CN107681018A - 一种太阳能电池片的低压氧化工艺 - Google Patents
一种太阳能电池片的低压氧化工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107681018A CN107681018A CN201710829538.7A CN201710829538A CN107681018A CN 107681018 A CN107681018 A CN 107681018A CN 201710829538 A CN201710829538 A CN 201710829538A CN 107681018 A CN107681018 A CN 107681018A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pressure
- low
- temperature
- solar battery
- battery sheet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 51
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 54
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 24
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 24
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 14
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 8
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 2
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 11
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 11
- 230000009466 transformation Effects 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 22
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
- H01L31/1868—Passivation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
本发明公开了一种太阳能电池片的低压氧化工艺，主要步骤包括：预处理、反应准备、氧化反应、降温退火和退舟。本发明于低压、温度低于800℃的环境下的低压氧化工艺生成的二氧化硅膜使得少数载流子的寿命得以提高，最终提高电池的短路电流和开路电压，从而改善光电转换效率，低压扩散炉与常压扩散炉相比具有压强小、气流稳定等特点，使得生成的二氧化硅膜结构更致密，更均匀，制备的二氧化硅膜具有较好的抗PID性能。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能多晶电池片领域，尤其是涉及一种太阳能电池片的低压氧化工艺。
背景技术
硅太阳电池的表面钝化是太阳能电池生产过程中极为重要的工艺，虽然氮化硅膜同时具有较好的减反射和表面钝化作用，但是其稳定性较差，因此在沉积氮化硅膜之前通过热氧化工艺生成一层二氧化硅膜来提高稳定性。在硅片表面热氧化生成一层二氧化硅膜对太阳能电池前表面的起到钝化作用，常用的热氧化方法包括：干氧氧化、湿氧氧化和水汽氧化三种，例如在中国专利上公开的一种太阳能电池表面钝化层结构，其申请公布号为CN103413841A，该结构采用二氧化硅钝化膜与氮化硅钝化膜组成的叠层钝化膜结构，从而克服了氮化硅钝化膜的界面缺陷密度高和硅氢键不稳定的缺点，解决了二氧化硅钝化膜金属离子阻挡能力差，易吸附水气，光的减反效果不好等缺点；并且将二氧化硅钝化膜的厚度优化为10-40纳米，从而在保证光吸收率的基础上极大的增加对硅材料电活性杂质和表面缺陷的钝化效果，使得光生载流子的表面复合速率明显降低，可以使晶体硅的转化效率提高0.3％。同时，还公开了一种太阳能电池表面钝化层结构的制备方法，该方法采用热氧化工艺制备二氧化硅钝化膜，采用PECVD工艺制备氮化硅钝化膜。目前传统的太阳能电池常压扩散工艺已经无法满足PN 结的结深不断变浅、低成本的发展以及电池高效光电转化的技术路线。低压扩散炉可以提供压强小，气流稳定的环境，炉管内气氛变得很均匀，有利于二氧化硅薄膜。这种新型的低压扩散炉通过低压环境提高PN结的性能，以制备均匀性较高的高方阻电池硅片，同时这种低压扩散炉的低压环境有利于硅片表面热氧化生成一层结构致密、均匀性较好的二氧化硅钝化膜，使得电池片的短路电流和开路电压得到提高，最终提高光电转化效率。
发明内容
本发明是为了克服现有技术中太阳能电池表面钝化的常压扩散工艺已经无法满足电池高效的光电转化效率要求，提供一种太阳能电池片的低压氧化工艺，于低压、温度低于800℃的环境下进行两步氧化工艺，使得生成的二氧化硅膜结构致密、均匀性好，电池片的短路电流和开路电压得到提高，最终提高光电转化效率。
为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
一种太阳能电池片的低压氧化工艺，包括以下步骤：
