CN107678221A - 主动开关阵列基板及其应用的显示装置与其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明关于一种主动开关阵列基板及其应用的显示装置与其制造方法，包括：一第一基底；多条闸极线，形成于所述第一基底上；一闸极覆盖层，形成于所述第一基底上，并覆盖该些闸极线；多条数据线，形成于所述闸极覆盖层上；多条共同电极，形成于所述第一基底上；一第一保护层，形成于所述闸极覆盖层上，并覆盖该些数据线；多个电荷分享单元，分别设置在该些画素区内，电性耦接至该些共同电极，其中每个电荷分享单元包括一分享电容结构，所述分享电容结构包括一第一导电层及一第二导电层，所述第一保护层位于所述第一导电层及所述第二导电层之间；一第二保护层，覆盖所述第一导电层；以及一画素电极层，形成于所述第一保护层及所述第二保护层上。

Description

主动开关阵列基板及其应用的显示装置与其制造方法
技术领域
本发明涉及一种改善色偏的设计方法，特别是涉及一种主动开关阵列基板及其应用的显示装置与其制造方法。
背景技术
液晶显示面板通常是由一彩膜基板(Color Filter，CF)、一薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)以及一配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成，其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。按照液晶的取向方式不同，目前主流市场上的液晶显示面板可以分为以下几种类型：垂直配向(Vertical Alignment，VA)型、扭曲向列(Twisted Nematic，TN)或超扭曲向列(SuperTwisted Nematic，STN)型、平面转换(In-Plane Switching，IPS)型及边缘场开关(FringeField Switching，FFS)型。
所述垂直配向型(Vertical Alignment，VA)模式的液晶显示，例如图形垂直配向型(patterned vertical alignment，PVA)液晶显示器或多区域垂直配向型(Multi-domainVertical Alignment，MVA)液晶显示装置，其中PVA型利用边缘场效应与补偿板达到广视角的效果。MVA型将一个画素分成多个区域，并使用突起物(Protrusion)或特定图案结构，使位于不同区域的液晶分子朝向不同同向倾倒，以达到广视角且提升穿透率的作用。
在IPS模式或FFS模式中，通过施加含有基本平行于基板的分量的电场，使液晶分子在平行于基板平面的方向相应而驱动液晶分子。IPS型液晶显示面板和FFS型液晶显示面板，二者具有广视角的优点。但由于蓝光的波长较短，与红光和绿光相比，达到相同穿透率(Transmittance)所需的相位差(Retardation)较小，红光、绿光和蓝光的穿透率-电压(V-T)曲线不同；而且，红光、绿光和蓝光在面板中的聚酰亚胺(PI)膜、平坦化层(PFA)、涂覆层(OC)等膜面的穿透率不同，也会导致出现色偏问题。
在MVA模式目前主流是多是采用将画素区分为亮区与暗区，因此光学表现上可以由两种V-T特性混合，另外在适当调整亮暗区面积比例，在大视角时可有效压制中灰阶泛白的问题。
而目前另一种解决色偏问题的方式是采用电荷分享(Charge sharing)概念，电荷分享方法是一种利用电容分享达成主、副画素区域(main/sub region)电荷重新分配的技术，用以改善传统VA型显示器色偏问题。目前应用于各大厂家为一种主流的解色偏技术，其优势在于色偏改善状况良好，但劣势在于画素内电极设计较复杂间接影响开口率的设计。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明的目的在于，提供一种改善色偏的设计方法，特别是涉及一种主动开关阵列基板及其应用的显示装置与其制造方法，不仅可以有效解决色偏问题，同时可有效提升画素设计开口率。