CN114823304A - 太阳能电池的制备方法、太阳能电池及发电装置 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000010248 power generation Methods 0.000 title claims abstract description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 113
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 112
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 112
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 81
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 53
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 53
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 53
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 49
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims abstract description 17
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 claims abstract description 9
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 8
- HIVGXUNKSAJJDN-UHFFFAOYSA-N [Si].[P] Chemical compound [Si].[P] HIVGXUNKSAJJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 claims description 33
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 18
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 18
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical group ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 17
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 91
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 23
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 14
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010147 laser engraving Methods 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/223—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a gaseous phase
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Sustainable Development (AREA)
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Abstract
本发明提供了一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池及发电装置。该太阳能电池的制备方法包括如下步骤：将P型掺杂的硅片置于反应腔室中，在P型掺杂的硅片表面形成N型掺杂层；向反应腔室中通入磷源，控制磷源的流速为1200sccm～1500sccm，并加热硅片以在N型掺杂层表面形成磷硅玻璃层；采用激光掺杂硅片，使磷硅玻璃层中的磷原子扩散入N型掺杂层；去除磷硅玻璃层，在硅片表层上经激光掺杂的部位形成栅线电极，进行烧结处理。该太阳能电池的制备方法中采用了特定的扩散工艺，使得硅片表面磷硅玻璃层的磷含量得到了提高，有助于克服传统技术的丝印烧结会限制太阳能电池效率和良率的问题。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池及发电装置。
背景技术
太阳能电池是一种利用光生伏特效应将光能转化为电能的半导体部件。太阳能是一种取之不尽的清洁能源，因而受到了广泛的关注。
PERC(Passivated Emitter and Rear Cell)，即钝化发射极和背面电池技术，被认为是极具性价比的制备太阳能电池的技术。PERC技术指的是在太阳能电池的背面增设一个电介质钝化层，钝化层能够降低表面载流子的复合因而能够提高转换效率。
丝网烧结是PERC电池片的制备过程中不可或缺的一个环节。具体来说，太阳能电池表面通常设置有用于导出载流子的栅线电极，烧结是通过高温熔化栅线，使栅线中的金属和硅熔融，并刻蚀掉硅片表面的氮化硅膜，进入硅基体，在背电极、背电场及正电极和硅衬底上形成均匀、良好的欧姆接触。印刷后的电池片经过良好的烧结环境不仅可以形成密实结构，拥有较好的电极集流导电能力，而且电池片表面氮化硅介质膜中的氢在高温处理中被释放，并扩散到硅片中，不仅能钝化硅材料界面的悬挂键，且能深入硅材料内部进行钝化，从而保证电池片效率和良率。
在实际的生产过程中，当烧结温度低时存在欠烧的情况，欠烧时金属浆料不能充分穿透氮化硅介质膜进入硅片中，无法形成良好的欧姆接触，导致太阳能电池良率和效率的降低。烧结温度高时又会产生过烧的情况，过烧时栅线的金属成分进入结区的可能性大，会造成部分短路；并且铝金属也会熔入硅并形成铝硅合金层，造成电池片失效，氮化硅薄层中的氢也会从硅中逸出、减弱氢对硅片的钝化作用，也会导致太阳能电池良率和效率的降低。上述两种情况彼此矛盾，在实际制备工艺中难以同时解决上述两个问题，限制了太阳能电池产品效率的提升。
发明内容
基于此，为了在一定程度上克服烧结温度存在的矛盾，有必要提供一种太阳能电池的制备方法，对应地，提供一种太阳能电池及发电装置。
根据本发明的一个实施例，一种太阳能电池的制备方法，其包括如下步骤：
将P型掺杂的硅片置于反应腔室中，在所述硅片表面形成N型掺杂层；
向所述反应腔室中通入磷源，控制所述磷源的流速为1200sccm～1500sccm，使所述磷源与所述硅片反应以在所述N型掺杂层表面形成磷硅玻璃层；
采用激光掺杂所述硅片上用于丝印栅线电极的部位，使被激光掺杂部位的所述磷硅玻璃层中的磷原子扩散入所述N型掺杂层；
去除所述磷硅玻璃层，在所述硅片表层上用于丝印栅线电极的部位形成栅线电极，进行烧结处理。
在其中一个实施例中，在形成所述磷硅玻璃层的步骤中，控制所述反应腔室内的温度为780℃～820℃，控制反应时间为12min～16min。
在其中一个实施例中，在形成所述磷硅玻璃层的步骤中，向所述反应腔室中通入流速为300sccm～500sccm的氧源。
在其中一个实施例中，所述磷源选自三氯氧磷。
在其中一个实施例中，在烧结时，控制烧结温度为760℃～800℃。
在其中一个实施例中，在采用激光掺杂的方式激光掺杂所述硅片的步骤中，控制所述激光的功率为15W～35W。
在其中一个实施例中，在形成所述N型掺杂层的过程中，先向所述反应腔室内通入磷源进行预沉积，之后于840℃～880℃的温度下进行高温推结处理，再于780℃～820℃的温度下进行低温推结处理。
在其中一个实施例中，在形成所述N型掺杂层的过程中，通入的磷源流速为600sccm～800sccm。
进一步地，一种太阳能电池，其由根据上述任一实施例所述的太阳能电池的制备方法制备得到。
一种发电装置，其包括如上述任一实施例所述的太阳能电池。
本发明提供的太阳能电池的制备方法存在如下有益效果。该太阳能电池的制备方法中采用了特定的扩散工艺，使得硅片表面磷硅玻璃层的磷含量得到了提高，栅线下硅片中的磷含量得到提高，有利于金属栅线电极与硅片之间形成良好的欧姆接触。这使得即使采用较低温的烧结工艺，金属浆料也能够与硅片形成良好的欧姆接触，进而克服无论是高温烧结还是低温烧结均会存在问题的矛盾。
附图说明
