CN107688410A - 触控结构及其制备方法和触控基板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种触控结构及其制备方法和触控基板，该触控结构包括触控电极本体和静电释放结构；触控电极本体用于进行触控识别；静电释放结构与电极本体连接用于释放静电。本发明的技术方案通过将触控电极本体与静电释放结构连接，当触控结构中产生静电荷时，静电荷将会在静电释放结构处聚集，而不在触控电极本体上聚集；当静电荷能量过高时，静电荷可在静电释放结构处进行释放，从而可避免静电荷在触控电极本体处释放造成触控电极本体击穿、熔断等不良的问题，进而实现了对触控电极本体进行保护。

Description

触控结构及其制备方法和触控基板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种触控结构及其制备方法和触控基板。
背景技术
电容式触控技术凭借其较低的成本和优异的用户体验已成为触控技术的主流。在现有的电容式触控基板中，触控电极上容易存在静电荷，且随着静电荷的累积，在触控电极上一些薄弱位置，例如互电容式触控电极中的桥线处、自电容式触控电极与其对应信号走线的连接处，极其容易发生静电释放并产生较大电流，使得该薄弱位置出现击穿、熔断等不良，从而导致触控电极损坏，影响产品的功能。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种一种触控基板及其制备方法和触控装置。
为实现上述目的，本发明提供了一种触控结构，包括：触控电极本体和静电释放结构；
所述触控电极本体用于进行触控识别；
所述静电释放结构与所述电极本体连接，用于释放静电。
可选地，所述触控电极本体包括：交叉设置的第一互容触控电极和第二互容触控电极；
所述第一触控电极包括：沿第一方向设置的多个第一电极，相邻的所述第一电极通过第一导电结构连接；
所述第二触控电极包括：沿第二方向设置的多个第二电极，相邻的所述第二电极通过第二导电结构连接，所述第二导电结构与所述第一导电结构绝缘；
所述静电释放结构与所述第一导电结构电连接；和/或，所述静电释放结构与所述第二导电结构电连接。
可选地，当所述静电释放结构与所述第一导电结构电连接时，至少部分所述第一电极上存在第一镂空区域，所述静电释放结构位于所述第一镂空区域内且与对应的所述第一电极连接；
当所述静电释放结构与所述第二导电结构电连接时，至少部分所述第二电极上存在第二镂空区域，所述静电释放结构位于所述第二镂空区域内且与对应的所述第二电极连接。
可选地，所述静电释放结构的材料与所述第二导电结构的材料相同。
可选地，所述触控电极本体包括：自容触控电极，所述自容触控电极上设置有第三镂空区域，所述静电释放结构位于所述第三镂空区域内且与所述自容触控电极连接。
可选地，所述静电释放结构包括：平行设置的多条第一导线和平行设置的多条第二导线，所述第一导线和所述第二导线同层设置，多条所述第一导线与多条所述第二导线相交呈网格状。
可选地，对于任意一条所述第一导线的一个端部，该端部与一条所述第二导线的一个端部在所述静电释放结构的边缘区域汇聚以形成一个放电尖端；
对于任意一条所述第二导线的一个端部，该端部与一条所述第一导线的一个端部在所述静电释放结构的边缘区域汇聚以形成一个放电尖端。
可选地，对于任意一条所述第一导线，所述第一导线上与所述第二导线相交的部分的宽度小于未与第二导线相交的部分的宽度；
对于任意一条所述第二导线，所述第二导线上与第一导线相交的部分的宽度小于未与第一导线相交的部分的宽度。
可选地，所述第一导线和所述第二导线的材料均为金属材料。