(1)预处理：将扩散后的太阳能电池片进行预处理去除表面的二氧化硅薄膜和边缘PN结，处理完成后再放入低压扩散炉中，关闭炉门；
(2)反应准备：调节低压反应炉内的压力与温度，并检漏低压反应炉及其管道；
(3)氧化反应：向低压反应炉内同时通入氧气和氮气，维持压力为90～110mbar，温度为650～800℃，持续反应1000～1200s；
(4)降温退火：时间维持500～1000s，温度从650～800℃降至550～700℃，同时通入大氮 5000～10000sccm，压力回复到900～1100mbar；
(5)退舟：以5000～10000sccm的速率通入氮气，维持时间为800～1000s，待温度降至室温，取出太阳能电池片。低压扩散炉可以提供压强小，气流稳定的环境，炉管内气氛变得很均匀，有利于生成结构致密、均匀性较好的二氧化硅薄膜，这种薄膜具有较好的钝化效果，使得电池片的短路电流和开路电压得到提高，最终以达到提高光电转换效率、降低成本，同时低压氧化工艺所制备的二氧化硅膜具有较好的抗PID性能。
作为优选，步骤(2)中，反映准备包括以下步骤：
a.升温：将炉口至炉尾的温度升至630～780℃，升温时间为500～1000s，同时一直通入氮气 1000～5000sccm，调节压力维持在900～1100mbar
b.主抽步：抽取低压反应炉内空气，调节炉内压力为90～110mbar，维持温度在630～780℃内；
c.检漏步：保持上述温度，使炉内压力回复至900～1100mbar，并保持100～300s；
d.抽空步：抽取率内空气至压力为90～110mbar，同时温度从630～780℃升至650～800℃，升温时间为200～600s。
作为优选，步骤(3)中，氧化反应步依次包括底层氧化步和外层氧化步。
作为优选，所述底层氧化步为：在温度为650～800℃下，向炉内通入氧气 4000～5000sccm，同时通入氮气500～2000sccm，持续时间700～1000s。
作为优选，所述外层氧化步为：在温度为650～800℃下，向炉内通入氧气 1000～2000sccm，同时通入氮气500～2000sccm，持续时间300～400s。
二氧化硅四面体结构中，桥键氧(Si-O-Si)与非桥键氧(Si-O)数目之比直接决定着氧化膜的质量，即决定二氧化硅薄膜的钝化效果，所以采用两步氧化法可制得性能较好的氧化膜，底层通入较大量的氧气，可降低悬挂键的密度，从而减少表面复合速度，但是一直通入较大量的氧气，一部分的桥键氧就会转变成非桥键氧，使得薄膜的质量下降，钝化效果变差，所以在制备外层氧化膜时，降低氧流量，最终以制备性能较好的氧化膜。
作为优选，氧化反应过程中保持压力为100mbar。此步是制备氧化膜的关键步骤，压力要一直维持在100mbar，表面钝化的好坏直接决定太阳电池少数载流子寿命的高低低压氧化工艺生成的二氧化硅膜使得少数载流子的寿命得以提高，最终提高电池的短路电流和开路电压，以提高光电转换效率。
作为优选，步骤(3)中，氧化反应维持时间1200s。
作为优选，步骤(d)中，压力抽至100mbar。
因此，本发明具有如下有益效果：(1)低压扩散炉与常压扩散炉相比具有压强小、气流稳定等特点，使得生成的二氧化硅膜结构更致密，更均匀；(2)低压氧化工艺生成的二氧化硅膜使得少数载流子的寿命得以提高，最终提高电池的短路电流和开路电压，以提高光电转换效率；(3)制备的二氧化硅膜具有较好的抗PID性能。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明做进一步的描述。
实施例1：
第一步、将扩散后的多晶电池片通过湿法刻蚀去除扩散过程中生成的二氧化硅薄膜和边缘PN 结，刻蚀后的电池片重新插回到石英舟内且送入到低压扩散炉中；
第二步、炉门关闭后，将炉口至炉尾的温度升至650℃，升温时间为500s，同时一直通入氮气3000sccm，压力维持在1030mbar；
第三步、主抽步时间为400s，温度维持在650℃，炉管内压力抽至100mbar；
第四步、检漏步时间维持100s，温度仍然保持在650℃，压力回复到1030mbar，以确保低压炉管密封性良好；
第五步、抽空步时间维持在200s，压力抽至100mbar，同时温度从650℃升至700℃；
第六步、底层氧化步时间维持900s，通入氧气5000sccm，同时通入氮气1000sccm，温度确保达到700℃，此步制备出致密的底层氧化膜，压力要一直维持在200mbar；
第七步、外层氧化步时间维持300s，通入氧气1000sccm，同时通入氮气1000sccm，温度保持在700℃，压力维持在200mbar；
第八步、降温退火步，时间维持在500s，温度从700℃降至600℃，同时通入大氮8000sccm，压力回复到1030mbar；
第九步、退舟过程，通入氮气5000sccm，时间为800s。
实施例2：
第一步、将扩散后的多晶电池片通过湿法刻蚀去除扩散过程中生成的二氧化硅薄膜和边缘PN 结，刻蚀后的电池片重新插回到石英舟内且送入到低压扩散炉中；
第二步、炉门关闭后，将炉口至炉尾的温度升至780℃，升温时间为1000s，同时一直通入氮气3000sccm，压力维持在1100mbar；
第三步、主抽步时间为400s，温度维持在780℃，炉管内压力抽至110mbar；
第四步、检漏步时间维持300s，温度仍然保持在780℃，压力回复到1100mbar，以确保低压炉管密封性良好；
第五步、抽空步时间维持在600s，压力抽至100mbar，同时温度从780℃升至800℃；
第六步、底层氧化步时间维持800s，通入氧气4500sccm，同时通入氮气1000sccm，温度确保达到800℃，此步制备出致密的底层氧化膜，压力要一直维持在100mba；
