CN108196406A - 阵列基板及制造方法、显示面板及操作方法、电子装置 - Google Patents

Abstract

一种阵列基板及制造方法、显示面板及驱动方法、电子装置，该阵列基板包括阵列排布的多个子像素，每个子像素内包括彼此并列且可分别被独立驱动的显示区域和干扰区域，干扰区域位于显示区域靠近相邻子像素的至少一侧；其中，显示区域包括第一像素电极，干扰区域包括第二像素电极，第一像素电极与第二像素电极电绝缘。

Description

阵列基板及制造方法、显示面板及操作方法、电子装置

技术领域

本发明的实施例涉及一种阵列基板及制造方法、显示面板及操作方法、电子装置。

背景技术

随着电子科学技术的发展和社会发展的需求，液晶显示面板由于具有轻薄化、抗震性好、视角广、对比度高等特点，已广泛应用于各种显示装置中。液晶显示面板例如可以划分为垂直电场型液晶显示面板和水平电场型液晶显示面板，水平电场型液晶显示面板例如包括面内转换型液晶显示面板和高级超维场转换型液晶显示面板等。水平电场型液晶显示面板由于具有视角广、对比度高等优点，已逐渐成为显示领域的主流。

发明内容

本发明至少一实施例提供一种阵列基板，该阵列基板包括阵列排布的多个子像素，其中，每个所述子像素内包括彼此并列且可分别被独立驱动的显示区域和干扰区域，所述干扰区域位于所述显示区域靠近相邻子像素的至少一侧；其中，所述显示区域包括第一像素电极，所述干扰区域包括第二像素电极，所述第一像素电极与所述第二像素电极电绝缘。

例如，在本发明一实施例提供的阵列基板中，每个所述子像素内还包括公共电极，且所述第一像素电极和所述第二像素电极与所述公共电极位于同一层或不同层。

例如，在本发明一实施例提供的阵列基板中，所述干扰区域位于所述显示区域与每一侧相邻的子像素之间。

例如，本发明一实施例提供的阵列基板还包括干扰信号线，其中，每个所述子像素内包括薄膜晶体管，所述第一像素电极与所述薄膜晶体管的源极或漏极电连接，所述第二像素电极与所述干扰信号线电连接。

例如，本发明一实施例提供的阵列基板还包括多条栅线和多条数据线，其中，所述多条栅线和所述多条数据线彼此交叉限定所述多个子像素；其中，每个所述子像素内包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管的第一端与所述第一像素电极电连接，所述第二薄膜晶体管的第一端与所述第二像素电极电连接；所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第二薄膜晶体管的栅极与不同的栅线电连接；所述第一薄膜晶体管的第二端与所述第二薄膜晶体管的第二端与相同或不同的数据线电连接。

本发明至少一实施例提供一种显示面板，该显示面板包括本发明任一实施例的阵列基板、液晶层和对置基板，其中，所述对置基板与所述阵列基板相对设置，所述液晶层夹置在所述对置基板与所述阵列基板之间。

例如，本发明一实施例提供的显示面板还包括设置在所述对置基板上的黑矩阵，其中，相邻的子像素之间设置有所述黑矩阵的黑矩阵线条，所述黑矩阵线条的线宽使得所述子像素内的干扰区域的至少部分光线可照射到所述相邻的子像素内。

例如，在本发明一实施例提供的显示面板中，所述黑矩阵线条的线宽等于数据线的线宽与两倍所述黑矩阵的对位偏差数值之和。

例如，本发明一实施例提供的显示面板还包括在所述阵列基板和所述对置基板之间的平坦层，其中，所述平坦层的厚度使得所述部分光线经所述平坦层后的出射角度能够照射到所述相邻子像素内。

本发明至少一实施例提供一种电子装置，该电子装置包括本发明任一实施例的显示面板。

本发明至少一实施例提供一种阵列基板的驱动方法，包括：在衬底基板上形成阵列排布的多个子像素；其中，每个所述子像素内包括彼此并列且可分别被独立驱动的显示区域和干扰区域，所述干扰区域位于所述显示区域靠近相邻子像素的至少一侧；所述显示区域包括第一像素电极，所述干扰区域包括第二像素电极，所述第一像素电极与所述第二像素电极电绝缘。

本发明至少一实施例提供一种显示面板的驱动方法，包括：驱动每个所述子像素内的所述显示区域的所述第一像素电极以显示图像信息；驱动每个所述子像素内的所述干扰区域的所述第二像素电极以产生干扰效果。

例如，在本发明一实施例提供的驱动方法中，所述第一像素电极被施加显示数据信号，所述第二像素电极被施加干扰信号。

例如，在本发明一实施例提供的驱动方法中，所述显示数据信号与所述干扰信号相同或者不同。

例如，在本发明一实施例提供的驱动方法中，当所述显示数据信号与所述干扰信号不同时，所述子像素的所需画面亮度等于所述显示区域的画面亮度与所述干扰区域的画面亮度之和。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。