为实现上述目的，本发明还提供了一种触控基板，包括：如上述的触控结构。
可选地，所述触控结构为上述权利要求1至9中任一所述的触控结构，所述触控结构的制备方法包括：
形成触控电极本体，所述触控电极本体用于进行触控识别；
形成静电释放结构，所述静电释放结构与所述电极本体连接，用于释放静电。
可选地，当所述触控电极本体包括：交叉设置的第一互容触控电极和第二互容触控电极时，形成触控电极本体和形成静电释放结构的步骤包括：
通过一次构图工艺形成所述第一电极、所述第一导电结构和所述第二电极，所述第一导电结构连接在第一方向上相邻的所述第一电极，至少部分所述第一电极上存在第一镂空区域，至少部分所述第二电极上存在第二镂空区域；
通过一次构图工艺在所述第一导电结构的上方形成第一绝缘层；
通过一次构图工艺在所述第一绝缘层的上方形成所述第二导电结构以及在所述第一镂空区域和所述第二镂空区域内形成所述静电释放结构，所述第二导电结构连接在第二方向上相邻的所述第二互容电极，所述静电释放结构与对应的所述第一电极或所述第二电极连接。
可选地，当所述触控电极本体包括自容触控电极时，形成触控电极本体和形成静电释放结构的步骤包括：
通过一次构图工艺形成所述互容触控电极，所述互容触控电极上设置有第三镂空区域；
通过一次构图工艺在所述互容触控电极的上方形成第二绝缘层；
通过一次构图工艺在所述第二绝缘层的上方形成与所述互容触控电极通过过孔连接的信号走线以及在所述第三镂空区域内形成所述静电释放结构。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供了一种触控结构及其制备方法和触控基板，该触控结构包括触控电极本体和静电释放结构；触控电极本体用于进行触控识别；静电释放结构与电极本体连接用于释放静电。本发明的技术方案通过将触控电极本体与静电释放结构连接，当触控结构中产生静电荷时，静电荷将会在静电释放结构处聚集，而不在触控电极本体上聚集；当静电荷能量过高时，静电荷可在静电释放结构处进行释放，从而可避免静电荷在触控电极本体处释放造成触控电极本体击穿、熔断等不良的问题，进而实现了对触控电极本体进行保护。
附图说明
图1为本发明实施例二提供的一种触控结构的俯视图；
图2为图1中A-A向的截面示意图；
图3为本发明中第一导线、第二导线、静电释放结构的俯视图；
图4为本发明实施例三提供的一种触控结构的俯视图；
图5为图4中B-B向的截面示意图；
图6为本发明实施例五提供的一种触控结构的制备方法的流程图；
图7为本发明实施例六提供的一种触控结构的制备方法的流程图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的一种触控基板及其制备方法和触控装置进行详细描述。以下一些实施例的描述是出于说明和描述的目的，并非旨在穷尽或限制于所公开的精确形式。
本发明实施例一提供了一种触控结构，该触控结构包括触控电极本体和静电释放结构；触控电极本体用于进行触控识别；静电释放结构与电极本体连接用于释放静电。
需要说明的是，本实施例中的触控电极本体可以为自电容式触控电极也可以为互电容式触控电极。
在本发明中，通过将触控电极本体与静电释放结构连接，当触控结构中产生静电荷时，静电荷将会在静电释放结构处聚集，而不在触控电极本体上聚集；一旦静电荷能量过高时，静电荷便在静电释放结构处进行释放，从而可避免静电荷在触控电极本体处释放造成触控电极本体击穿、熔断等不良的问题。由此可见，该静电释放结构可诱导触控结构中的静电荷在静电释放结构处聚集、释放，从而可对触控电极本体进行保护。