第七步、外层氧化步时间维持400s，通入氧气1500sccm，同时通入氮气1000sccm，温度保持在800℃，压力维持在100mbar；
第八步、降温退火步，时间维持在1000s，温度从800℃降至650℃，同时通入大氮8000sccm，压力回复到1100mbar；
第九步、退舟过程，通入氮气5000sccm，时间为800s。
实施例3：
第一步、将扩散后的多晶电池片通过湿法刻蚀去除扩散过程中生成的二氧化硅薄膜和边缘PN 结，刻蚀后的电池片重新插回到石英舟内且送入到低压扩散炉中；
第二步、炉门关闭后，将炉口至炉尾的温度升至700℃，升温时间为800s，同时一直通入氮气3000sccm，压力维持在900mbar；
第三步、主抽步时间为400s，温度维持在700℃，炉管内压力抽至90mbar；
第四步、检漏步时间维持200s，温度仍然保持在700℃，压力回复到900mbar，以确保低压炉管密封性良好；
第五步、抽空步时间维持在400s，压力抽至100mbar，同时温度从700℃升至750℃；
第六步、底层氧化步时间维持850s，通入氧气4000sccm，同时通入氮气1000sccm，温度确保达到750℃，此步制备出致密的底层氧化膜，压力要一直维持在100mbar；
第七步、外层氧化步时间维持350s，通入氧气2000sccm，同时通入氮气1000sccm，温度保持在750℃，压力维持在100mbar；
第八步、降温退火步，时间维持在700s，温度从750℃降至680℃，同时通入大氮8000sccm，压力回复到1030mbar；
第九步、退舟过程，通入氮气5000sccm，时间为800s。
对比例
制绒前将硅片分成姊妹片，对比例1、比例2和比例3分别与实施例1、实施例2和实施例3一一对应比较，对比例为用没有包含低压氧化工艺的常规工艺制备电池片，其他制电池片工序条件和与之对应的实施例都一样。其中，Uoc是开路电压，Isc是短路电流，Rs是串联电阻， Rsh是并联电阻，FF是填充因子，Ncell是电池片的转换效率。
测得的各实施例和对比例电池片电性能参数如表1：
表1实施例和对比例性能对比表
| Uoc(v) | Isc(A) | Rs(Ω) | Rsh(Ω) | FF(％) | NCell | |
| 实施例1 | 0.6370 | 8.9335 | 0.0024 | 160.7291 | 78.6644 | 0.1839 |
| 对比例1 | 0.6341 | 8.9249 | 0.0024 | 235.3640 | 78.6453 | 0.1829 |
| 实施例2 | 0.6392 | 8.8977 | 0.0022 | 281.9106 | 79.0627 | 0.1848 |
| 对比例2 | 0.6369 | 8.8526 | 0.0022 | 298.4683 | 79.1945 | 0.1835 |
| 实施例3 | 0.6397 | 8.9784 | 0.0026 | 234.4012 | 78.7033 | 0.1858 |
| 对比例3 | 0.6365 | 8.9320 | 0.0024 | 263.1433 | 78.9759 | 0.1845 |
与对比例1相比，实施例1开路电压高了2.9mV，短路电流高了10mA左右，FF基本持平，转换效率提高0.1％。与对比例2相比，实施例2开路电压高了2.3mV，短路电流高了45mA， FF低了0.13，转换效率提高0.13％。与对比例3相比，实施例3开路电压高了3.2mV，短路电流高了46mA，FF低了0.27，转换效率提高0.13％。
Claims (8)
1.一种太阳能电池片的低压氧化工艺，其特征是，包括以下步骤：
（1）预处理：将扩散后的太阳能电池片进行预处理去除表面的二氧化硅薄膜和边缘PN结，处理完成后再放入低压扩散炉中，关闭炉门；
（2）反应准备：调节低压反应炉内的压力与温度，并检漏低压反应炉及其管道；
（3）氧化反应：向低压反应炉内同时通入氧气和氮气，维持压力为90~110 mbar，温度为650~800℃，持续反应1000~1200s；
（4）降温退火：时间维持500~1000s，温度从650~800℃降至550~700℃，同时通入大氮5000~10000sccm，压力回复到900~1100mbar；
（5）退舟：以5000~10000sccm的速率通入氮气，维持时间为800~1000s，待温度降至室温，取出太阳能电池片。
2.根据权利要求1所述的一种太阳能电池片的低压氧化工艺，其特征是，步骤（2）中，反映准备包括以下步骤：
a． 升温：将炉口至炉尾的温度升至630~780℃，升温时间为500~1000s，同时一直通入氮气1000~5000sccm，调节压力维持在900~1100mbar
b．主抽步：抽取低压反应炉内空气，调节炉内压力为90~110 mbar，维持温度在630~780℃内；
c．检漏步：保持上述温度，使炉内压力回复至900~1100mbar，并保持100~300s；
d．抽空步：抽取率内空气至压力为90~110 mbar，同时温度从630~780℃升至650~800℃，升温时间为200~600s。
3.根据权利要求1所述的一种太阳能电池片的低压氧化工艺，其特征是，步骤（3）中，氧化反应步依次包括底层氧化步和外层氧化步。
4.根据权利要求3所述的一种太阳能电池片的低压氧化工艺，其特征是，所述底层氧化步为：在温度为650~800℃下，向炉内通入氧气4000~5000sccm，同时通入氮气500~2000sccm，持续时间700~1000s。