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种主动开关阵列基板，包括：一第一基底；多条闸极线，形成于所述第一基底上；一闸极覆盖层，形成于所述第一基底上，并覆盖该些闸极线；多条数据线，形成于所述闸极覆盖层上，其中该些数据线与该些闸极线定义出多个画素区；多条共同电极，形成于所述第一基底上，其中该些共同电极位于该些画素区的边界并且相邻于该些闸极线，其中该些共同电极与该些闸极线位于同一层中；一第一保护层，形成于所述闸极覆盖层上，并覆盖该些数据线；多个电荷分享单元，电性耦接至该些共同电极，分别设置在该些画素区内，其中每个电荷分享单元包括一分享电容结构，所述分享电容结构包括一第一导电层及一第二导电层，所述第一导电层的材料为一透明导电材料，所述第二导电层的材料相同于该些数据线的材料，且所述第一保护层位于所述第一导电层及所述第二导电层之间；一第二保护层，覆盖所述第一导电层；以及一画素电极层，形成于所述第一保护层及所述第二保护层上。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
本发明的另一目的为提供一种主动开关阵列基板的制造方法，包括：提供一第一基底；将多条闸极线形成于所述第一基底上；将一闸极覆盖层形成于所述第一基底上，并覆盖该些闸极线；将多条数据线及多个第二导电层形成于所述闸极覆盖层上，其中该些数据线与该些闸极线定义出多个画素区；将一第一保护层形成于所述闸极覆盖层上，并覆盖该些数据线及该些第二导电层；将多个第一导电层形成于所述第一保护层上，其中所述第一导电层的材料为一透明导电材料，所述第二导电层的材料相同于该些数据线的材料，所述第一保护层位于该些第一导电层及该些第二导电层之间，且该些第一导电层及该些第二导电层分别组合成多个分享电容结构，将一第二保护层覆盖所述第一导电层；以及将一画素电极层形成于所述第一保护层及所述第二保护层上。
本发明的又一目的为提供一种液晶显示面板，包括：一主动开关阵列基板，如所述的主动开关阵列基板；一彩色滤光层基板，其与所述主动开关阵列基板相对设置；以及一液晶层，形成于所述主动开关阵列基板与所述彩色滤光层基板之间。
本发明的再一目的一种液晶显示装置，包括：背光模块，还包括所述的液晶显示面板。
在本发明的一实施例中，所述的主动开关阵列基板，所述透明导电材料为铟锡氧化物。
在本发明的一实施例中，所述的主动开关阵列基板，所述第一保护层的膜厚为0.1μm。
在本发明的一实施例中，所述的主动开关阵列基板，所述第二保护层具有阶梯状的剖面。
在本发明的一实施例中，所述制造方法，所述第二保护层具有阶梯状的剖面，所述第二保护层是通过光阻涂布、曝光、显影及光罩过程而同时形成，且所述光罩为灰阶光罩或半色调光罩。
在本发明的一实施例中，所述制造方法，通过光阻涂布、曝光、显影、光罩及蚀刻过程而同时将多条数据线及多个第二导电层形成于所述闸极覆盖层上。
在本发明的一实施例中，所述的液晶显示面板，所述第二保护层具有阶梯状的剖面。
本发明的有益效果是将可有效解决液晶显示面板色偏问题及提升画素开口率与穿透率。
附图说明
图1是范例性的为了解决色偏问题的液晶画素电路图。
图1a是范例性的为了解决色偏问题的另一液晶画素电路图。
图1b是范例性的显示副画素电压能阶示意图。
图2a是范例性的电荷共享单元画素结构示意图。
图2b是范例性的电荷共享单元示意图。
图2c是范例性的电荷共享单元剖面结构图。
图3是本发明一实施例的第一基板的结构示意图。
图4是本发明一实施例电荷共享单元画素结构示意图。
图4a是本发明一实施例的电荷共享单元示意图。
图4b是本发明一实施例的电荷共享单元剖面结构图。
图4c是本发明一实施例具有半色调(Half Tone)光罩的画素结构示意图。
图4d是本发明一实施例藉由灰色光罩(Gray-tone Mask)或半色调光罩(HalfTone Mask)工艺过程制造具有梯度形貌的画素结构示意图。
图4e是本发明另一实施例的藉由半色调(Half Tone)工艺过程制造具有梯度形貌的画素结构示意图。
图4f是本发明又一实施例的藉由半色调(Half Tone)工艺过程制造具有梯度形貌的画素结构示意图。
图4g是本发明再一实施例的藉由半色调(Half Tone)工艺过程制造具有梯度形貌的画素结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
