等或其组合。
包括在空穴传输区域中的空穴传输层(HTL)可以包括空穴传输材料。空穴传输材料可以包括咔唑类衍生物(诸如N-苯基咔唑、聚乙烯基咔唑等)、芴类衍生物、三苯基胺类衍生物(诸如TPD(N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-联苯]-4,4'-二胺)、TCTA(4,4',4"-三(N-咔唑)三苯胺)等)、NPB(N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺)、TAPC(4,4'-环己基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺])、HMTPD(4,4'-双[N,N'-(3-甲苯基)氨基]-3,3'-二甲基联苯)、mCP(1,3-双(N-咔唑基)苯)、CzSi(9-(4-叔丁基苯基)-3,6-双(三苯基硅基)-9H-咔唑)、m-MTDATA(4,4',4"-[三(3-甲基苯基)苯基氨基]三苯胺)等中的至少一种。
空穴传输区域的厚度可以为约至约/>例如,约/>至约/>空穴注入层的厚度可以是例如约/>至约/>并且空穴传输层的厚度可以是约/>至约/>在空穴传输区域的厚度、空穴注入层的厚度和空穴传输层的厚度满足上述范围的情况下,可以在不显著增大驱动电压的情况下获得令人满意的空穴传输特性水平。
电子阻挡层可以是防止电子从电子传输区域泄漏到空穴传输区域的层。电子阻挡层的厚度可以为约至约/>电子阻挡层可以包括例如咔唑类衍生物(诸如N-苯基咔唑、聚乙烯基咔唑等或其组合)、芴类衍生物、三苯胺类衍生物(诸如TPD(N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-联苯]-4,4'-二胺)、TCTA(4,4',4"-三(N-咔唑基)三苯胺)等)、NPB(N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺)、TAPC(4,4'-环己基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺])、HMTPD(4,4'-双[N,N'-(3-甲苯基)氨基]-3,3'-二甲基联苯)、mCP等或其组合。
除了上述材料之外,空穴传输区域还可以包括用于导电性改进的电荷产生材料。电荷产生材料可以均匀或不均匀地分布在空穴传输区域内。电荷产生材料可以是例如p掺杂剂。p掺杂剂可以是醌衍生物、金属氧化物、含氰基化合物和其组合中的一种,但是可以不限于此。例如,作为p掺杂剂的非限制性示例,可以包括醌衍生物(诸如四氰基醌二甲烷(TCNQ)和F4-TCNQ(2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷))、金属氧化物(诸如氧化钨和氧化钼等)或其组合,这可以不是限制性的。
第二共层FL2可以包含电子传输区域。电子传输区域可以包括空穴阻挡层、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)或其任何组合。
电子传输区域的每一层可以使用常用技术形成。例如,空穴传输区域可以使用诸如真空沉积、旋涂、浇铸、朗格缪尔-布朗杰特(Langmuir-Blodgett)(LB)、喷墨印刷、激光印刷、激光诱导热成像(LITI)或其组合的各种技术形成。
包括在电子传输区域中的电子注入层可以包括电子注入材料。电子注入材料可以是卤化金属(诸如LiF、NaCl、CsF、RbCl或RbI)、镧系金属(诸如Yb)、金属氧化物(诸如Li2O或BaO)、喹啉锂(LiQ)或其组合,但是可以不限于此。电子注入层也可以由电子传输材料和绝缘有机金属盐的混合物形成。有机金属盐可以是具有约4eV或更大的能带隙的材料。具体地,例如,有机金属盐包括金属乙酸盐、金属苯甲酸盐、金属乙酰乙酸盐、金属乙酰丙酮化物或金属硬脂酸盐。
包括在电子传输区域中的电子传输层可以包括电子传输材料。电子传输材料可以包括三嗪类化合物、蒽类化合物或其组合。然而,这可以不是限制性的,并且电子传输材料可以包括例如Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、1,3,5-三[(3-吡啶基)-苯-3-基]苯、2,4,6-三(3'-(吡啶-3-基)联苯-3-基)-1,3,5-三嗪、2-(4-(N-苯基苯并咪唑-1-基)苯基)-9,10-二萘基蒽、TPBi(1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯)、BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)、Bphen(4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)、TAZ(3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑)、NTAZ(4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑)、tBu-PBD(2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑)、BAlq(双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝)、Bebq2(双(苯并喹啉-10-羟基)铍)、ADN(9,10-二(萘-2-基)蒽)、TSPO1(二苯基(4-(三苯基硅基)苯基)氧化膦)、TPM-TAZ(2,4,6-三(3-(嘧啶-5-基)苯基)-1,3,5-三嗪)或其混合物。