5.根据权利要求3所述的一种太阳能电池片的低压氧化工艺，其特征是，所述外层氧化步为：在温度为650~800℃下，向炉内通入氧气1000~2000sccm，同时通入氮气500~2000sccm，持续时间300~400s。
6.根据权利要求1、4或5所述的一种太阳能电池片的低压氧化工艺，其特征是，氧化反应过程中保持压力为100mbar。
7.根据权利要求1所述的一种太阳能电池片的低压氧化工艺，其特征是，步骤（3）中，氧化反应维持时间1200s。
8.根据权利要求2所述的一种太阳能电池片的低压氧化工艺，其特征是，步骤（d）中，压力抽至100mbar。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710829538.7A CN107681018B (zh) | 2017-09-14 | 2017-09-14 | 一种太阳能电池片的低压氧化工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710829538.7A CN107681018B (zh) | 2017-09-14 | 2017-09-14 | 一种太阳能电池片的低压氧化工艺 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107681018A true CN107681018A (zh) | 2018-02-09 |
| CN107681018B CN107681018B (zh) | 2020-03-20 |
Family
ID=61136848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710829538.7A Active CN107681018B (zh) | 2017-09-14 | 2017-09-14 | 一种太阳能电池片的低压氧化工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107681018B (zh) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108598212A (zh) * | 2018-03-30 | 2018-09-28 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种太阳能电池钝化的方法 |
| CN108878289A (zh) * | 2018-06-15 | 2018-11-23 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 高效电池退火工艺 |
| CN109378359A (zh) * | 2018-09-16 | 2019-02-22 | 苏州润阳光伏科技有限公司 | 单晶热氧化电池制造工艺 |
| CN110690319A (zh) * | 2019-08-30 | 2020-01-14 | 江苏顺风新能源科技有限公司 | 一种高效单晶硅电池的氧化退火工艺 |
| CN112054091A (zh) * | 2020-08-28 | 2020-12-08 | 江苏润阳悦达光伏科技有限公司 | 一种高效太阳能perc-se电池的氧化工艺 |
| CN112420873A (zh) * | 2020-11-30 | 2021-02-26 | 中建材浚鑫科技有限公司 | 一种适用于m10尺寸的电池片的热氧化方法 |
| CN112466985A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-03-09 | 江苏润阳悦达光伏科技有限公司 | 改善扩散方阻单片均匀度的低压扩散工艺 |
| CN112670374A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-16 | 广东爱旭科技有限公司 | 一种晶硅太阳能电池低压退火方法 |
| CN113206002A (zh) * | 2021-03-13 | 2021-08-03 | 普乐新能源科技(徐州)有限公司 | 一种用于制备高均匀性的超薄氧化层的方法 |
| CN113782636A (zh) * | 2021-08-05 | 2021-12-10 | 天津爱旭太阳能科技有限公司 | 晶体硅太阳能电池的退火方法和晶体硅太阳能电池 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110280796A1 (en) * | 2010-05-12 | 2011-11-17 | National Chung Cheng University | Zinc Oxide Nanorod Thin Film and Method for Making Same |
| CN103400891A (zh) * | 2013-07-08 | 2013-11-20 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种背面钝化电池SiO2钝化层的制备方法 |
| CN105070654A (zh) * | 2015-07-10 | 2015-11-18 | 上饶光电高科技有限公司 | 一种提高晶体硅太阳能电池效率的扩散工艺 |
| CN106653939A (zh) * | 2016-11-17 | 2017-05-10 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种应用于晶硅太阳能电池的热氧化工艺 |