图1A为示例性的显示面板的平面结构示意图；

图1B为沿图1A中的A-A’线剖取的剖面结构示意图；

图2A为本发明一实施例的第一示例提供的阵列基板的平面结构示意图；

图2B为沿图2A中的B-B’线剖取的剖面结构示意图；

图2C为本发明一实施例的第二示例提供的阵列基板的剖面结构示意图；

图3A为本发明一实施例的第三示例提供的阵列基板的平面结构示意图；

图3B为本发明一实施例的第四示例提供的阵列基板的平面结构示意图；

图4为本发明另一实施例提供的显示面板的剖面结构示意图；

图5A-图5C为本发明再一实施例提供的阵列基板在制造过程中的剖面结构示意图；

图6为本发明再一实施例提供的显示面板的驱动方法的流程图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

高级超维场转换(ADS)液晶显示面板由于具有色域高、轻薄化、视角广、响应时间快等优点已广泛应用于各种显示装置中，例如笔记本电脑、平板电脑、ATM机等。目前，将防窥功能与例如液晶显示面板的显示功能相结合从而实现防窥显示已经成为显示领域研究的课题之一。

为实现防窥显示功能，例如可以将防窥装置设置在例如液晶显示装置的外侧，从而得到由多层结构层叠的防窥显示装置，但由该方法得到的防窥显示装置结构复杂且厚度较厚，不利于实现显示装置的轻薄化；或者例如可以对背光模组进行设计，使得包括该背光模组的液晶显示装置可以在窄视角和宽视角之间相互转换从而实现防窥显示功能，但该方法中所需的背光模组的结构复杂，从而对背光模组的加工提出了更高的要求。

本发明至少一实施例提供一种阵列基板，该阵列基板包括阵列排布的多个子像素，每个子像素内包括彼此并列且可分别被独立驱动的显示区域和干扰区域，干扰区域位于显示区域靠近相邻子像素的至少一侧；显示区域包括第一像素电极，干扰区域包括第二像素电极，第一像素电极与第二像素电极电绝缘。

在本发明至少一实施例提供的阵列基板中，通过在显示区域设置第一像素电极、在干扰区域设置第二像素电极，且第一像素电极与第二像素电极电绝缘，从而使显示区域和干扰区域可分别被独立驱动，由此对于包括该阵列基板的显示装置，当显示区域和干扰区域共同工作时，可以提供窄视角的防窥显示功能；而当显示区域单独工作时，可以提供宽视角的正常显示功能。

本发明至少一实施例提供一种显示面板，例如，如图1A和图1B所示，该显示面板10包括阵列排布的多个子像素，每个子像素内包括彼此并列的显示区域D1和干扰区域D2，干扰区域D2位于显示区域D1靠近相邻子像素的至少一侧；显示区域D1和干扰区域D2可分别被独立驱动，且干扰区域D2出射的光线至少部分能够照射到相邻的子像素内。

在本发明至少一实施例提供的显示面板10中，显示面板10的每个子像素内包括可分别被独立驱动的显示区域D1和干扰区域D2。例如，可以将显示面板10的显示区域D1和干扰区域D2共同驱动，以使干扰区域D2出射的光线至少部分照射到相邻的子像素内，从而使显示面板10处于防窥显示模式；或者根据需要，例如可以仅驱动显示面板10的显示区域D1以使显示面板10处于非防窥状态的显示模式。例如，根据使用场景的需要，该显示面板10可以在非防窥状态的显示模式和防窥显示模式之间相互转换，该切换功能可以自动进行或人工进行。

下面通过几个具体的实施例对本公开进行说明。为了保持本发明实施例以下的说明清楚且简明，可省略已知功能和已知部件的详细说明。当本发明实施例的任一部件在一个以上的附图中出现时，该部件在每个附图中可以由相同的参考标号表示。

实施例一

本实施例提供一种阵列基板100，该阵列基板100例如可以为各种类型的阵列基板，例如垂直电场型阵列基板、水平电场型阵列基板等，本实施例不限制阵列基板的具体类型。图2A为该阵列基板100的平面结构示意图，图2B为沿图2A中的B-B’线剖取的剖面结构示意图。例如，参考图2A和图2B，本实施例以水平电场型阵列基板为例进行说明。