每个电子注入层可以具有约至约/>的厚度,例如,约/>至约/>在电子注入层的厚度满足以上范围的情况下,可以在不显著增大驱动电压的情况下获得令人满意的电子注入特性。
每个电子传输层的厚度可以是约至约/>例如约/>至约/>在电子传输层的厚度满足如上所述的范围的情况下,可以在不显著增大驱动电压的情况下获得令人满意的电子传输特性。
空穴阻挡层可以是防止空穴从空穴传输区域泄漏到电子传输区域中的层。空穴阻挡层的厚度可以为约至约/>空穴阻挡层可以包括BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)、Bphen(4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)、T2T(2,4,6-三([1,1'-联苯]-3-基)-1,3,5-三嗪)和其组合中的至少一种,但是这可以不是限制性的。
根据实施例的第二共层FL2可以包括提供电子的N型电荷产生层和/或提供空穴的P型电荷产生层。根据实施例,还可以在N型电荷产生层与P型电荷产生层之间设置缓冲层。
在可以施加电压的情况下,电荷产生层可以通过氧化还原反应形成配合物来产生电荷(电子和空穴)。电荷产生层可以将产生的电荷提供到相邻的发射层EML。
第三共层FL3可以包括上述电子传输区域和/或缓冲层。
根据实施例的发射层EML可以包括选自有机化合物和半导体化合物中的至少一种,但是可以不限于此。在发射层EML包括有机化合物的情况下,发光元件可以被称为有机发光元件。
有机化合物可以包含主体和掺杂剂。半导体化合物可以是量子点,例如,发光元件可以是量子点发光元件。作为另一示例,半导体化合物可以是有机和/或无机钙钛矿。
发射层EML的厚度可以为约0.1nm至约100nm。具体地,发射层EML的厚度可以为约15nm至约50nm。更具体地,在发射层EML发射蓝光的情况下,蓝色发射层的厚度可以为约15nm至约20nm,并且在发射层EML发射绿光的情况下,绿色发射层的厚度可以为约20nm至约40nm,并且在发射层EML发射红光的情况下,红色发射层的厚度可以为约40nm至约50nm。在发射层EML的厚度满足上述范围的情况下,发光元件可以在不显著增大驱动电压的情况下表现出优异的发光特性。
发射层EML可以包括主体材料和掺杂剂材料。发射层EML可以通过使用磷光发光材料或荧光发光材料作为在主体材料中的掺杂剂来形成。发射层EML可以通过包括在主体材料中的热活化延迟荧光(TADF)掺杂剂来形成。作为另一示例,发射层EML可以包括量子点材料作为发光材料。量子点的核可以选自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物和其组合。
从发射层EML发射的光的颜色可以通过主体材料和掺杂剂材料的组合或者量子点材料的类型和核的尺寸来确定。
发射层EML的主体材料可以选自荧蒽衍生物、芘衍生物、芳基乙炔衍生物、蒽衍生物、芴衍生物、苝衍生物、衍生物等或其组合。用于发射层EML的主体材料可以选自芘衍生物、苝衍生物、蒽衍生物或其组合。
发射层EML的掺杂剂材料可以包括苯乙烯基衍生物(例如,1,4-双[2-(3-N-乙基卡唑基)乙烯基]苯(BCzVB)、4-(二对甲苯氨基)-4'-[(二对甲苯氨基)苯乙烯基]茋(DPAVB)、N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(二苯基氨基)苯乙烯基)萘-2-基)乙烯基)苯基)-N-苯基苯胺(N-BDAVBi))、苝和苝类衍生物(例如,2,5,8,11-四叔丁基苝(TBP))、芘和芘类衍生物(例如,1,1’-二芘、1,4-二芘基苯、1,4-双(N,N-二苯基氨基)芘、N1,N6-二(萘-2-基)-N1,N6-二苯基芘-1,6-二胺)等或其组合。
第二电极E2的厚度可以是5nm至20nm。在可以满足上述范围的情况下,可以使第二电极的光吸收最小化,并且可以在不显著增大驱动电压的情况下获得令人满意的电子注入特性。
在下文中,将参照图6描述包括在第二显示区域DA2中的第二红色像素R2和光感测像素G2'的示意性剖视图。虽然图6未示出图4中所示的第二绿色像素G2和第二蓝色像素B2的剖面,但是第二绿色像素G2和第二蓝色像素B2的剖面可以与第二红色像素R2的剖面相同。另外,第二红色像素R2的剖面可以与图5中所示的第一红色像素R1的剖面相同,因此将省略对重复结构的描述。
在下文中,将描述光感测像素G2'。在光感测像素G2'中,光学感测层OPD可以设置在第一共层FL1上。第二共层FL2可以设置在光学感测层OPD上。光学感测层OPD可以是光电转换层。
光学感测层OPD可以设置在堤BANK的开口OP内。另外,光学感测层OPD可以形成为比开口OP宽。光学感测层OPD的平面面积(即,当从俯视图或平面图观看时占据的面积)可以大于开口OP的平面面积。