图1为本发明实施例二提供的一种触控结构的俯视图，图2为图1中A-A向的截面示意图，如图1和图2所示，本实施例中的触控电极本体为互电容式触控电极，具体包括：交叉设置的第一互容触控电极1和第二互容触控电极2；第一触控电极包括：沿第一方向设置的多个第一电极11，相邻的第一电极11通过第一导电结构12连接；第二触控电极包括：沿第二方向设置的多个第二电极21，相邻的第二电极21通过第二导电结构22连接，第二导电结构22与第一导电结构12绝缘。
需要说明的是，附图中所示的第一互容触控电极1包括两个第一电极11，第二互容触控电极2包括两个第二电极21的情况，仅起到示意性作用，其不会对本发明的方案产生限制。本领域技术人员应该知晓的是，本发明中第一电极11、第二电极21的数量还可以为3个或多个。
作为一种可选具体方案，第一电极11、第一导电结构12、第二电极21同层设置于衬底(未示出)上，第一导电结构12的上方设置有第一绝缘层4，第二导电结构22位于第一绝缘层4上，即第二导电结构22作为导电桥线。
在本实施例中，第一导电结构12和第二导电结构22均与对应的静电释放结构3电连接。
在现有技术中，由于互电容式触控电极上不存在静电释放结构3，且用于连接第一电极11的第一导电结构12处(线宽较窄)和用于连接第二电极21的第二导电结构22处(线宽较窄)的阻抗相对较大，因而当互电容式触控电极上产生静电荷时，该静电荷往往会聚集在阻抗相对较大的第一导电结构12和第二导电结构22处。随着静电荷的累积，当静电荷能量过高时，则会在第一导电结构12和第二导电结构22处发生静电释放，造成第一导电结构12和第二导电结构22击穿、熔断，导致互电容式触控电极的损坏。
为解决上述技术问题，在本实施例中通过将第一导电结构12和第二导电结构22与静电释放结构3电连接，可有效避免静电荷在第一导电结构12和第二导电结构22上聚集、放电，从而实现对第一互容触控电极1和第二互容触控电极2进行保护。
以第一互容触控电极1为例，当第一互容触控电极1中产生静电荷时，静电荷会聚集在与第一导电结构12电连接的静电释放结构3上，而不再聚集于第一导电结构12上。当静电荷能量过高时，静电荷在静电释放结构3处进行释放，从而可避免第一导电结构12处发生静电释放造成熔断而导致第一触控电极损坏的问题。由此可见，该静电释放结构3可诱导与其电连接的第一互容触控电极1中的静电荷在静电释放结构3处聚集、释放，从而可对第一互容触控电极1(第一导电结构12)进行保护。
对于在第一互容触控电极1设置与第二导电结构22电连接的静电释放结构3，以实现对第一互容触控电极1进行保护的原理，可参见前述内容，此处不再赘述。
需要说明的是，上述第一导电结构12和第二导电结构22均与对应的静电释放结构3电连接的情况，为本发明的优选方案，其能实现对触控结构中的第一互容触控电极1和第二互容触控电极2均进行保护。本领域技术人员应该知晓的是，仅将第一导电结构12或仅将第二导电结构22与静电释放结构3电连接，可实现对触控结构中的第一互容触控电极1或第二互容触控电极2进行保护，其也属于本发明的保护范围。
作为一种可选实施方案，至少部分第一电极11上存在第一镂空区域13，静电释放结构3位于第一镂空区域13内且与对应的第一电极11连接，至少部分第二电极21上存在第二镂空区域23，静电释放结构3位于第二镂空区域23内且与对应的第二电极21连接。在本实施例中，通过对第一电极11和第二电极21的结构进行设计，以使得至少部分第一电极11和第二电极21中存在镂空区域，且将静电释放结构3位于镂空区域中，可使得静电释放结构3进行静电释放时不会对互容触控电极的正常触控功能实现造成影响。
此外，即便静电释放结构3因为放电而发生击穿、熔断等问题，其对应的触控电极依旧能正常工作。