图1为实施例1和对比例1的硅片中磷元素表面浓度随结深的变化示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将对本发明进行更全面的描述。文中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。本文所使用的“多”包括两个和多于两个的项目。本文所使用的“某数以上”应当理解为某数及大于某数的范围。
根据本发明的一个实施例，一种太阳能电池的制备方法，其包括如下步骤：
将P型掺杂的硅片置于反应腔室中，在所述硅片表面形成N型掺杂层；
向所述反应腔室中通入磷源，控制所述磷源的流速为1200sccm～1500sccm，并加热所述硅片以在所述N型掺杂层表面形成磷硅玻璃层；
采用激光掺杂所述硅片上用于丝印栅线电极的部位，使被激光掺杂部位的所述磷硅玻璃层中的磷原子扩散入所述N型掺杂层；
去除所述磷硅玻璃层，在所述硅片表层上用于丝印栅线电极的部位形成栅线电极，进行烧结处理。
上述实施例中的太阳能电池的制备方法可以按照包括如下步骤S1～S4的具体方式实现。
步骤S1，将P型掺杂的硅片置于反应腔室中，在P型掺杂的硅片表面形成N型掺杂层。
可以理解，纯净的硅为本征半导体，其中的电子和空穴数目应当相同。P型掺杂的硅片为掺杂有受主杂质的硅片。受主杂质能够向硅片中提供空穴载流子，使得硅片中空穴为多子。P型掺杂的硅片可以选自硼掺杂的硅片。
在其中一个具体示例中，P型掺杂的硅片为制绒后的硅片。制绒指的是通过碱抛等工序在硅片表面形成一层金字塔状的微观结构，以增强硅片对光线的吸收能力。
在其中一个具体示例中，在将P型掺杂的硅片置于反应腔室中之后，可以先对反应腔室进行预热，控制腔室的温度加热至660℃～860℃。在预热完成之后，保持反应腔室的温度，并抽真空至反应腔室内的气压为50Pa～150Pa。
在其中一个具体示例中，在形成N型掺杂层之前，还包括通入氧源对硅片进行预氧化的步骤。可选地，通入氧源的流速为600sccm。预氧化的主要目的在于在硅片不同的位置上生长相对应厚度的致密的二氧化硅层，以缓解硅片方块电阻中心高、四周低的问题。
在其中一个具体示例中，氧化之后可以在硅片表面进行预沉积，以形成N型掺杂层。具体地，在形成N型掺杂层的过程中，先向反应腔室内通入磷源进行预沉积，之后再于840℃～880℃的温度下进行高温推结处理，再于780℃～820℃的温度下进行低温推结处理。其中，在进行预沉积的过程中，可以先控制反应腔室内的温度保持在760℃～800℃，压力保持在90Pa～110Pa，通入磷源进行预沉积，磷源的流速为600～800sccm。进一步地，在沉积4min之后，预沉积的主要作用在于在硅片表面沉积一层磷单质，高温推结处理的主要目的在于将硅片表面的磷单质进行再分布处理，使表面沉积的磷单质向硅片内部扩散，低温推结能够使得磷单质在硅片内分布地更为均匀。可以理解，N型掺杂层形成于原硅片的表层，并于下方的P型硅片构成PN结。
步骤S2，向反应腔室中通入磷源，控制磷源的流速为1200sccm～1500sccm，并加热硅片以在N型掺杂层表面形成磷硅玻璃层(PSG)。
可以理解，此步骤中磷源的流速显著高于前一步骤中磷源的流速，这主要是由于制备PN结时需要使磷原子扩散入硅基片内，而本步骤则是为了在硅片表面形成具有所需的较高磷含量的磷硅玻璃层，以为后续的激光掺杂及进一步的丝印烧结做准备。在形成所需的磷硅玻璃层时，对于磷源的流速有要求，若磷源的流速低于1200sccm，则其形成的磷硅玻璃层中的磷浓度无法达到要求，进而后续的激光掺杂及进一步的丝印烧结也难以获得所需的技术效果。
可以理解，在形成磷硅玻璃层时需要对硅片进行加热，以促进磷源与硅片之间的反应。在其中一个具体示例中，为了与上述磷源的流速共同作用以在保持磷硅玻璃层中磷的浓度的情况下尽可能节约制备时间，在形成磷硅玻璃层的步骤中，还可以控制反应腔室内的温度为800℃～820℃。进一步地，还可以控制反应时间为12min～16min。
在其中一个具体示例中，在形成磷硅玻璃层的步骤中，向反应腔室中通入流速为300sccm～500sccm的氧源。
在其中一个具体示例中，磷源可以选自三氯氧磷。
在其中一个具体示例中，在形成磷硅玻璃层之后，还可以对该硅片进行进一步氧化处理，以去除杂质。具体地，在形成磷硅玻璃层之后，通入1000sccm～1200sccm的氧气，形成二氧化硅，起到吸杂的作用，并利用磷硅玻璃层对钠、钾等离子的吸附和固定作用、在后续去除磷硅玻璃层的同时除去这些有害离子。
进一步地，在氧化处理后，可以再向反应腔室内通入氮气至常压状态，再从反应腔室内取出硅片备用。