光学感测层OPD可以设置在堤BANK的侧壁SB上和堤BANK的上表面TB的邻接部分上。光学感测层OPD的一端可以设置在堤BANK的上表面TB上。在第一共层FL1至第三共层FL3可以连续地形成在基底SUB的整个表面上的情况下,可能存在相邻像素之间的漏电流增大的问题。因此,红色发射层R-EML1和R-EML2可以仅限制在开口OP内或仅设置在开口OP内。相反,光学感测层OPD可以延伸超过开口OP,从而可以更容易地感测用户的输入。
绿色发射层G'-EML可以设置在第二共层FL2上并且在光感测像素G2'内。与光学感测层OPD不同,绿色发射层G'-EML可以仅限制在开口OP或仅设置在开口OP内。包括在光感测像素G2'中的绿色发射层G'-EML的平面面积(当从俯视图或平面图观看时占据的面积)可以小于光学感测层OPD的平面面积。
根据实施例的光感测像素G2'可以由于绿色发射层G'-EML而发射绿光。如图5中所示,与从其中可以堆叠有两个绿色发射层G-EML1和G-EML2的第一绿色像素G1发射的光相比,从光感测像素G2'发射的绿光可以具有低的亮度。
在下文中,参照图7,将描述根据实施例的第二显示区域DA2。图7是根据实施例的设置在第二显示区域DA2中的像素的示意性剖视图。将省略对以上附图中描述的构成元件的描述。
在根据实施例的光感测像素G2'中,第一共层FL1可以设置在第一电极E1上,绿色发射层G'-EML可以设置在第一共层FL1上。第二共层FL2可以设置在绿色发射层G'-EML上,光学感测层OPD可以设置在第二共层FL2上。第三共层FL3和第二电极E2可以设置在光学感测层OPD上。
与光学感测层OPD不同,设置在第一共层FL1上的绿色发射层G'-EML可以限制在开口OP内或仅设置在开口OP内。包括在光感测像素G2'中的绿色发射层G'-EML的平面面积可以小于光学感测层OPD的平面面积。
光学感测层OPD可以设置为覆盖堤BANK的围绕开口OP的侧壁SB和顶表面TB的一部分。光学感测层OPD的端部可以设置在堤BANK的顶表面TB上。在第一共层FL1至第三共层FL3可以连续地形成在基底SUB的整个表面上的情况下,可能存在相邻像素之间的漏电流增大的问题。因此,红色发射层R-EML1和R-EML2可以形成为仅设置在开口OP内。与发射层EML不同,光学感测层OPD可以延伸超过开口OP,从而可以容易地感测来自用户的输入。
虽然已经结合当前被认为是实际实施例的内容描述了本实用新型,但是将理解的是,实用新型不限于公开的实施例。相反,旨在覆盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。
Claims (10)
1.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括:
显示面板,包括第一显示区域和第二显示区域,
其中,第一单位像素重复地设置在所述第一显示区域中,
所述第一单位像素和第二单位像素重复地设置在所述第二显示区域中,
所述第一单位像素包括第一红色像素、第一绿色像素和第一蓝色像素,并且所述第二单位像素包括第二红色像素、第二绿色像素、第二蓝色像素和光学感测像素,
所述光学感测像素包括:晶体管,设置在基底上;第一电极,电连接到所述晶体管;第一共层,设置在所述第一电极上;光学感测层和第一发射层,设置在所述第一共层上;以及第二电极,设置在所述第一发射层和所述光学感测层上,并且
所述光学感测层的平面面积大于所述第一发射层的平面面积。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第一发射层发射绿光。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括:
堤,设置在所述第一电极上,
其中,所述光学感测层的端部设置在所述堤的顶表面上。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其特征在于,所述光学感测层设置在所述堤的侧表面上。
5.根据权利要求3所述的显示装置,其特征在于,
所述堤包括开口,并且
所述第一发射层设置在所述开口内。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其特征在于,所述光学感测层的平面面积大于所述开口的平面面积。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第一发射层设置在所述光学感测层上。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括:
第二共层,设置在所述光学感测层与所述第一发射层之间;以及
第三共层,设置在所述第一发射层上。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述光学感测层设置在所述第一发射层上。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括:
第二共层,设置在所述第一发射层与所述光学感测层之间;以及
第三共层,设置在所述光学感测层与所述第二电极之间。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020220092715A KR20240015229A (ko) | 2022-07-26 | 2022-07-26 | 표시 장치 |