附图和说明被认为在本质上是示出性的，而不是限制性的。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。另外，为了理解和便于描述，附图中示出的每个组件的尺寸和厚度是任意示出的，但是本发明不限于此。
在附图中，为了清晰起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中，为了理解和便于描述，夸大了一些层和区域的厚度。将理解的是，当例如层、膜、区域或基底的组件被称作“在”另一组件“上”时，所述组件可以直接在所述另一组件上，或者也可以存在中间组件。
另外，在说明书中，除非明确地描述为相反的，否则词语“包括”将被理解为意指包括所述组件，但是不排除任何其它组件。此外，在说明书中，“在......上”意指位于目标组件上方或者下方，而不意指必须位于基于重力方向的顶部上。
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的一种主动开关阵列基板及其应用的显示装置与其制造方法，其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。
本发明的液晶显示装置可包括背光模块及液晶显示面板。液晶显示面板可包括薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)基板、彩色滤光片(Color Filter，CF)基板与形成于两基板之间的液晶层。
在一实施例中，本发明的液晶显示面板可为曲面型显示面板，且本发明的液晶显示装置亦可为曲面型显示装置。
图1为范例性的为了解决色偏问题的液晶画素电路图。在液晶显示器中，使像素中的多个电容在彼此之间进行电荷分享，是一种为了解决色偏问题而衍生出来的技术。请参照图1，在图1所示的液晶像素电路中，主像素受到闸极线Gate1的控制，利用晶体管T1从数据线Data取得数据并储存到储存电容Cst1之中；而子像素除了同样受到闸极线Gate1的控制，利用晶体管T2从数据线Data取得数据并储存到储存电容Cst2之外，还进一步受到闸极线Gate2的控制，以利用晶体管T3使储存电容Cst2与储存电容Ccsb进行电荷分享。藉由此种架构，图1所示的液晶像素电路可以适当控制储存电容Cst1与储存电容Cst2所储存电压的比例，以藉此使液晶电容C1c1与C1c2受到默认的电压驱动，进而得以消除显示时的色偏问题。然而，随着技术的更新，液晶显示器无论在分辨率或画面更新频率上也都随之提高。如此一来，无论是因为分辨率的增加而使得在同样的时间中必须更新更多像素电路中的数据也好，或者是因为画面更新频率的增加而使得必须在更短的时间内更新旧有数量的像素电路中的数据也好，甚或在分辨率与画面更新频率一起增加的状况下使得必须在更短的时间内更新更多像素电路中的数据也好，总之对于每一个像素电路来说，在将数据线Data上的数据储存至储存电容Cst1与Cst2时所能使用的充电时间都会因此减少。一旦像素电路所能使用的充电时间减少，那么储存电容Cst1与Cst2就可能无法被完全充饱，随之而来的就是储存电容Cst1与Cst2的储存电压未必能达至相同的水平。一旦储存电容Cst1与Cst2的储存电压不一样，那么当储存电容Cst2与储存电容Ccsb共享电荷之后，由储存电容Cst2所维持的电压与由储存电容Cst1所维持的电压之间的比值也就无法达到原先设定的比例，因此原本想要消除的色偏问题将再度出现在显示过程中。
图1b为范例性的为了解决色偏问题的另一液晶画素电路图及图1b为范例性的显示副画素电压能阶示意图。请参照图1a及图1b，而目前电荷分享方法是一种利用电容分享达成主、副画素区域101、102电荷重新分配的技术，用以改善传统VA型显示器色偏问题。其优势在于色偏改善状况良好，但劣势在于画素内电极设计较复杂间接影响开口率的设计。
图2a为范例性的电荷共享单元画素结构示意图、图2b为范例性的电荷共享单元示意图及图2c为范例性的电荷共享单元剖面结构图。请参照图2a、图2b及图2c，一种电荷分享单元画素结构，包括：一第一基板300；所述第一基板300包括：一第一基底322；多条数据线320，形成于所述第一基底322上；多条闸极线210，形成于所述第一基底322上，其中该些数据线320与该些闸极线210定义出多个画素区200；一闸极覆盖层324，形成于所述第一基底322上，其中所述闸极覆盖层324的膜厚225为3.5μm；一保护层410，形成于所述闸极覆盖层324上，其中所述保护层410的上方具有画素电极460；以及一电荷分享单元201，电性耦接至该些闸极线210。
图3为本发明一实施例的第一基板301的结构示意图、图4为本发明一实施例电荷共享单元401画素结构示意图、图4a为本发明一实施例的电荷共享单元401示意图及图4b为本发明一实施例的电荷共享单元401剖面结构图。请参照图3、图4、图4a及图4b，在本发明的一实施例中，一种主动开关阵列基板301，包括：一第一基底322；多条闸极线210，形成于所述第一基底322上；一闸极覆盖层324，形成于所述第一基底322上，并覆盖该些闸极线210；多条数据线320，形成于所述闸极覆盖层324上，其中该些数据线320与该些闸极线210定义出多个画素区316；多条共同电极420(例如铟锡氧化电极)，形成于所述第一基底322上，其中该些共同电极420位于该些画素区316的边界并且相邻于该些闸极线210，其中该些共同电极420与该些闸极线210位于同一层中；一第一保护层410，形成于所述闸极覆盖层324上，并覆盖该些数据线320，其中所述第一保护层410的膜厚325为0.1μm；多个电荷分享单元401，电性耦接至该些共同电极420，分别设置在该些画素区400内，其中每个电荷分享单元401包括一分享电容结构，所述分享电容结构包括一第一导电层420及一第二导电层320，所述第一导电层420的材料为一透明导电材料，所述第二导电层320的材料相同于该些数据线320的材料，且所述第一保护层410位于所述第一导电层420及所述第二导电层320之间；一第二保护层328，覆盖所述第一导电层420，所述第二保护层328具有阶梯状的剖面；以及一画素电极层460，形成于所述第一保护层410及所述第二保护层460上。
请参照图3、图4、图4a及图4b，在本发明一实施例中，本发明的一种液晶显示面板，包括：一主动开关阵列基板301，包括：一第一基底322；多条闸极线210，形成于所述第一基底322上；一闸极覆盖层324，形成于所述第一基底322上，并覆盖该些闸极线210；多条数据线320，形成于所述闸极覆盖层324上，其中该些数据线320与该些闸极线210定义出多个画素区316；多条共同电极420(例如铟锡氧化电极)，形成于所述第一基底322上，其中该些共同电极420位于该些画素区316的边界并且相邻于该些闸极线210，其中该些共同电极420与该些闸极线210位于同一层中；一第一保护层410，形成于所述闸极覆盖层324上，并覆盖该些数据线320，其中所述第一保护层410的膜厚325为0.1μm；多个电荷分享单元401，电性耦接至该些共同电极420，分别设置在该些画素区400内，其中每个电荷分享单元401包括一分享电容结构，所述分享电容结构包括一第一导电层420及一第二导电层320，所述第一导电层420的材料为一透明导电材料，所述第二导电层320的材料相同于该些数据线320的材料，且所述第一保护层410位于所述第一导电层420及所述第二导电层320之间；一第二保护层328，覆盖所述第一导电层420，所述第二保护层328具有阶梯状的剖面；以及一画素电极层460，形成于所述第一保护层410及所述第二保护层460上。一第二基板(图未示)(例如彩色滤光层基板)，其中所述主动开关阵列基板301与所述第二基板(图未示)系相对设置；以及一液晶层，形成于所述主动开关阵列基板301与所述第二基板(图未示)之间，其中所述液晶层包括一旋旋光性物质。
在本发明一实施例中，本发明的液晶显示装置，包括：一背光模块、一液晶显示面板，所述液晶显示面板包括：一主动开关阵列基板301，包括：一第一基底322；多条闸极线210，形成于所述第一基底322上；一闸极覆盖层324，形成于所述第一基底322上，并覆盖该些闸极线210；多条数据线320，形成于所述闸极覆盖层324上，其中该些数据线320与该些闸极线210定义出多个画素区316；多条共同电极420(例如铟锡氧化电极)，形成于所述第一基底322上，其中该些共同电极420位于该些画素区316的边界并且相邻于该些闸极线210，其中该些共同电极420与该些闸极线210位于同一层中；一第一保护层410，形成于所述闸极覆盖层324上，并覆盖该些数据线320，其中所述第一保护层410的膜厚325为0.1μm；多个电荷分享单元401，电性耦接至该些共同电极420，分别设置在该些画素区400内，其中每个电荷分享单元401包括一分享电容结构，所述分享电容结构包括一第一导电层420及一第二导电层320，所述第一导电层420的材料为一透明导电材料，所述第二导电层320的材料相同于该些数据线320的材料，且所述第一保护层410位于所述第一导电层420及所述第二导电层320之间；一第二保护层328，覆盖所述第一导电层420，所述第二保护层328具有阶梯状的剖面；以及一画素电极层460，形成于所述第一保护层410及所述第二保护层460上。一第二基板(图未示)(例如彩色滤光层基板)，其中所述主动开关阵列基板301与所述第二基板(图未示)系相对设置；以及一液晶层，形成于所述主动开关阵列基板301与所述第二基板(图未示)之间，其中所述液晶层包括一旋旋光性物质。
请参照图4及图4b，在一实施例中，本发明的所述电荷分享单元401设置在一铟锡氧化画素电极460与一铟锡氧化共同电极420之间，其中获得相同电容值的所需设计面积将缩小约三分之二，因此画素边缘设计可以更为精简。
请参照图2c及图4b，在一实施例中，本发明的所述主动开关阵列基板301的透光开口率较未包括所述铟锡氧化共同电极420的基板300约可提升3％～10％。
图4c为本发明一实施例具有半色调(Half Tone)光罩的画素结构示意图。请参照图4b及图4c，在本发明的一实施例中，所述第一基板301具有四层结构，包括：第一保护(Passivation)层410、铟锡氧化共同电极(ITO_COM)层420、第二保护(Passivation)层430及光阻材料(PR)层440所组成。且需经过成膜步骤、曝光步骤、显影步骤、蚀刻步骤及剥膜步骤，才能完成第一基板(举例：主动开关阵列基板)301。
图4d为本发明一实施例藉由灰色光罩(Gray-tone Mask)或半色调光罩(HalfTone Mask)工艺过程制造具有梯度形貌的画素结构示意图、图4e为本发明另一实施例的藉由半色调(Half Tone)工艺过程制造具有梯度形貌的画素结构示意图、图4f为本发明又一实施例的藉由半色调(Half Tone)工艺过程制造具有梯度形貌的画素结构示意图及图4g为本发明再一实施例的藉由半色调(Half Tone)工艺过程制造具有梯度形貌的画素结构示意图。请参照图4c、图4d、图4e、图4f及图4g，在本发明的一实施例中，所述成膜步骤是在玻璃基底322上，铺上一层所需求材质的薄膜(闸极覆盖层324、第一保护层410、铟锡氧化共同电极层420、第二保护层430、光阻材料层440、铟锡氧化画素电极层460)；所述曝光步骤是使用光罩450在光阻440上，显影出所需的光阻440图形；所述显影步骤是留下上阶段光阻440图形部分的光阻440；所述蚀刻步骤是在已经有光阻440图形的基底322上，蚀刻出所需的图；所述剥膜步骤用已经蚀刻出所需图形的基底322，将覆盖于图形上的光阻440去除以便进行后续工程。
请参照图3、图4b、图4c、图4d、图4e、图4f及图4g，在本发明的一实施例中，一种主动开关阵列基板301的制造方法，包括：提供一第一基底322；将多条闸极线210形成于所述第一基底322上；将一闸极覆盖层324形成于所述第一基底322上，并覆盖该些闸极线210；将多条数据线320及多个第二导电层320形成于所述闸极覆盖层324上，其中该些数据线320与该些闸极线210定义出多个画素区316；将一第一保护层410形成于所述闸极覆盖层324上，并覆盖该些数据线320及该些第二导电层320；将多个第一导电层420形成于所述第一保护层410上，其中所述第一导电层420的材料为一透明导电材料，所述第二导电层320的材料相同于该些数据线320的材料，所述第一保护层410位于该些第一导电层420及该些第二导电层320之间，且该些第一导电层420及该些第二导电层320分别组合成多个分享电容结构，将一第二保护层328覆盖所述第一导电层420；以及将一画素电极层460形成于所述第一保护层410及所述第二保护层460上。
在一实施例中，本发明的制造方法，所述第二保护层328具有阶梯状的剖面，所述第二保护层328是通过光阻涂布、曝光、显影及光罩过程而同时形成，且所述光罩450为灰阶光罩或半色调光罩。
在一实施例中，本发明的制造方法，通过光阻涂布、曝光、显影、光罩及蚀刻过程而同时将多条数据线320及多个第二导电层320形成于所述闸极覆盖层324上。
本发明的有益效果是将可有效解决液晶显示面板色偏问题及提升画素开口率与穿透率。
“在一些实施例中”及“在各种实施例中”等用语被重复地使用。所述用语通常不是指相同的实施例；但它亦可以是指相同的实施例。“包含”、“具有”及“包括”等用词是同义词，除非其前后文意显示出其它意思。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (10)

1.一种主动开关阵列基板，其特征在于，包括：
一第一基底；
多条闸极线，形成于所述第一基底上；
一闸极覆盖层，形成于第一基底上，并覆盖该些闸极线；
多条数据线，形成于所述闸极覆盖层上，其中该些数据线与该些闸极线定义出多个画素区；
多条共同电极，形成于所述第一基底上，其中该些共同电极位于该些画素区的边界并且相邻于该些闸极线，其中该些共同电极与该些闸极线位于同一层中；
一第一保护层，形成于所述闸极覆盖层上，并覆盖该些数据线；
多个电荷分享单元，分别设置在该些画素区内，电性耦接至该些共同电极，其中每个电荷分享单元包括一分享电容结构，所述分享电容结构包括一第一导电层及一第二导电层，所述第一导电层的材料为一透明导电材料，所述第二导电层的材料相同于该些数据线的材料，且所述第一保护层位于所述第一导电层及所述第二导电层之间；
一第二保护层，覆盖所述第一导电层；以及
一画素电极层，形成于所述第一保护层及所述第二保护层上。
2.如权利要求1所述的主动开关阵列基板，其特征在于，所述透明导电材料为铟锡氧化物。
3.如权利要求1所述的主动开关阵列基板，其特征在于，所述第一保护层的膜厚为0.1μm。
4.如权利要求1所述的主动开关阵列基板，其特征在于，所述第二保护层具有阶梯状的剖面。
5.一种主动开关阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
提供一第一基底；
将多条闸极线形成于所述第一基底上；
将一闸极覆盖层形成于所述第一基底上，并覆盖该些闸极线；
将多条数据线及多个第二导电层形成于所述闸极覆盖层上，其中该些数据线与该些闸极线定义出多个画素区；
将一第一保护层形成于所述闸极覆盖层上，并覆盖该些数据线及该些第二导电层；
将多个第一导电层形成于所述第一保护层上，其中所述第一导电层的材料为一透明导电材料，所述第二导电层的材料相同于该些数据线的材料，所述第一保护层位于该些第一导电层及该些第二导电层之间，且该些第一导电层及该些第二导电层分别组合成多个分享电容结构；
将一第二保护层覆盖所述第一导电层；以及
将一画素电极层形成于所述第一保护层及所述第二保护层上。
6.如权利要求5所述的主动开关阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第二保护层具有阶梯状的剖面，所述第二保护层是通过光阻涂布、曝光、显影及光罩过程而同时形成，且所述光罩为灰阶光罩或半色调光罩。
7.如权利要求5所述的主动开关阵列基板的制造方法，其特征在于，通过光阻涂布、曝光、显影、光罩及蚀刻过程而同时将多条数据线及多个第二导电层形成于所述闸极覆盖层上。
8.一种液晶显示面板，其特征在于，包括：
一主动开关阵列基板，如权利要求1所述的主动开关阵列基板；
一彩色滤光层基板，其与所述主动开关阵列基板相对设置；以及
一液晶层，形成于所述主动开关阵列基板与所述彩色滤光层基板之间。
9.如权利要求8所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第二保护层具有阶梯状的剖面。
10.一种液晶显示装置，包括背光模块，其特征在于：还包括权利要求8至9中任一所述的液晶显示面板。
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