例如，如图2A和图2B所示，该阵列基板100包括阵列分布的多个子像素，每个子像素内包括可分别被独立驱动的显示区域D1和干扰区域D2，干扰区域D2位于显示区域D1靠近相邻子像素的至少一侧，如图2A和图2B所示，本实施例以干扰区域D2位于显示区域D1与每一侧相邻的子像素之间为例进行介绍。如图2A和图2B所示，每个子像素内的显示区域D1包括第一像素电极105，每个子像素内的干扰区域D2包括第二像素电极106，第一像素电极105和第二像素电极106彼此电绝缘。第一像素电极105和第二像素电极106的材料例如可以是金属材料或者透明导电材料，透明导电材料例如可以是氧化铟锡(ITO)或者氧化铟锌(IZO)等任意适合的材料，本实施例对此不做具体限定。

例如，该阵列基板100还包括公共电极103，从而由第一像素电极105、第二像素电极106和公共电极103构成的阵列基板为水平电场型阵列基板100。例如，第一像素电极105和第二像素电极106与公共电极103可以位于同一层或不同层。例如，如图2B所示，第一像素电极105和第二像素电极106与公共电极103位于不同层，且第一像素电极105和第二像素电极106为具有一定间隔的条状电极，公共电极103为面状电极。公共电极103的材料的示例包括金属材料或者透明导电材料，透明导电材料例如可以是氧化铟锡(ITO)或者氧化铟锌(IZO)等任意适合的材料，本实施例对此不做具体限定。例如，在一个示例中，当第一像素电极105、第二像素电极106和公共电极103均由透明导电材料构成时，由该第一像素电极105、第二像素电极106和公共电极103构成的阵列基板100为高级超维场转换型阵列基板。高级超维场转换型阵列基板具有较高的开口率和光线透光率，例如，由该高级超维场转换型阵列基板构成的液晶显示面板具有视角广、对比度高、画面色彩表现力强等优点。

当然，第一像素电极105和第二像素电极106与公共电极103的位置关系包括但不限于上述描述的情况。例如，如图2C所示，在另一个示例中，第一像素电极105和第二像素电极106与公共电极103位于同一层。例如，第一像素电极105和第二像素电极106为条状电极，公共电极103也为条状电极，公共电极103与第一像素电极105和第二像素电极106交错设置。公共电极103的材料的示例包括金属材料或者透明导电材料，第一像素电极105和第二像素电极106的材料的示例包括金属材料或者透明导电材料，本实施例对此不做具体限定。

需要说明的是，第一像素电极105和第二像素电极106为条状电极且公共电极103为条状电极，同样适用于上述第一像素电极105和第二像素电极106与公共电极103位于不同层时的情况。例如，条状的第一像素电极105和第二像素电极106可以位于条状的公共电极103之上，也可以是条状的第一像素电极105和第二像素电极106位于条状的公共电极103之下，本实施例对此不做具体限定。

如图2A和图2B所示，该阵列基板100还包括多条数据线107、多条栅线108、干扰信号线109、薄膜晶体管110等结构。

例如，如图2A和图2B所示，多条栅108和多条数据线107彼此交叉限定多个子像素，每个子像素内包括例如一个薄膜晶体管110，薄膜晶体管110例如包括栅极1101、源极1102、漏极1103等结构。例如，如图2A和图2B所示，在每个子像素内，薄膜晶体管110的栅极1101与栅线108电连接，薄膜晶体管110的源极1102与数据线107电连接，薄膜晶体管110的漏极1103与显示区域D1的第一像素电极105电连接。当然，在另一个示例中，也可以是薄膜晶体管110的栅极1101与栅线108电连接，薄膜晶体管110的漏极1103与数据线107电连接，薄膜晶体管110的源极1102与显示区域D1的第一像素电极105电连接。

如图2A和图2B所示，每个子像素的干扰区域D2内的第二像素电极106均与干扰信号线109电连接。由此，在每个子像素内，在栅信号的控制下，数据信号例如通过薄膜晶体管110的漏极1103加载到显示区域D1内的第一像素电极105上，从而实现对显示区域D1的独立驱动。干扰信号通过干扰信号线109施加到干扰区域D2内的第二像素电极106上，从而实现对干扰区域D2的独立驱动。因此，通过控制薄膜晶体管110和干扰信号线109的信号状态，从而可以使显示区域D1和干扰区域D2共同被驱动或者彼此单独被驱动。

例如，如图2A和图2B所示，根据需要，该阵列基板100还可以包括缓冲层102、绝缘层104等结构。

缓冲层102设置在衬底基板101上，该缓冲层102例如可以防止衬底基板101中的杂质离子扩散到之后形成的包括薄膜晶体管110等电路层之中，防止对薄膜晶体管110元件的阈值电压和漏电流等特性产生影响；同时该缓冲层102例如还可以平坦化衬底基板101的表面。用于该缓冲层102的材料的示例包括SiNx、SiOx或其它适合的材料，本实施例对此不做具体限定。

例如，如图2B所示，绝缘层104设置在第一像素电极105和第二像素电极106与公共电极103之间，以使第一像素电极105和第二像素电极106与公共电极103电绝缘。用于该绝缘层104的材料的示例包括SiNx、SiOx或其它适合的材料，本实施例对此不做具体限定。

需要说明的是，为表示清楚，图中并没有示出该阵列基板100的全部结构。为实现阵列基板的必要功能，本领域技术人员可以根据具体应用场景进行设置其他未示出的结构，本发明的实施例对此不做限制。

在本发明至少一个实施例提供的阵列基板100中，每个子像素内包括显示区域D1和干扰区域D2，干扰区域D2位于显示区域D1与相邻子像素之间。第一像素电极105设置在显示区域D1内且与薄膜晶体管110的漏极1103电连接，第二像素电极106设置在干扰区域D2内且与干扰信号线109电连接，由此使得显示区域D1和干扰区域D2可分别被独立驱动。

图3A为本实施例另一示例提供的阵列基板300的平面结构示意图。参考图3A，除了图3A中示出的阵列基板300的干扰区域D2内的第二像素电极106的信号连接端与图2A中示出的不同之外，该示例的阵列基板300的结构与图2A中描述的阵列基板100的结构可以基本相同。

如图3A所示，该阵列基板300的多条栅线108和多条数据线107彼此交叉限定多个子像素，每个子像素内包括第一薄膜晶体管110和第二薄膜晶体管111。第一薄膜晶体管110例如包括栅极1101、第一端1102、第二端1103等结构；第二薄膜晶体管111例如包括栅极1111、第一端1112、第二端1113等结构。在本实施例中，第一端例如可以是源极，第二端例如可以是漏极；或者，第一端例如可以是漏极，第二端例如可以是源极；本实施例对此不做具体限定。在本实施例中，以第一端是源极，第二端是漏极为例进行介绍。

如图3A所示，每个子像素由两条栅线和两条数据线交叉限定，第一薄膜晶体管110的栅极1101与其中一条栅线电连接，第二薄膜晶体管111的栅极1111与另外一条栅线电连接；第一薄膜晶体管110的漏极1103与第一像素电极105电连接，第二薄膜晶体管111的漏极1113与第二像素电极106电连接；第一薄膜晶体管110的源极1102与第二薄膜晶体管111的源极1112与同一条数据线电连接。由于第一薄膜晶体管110和第二薄膜晶体管111的栅极分别与不同的栅线108电连接，因此，在栅信号的控制下，显示区域D1和干扰区域D2可分别被独立驱动。例如，当两条栅线108加载相同的信号时，第一薄膜晶体管110和第二薄膜晶体管111均开启，数据信号通过第一薄膜晶体管110的源极1102和第二薄膜晶体管111的源极1112分别施加到第一像素电极105和第二像素电极106上，显示区域D1和干扰区域D2共同被驱动。因第一薄膜晶体管110和第二薄膜晶体管111与相同数据线电连接，因此显示区域D1和干扰区域D2的驱动信号相同。例如根据需要，通过控制栅信号可以使第一薄膜晶体管110处于打开状态而第二薄膜晶体管111处于断开状态，此时数据信号仅被施加在第一像素电极105上，从而显示区域D1被驱动，干扰区域D2不被驱动。

在本实施例至少一个示例提供的阵列基板300中，每个子像素内包括第一薄膜晶体管110和第二薄膜晶体管111，第一薄膜晶体管110的漏极1103与第一像素电极105电连接，第二薄膜晶体管111的漏极1113与第二像素电极106电连接，因此每个子像素内的显示区域D1和干扰区域D2可分别被独立驱动。第一薄膜晶体管110的源极1102和第二薄膜晶体管111的源极1112均与同一条数据线107电连接，因此显示区域D1和干扰区域D2可以接收相同的驱动信号。

图3B为本实施例另一示例提供的阵列基板400的平面结构示意图。参考图3B，除了图3B中示出的阵列基板400的第一薄膜晶体管110的源极1102和第二薄膜晶体管111的源极1112与不同的数据线连接之外，该示例的阵列基板400的结构与图3A中描述的阵列基板300的结构可以基本相同。

如图3B所示，该阵列基板400的每个子像素由两条栅线和两条数据线交叉限定，第一薄膜晶体管110的栅极1101与其中一条栅线108电连接，第二薄膜晶体管111的栅极1111与另外一条栅线108电连接；第一薄膜晶体管110的漏极1103与第一像素电极105电连接，第二薄膜晶体管111的漏极1113与第二像素电极106电连接；第一薄膜晶体管110的源极1102与其中一条数据线107电连接，第二薄膜晶体管111的源极1112与另外一条数据线107电连接。在栅信号和数据信号的控制下，显示区域D1和干扰区域D2可分别被独立驱动。因第一薄膜晶体管110和第二薄膜晶体管111与不同数据线电连接，因此显示区域D1和干扰区域D2的驱动信号例如可以不同。

实施例二

本实施例提供一种显示面板500，该显示面板包括上述实施例描述的任一阵列基板，图4为该显示面板500的剖面结构示意图。该显示面板500例如可以是垂直电场型显示面板，也可以是水平电场型显示面板，本实施例不限制显示面板的具体类型。本实施例以水平电场型显示面板为例进行介绍。

如图4所示，该显示面板500例如包括对置基板116、液晶层112、滤色器层114、黑矩阵115等结构。

如图4所示，对置基板116与衬底基板101相对设置，对置基板116的材料的示例包括例如SiNx、SiOx、玻璃的无机绝缘材料，或者例如树脂材料、聚酯材料、聚酰亚胺材料的有机绝缘材料，或其它适合的材料，本实施例对此不做限定。

如图4所示，液晶层112设置在衬底基板101和对置基板116之间。由于第一像素电极105和第二像素电极106与公共电极103设置在阵列基板一侧，因此当对第一像素电极105和第二像素电极106与公共电极103施加电压后，第一像素电极105和第二像素电极106与公共电极103之间形成水平电场，液晶分子沿着电场方向排列以在平面内转动。例如当外部光线(例如背光源提供的光线)在衬底基板101一侧照射该显示面板500时，光线经过下偏振片和液晶层112后呈(椭)圆偏光状态，从而可以透过上偏振片射出。由于液晶分子在平面内转动从而实现图像显示，因此水平电场型显示面板500具有宽视角的特点。例如，在该显示面板500的对比度大于10的情况下，该显示面板的视角例如可以达到160°以上。

如图4所示，滤色器层114设置在对置基板116朝向衬底基板101的一侧，该滤色器层114包括阵列分布的RGB滤色器，每个滤色器例如与每个子像素一一对应设置，从而使得包括该滤色器层114的显示面板500实现彩色显示。当然，滤色器层114的颜色包括但不限于红、绿、蓝三种颜色，本实施例对滤色器层114的颜色不做具体限定。

如图4所示，黑矩阵115设置在相邻的子像素之间，黑矩阵115例如可以用来遮挡不受液晶层112偏转控制的光线以及其他对显示效果有影响的光线。例如，背光源提供的光线可以照射到显示面板500每个子像素内的显示区域D1和干扰区域D2，黑矩阵115的黑矩阵线条的线宽使得子像素内的干扰区域D2的至少部分光线可以照射到相邻的子像素内。例如，在一个示例中，黑矩阵线条的线宽例如可以为c＝a+2×b，其中c为黑矩阵线条的线宽，a为数据线107的宽度，b为对位偏差值。黑矩阵115的材质包括但不限于由包覆由有机树脂材料制成的碳黑颗粒或金属材料(例如铬)或金属氧化物材料(或氧化铬)。

例如，当该显示面板500包括上述图2A中描述的阵列基板100时，例如当显示区域D1和干扰区域D2均被驱动时，由于该显示面板为水平电场型显示面板500，因此干扰区域D2与显示区域D1均为宽视角显示。干扰区域D2位于显示区域D1的两侧且配合黑矩阵线条的线宽设计，可以使得干扰区域D2中的大视角的光线进入相邻子像素内。例如，在图4中，中间例如可以是绿色子像素，绿色子像素的两侧例如可以分别是红色子像素与蓝色子像素。例如，假设绿色子像素内的显示区域D1和干扰区域D2均被驱动而相邻的红色子像素与蓝色子像素未被驱动时，在防窥角度范围内(例如在绿色子像素的上方)，由于无相邻子像素光线的串扰，因此观察者只能看到绿色子像素显示的画面，即看到的为正确的画面信息。当在防窥角度范围外(例如在绿色子像素的侧方)观测时，由于干扰区域D2中的大视角的光线可以进入相邻子像素内，因此观察者会看到绿色子像素、红色子像素、蓝色子像素同时显示，即观察者看到的为错误的画面信息。在这种情况下，由于在视觉上造成相邻子像素的漏光，因此显示面板会产生大视角的色偏、屏幕显示内容发白、对比度下降等现象，无法满足正常显示需求，从而实现防窥显示功能。

值得注意的是，在图4中，每个子像素内的显示区域D1与干扰区域D2的面积比例仅是示例性地表示，并不代表显示区域D1与干扰区域D2的实际面积比例。例如，在实际制造过程中，与显示区域D1相比，每个子像素内的干扰区域D2所占的面积比例很小，因此即使当显示面板处于防窥显示模式且观察者处于防窥角度范围内(例如在垂直于显示面板的正上方)观看时，每个子像素内的干扰区域D2射出的光线也不会影响观察者的观看效果。例如，根据需要，也可以选择仅驱动显示区域D1而不驱动干扰区域D2，在这种情况下，仅显示区域D1显示画面信息，无干扰光线进入相邻子像素内，因此该显示面板500为无防窥功能的宽视角显示模式。该显示模式下的显示面板500的对比度、色域、视角等显示参数，例如可以和常规的面内转换型液晶显示面板或者高级超维场转换型液晶显示面板一致，本实施在此不再赘述。

在上述实施例中，在防窥显示模式下，薄膜晶体管110与显示区域D1的第一像素电极105电连接，干扰信号线109与干扰区域D2的第二像素电极106电连接，由于与薄膜晶体管110电连接的数据线107的数据信号与干扰信号线109的干扰信号有可能不同，因此干扰区域D2的画面亮度与显示区域D1的画面亮度有可能存在一定的细微差异。

为了进一步优化显示面板在防窥显示模式下的画面显示效果，例如，在本实施例的另一个示例中，该显示面板500中的阵列基板例如可以采用上述图3A中描述的阵列基板300。

当显示面板500包括图3A中描述的阵列基板3 00时，在该显示面板500中，每个子像素由两条栅线和两条数据线交叉限定，每个子像素内包括第一薄膜晶体管110和第二薄膜晶体管111。第一薄膜晶体管110的栅极1101与其中一条栅线电连接，第二薄膜晶体管111的栅极1111与另外一条栅线电连接；第一薄膜晶体管110的漏极1103与第一像素电极105电连接，第二薄膜晶体管111的漏极1113与第二像素电极106电连接；第一薄膜晶体管110的源极1102与第二薄膜晶体管111的源极1112与同一条数据线电连接。例如当显示区域D1和干扰区域D2均被驱动时，由于第一薄膜晶体管110和第二薄膜晶体管111与相同的数据线107电连接，因此显示区域D1和干扰区域D2的驱动信号相同，即显示区域D1和干扰区域D2的画面显示亮度相同。因此在正常视角范围内，观察者看到的该显示面板的整体画面亮度均一性较好，从而优化了显示面板500在防窥显示模式下的画面显示效果。在正常观看视角范围外，由于干扰区域D2的大视角的光线进入相邻子像素内，因此会造成相邻像素的漏光，从而产生大视角的色偏、屏幕显示内容发白、对比度下降等现象，无法满足正常显示需求，从而实现防窥显示功能。

例如根据需要，通过控制栅信号可以使第一薄膜晶体管110处于打开状态而第二薄膜晶体管111处于断开状态，此时数据信号仅被施加在第一像素电极105上，从而显示区域D1被驱动，而干扰区域D2不被驱动。在这种情况下，仅显示区域D1显示画面信息，无干扰光线进入相邻子像素内，因此该显示面板500为无防窥功能的宽视角显示模式。

例如，如图4所示，该显示面板500还包括平坦层113，平坦层113设置在衬底基板101和对置基板116之间，例如可以通过控制平坦层113的厚度从而控制干扰光线的出射角度。例如，在本实施例提供的显示面板500中，干扰区域D2射出的干扰光线的角度例如与干扰区域D2的位置、黑矩阵115的宽度、显示面板的厚度等因素相关。在这其中，为了匹配显示面板的遮光效果，黑矩阵115的宽度例如经过上述计算已经大致确定，且干扰区域D2的位置也不易调节，因此可以通过适当增加或减小平坦层113的厚度以达到对显示面板厚度的调节，从而实现对干扰光线射出角度的调节。例如，在一个示例中，通过增加平坦层113的厚度可以减小干扰光线的出射角度。平坦层113的材料的示例包括例如SiNx、SiOx等任意适合的材料，本实施例对此不做限定。

需要说明的是，为表示清楚，图中并没有给出该显示面板500的全部结构。为实现显示面板的必要功能，本领域技术人员可以根据具体应用场景进行设置其他未示出的结构，本发明的实施例对此不做限制。

在本发明至少一个实施例提供的显示面板500中，每个子像素内的显示区域D1和干扰区域D2可分别被独立驱动，当显示区域D1和干扰区域D2共同被驱动时，该显示面板500处于宽视角的防窥显示模式；当仅显示区域D1被驱动时，该显示面板500处于无防窥作用的宽视角显示模式。且根据需要，该显示面板可以在这两种模式下相互转换。

另外，在至少一个示例中，该显示面板500的每个子像素内包括第一薄膜晶体管110和第二薄膜晶体管111，第一薄膜晶体管110的漏极1103与第一像素电极105电连接，第二薄膜晶体管111的漏极1113与第二像素电极106电连接，且第一薄膜晶体管110和第二薄膜晶体管111的源极均连接到同一条数据线107上，使得显示区域D1和干扰区域D2的画面亮度一致，从而可以进一步优化显示面板在防窥显示模式下的画面显示效果。

本实施例提供的显示面板500的其它技术效果可参见上述实施例描述的任一阵列基板的技术效果，在此不再赘述。

例如，本发明至少一实施例还提供一种显示面板，该显示面板包括阵列排布的多个子像素，其中，每个子像素内包括彼此并列的显示区域D1和干扰区域D2，干扰区域D2位于显示区域D1靠近相邻子像素的至少一侧；其中，显示区域D1和干扰区域D2可分别被独立驱动，且干扰区域D2出射的光线至少部分能够照射到相邻的子像素内。

例如，本实施例还提供一种电子装置，该电子装置包括上述实施例描述的任一显示面板。该电子装置例如可以为平板电脑、笔记本电脑、摄像机、导航仪等任何具有防窥显示功能的产品或者部件。该电子装置的技术效果，可参见上述任一实施例描述的阵列基板或者显示面板的技术效果，在此不再赘述。

实施例三

本发明至少一实施例提供一种阵列基板100的制造方法，图5A-图5C为该阵列基板100在制造过程中的剖视图。

如图5A所示，首先提供衬底基板101，衬底基板101例如可以是玻璃基板、石英基板、塑料基板或其它适合材料的基板，本实施例对此不做具体限定。

如图5A所示，在衬底基板101上例如可以通过化学气相沉积、物理气相沉积等方法沉积缓冲层102，该缓冲层112例如可以防止衬底基板101中的杂质离子扩散到之后形成的包括薄膜晶体管等电路层之中，防止对薄膜晶体管元件的阈值电压和漏电流等特性产生影响；同时该缓冲层102例如还可以平坦化衬底基板101的表面。用于该缓冲层102的材料的示例包括SiNx、SiOx或其它适合的材料，本实施例对此不做限定。

如图5B所示，在缓冲层102上例如可以通过化学气相沉积、物理气相沉积等方法沉积金属层，通过光刻工艺对金属层构图以形成面状公共电极103。公共电极103的材料的示例例如可以是金属材料或者透明导电材料，透明导电材料例如可以是氧化铟锡(ITO)或者氧化铟锌(IZO)等任意适合的材料，本实施例对此不做具体限定。

如图5C所示，在公共电极103上例如可以通过化学气相沉积、物理气相沉积等方法沉积绝缘膜，通过光刻工艺等方法对绝缘膜构图以形成绝缘层104。用于该绝缘层104的材料的示例包括SiNx、SiOx或其它适合的材料，本实施例对此不做限定。

如图5C所示，在绝缘层104上例如可以通过化学气相沉积、物理气相沉积等方法沉积金属层，通过对金属层构图以在绝缘层104上形成第一像素电极105和第二像素电极106，第一像素电极105位于显示区域D1内，第二像素电极106位于干扰区域D2内，且第一像素电极105和第二像素电极106彼此电绝缘。第一像素电极105和第二像素电极106的材料的示例例如可以是金属材料或者透明导电材料，透明导电材料例如可以是氧化铟锡(ITO)或者氧化铟锌(IZO)等任意适合的材料，本实施例对此不做具体限定。

在本发明至少一实施例提供的阵列基板100的制造方法中，每个子像素内包括显示区域D1和干扰区域D2。第一像素电极105形成在显示区域D1内，第二像素电极106形成在干扰区域D2内，由此使得显示区域D1和干扰区域D2可分别被独立驱动。

实施例四

本实施例提供一种显示面板的驱动方法的流程图，该驱动方法例如可以用于上述任一实施例的显示面板。图6为本实施例提供的显示面板的驱动方法的流程图，如图6所示，显示面板的驱动方法包括以下步骤：

步骤S101：驱动每个子像素的显示区域D1内的第一像素电极105以显示图像信息。

步骤S102：驱动每个子像素的干扰区域D2内的第二像素电极106以产生干扰效果。

步骤S103：显示图像信息，且干扰区域D2出射的光线至少部分照射到相邻子像素内。

例如，当该显示面板的显示区域D1和干扰区域D2均被驱动时，由于干扰区域D2的部分光线可进入相邻子像素内，因此会造成相邻子像素的漏光，从而产生大视角的色偏、屏幕显示内容发白、对比度下降等现象，无法满足正常显示需求，从而使得该显示面板可以实现防窥显示功能。

例如，当该显示面板的显示区域D1内的第一像素电极105与薄膜晶体管110电连接、干扰区域D2内的第二像素电极106与干扰信号线109电连接时，数据线107通过与薄膜晶体管110的源极1102电连接从而可以将显示数据信号施加到第一像素电极105上，由于数据线107施加的显示数据信号和干扰线109施加的干扰信号有可能不同，因此显示区域D1和干扰区域D2的画面亮度例如会存在一定的差异。为了降低干扰区域D2对防窥角度范围内正常显示效果的影响，例如可以对画面亮度进行预先处理。例如假设子像素所需显示的画面亮度为V，那么可以对干扰信号进行预先设置以使得干扰区域D2的画面亮度为V1，对显示数据信号进行预先设置以使得显示区域D1的画面亮度为V-V1，则显示区域D1和干扰区域D2的画面亮度之和即为子像素的所需画面亮度，从而可以改善该显示面板在防窥显示模式下的画面亮度的均一性。

或者，为了进一步优化显示面板在防窥显示模式下的画面亮度均一性，该显示面板的每个子像素内例如可以包括两个薄膜晶体管，第一薄膜晶体管110与显示区域D1的第一像素电极105电连接，第二薄膜晶体管111与干扰区域D2的第二像素电极106电连接，且第一薄膜晶体管110和第二薄膜晶体管111的源极与相同的数据线107电连接。在这种情况下，显示区域D1和干扰区域D2的驱动信号相同，因此显示区域D1和干扰区域D2的画面显示亮度相同，从而进一步优化了显示面板在防窥显示模式下的画面亮度的均一性。

在不冲突的情况下，本公开的各个实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。

以上所述仅是本发明的示范性实施方式，而非用于限制本发明的保护范围，本发明的保护范围由所附的权利要求确定。

Claims (15)

1.一种阵列基板，包括阵列排布的多个子像素，其中，每个所述子像素内包括彼此并列且可分别被独立驱动的显示区域和干扰区域，所述干扰区域位于所述显示区域靠近相邻子像素的至少一侧；其中，

所述显示区域包括第一像素电极，所述干扰区域包括第二像素电极，所述第一像素电极与所述第二像素电极电绝缘。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其中，每个所述子像素内还包括公共电极，且所述第一像素电极和所述第二像素电极与所述公共电极位于同一层或不同层。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其中，所述干扰区域位于所述显示区域与每一侧相邻的子像素之间。

4.如权利要求1-3任一所述的阵列基板，还包括干扰信号线，其中，

每个所述子像素内包括薄膜晶体管，

所述第一像素电极与所述薄膜晶体管的源极或漏极电连接，所述第二像素电极与所述干扰信号线电连接。

5.如权利要求1-3任一所述的阵列基板，还包括多条栅线和多条数据线，其中，所述多条栅线和所述多条数据线彼此交叉限定所述多个子像素；其中，

每个所述子像素内包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；

所述第一薄膜晶体管的第一端与所述第一像素电极电连接，所述第二薄膜晶体管的第一端与所述第二像素电极电连接；

所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第二薄膜晶体管的栅极与不同的栅线电连接；

所述第一薄膜晶体管的第二端与所述第二薄膜晶体管的第二端与相同或不同的数据线电连接。

6.一种显示面板，包括权利要求1-5任一所述的阵列基板、液晶层和对置基板，

其中，所述对置基板与所述阵列基板相对设置，所述液晶层夹置在所述对置基板与所述阵列基板之间。

7.如权利要求6所述的显示面板，还包括设置在所述对置基板上的黑矩阵，

其中，相邻的子像素之间设置有所述黑矩阵的黑矩阵线条，所述黑矩阵线条的线宽使得所述子像素内的干扰区域的至少部分光线可照射到所述相邻的子像素内。

8.如权利要求7所述的显示面板，其中，所述黑矩阵线条的线宽等于数据线的线宽与两倍所述黑矩阵的对位偏差数值之和。

9.如权利要求7所述的显示面板，还包括在所述阵列基板和所述对置基板之间的平坦层，

其中，所述平坦层的厚度使得所述部分光线经所述平坦层后的出射角度能够照射到所述相邻子像素内。

10.一种电子装置，包括权利要求6-9任一所述的显示面板。

11.一种阵列基板的制造方法，包括：

在衬底基板上形成阵列排布的多个子像素；其中，

每个所述子像素内包括彼此并列且可分别被独立驱动的显示区域和干扰区域，所述干扰区域位于所述显示区域靠近相邻子像素的至少一侧；

所述显示区域包括第一像素电极，所述干扰区域包括第二像素电极，所述第一像素电极与所述第二像素电极电绝缘。

12.一种如权利要求6-9任一所述的显示面板的驱动方法，包括：

驱动每个所述子像素内的所述显示区域的所述第一像素电极以显示图像信息；

驱动每个所述子像素内的所述干扰区域的所述第二像素电极以产生干扰效果。

13.如权利要求12所述的驱动方法，其中，所述第一像素电极被施加显示数据信号，所述第二像素电极被施加干扰信号。

14.如权利要求13所述的驱动方法，其中，所述显示数据信号与所述干扰信号相同或者不同。

15.如权利要求14所述的驱动方法，其中，当所述显示数据信号与所述干扰信号不同时，所述子像素的所需画面亮度等于所述显示区域的画面亮度与所述干扰区域的画面亮度之和。