步骤S3，采用激光掺杂硅片，使磷硅玻璃层中的磷原子扩散入N型掺杂层。
步骤S3为激光掺杂的操作。激光掺杂是利用激光的热效应熔融硅片表层，使得覆盖在发射极顶部的磷硅玻璃中的磷原子进入硅片的表层，磷原子在液态硅中的扩散系数要比在固态硅中的扩散高数个数量级，固化后掺杂磷原子取代硅原子的位置，形成重掺杂层。
在其中一个具体示例中，激光掺杂的部位主要对应于后续的栅线电极的位置。因此激光掺杂可以无需激光掺杂硅片的整个表面。在其中一个具体示例中，采用激光掺杂硅片表面预设的用于丝印栅线电极的部位。
在硅片表面进行激光掺杂还存在如下问题。通常情况下，较低的激光功率达不到重掺杂的效果，导致发射极与后续所形成的金属栅线电极之间的欧姆接触变差，因此传统技术中通常选择较高功率的激光对硅片表面进行激光掺杂，以获得重掺杂的效果。而较高的激光功率则会破坏硅片的绒面结构，又会进一步降低太阳能电池的效率。在本实施例中，由于采取了特定的制备磷硅玻璃层的工艺，有效提高了磷硅玻璃层中的磷含量，更有利于形成重掺杂，并且致密且足够的磷硅玻璃层可以保护激光脉冲轰击硅片表面时减轻绒面损伤，降低悬挂键、位错缺陷，减少电池片表面复合，提升少子寿命，从而改善良率。
进一步地，上述制备磷硅玻璃层的工艺还使得激光掺杂的功率可以得到适当降低，减少了绒面结构的损伤，相当于在传统技术的基础上提高了太阳能电池的效率。在其中一个具体示例中，在采用激光掺杂的方式激光掺杂硅片的步骤中，控制激光的功率为15W～35W，以减少激光掺杂对硅片表面的绒面结构所带来的损伤。
进一步地，在其中一个具体示例中，在激光掺杂雕刻副栅、防断栅的过程中，激光的频率为200kHz～240kHz。进一步地，可以设置激光的功率因数(Powerfactor)值为230kHz～270kHz。
步骤S4，去除磷硅玻璃层，在硅片表层上经激光掺杂的部位形成栅线电极，进行烧结处理。
其中，去除磷硅玻璃层的方式可以为碱处理，碱处理可以选自传统技术中常用的碱抛方式进行处理。
其中，形成栅线电极的方式可以是丝网印刷含有金属的浆料，以形成栅线电极。丝网印刷之后通常还需要经过烧结处理，以使得金属浆料穿透氮化硅介质膜进入硅片中，进而形成良好的欧姆接触。
步骤S2中的工艺能够提高磷硅玻璃层中的磷含量，因此这使得在该步骤中能够使得丝印的栅线电极的烧结温度得到有效降低。在其中一个具体示例中，在烧结过程中，可以控制烧结温度为760℃～800℃。进一步地，可以控制烧结温度为760℃～790℃。更进一步地，可以控制烧结温度为760℃～780℃。
通过上述实施方式，可以理解本发明提供的太阳能电池的制备方法存在如下有益效果。该太阳能电池的制备方法中采用了特定的扩散工艺，这使得硅片表面磷硅玻璃层的磷含量得到了提高，栅线下硅片中的磷含量得到提高，有利于金属栅线电极与硅片之间形成良好的欧姆接触。这使得即使采用较低温的烧结工艺，金属浆料也能够与硅片形成良好的欧姆接触，进而克服无论是高温烧结还是低温烧结均会存在问题的矛盾。
进一步地，上述提高磷含量的磷硅玻璃制造步骤搭配较低的温度下进行烧结，不仅能够克服低温烧结所存在的欧姆接触问题，还有助于提升硅片内氢原子的钝化效果，降低高温烧结对硅片内缺陷的放大现象，最终达到提升太阳能电池的效率、改善产品质量的目的。
进一步地，上述提高磷含量的磷硅玻璃制造步骤，还能够搭配以较低的激光功率进行重掺杂的步骤，借助于高磷含量的磷硅玻璃层的特点以实现采用较低的激光功率，同时结合致密的磷硅玻璃层的保护作用，减轻激光掺杂过程中导致的硅片表面的绒面损伤，避免这一过程导致的性能衰减。
为了更易于理解及实现本发明，以下还提供了如下较易实施的、更为具体详细的实施例及对比例作为参考。通过下述具体实施例和对比例的描述及性能结果，本发明的各实施例及其优点也将显而易见。
如无特殊说明，以下各实施例所用的原材料皆可从市场上常规购得。
另外，在实际制备过程中，各层的实际厚度可能与测试厚度略有出入，但不影响各对比例及实施例的进行。
实施例1：制备具有高磷含量的磷硅玻璃层的硅片
(1)将已经制绒后的硅片送入反应炉管，炉管加热至760℃±100℃；
(2)各温区温度保持在760±100℃，抽真空至50Pa-150Pa；
(3)各温区温度保持在760±100℃，抽真空至50Pa-150pa，停止抽真空，进行炉管检漏；
(4)预氧化：各温区温度保持在760±100℃，反应炉管内的压力保持在100±10Pa，通氧氧化，时间控制在3min，氧气流量为600sccm；
(5)预沉积：氧化后，各温区温度保持在770±20℃，压力保持在100±10Pa，通氧气和三氯氧磷，氧气流量为600sccm，三氯氧磷的流速为600sccm～800sccm，该步时间4min；然后各温区再提升10℃，保持气体流量不变，继续沉积4min；
(6)各温区温度保持在860±20℃，进行10min高温推结，再保持温度2.5min；
(7)各温区温度保持在800±20℃，进行15min降温推结，再保持温度6min；
(8)保持温度为800±20℃，通入1300sccm的三氯氧磷及400sccm的氧气10min，以形成高磷含量的PSG层；
(9)各温区温度保持在800±20℃，通入1000sccm的氧气进行氧化；
(10)氧化后充氮气2500sccm至常压；并取出硅片。
对比例1：制备低磷含量的磷硅玻璃层的硅片
(1)将已经制绒后的硅片送入反应炉管，炉管加热至760℃±100℃；
(2)各温区温度保持在760±100℃，抽真空至50Pa-150Pa；
(3)各温区温度保持在760±100℃，抽真空至50Pa-150pa，停止抽真空，进行炉管检漏；
(4)预氧化：各温区温度保持在760±100℃，反应炉管内的压力保持在100±10Pa，通氧氧化，时间控制在3min，氧气流量为600sccm；
(5)预沉积：氧化后，各温区温度保持在770±20℃，压力保持在100±10Pa，通氧气和三氯氧磷，氧气流量为600sccm，三氯氧磷的流速为600sccm～800sccm，该步时间4min；然后各温区再提升10℃，保持气体流量不变，继续沉积4min；
(6)各温区温度保持在860±20℃，进行10min高温推结，再保持温度2.5min；
(7)各温区温度保持在800±20℃，进行15min降温推结，再保持温度6min；
(8)保持温度为800±20℃，通入800sccm的三氯氧磷及400sccm的氧气10min，以形成PSG层；
(9)各温区温度保持在800±20℃，通入1000sccm的氧气进行氧化；
(10)氧化后充氮气2500sccm至常压；并取出硅片。
对实施例1和对比例1制备的硅片进行表征，测试其磷元素的表面浓度与结深的关系，结果如图1。
图1中示出了硅片中磷元素的表面浓度与结深的关系。图1中标注的拐点1是最高点，一般位于10nm深的位置，通常表示掺杂的表面浓度，测试大小在1020/cm3-1021/cm3之间，实施例1的表面掺杂浓度大于对比例1的表面掺杂浓度。
更重要的是，图1中的拐点2为突变点，拐点2处的浓度梯度大小直接影响后续栅线电极烧结的效果，对比例1的拐点2为突变点，曲线斜率发生明显改变，浓度梯度较大，烧结过程更难进行。实施例1的曲线斜率变化更为平缓，浓度梯度较小，烧结过程更容易进行，因此所需温度也较低。
拐点3表示PN结所处的位置，拐点3所处的横坐标即结深其一般处于0.25μm～0.40μm之间。更深的扩散结能够防止栅线电极金属向结区渗透，减少禁带中引入电极金属能级的概率，不仅可使电极与硅片接触良好，而且可适当放宽制结时对温度和时间控制的严格要求。拐点3所处的纵坐标表示有效掺杂的情况，有效掺杂较多时，可以提高开路电压和短路电流。
实施例2
取实施例1的样品进行如下处理：
(1)采用激光掺杂硅片表面的预设的栅线位置，使得PSG中的磷扩散入硅片表面，激光功率设定在25W，图形副栅、防断栅的激光雕刻参数中频率设定在220kHz，能量因数值设定在250kHz；
(2)丝印栅线电极并进行烧结，烧结温度设定为780℃。
对比例2
取对比例1的样品进行如下处理：
(1)采用激光掺杂硅片表面的预设的栅线位置，使得PSG中的磷扩散入硅片表面，激光功率设定在25W，图形副栅、防断栅的激光雕刻参数中频率设定在220kHz，能量因数值设定在250kHz；
(2)丝印栅线电极并进行烧结，烧结温度设定为840℃。
对比例3
取对比例1的样品进行如下处理：
(1)采用激光掺杂硅片表面的预设的栅线位置，使得PSG中的磷扩散入硅片表面，激光功率设定在25W，图形副栅、防断栅的激光雕刻参数中频率设定在220kHz，能量因数值设定在250kHz；
(2)丝印栅线电极并进行烧结，烧结温度设定为780℃。
对比例4
取实施例1的样品进行如下处理：
(1)采用激光掺杂硅片表面的预设的栅线位置，使得PSG中的磷扩散入硅片表面，激光功率设定在25W，图形副栅、防断栅的激光雕刻参数中频率设定在220kHz，能量因数值设定在250kHz；
(2)丝印栅线电极并进行烧结，烧结温度设定为780℃。
取上述实施例2、对比例2～4制备的太阳能电池进行表征，获取其效率数据，结果可见于表2。
表2：实施例2及对比例2～4的电池效率数据对比
通过表2中数据可以看出，相较于依照传统产线所用方法的对比例2，实施例2的效率能够提高0.036％，主要体现在短路电流增益0.009A,填充因子增益0.07％，通过率提升0.59％。这主要是因为实施例2采用了特定的制备磷硅玻璃层的方法，进而使得后续的丝印烧结的步骤可以在较低温度下进行，有助于栅线电极的银浆塑形，欧姆接触好，利于提高短路电流和填充因子，与理论分析相符合。
进一步地，对实施例2和对比例2进行良率检测，其具体测试结果见于表3。
表3：实施例2及对比例2的电池良率数据对比
通过表3中数据可以看出，实施例2的电池片的良率较对比例2高0.56％，主要体现在雾状发黑、脏污及石墨舟印，这可能主要得益于实施例2的工艺有助于减少烧结过程氢离子的逸出，提高氮化硅薄膜的保护性和钝化效果。
进一步地，对实施例2和对比例2的电池片进行ORT测试(Ongoing Reliabilitytest，即产品可靠性测试或产品连续性测试)，结果如表4。
表4：实施例2及对比例2的电池ORT测试数据对比
从表4可以看出，可以发现实施例2和对比例2的正银拉力测试、背银拉力数据、弯曲度测试数据结果均显示OK。同时，实施例2的弯曲度优于对比例2，由于硅片的热膨胀系数与背面接触的铝层的热膨胀系数有所不同，烧结后铝层收缩会导致硅片变形，称为硅片翘曲，硅片越薄、铝层越厚，硅片的歪曲量越大，使电池片弯曲度超过预定的规定要求，较低的电击烧结温度不会对硅片造成损伤，而且减缓了背面铝浆的收缩程度，减小了太阳能电池片翘曲度，提升成品率，提高了电池片的使用寿命，有利于未来更薄的硅片技术的发展。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
将P型掺杂的硅片置于反应腔室中，在所述硅片表面形成N型掺杂层；
向所述反应腔室中通入磷源，控制所述磷源的流速为1200sccm～1500sccm，使所述磷源与所述硅片反应以在所述N型掺杂层表面形成磷硅玻璃层；
采用激光掺杂所述硅片上用于丝印栅线电极的部位，使被激光掺杂部位的所述磷硅玻璃层中的磷原子扩散入所述N型掺杂层；
去除所述磷硅玻璃层，在所述硅片表层上用于丝印栅线电极的部位形成栅线电极，进行烧结处理。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在形成所述磷硅玻璃层的步骤中，控制所述反应腔室内的温度为780℃～820℃，控制反应时间为12min～16min。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在形成所述磷硅玻璃层的步骤中，向所述反应腔室中通入流速为300sccm～500sccm的氧源。
4.根据权利要求1～3任一项所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述磷源选自三氯氧磷。
5.根据权利要求1～3任一项所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在烧结时，控制烧结温度为760℃～800℃。
6.根据权利要求1～3任一项所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在采用激光掺杂的方式激光掺杂所述硅片的步骤中，控制所述激光的功率为15W～35W。
7.根据权利要求1～3任一项所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在形成所述N型掺杂层的过程中，先向所述反应腔室内通入磷源进行预沉积，之后于840℃～880℃的温度下进行高温推结处理，再于780℃～820℃的温度下进行低温推结处理。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在形成所述N型掺杂层的过程中，通入的磷源流速为600sccm～800sccm。
9.一种太阳能电池，其特征在于，由根据权利要求1～8任一项所述的太阳能电池的制备方法制备得到。
10.一种发电装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的太阳能电池。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210294324.5A CN114823304A (zh) | 2022-03-24 | 2022-03-24 | 太阳能电池的制备方法、太阳能电池及发电装置 |
| PCT/CN2022/128526 WO2023179023A1 (zh) | 2022-03-24 | 2022-10-31 | 太阳能电池的制备方法、太阳能电池及发电装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210294324.5A CN114823304A (zh) | 2022-03-24 | 2022-03-24 | 太阳能电池的制备方法、太阳能电池及发电装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114823304A true CN114823304A (zh) | 2022-07-29 |
Family
ID=82529927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210294324.5A Pending CN114823304A (zh) | 2022-03-24 | 2022-03-24 | 太阳能电池的制备方法、太阳能电池及发电装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114823304A (zh) |
| WO (1) | WO2023179023A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023179023A1 (zh) * | 2022-03-24 | 2023-09-28 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 太阳能电池的制备方法、太阳能电池及发电装置 |
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| CN113594303A (zh) * | 2021-08-05 | 2021-11-02 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 一种选择性发射极的制作方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104362200A (zh) * | 2014-10-30 | 2015-02-18 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | 一种高效晶硅太阳能电池及其制备方法 |
| CN107863419A (zh) * | 2017-11-02 | 2018-03-30 | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 | 一种双面perc晶体硅太阳能电池的制备方法 |
| CN110429157A (zh) * | 2018-08-28 | 2019-11-08 | 协鑫集成科技股份有限公司 | 太阳能电池的制备方法和太阳能电池 |
| CN110828607A (zh) * | 2019-08-27 | 2020-02-21 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种高转换效率se-perc太阳能电池的制备方法 |
| CN113437182A (zh) * | 2021-06-25 | 2021-09-24 | 东莞南玻光伏科技有限公司 | 一种太阳能电池的扩散工艺、制备方法及硅片 |
| CN114823304A (zh) * | 2022-03-24 | 2022-07-29 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 太阳能电池的制备方法、太阳能电池及发电装置 |
-
2022
- 2022-03-24 CN CN202210294324.5A patent/CN114823304A/zh active Pending
- 2022-10-31 WO PCT/CN2022/128526 patent/WO2023179023A1/zh unknown
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