本实施例中优选地，第一互容触控电极1中的各第一电极11上均存在第一镂空区域13，第二互容触控电极2中的各第二电极21上均存在第二镂空区域23，各第一互容电极和各第二互容电极的镂空区域内均设置有静电释放结构3。即，各导电结构所连接的两个电极均连接有静电释放结构3，可有效提升各导电结构处的防静电能力。
需要说明的是，上述静电释放结构3与第一电极11、第二电极21处于同一层上情况，为本发明中的优选方案，其便于静电释放结构3与第一电极11和第二电极21进行直接连接。在本发明中，也可使得第一绝缘层4覆盖于镂空区域内，静电释放结构3位于第一绝缘层4上且静电释放结构3在第一电极11、第二电极21所处平面上的正投影位于对应的镂空区域内(此种情况未给出相应附图)。在本发明中仅需保证静电释放结构3在第一电极11、第二电极21所处平面上的正投影位于对应的镂空区域内，即可使得静电释放结构3的放电行为不会对第一互容触控电极1和第二互容触控电极2造成影响。
图3为本发明中第一导线、第二导线、静电释放结构的俯视图，如图3所示，作为本发明中的一种可选方案，该静电释放结构3包括：平行设置的多条第一导线31和平行设置的多条第二导线32，第一导线31和第二导线32同层设置，多条第一导线31与多条第二导线32相交呈网格状。可选地，第一导线31和第二导线32的材料均为金属材料。
在本发明中，将静电释放结构3设计为由导线构成的网格状，其一方面由于导线宽度较窄、阻抗较大，能提升静电释放结构3聚集静电荷的能力；另一方面，当将该触控结构应用至显示面板中时，呈网格状的静电释放结构3对显示面板中像素的出光影响较小，可以较为均匀地遮挡多个像素，避免色偏，并能够提高一定的透光率。
需要说明的是，上述静电释放结构3呈网格状的情况仅为本发明中的一种优选方案，其不会对本发明的技术方案产生限制，本发明中的静电释放结构3还可以呈其他形状(例如板状、条状)，此处不一一举例。
进一步优选地，对于任意一条第一导线31的一个端部，该端部与一条第二导线32的一个端部在静电释放结构3的边缘区域汇聚以形成一个放电尖端33；对于任意一条第二导线32的一个端部，该端部与一条第一导线31的一个端部在静电释放结构3的边缘区域汇聚以形成一个放电尖端33。
在本发明提供的网格状静电释放结构3中，第一导线31与第二导线32在静电释放结构3的边缘区域汇聚以形成第一放电尖端33，由于放电尖端33处的曲率半径极小，有利于静电的释放。
进一步优选地，对于任意一条第一导线31，第一导线31上与第二导线32相交的部分的宽度小于未与第二导线32相交的部分的宽度；对于任意一条第二导线32，第二导线32上与第一导线31相交的部分的宽度小于未与第一导线31相交的部分的宽度。
在本发明提供的网格状静电释放结构3中，各导线上与其他导线相交的部分的宽度小于不与其他导线相交的部分的宽度，即各导线上与其他导线相交的部分的电阻相对较大。此时，对于呈网格状静电释放结构3而言，导线相交位置处的电阻相对较大，有利于静电释放。
通过上述内容可见，本发明提供的静电释放结构3用于进行静电释放位置主要集中于边缘区域的放电尖端33处和中间区域的导线相交处34，此时即便静电释放结构3中的一个或几个放电尖端33、导线相交处34因静电释放而出现击穿、熔断等问题，静电释放结构3中的其他正常的放电尖端33、导线相交处34依旧能维持静电释放结构3的静电聚集、释放功能。
本实施例中优选地，静电释放结构3与第二导电结构22的材料相同，此时可使得静电释放结构3与第二导电结构22通过一次构图工艺进行制备，具体过程可参见后续内容。
图4为本发明实施例三提供的一种触控结构的俯视图，图5为图4中B-B向的截面示意图，如图4和图5所示，与上述实施例二中不同的是，该触控电极本体为自电容式触控电极，包括：自容触控电极5，自容触控电极5上设置有第三镂空区域51，静电释放结构3位于第三镂空区域51内且与自容触控电极5连接。
在现有技术中，由于自电容式触控电极上不存在静电释放结构3，且信号走线6与自容触控电极5的连接处的阻抗相对较大，因而当自电容式触控电极上产生静电荷时，该静电荷往往会聚集该连接处。随着静电荷的累积，当静电荷能量过高时，在该连接处发生静电释放，造成信号走线6与自容触控电极5之间断路，导致触控识别功能无法实现。
为解决上述技术问题，在本实施例中通过将自容触控电极5与静电释放结构3连接，可有效避免静电荷在自容触控电极5与信号走线6的连接处聚集、放电，从而实现对自容触控电极5进行保护。
在本实施例中，在自容触控电极5内设置第三镂空区域51，且将静电释放结构3位于第三镂空区域51中，可使得静电释放结构3进行静电释放时不会对自容触控电极5的正常触控功能实现造成影响。
在本实施例中，自容触控电极5与信号走线6之间设置有第二绝缘层7，第二绝缘层7至少覆盖自电容式触控电极，且第二绝缘层7上存在供信号走线6与自容触控电极5连接的过孔，信号走线6通过过孔与自电容式触控电极连接。
需要说明的是，附图所示的第二绝缘层7未覆盖第三镂空区域51，静电释放结构3与自电容式触控电极处于同一层上情况，为本发明中的优选方案，其便于静电释放结构3与自容触控电极5直接连接。在本发明中，也可使得第二绝缘层7覆盖第三镂空区域51，静电释放结构3位于第二绝缘层7上且在自电容式触控电极所处平面上的正投影位于第三镂空区域51内(此种情况未给出相应附图)。在本发明中仅需保证静电释放结构3在自容触控电极5所处平面上的正投影位于第三镂空区域51内，即可使得静电释放结构3的放电行为不会对自电容式触控电极造成影响。
对于本实施例中静电释放结构3的具体描述可参见上述实施例二中的内容，此处不再赘述。本实施例中，优选地，静电释放结构3与信号走线6的材料相同，此时可使得静电释放结构3与信号走线6通过一次构图工艺进行制备，具体过程可参见后续内容。
本发明实施例四提供了一种触控结构的制备方法，用于制备上述实施例一中的触控结构，该制备方法包括：
步骤S101、形成触控电极本体，触控电极本体用于进行触控识别。
步骤S102、形成静电释放结构，静电释放结构与电极本体连接，用于释放静电。
图6为本发明实施例五提供的一种触控结构的制备方法的流程图，如图6所示，该制备方法用于制备上述实施例二中提供触控结构，该制备方法包括：
步骤S201、通过一次构图工艺形成第一电极、第一导电结构和第二电极。
在步骤S201中，首先在衬底上形成一层第一导电材料薄膜；可选地，第一导电材料薄膜的材料为氧化铟锡。然后对第一导电材料薄膜进行构图工艺，以得到第一电极、第一导电结构和第二电极的图形。其中，第一导电结构连接在第一方向上相邻的第一电极，至少部分第一电极上存在第一镂空区域，至少部分第二电极上存在第二镂空区域。
需要说明的是，本发明中的构图工艺具体是指包括：光刻胶涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等工艺。
步骤S202、通过一次构图工艺在第一导电结构的上方形成第一绝缘层。
在步骤S202中，首先在步骤S201所得到的结构的表面形成一层第一绝缘材料薄膜，其中第一绝缘材料薄膜的材料可以为有机绝缘材料也可为无机绝缘材料。然后对第一绝缘材料薄膜进行构图工艺，以得到第一绝缘层图形，第一绝缘层至少覆盖第一导电结构。当然，为避免后续工艺对第一电极和第二电极的造成影响，第一绝缘层也可将第一电极和第二电极进行覆盖。
需要说明的是，在本实施例中第二绝缘层既可覆盖第一镂空区域、第二镂空区域，也可不覆盖。
步骤S203、通过一次构图工艺在第一绝缘层的上方形成第二导电结构以及在第一镂空区域和第二镂空区域内形成静电释放结构。
首先在步骤S202所得到的结构的表面形成一层第二导电材料薄膜；可选地，第二导电材料薄膜的材料为金属材料。然后对第二导电材料薄膜进行构图工艺，以得到第二导电结构和静电释放结构的图形，第二导电结构连接在第二方向上相邻的第二电极，静电释放结构与对应的第一电极或第二电极连接。
当步骤S202中形成的第一绝缘层覆盖第一镂空区域时，步骤S203中形成的静电释放结构位于第以绝缘层上；当步骤S203中形成的第一绝缘层未覆盖第一镂空区域、第二镂空区域时，则静电释放结构直接形成在衬底上且被第一电极、第二电极环绕。
本实施例中，静电释放结构可与第二导电结构在一次工艺中形成，因而可缩短生产周期。
对于本实施例中的静电释放结构的具体描述可参见上述实施例二中相应内容，此处不再赘述。
图7为本发明实施例六提供的一种触控结构的制备方法的流程图，如图7所示，该制备方法用于制备上述实施例三中提供触控结构，该制备方法包括：
步骤S301、通过一次构图工艺形成互容触控电极，互容触控电极上设置有第三镂空区域。
在步骤S301中，首先在衬底上形成一层第三导电材料薄膜；可选地，第三导电材料薄膜的材料为氧化铟锡。然后对第一导电材料薄膜进行构图工艺，以得到互容触控电极的图形，其中互容触控电极上设置有第三镂空区域。
步骤S302、通过一次构图工艺在互容触控电极的上方形成第二绝缘层。
在步骤S302中，首先在步骤S301所得到的结构的表面形成一层第二绝缘材料薄膜，其中第二绝缘材料薄膜的材料可以为有机绝缘材料也可为无机绝缘材料。然后对第二绝缘材料薄膜进行构图工艺，以得到第二绝缘层图形，第二绝缘层覆盖互容触控电极，且对应供信号走线与互容触控电极进行连接的位置设置有过孔。需要说明的是，在本实施例中第二绝缘层既可覆盖第三镂空区域，也可不覆盖第三镂空区域。
步骤S303、通过一次构图工艺在第二绝缘层的上方形成与互容触控电极通过过孔连接的信号走线以及在第三镂空区域内形成静电释放结构。
首先在步骤S302所得到的结构的表面形成一层第四导电材料薄膜；可选地，第四导电材料薄膜的材料为金属材料。然后对第四导电材料薄膜进行构图工艺，以得到信号走线和静电释放结构的图形，信号走线通过过孔与互容触控电极连接，静电释放结构位于第三镂空区域且与互容触控电极连接。
当步骤S302中形成的第二绝缘层覆盖第三镂空区域时，步骤S303中形成的静电释放结构位于第二绝缘层上；当步骤S303中形成的第二绝缘层未覆盖第三镂空区域时，则静电释放结构直接形成在衬底上且被互容触控电极环绕。
对于本实施例中的静电释放结构的具体描述可参见上述实施例二中相应内容，此处不再赘述。
本实施例中，静电释放结构可与信号走线在一次工艺中形成，因而可缩短生产周期。
本发明实施例七提供了一种触控基板，该触控基板包括：触控结构，该触控结构采用上述实施例一至三中任一提供的触控结构，具体内容此处不再赘述。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (13)

1.一种触控结构，其特征在于，包括：触控电极本体和静电释放结构；
所述触控电极本体用于进行触控识别；
所述静电释放结构与所述电极本体连接，用于释放静电。
2.根据权利要求1所述的触控结构，其特征在于，所述触控电极本体包括：交叉设置的第一互容触控电极和第二互容触控电极；
所述第一触控电极包括：沿第一方向设置的多个第一电极，相邻的所述第一电极通过第一导电结构连接；
所述第二触控电极包括：沿第二方向设置的多个第二电极，相邻的所述第二电极通过第二导电结构连接，所述第二导电结构与所述第一导电结构绝缘；
所述静电释放结构与所述第一导电结构电连接；和/或，所述静电释放结构与所述第二导电结构电连接。
3.根据权利要求2所述的触控结构，其特征在于，当所述静电释放结构与所述第一导电结构电连接时，至少部分所述第一电极上存在第一镂空区域，所述静电释放结构位于所述第一镂空区域内且与对应的所述第一电极连接；
当所述静电释放结构与所述第二导电结构电连接时，至少部分所述第二电极上存在第二镂空区域，所述静电释放结构位于所述第二镂空区域内且与对应的所述第二电极连接。
4.根据权利要求2所述的触控结构，其特征在于，所述静电释放结构的材料与所述第二导电结构的材料相同。
5.根据权利要求1所述的触控结构，其特征在于，所述触控电极本体包括：自容触控电极，所述自容触控电极上设置有第三镂空区域，所述静电释放结构位于所述第三镂空区域内且与所述自容触控电极连接。
6.根据权利要求1所述的触控结构，其特征在于，所述静电释放结构包括：平行设置的多条第一导线和平行设置的多条第二导线，所述第一导线和所述第二导线同层设置，多条所述第一导线与多条所述第二导线相交呈网格状。
7.根据权利要求6所述的触控结构，其特征在于，对于任意一条所述第一导线的一个端部，该端部与一条所述第二导线的一个端部在所述静电释放结构的边缘区域汇聚以形成一个放电尖端；
对于任意一条所述第二导线的一个端部，该端部与一条所述第一导线的一个端部在所述静电释放结构的边缘区域汇聚以形成一个放电尖端。
8.根据权利要求6所述的触控结构，其特征在于，对于任意一条所述第一导线，所述第一导线上与所述第二导线相交的部分的宽度小于未与第二导线相交的部分的宽度；
对于任意一条所述第二导线，所述第二导线上与第一导线相交的部分的宽度小于未与第一导线相交的部分的宽度。
9.根据权利要求6所述的触控结构，其特征在于，所述第一导线和所述第二导线的材料均为金属材料。
10.一种触控基板，其特征在于，包括：如上述权利要求1-9中任一所述的触控结构。
11.一种触控结构的制备方法，其特征在于，所述触控结构为上述权利要求1至9中任一所述的触控结构，所述触控结构的制备方法包括：
形成触控电极本体，所述触控电极本体用于进行触控识别；
形成静电释放结构，所述静电释放结构与所述电极本体连接，用于释放静电。
12.根据权利要求11所述的触控结构的制备方法，其特征在于，所述触控结构为上述权利要求3中所述的触控结构；
形成触控电极本体和形成静电释放结构的步骤包括：
通过一次构图工艺形成所述第一电极、所述第一导电结构和所述第二电极，所述第一导电结构连接在第一方向上相邻的所述第一电极，至少部分所述第一电极上存在第一镂空区域，至少部分所述第二电极上存在第二镂空区域；
通过一次构图工艺在所述第一导电结构的上方形成第一绝缘层；
通过一次构图工艺在所述第一绝缘层的上方形成所述第二导电结构以及在所述第一镂空区域和所述第二镂空区域内形成所述静电释放结构，所述第二导电结构连接在第二方向上相邻的所述第二互容电极，所述静电释放结构与对应的所述第一电极或所述第二电极连接。
13.根据权利要求11所述的触控结构的制备方法，其特征在于，所述触控结构为上述权利要求5中所述的触控结构；
形成触控电极本体和形成静电释放结构的步骤包括：
通过一次构图工艺形成所述互容触控电极，所述互容触控电极上设置有第三镂空区域；
通过一次构图工艺在所述互容触控电极的上方形成第二绝缘层；
通过一次构图工艺在所述第二绝缘层的上方形成与所述互容触控电极通过过孔连接的信号走线以及在所述第三镂空区域内形成所述静电释放结构。
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