| CN106784153A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-05-31 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 太阳能电池片低压扩散工艺 |
-
2017
- 2017-09-14 CN CN201710829538.7A patent/CN107681018B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110280796A1 (en) * | 2010-05-12 | 2011-11-17 | National Chung Cheng University | Zinc Oxide Nanorod Thin Film and Method for Making Same |
| CN103400891A (zh) * | 2013-07-08 | 2013-11-20 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种背面钝化电池SiO2钝化层的制备方法 |
| CN105070654A (zh) * | 2015-07-10 | 2015-11-18 | 上饶光电高科技有限公司 | 一种提高晶体硅太阳能电池效率的扩散工艺 |
| CN106653939A (zh) * | 2016-11-17 | 2017-05-10 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种应用于晶硅太阳能电池的热氧化工艺 |
| CN106784153A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-05-31 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 太阳能电池片低压扩散工艺 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 叶发敏: ""热氧化生长SiO2钝化膜与双层减反射膜技术的研究"", 《工程科技Ⅱ辑》 * |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108598212A (zh) * | 2018-03-30 | 2018-09-28 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种太阳能电池钝化的方法 |
| CN108598212B (zh) * | 2018-03-30 | 2020-03-20 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种太阳能电池钝化的方法 |
| CN108878289A (zh) * | 2018-06-15 | 2018-11-23 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 高效电池退火工艺 |
| CN108878289B (zh) * | 2018-06-15 | 2021-09-14 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 高效电池退火工艺 |
| CN109378359A (zh) * | 2018-09-16 | 2019-02-22 | 苏州润阳光伏科技有限公司 | 单晶热氧化电池制造工艺 |
| CN110690319B (zh) * | 2019-08-30 | 2021-06-25 | 江苏顺风新能源科技有限公司 | 一种高效单晶硅电池的氧化退火工艺 |
| CN110690319A (zh) * | 2019-08-30 | 2020-01-14 | 江苏顺风新能源科技有限公司 | 一种高效单晶硅电池的氧化退火工艺 |
| CN112054091A (zh) * | 2020-08-28 | 2020-12-08 | 江苏润阳悦达光伏科技有限公司 | 一种高效太阳能perc-se电池的氧化工艺 |
| CN112466985A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-03-09 | 江苏润阳悦达光伏科技有限公司 | 改善扩散方阻单片均匀度的低压扩散工艺 |
| CN112466985B (zh) * | 2020-10-30 | 2022-11-11 | 江苏润阳悦达光伏科技有限公司 | 改善扩散方阻单片均匀度的低压扩散工艺 |
| CN112420873A (zh) * | 2020-11-30 | 2021-02-26 | 中建材浚鑫科技有限公司 | 一种适用于m10尺寸的电池片的热氧化方法 |
| CN112670374A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-16 | 广东爱旭科技有限公司 | 一种晶硅太阳能电池低压退火方法 |
| CN113206002A (zh) * | 2021-03-13 | 2021-08-03 | 普乐新能源科技(徐州)有限公司 | 一种用于制备高均匀性的超薄氧化层的方法 |
| CN113206002B (zh) * | 2021-03-13 | 2024-01-12 | 普乐新能源科技(泰兴)有限公司 | 一种用于制备高均匀性的超薄氧化层的方法 |