KR10-2022-0092715 | 2022-07-26 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN220629953U true CN220629953U (zh) | 2024-03-19 |
Family
ID=89664119
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202321993644.6U Active CN220629953U (zh) | 2022-07-26 | 2023-07-26 | 显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240040837A1 (zh) |
KR (1) | KR20240015229A (zh) |
CN (1) | CN220629953U (zh) |
-
2022
- 2022-07-26 KR KR1020220092715A patent/KR20240015229A/ko unknown
-
2023
- 2023-06-16 US US18/336,192 patent/US20240040837A1/en active Pending
- 2023-07-26 CN CN202321993644.6U patent/CN220629953U/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20240040837A1 (en) | 2024-02-01 |
KR20240015229A (ko) | 2024-02-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP3188272B1 (en) | Blue organic light emitting device and display device including the same | |
TWI814143B (zh) | 發光元件、顯示裝置、電子裝置及照明設備 | |
US9583735B2 (en) | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device | |
KR20240096435A (ko) | 표시 패널, 이의 제조 방법 및 이를 구비하는 표시 장치 | |
KR102527664B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 장치 | |
KR102389564B1 (ko) | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 | |
US10454074B2 (en) | Organic light emitting display | |
KR20210104201A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
CN220629953U (zh) | 显示装置 | |
US20230157125A1 (en) | Light receiving element and electronic device including the same | |
US20220328582A1 (en) | Display device | |
KR102710403B1 (ko) | 표시 패널, 이를 포함하는 표시 장치 | |
US10714538B2 (en) | Organic light emitting device and display apparatus having the same | |
US20240188388A1 (en) | Display panel and display device including the same | |
US11871612B2 (en) | Display device | |
US20240276754A1 (en) | Organic light emitting device | |
KR102607169B1 (ko) | 유기발광 표시장치 | |
US20230096610A1 (en) | Electronic device | |
US20230389402A1 (en) | Display device | |
US11778844B2 (en) | Light emitting element and display panel including the same | |
CN117460274A (zh) | 显示装置 | |
CN115707295A (zh) | 显示装置 | |
CN118695664A (zh) | 传感器嵌入式显示面板和电子设备 | |
CN114068630A (zh) | 显示设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |