CN107665934A - 太阳能电池 - Google Patents

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崔艳峰
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Abstract

本发明提供了一种太阳能电池，包括基底、发射极层、正面电极和背面电极，所述发射极层设置在所述基底的上表面，所述发射极层的上表面设有钝化减反层，所述正面电极设置在所述发射极层上表面上并与所述发射极层接触，所述钝化减反层覆盖在所述发射极上表面上不与所述正面电极接触的区域；所述基底的下方依次设有钝化背反层和所述背面电极，所述背面电极的至少一部分穿透所述钝化背反层，并与所述基底的下表面接触，所述钝化背反层覆盖所述基底下表面上不与所述背面电极接触的区域；所述钝化减反层和所述钝化背反层含有铪氧化物。本发明提出的太阳能电池具有性能优秀的钝化减反层和钝化背反层。

Description

太阳能电池
技术领域
本发明涉及太阳能电池，特别涉及一种具有钝化减反层和钝化背反层的太阳能电池。
背景技术
随着人们环保意识的提高，太阳能作为一种清洁能源，越来越受到人们的青睐。因此人们希望能够提供具有更高效率的太阳能电池。提高太阳能电池效率的关键因素在于减小电池表面的载流子复合损失。其中一种最有效的方法是通过在太阳能电池的表面覆盖一层合适的电介质材料以减小硅电池表面硅的缺陷密度。这样的设置能够减少载流子在表面附近通过缺陷复合，达到表面“钝化”的目的。近些年，拥有双面钝化电介质膜的太阳能电池，比如“发射极钝化和局部背接触”电池(PERC)和“发射极钝化和背部全扩散”电池(PERT)，已经逐渐受到光伏工业界的认可，并且产能逐渐扩大。
然而现有的用于表面钝化的电介质材料普遍具有种种缺陷。现有的表面钝化材料包括热氧化硅，等离子增强化学气相沉积氮化硅，氧化铝和非晶硅等。热氧化硅虽然具有优良的钝化性能，但是通常需要在高温下(大于900摄氏度)生长。高温工艺会增加电池的生产成本，同时造成低纯度硅材料(如多晶硅)的性能衰减。氮化硅对于n型硅表面具有优良的钝化效果，其钝化主要由于材料中高浓度的正电荷。但是在钝化p型硅表面的时候，氮化硅中的正电荷会在硅表面聚集，聚集的电荷则形成反转层。在这种情况下，电子会通过反转层流动到有金属接触的地方复合，形成寄生并联电阻，降低电池的效率。氧化铝对于p型硅表面具有优良的钝化效果，但是缺点在于其折射率约为1.7，低于硅电池的减反射膜2.0的最优值。所以氧化铝在用于表面钝化时需要被另一种高折射率的电介质材料所覆盖，从而达到合适的光学特性和稳定的电学特性。非晶硅能够非常有效的钝化n型和p型硅表面。但是非晶硅对可见光的吸收过强，限制了其用于太阳能前表面的应用。
因此有必要提供一种具有性能优秀的钝化减反层和钝化背反的太阳能电池。
发明内容
本发明的目的是提供一种有性能优秀的钝化减反层和钝化背反的太阳能电池。
为了解决本发明的至少一部分技术问题，本发明提供一种太阳能电池，包括基底、发射极层、正面电极和背面电极，其特征在于：该发射极层设置在该基底的上表面，该发射极层的上表面设有钝化减反层，该正面电极设置在该发射极层上表面上并与该发射极层接触，该钝化减反层覆盖在该发射极上表面上不与该正面电极接触的区域；该基底的下方依次设有钝化背反层和该背面电极，该背面电极的至少一部分穿透该钝化背反层，并与该基底的下表面接触，该钝化背反层覆盖该基底下表面上不与该背面电极接触的区域；该钝化减反层和该钝化背反层含有铪氧化物。
根据本发明的至少一个实施例，该发射极层设置在该基底的上表面且与该基底掺杂极性相反；该钝化减反层和该钝化背反层为单层结构。
根据本发明的至少一个实施例，该基底与该钝化背反层之间设有背接触层，该背接触层的掺杂极性与该基底的掺杂极性相同；
该背面电极不接触该基底的下表面，该背面电极的至少一部分穿透该钝化背反层并与该背接触层的下表面接触，该钝化背反层覆盖该背接触层下表面上不与该背面电极接触的区域。
根据本发明的至少一个实施例，该基底包括局部扩散背接触区，该局部扩散背接触区位于该基底与该背面电极接触的区域,该局部扩散背接触区的掺杂极性与该基底的掺杂极性相同。
根据本发明的至少一个实施例，该背面电极的包括多个相互独立的子电极，每个该子电极的至少一部分与该基底接触；该基底在与该子电极接触的多个区域具有多个局部扩散背接触区,至少一部分该局部扩散背接触区的掺杂极性与该基底的掺杂极性相同，至少一部分该局部扩散背接触区的掺杂极性与该基底的掺杂极性相反；掺杂极性与该基底的掺杂极性相同的该局部扩散背接触区与掺杂极性与该基底的掺杂极性相反的该局部扩散背接触区以相互间隔的方式排列。
根据本发明的至少一个实施例，该钝化减反层的厚度的上限是120纳米、150纳米或180纳米，该钝化减反层的厚度的下限是40纳米、50纳米或60纳米；该钝化背反层的厚度的上限是120纳米、150纳米或180纳米，该钝化背反层的厚度的下限是5纳米、10纳米或15纳米。
为了解决本发明的至少一部分技术问题，本发明还提供一种太阳能电池的制作方法，包括以下步骤：
步骤1，提供基底；
步骤2，在该基底的上表面形成发射极层；
步骤3，在该发射极层上表面形成钝化减反层和/或在该基底的下表面形成钝化背反层；
其中，步骤3进一步包括：
步骤3.1，沉积含铪反应化合物；
步骤3.2，氮气清洗；
步骤3.3，氧化剂气氛；
步骤3.4，氮气清洗。
根据本发明的至少一个实施例，本发明提供的太阳能电池的制作方法还包括：
步骤3.5，判断该钝化减反层和/或该钝化背反层是否到达预定厚度，若判断为否，则跳转到步骤3.1。
根据本发明的至少一个实施例，步骤3.1-3.4在同一反应器中进行，在步骤3.1中，通过化合物阀门向该反应器中供给含铪反应化合物，在步骤3.2和步骤3.4中通过氮气阀门向该反应器中供给氮气，在步骤3.3中通过氧化剂阀门向该反应器中供给氧化剂；在步骤3.1中通过控制该化合物阀门的开启时长控制该钝化减反层和/或该钝化背反层的厚度，该化合物阀门的开启时长的上限是100毫秒、300毫秒或者1000毫秒，该化合物阀门的开启时长的下限是5毫秒、10毫秒或者20毫秒；该氧化剂阀门开启时长的上限是200毫秒或500毫秒，该氧化剂阀门的开启时长的下限是10毫秒或50毫秒；该氮气阀门开启时长的上限是1000毫秒或2000毫秒，该氮气阀门的开启时长的下限是100毫秒或500毫秒。
根据本发明的至少一个实施例，该步骤3.1的温度的上限是300摄氏度或400摄氏度，该步骤1的温度的下限是100摄氏度或200摄氏度。
根据本发明的至少一个实施例，本发明提供的太阳能电池的制作方法还包括：步骤3.6，退火；
该退火的温度为300摄氏度至400摄氏度，该退火的气氛是氮气、氢气、氩气或者其合成气体。
本发明提出的太阳能电池由于在正面和反面分别设置有含有铪氧化物的钝化减反层和钝化背反层，所以具有光线利用效率高，表面钝化效果好，制作成本较低的特点。
应当理解，本发明以上的一般性描述和以下的详细描述都是示例性和说明性的，而非限制性的。这些详细描述旨在为如权利要求该的本发明提供进一步的解释。
附图说明
包括附图是为提供对本发明进一步的理解，它们被收录并构成本申请的一部分，附图示出了本发明的实施例，并与本说明书一起起到解释本发明原理的作用。附图中：
图1示出了本发明的第一实施例的太阳能电池的剖面结构示意图；
图2示出了本发明的第二实施例的太阳能电池的剖面结构示意图；
图3示出了本发明的第三实施例的太阳能电池的剖面结构示意图；
图4示出了本发明的第四实施例的太阳能电池的剖面结构示意图；
图5示出了本发明的一个非限制性例子中的太阳能电池的制作方法的流程图。
具体实施方式
现在将详细参考附图描述本发明的实施例。现在将详细参考本发明的优选实施例，其示例在附图中示出。在任何可能的情况下，在所有附图中将使用相同的标记来表示相同或相似的部分。此外，尽管本发明中所使用的术语是从公知公用的术语中选择的，但是本发明说明书中所提及的一些术语可能是申请人按他或她的判断来选择的，其详细含义在本文的描述的相关部分中说明。此外，要求不仅仅通过所使用的实际术语，而是还要通过每个术语所蕴含的意义来理解本发明。
首先参考图1来说明本发明的第一个实施例的结构。如图1所示，根据一个非限制性的例子，本发明的太阳能电池，包括基底104、发射极层103、正面电极101和背面电极106。其中，发射极层103设置在基底104的上表面。在当前的非限制性例子中，发射极层103与该基底104掺杂极性相反，但在其他的例子中也可以由其他的设置方式。发射极层103通常通过以n型或p型元素参杂的方式制作。正面电极101设置在发射极层103的上方并与该发射极层103接触。
此外，发射极层103的上方还设有钝化减反层102。该钝化减反层102是含有铪氧化物的层。在当前的非限制性例子中，该钝化减反层102是单层结构。与之类似的，在当前的非限制性例子中钝化背反层105也是单层结构。但在其他的例子中，钝化减反层102和钝化背反层105都可以有其他的设置方式。该钝化减反层102覆盖发射极层103上未被正面电极101覆盖的全部区域。该钝化减反层102的作用包括两方面。一方面，该钝化减反层102可以钝化发射极层103的上表面。另一方面，该钝化减反层102还能够降低光线在本发明的太阳能电池的上表面的反射，使得太阳能电池能够具有更高的吸收光线的效率。
与之类似的，基底104的下方依次设有钝化背反层105和背面电极106。背面电极106的至少一部分穿透钝化背反层105，并与基底104的下表面接触。该钝化背反层105则覆盖基底104的背面中不与背面电极106接触的区域。与钝化减反层102类似的。钝化背反层105也是含有铪氧化物的层。钝化背反层105能够反射穿过太阳能电池的光线。
本发明提供的太阳能电池具有多方面的优势。首先，铪氧化物、例如二氧化铪(HfO2)是一种具有高介电常数，禁带宽度5.3-5.7eV的过渡金属氧化物，并且铪氧化物具有极高的熔点。所以含有铪氧化物的结构能够被比较容易的制作到太阳能电池板上，并且不需要使用成本较高的高温生长的步骤从而使得本发明的电池板的成本较低。相比之下，在现有技术中使用热氧化硅作为表面钝化材料时，必须进行大于900摄氏度的高温生长。此外由于无需进行高温生长，即使使用低纯度硅材料(如多晶硅)作为基底，被附着了含铪氧化物的钝化层后，太阳能电池的性能也不会发生衰减。
其次，铪氧化物并不是以高浓度的正电荷来实现钝化效果，因此也可以对P型硅表面进行钝化，不会由于正电荷浓度过高而导致在硅表面会产生电子聚集，进而形成反转层。与氮化硅之类的钝化材料不同，经铪氧化物钝化的P型硅材料，电子不会通过反转层流动到有金属接触的地方复合形成寄生并联电阻，所以设置有含铪氧化物的p型基底太阳能电池也可以具有较高的效率。
第三，铪氧化物的折射率约等于2.0，接近硅电池的减反射膜2.0的最优值。所以在为太阳能电池配置含铪氧化物的钝化层后，无需使用其他高折射率的电介质材料对含铪氧化物层进行覆盖。
此外，铪氧化物、例如二氧化铪(HfO2)具有稳定的化学性质和高于二氧化硅4-6倍的介电常数，因此十分适合用于工作环境较为恶劣，并且对耐久性要求较高的场合，例如，用于制作太阳能电池。
值得注意的是，以上的例子只是对本发明所提出的太阳能电池的一个可选的例子的说明。本发明所提出的太阳能电池的许多部分都可以具有多种多样的设置方式。例如，基底104既可以是单晶硅衬底，也可以是多晶硅衬底。下面以一些非限制性的例子对本发明的至少一部分变化进行进一步的说明。
下面参考图2，来说明本发明的第二个实施例中太阳能电池的结构。在当前的实施例中，太阳能电池具有基底204、钝化减反层202、发射极层203和正面电极201。在当前的实施例中，这些结构的设置方式都与第一实施例中的对应结构类似，因此不再赘述。基底204的背面则依次设有背接触层205、钝化背反层206和背面电极207。其中背接触层205设置在基底204与钝化背反层206之间。该背接触层205的掺杂极性与基底204的掺杂极性相同。此外，与第一实施例不同的，背面电极207虽然也有至少一部分穿透钝化背反层206，但不再与基底204的下表面接触，而是与背接触层205接触。钝化背反层206也不再是覆盖在基底204的下表面，而是覆盖背接触层205的下表面上不与背面电极206接触的区域。
下面参考图3，来说明本发明的第三个实施例中太阳能电池的结构。在当前的实施例中，太阳能电池具有基底304、钝化减反层302、发射极层303和正面电极301。当前的实施例中这些结构的设置方式都与第一实施例中相应的结构类似，因此不再赘述。基底304的背面则依次设有钝化背反层306和背面电极307。在当前的实施例中，基底304还包含局部扩散背接触区305。该局部扩散背接触区305的数量可以是一个或者多个。局部扩散背接触区305位于基底304与背面电极307接触的区域(即基底304的下表面附近，背面电极307穿透钝化背反层306的部分对应的区域)。该局部扩散背接触区305的掺杂极性与基底的掺杂极性相同，在本实施例中起到与第二实施例中的背接触层205类似的作用。
下面参考图4，来说明本发明的第四个实施例中太阳能电池的结构。在当前的实施例中，太阳能电池具有n型掺杂的基底403。基底403的上表面依次设有n型掺杂的前场402，和钝化减反层401。虽然在图4中并未示出正面电极，但并不代表在这一实施例中不能具有正面电极。基底403的背面则依次设有钝化背反层406和背面电极407。背面电极407包括多个相互独立的子电极(例如第一子电极4071和第二子电极4072)。每个子电极的至少一部分与基底403接触。
基底403在与子电极接触的多个区域相应的具有多个局部扩散背接触区(例如局部扩散背接触区404和405)。在该多个局部扩散背接触区中，至少一部分的局部扩散背接触区的掺杂极性与所述基底的掺杂极性相同，至少一部分所述局部扩散背接触区的掺杂极性与所述基底的掺杂极性相反。在当前的例子中，局部扩散背接触区405为n型掺杂，其掺杂极性与n型掺杂的基底403的掺杂极性相同。局部扩散背接触区404为p型掺杂，其掺杂极性与n型掺杂的基底403的掺杂极性相反。在当前的实施例中，掺杂极性与基底403的掺杂极性相同的局部扩散背接触区(即局部扩散背接触区405)与掺杂极性与基底403的掺杂极性相反的局部扩散背接触区(即局部扩散背接触区404)以相互间隔的方式排列。
值得注意的是，钝化减反层和钝化背反层的厚度都可以根据需要在一定范围内调节。针对钝化减反层，根据所制备的电介质膜的折射率，钝化减反层的厚度可以在40纳米至180纳米之间根据需要进行选择。例如，为了实现较好的钝化效果，可以使用较厚的120纳米或者150纳米的钝化减反层。或者，为了实现较好的透光效果，也可以采用较薄的50纳米或60纳米的钝化减反层。另一方面，针对钝化背反层，由于能够穿过太阳能电池的光线一般以长波较长的光线为主，因此钝化背反层的厚度可以设置的较薄。钝化背反层的厚度可以在5纳米至180纳米的范围内根据所制备电介质膜的折射率进行选择。例如，可以采用较薄的10纳米或15纳米的钝化背反层。当然若希望获得更好的反射效果而使用较厚的120纳米或者150纳米的钝化背反层显然也是可行的。
下面参考图5来说明本发明提供的太阳能电池的制作方法的一个非限制性的例子。该太阳能电池的制作方法可以被用来制作上述的太阳能电池，也能够被用于制作其他的太阳能电池。该制作方法包括以下步骤：
步骤1001，提供基底。该基底可以是单晶硅也可以是多晶硅。
步骤1002，在基底的上表面形成发射极层。
步骤1003，在所述发射极层上表面形成钝化减反层和/或在所述基底的下表面形成钝化背反层；
其中，步骤1003进一步包括以下步骤
步骤1031，沉积含铪反应化合物，这一步骤可以使得含铪反应化合物到达所希望的位置。
步骤1032，氮气清洗。这一步骤可以消除前一步骤对后续步骤的影响。
步骤1033，氧化剂气氛。这一步骤可以使得到达所希望位置的含铪反应化合物被氧化，形成铪氧化物。
步骤1034，氮气清洗。与步骤1032类似的，这一步骤可以消除前一步骤对后续步骤的影响。
值得注意的是上述步骤只是本发明所提出的太阳能电池的钝化减反层和/或钝化背反层的一个可选的制作方式的说明。本发明所提出的太阳能电池的钝化减反层和/或钝化背反层的制作方法还可以有许多变化。例如，在进行步骤1031沉积含铪反应化合物之前，还可以具有一个对硅衬底表面进行彻底清洁的步骤1030。这一步骤能够确保基底的表面没有任何有可能干扰电介质膜沉积的杂质和残留物。具体的清洗方式可以是多样的。例如可以采用光伏工业界熟知的RCA(Radio Corporation America)清洗。清洗之后，在硅衬底表面形成的薄氧化物层可以被氢氟酸除去，基底的表面能够具有较好的清洁度。下面以一些非限制性的例子对本发明的至少一部分变化进行进一步的说明。
首先，上述例子中针对步骤1003仅列出了步骤1031-1034的步骤，并不代表在步骤1003中步骤1031-1034的步骤只能实施一次。继续参考图5，根据一个非限制性的例子，在完成步骤1034后，可以先进行一个判断步骤1035。在该步骤1035中，对当前的钝化减反层和/或钝化背反层是否已经达到预期厚度进行判断。若判断为尚未达到预期厚度，则可以再次执行步骤1031-步骤1034的过程。这样的设置使得人们可以通过控制步骤1031-步骤1034的循环的执行次数来控制钝化减反层和/或钝化背反层的总厚度。当然，上述“判断当前的钝化减反层和/或钝化背反层是否已经达到预期厚度”应当以广义理解。例如，也可以先计算出需要进行几次步骤1031-步骤1034的循环才能达到预期厚度。然后，在每次循环结束后，通过判断是否已经执行的循环的次数是否达到了预定次数来判断当前的钝化减反层和/或钝化背反层是否已经达到预期厚度。这样的判断显然也应当被视为“判断当前的钝化减反层和/或钝化背反层是否已经达到预期厚度”。
可选的，在当前的非限制性例子中，也可以不通过控制步骤1031-步骤1034的循环次数来控制钝化减反层和/或钝化背反层的总厚度，而是通过在控制步骤1031中，控制供给含铪反应化合物的时长的方法控制所形成的含铪氧化物层的厚度。当然，还可以将上述的方法综合使用，即，既控制单次沉积时控制供给含铪反应化合物的时长，又执行多个步骤1031-步骤1034的循环且控制循环的次数。一般而言，上述步骤1031-步骤1034是在同一反应器中进行的。在步骤1中，一般的反应器应当具有化合物阀门、氮气阀门和氧化剂阀门。在步骤1031中可以通过化合物阀门来向该反应器中供给含铪反应化合物。在步骤1032和步骤1034中可以通过氮气阀门来向反应器中供给氮气。在步骤1033中则可以通过氧化剂阀门向反应器中供给氧化剂。
一般而言，化合物阀门开启时长应该控制在在5-1000毫秒的区间内。较小的化合物阀门开启时长，例如10毫秒或者20毫秒，可以使得含铪反应化合物层更加均匀。较大的化合物阀门开启时长，例如100毫秒或者300，能够使得单次获得更大的含铪氧化物层的厚度。此外，在当前的非限制性例子中，为了适应制作太阳能电池的反应器的体积、单次沉积含铪化合物的厚度，氧化剂阀门开启时长和氮气阀门开启时长也可以进行调整。通常氧化剂阀门开启时长一般为10毫秒-500毫秒，优选为50毫秒-200毫秒。通常氮气阀门开启时长一般为100毫秒-2000毫秒优选为500毫秒-1000毫秒。
可选的，在当前的非限制性例子中，步骤1031的沉积过程一般选择在100摄氏度-400摄氏度的范围内进行。含铪化合物的沉积速率会随沉积温度的升高而降低，所以选择较低的温度，例如200摄氏度，可以使得沉积速度较快且能耗较低。反之若选择较高的温度，例如300摄氏度则可以使得沉积成的含铪反应化合物较为致密。
可选的，在当前的非限制性例子中，在含铪氧化物层制作完成后还可以进行一个退火步骤1036。该退火步骤1036的温度为300摄氏度至400摄氏度。该退火步骤1036的气氛可以是氮气、氢气、氩气或者这些气体的合成气体。
虽然本发明已参照当前的具体实施例来描述，但是本技术领域中的普通技术人员应当认识到，以上的实施例仅是用来说明本发明，在没有脱离本发明精神的情况下还可做出各种等效的变化或替换，因此，只要在本发明的实质精神范围内对上述实施例的变化、变型都将落在本申请的权利要求书的范围内。

Claims (11)

1.一种太阳能电池，包括基底、发射极层、正面电极和背面电极，其特征在于：
所述发射极层设置在所述基底的上表面，所述发射极层的上表面设有钝化减反层，所述正面电极设置在所述发射极层上表面上并与所述发射极层接触，所述钝化减反层覆盖在所述发射极上表面上不与所述正面电极接触的区域；
所述基底的下方依次设有钝化背反层和所述背面电极，所述背面电极的至少一部分穿透所述钝化背反层，并与所述基底的下表面接触，所述钝化背反层覆盖所述基底下表面上不与所述背面电极接触的区域；
所述钝化减反层和所述钝化背反层含有铪氧化物。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述发射极层设置在所述基底的上表面且与所述基底掺杂极性相反；
所述钝化减反层和所述钝化背反层为单层结构。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述基底与所述钝化背反层之间设有背接触层，所述背接触层的掺杂极性与所述基底的掺杂极性相同；
所述背面电极不接触所述基底的下表面，所述背面电极的至少一部分穿透所述钝化背反层并与所述背接触层的下表面接触，所述钝化背反层覆盖所述背接触层下表面上不与所述背面电极接触的区域。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述基底包括局部扩散背接触区，所述局部扩散背接触区位于所述基底与所述背面电极接触的区域,所述局部扩散背接触区的掺杂极性与所述基底的掺杂极性相同。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述背面电极的包括多个相互独立的子电极，每个所述子电极的至少一部分与所述基底接触；
所述基底在与所述子电极接触的多个区域具有多个局部扩散背接触区,至少一部分所述局部扩散背接触区的掺杂极性与所述基底的掺杂极性相同，至少一部分所述局部扩散背接触区的掺杂极性与所述基底的掺杂极性相反；
掺杂极性与所述基底的掺杂极性相同的所述局部扩散背接触区与掺杂极性与所述基底的掺杂极性相反的所述局部扩散背接触区以相互间隔的方式排列。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述钝化减反层的厚度的上限是120纳米、150纳米或180纳米，所述钝化减反层的厚度的下限是40纳米、50纳米或60纳米；
所述钝化背反层的厚度的上限是120纳米、150纳米或180纳米，所述钝化背反层的厚度的下限是5纳米、10纳米或15纳米。
7.一种太阳能电池的制作方法，包括以下步骤：
步骤1，提供基底；
步骤2，在所述基底的上表面形成发射极层；
步骤3，在所述发射极层上表面形成钝化减反层和/或在所述基底的下表面形成钝化背反层；
其中，步骤3进一步包括：
步骤3.1，沉积含铪反应化合物；
步骤3.2，氮气清洗；
步骤3.3，氧化剂气氛；
步骤3.4，氮气清洗。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括：
步骤3.5，判断所述钝化减反层和/或所述钝化背反层是否到达预定厚度，若判断为否，则跳转到步骤3.1。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：步骤3.1-3.4在同一反应器中进行，在步骤3.1中，通过化合物阀门向所述反应器中供给含铪反应化合物，在步骤3.2和步骤3.4中通过氮气阀门向所述反应器中供给氮气，在步骤3.3中通过氧化剂阀门向所述反应器中供给氧化剂；
在步骤3.1中通过控制所述化合物阀门的开启时长控制所述钝化减反层和/或所述钝化背反层的厚度，所述化合物阀门的开启时长的上限是100毫秒、300毫秒或者1000毫秒，所述化合物阀门的开启时长的下限是5毫秒、10毫秒或者20毫秒；
所述氧化剂阀门开启时长的上限是200毫秒或500毫秒，所述氧化剂阀门的开启时长的下限是10毫秒或50毫秒；
所述氮气阀门开启时长的上限是1000毫秒或2000毫秒，所述氮气阀门的开启时长的下限是100毫秒或500毫秒。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：所述步骤3.1的温度的上限是300摄氏度或400摄氏度，所述步骤1的温度的下限是100摄氏度或200摄氏度。
11.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：还包括：
步骤3.6，退火；
所述退火的温度为300摄氏度至400摄氏度，所述退火的气氛是氮气、氢气、氩气或者其合成气体。
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