| CN113782636A (zh) * | 2021-08-05 | 2021-12-10 | 天津爱旭太阳能科技有限公司 | 晶体硅太阳能电池的退火方法和晶体硅太阳能电池 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107681018B (zh) | 2020-03-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107681018A (zh) | 一种太阳能电池片的低压氧化工艺 | |
| JP6821830B2 (ja) | 管型ｐｅｒｃ片面太陽電池、その製造方法及びその専用装置 | |
| CN106057980B (zh) | 一种晶体硅太阳能电池的磷扩散方法 | |
| US8557718B2 (en) | Method for blister-free passivation of a silicon surface | |
| CN109004038B (zh) | 太阳能电池及其制备方法和光伏组件 | |
| JP2014531766A (ja) | 太陽電池シート及びその熱処理プロセス | |
| US20100258168A1 (en) | Silicon-based dielectric stack passivation of si-epitaxial thin-film solar cells | |
| CN104882516A (zh) | 一种高温低压的硅片扩散方法 | |
| CN115000246B (zh) | P型钝化接触电池制备方法及钝化接触电池 | |
| CN111384210A (zh) | 一种perc叠加se的高开压扩散高方阻工艺 | |
| US20110136285A1 (en) | Method for manufacturing stacked film and solar cell | |
| US20240145611A1 (en) | Method for preparing tunnel oxide layer and amorphous silicon thin film, and topcon cell | |
| CN100416863C (zh) | 廉价多晶硅薄膜太阳电池 | |
| CN111952408A (zh) | 一种钝化金属接触的背结太阳能电池及其制备方法 | |
| CN102244137A (zh) | 太阳能电池及其制造方法 | |
| McCann et al. | Surface passivation by rehydrogenation of silicon‐nitride‐coated silicon wafers | |
| Radhakrishnan et al. | Module-level cell processing of silicon heterojunction interdigitated back-contacted (SHJ-IBC) solar cells with efficiencies above 22%: Towards all-dry processing | |
| CN106133916B (zh) | 太阳能电池光接收表面的钝化 | |
| CN112164733A (zh) | 一种太阳能电池扩散深结制备方法 | |
| CN103413867A (zh) | 太阳能电池的扩散制结方法、太阳能电池及其制作方法 | |
| CN111200038A (zh) | 一种TopCon结构太阳能电池制备方法 | |
| CN111129171B (zh) | 一种用于碱抛的掩盖膜及其制备方法 | |
| CN102169924A (zh) | 晶体硅太阳能电池及其钝化方法 | |
| CN107863415A (zh) | 一种热氧化结合pecvd提升太阳能电池片转化效率的方法 | |
| CN114823304A (zh) | 太阳能电池的制备方法、太阳能电池及发电装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Low pressure oxidation process of solar cell Effective date of registration: 20211023 Granted publication date: 20200320 Pledgee: Dongyang Branch of China Construction Bank Co.,Ltd. Pledgor: HENGDIAN GROUP DMEGC MAGNETICS Co.,Ltd. Registration number: Y2021330002002 |
|
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Date of cancellation: 20230628 Granted publication date: 20200320 Pledgee: Dongyang Branch of China Construction Bank Co.,Ltd. Pledgor: HENGDIAN GROUP DMEGC MAGNETICS Co.,Ltd. Registration number: Y2021330002002 |
|
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |