CN107611236A - 一种led芯片及其制作方法 - Google Patents
一种led芯片及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107611236A CN107611236A CN201710933788.5A CN201710933788A CN107611236A CN 107611236 A CN107611236 A CN 107611236A CN 201710933788 A CN201710933788 A CN 201710933788A CN 107611236 A CN107611236 A CN 107611236A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor layer
- hole
- electrode
- led chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明提供的一种LED芯片的制作方法,包括提供一衬底,在所述衬底上形成外延层,其中,所述外延层包括依次设于所述衬底表面的第一半导体层、有源层和第二半导体层,对所述外延层进行蚀刻,刻蚀至第一半导体层并形成切割道,在所述第二半导体层表面形成导电扩展层,对所述导电扩展层进行湿法蚀刻,形成第一孔洞,对所述第一孔洞进行干法蚀刻,刻蚀至第二半导体层表面并形成第二孔洞,在所述第一半导体层上形成第一电极,在所述第一孔洞和第二孔洞内形成第二电极,形成LED晶园,通过增加电极与导电扩展层的接触面积,从而增加电极粘附力,操作简单、便于大规模生产,且无需大型昂贵设备,降低生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光二极管技术领域,尤其涉及一种LED芯片及其制作方 法。
背景技术
LED(Light Emitting Diode,发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能 量形成发光的半导体器件,LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响 应时间快、节能环保等诸多优势。
目前,LED芯片在制作过程中,为了增强电极与芯片的粘附能力,一般对电 极进行欧姆接触。但LED芯片在使用过程中,产生大量的热量,破坏欧姆接触, 从而影响电极与芯片之间的粘附能力,进而降低LED芯片的光电性能,出现电 压过高、LED芯片烧毁等现象,降低LED芯片的可靠性。
此外,LED芯片在制作过程中,使用的材料、制作工艺,也会影响电极与芯 片的粘附能力。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于,提供一种LED芯片及其制作方法,改变 导电扩展层的刻蚀方法和刻蚀的形状,增加电极与导电扩展层之间的接触面积, 从而提高电极的粘附力,提高LED芯片的可靠性。
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种LED芯片的制作方法,包括:
提供一衬底;
在所述衬底上形成外延层,其中,所述外延层包括依次设于所述衬底表面的 第一半导体层、有源层和第二半导体层;
对所述外延层进行蚀刻,刻蚀至第一半导体层并形成切割道;
在所述第二半导体层表面形成导电扩展层;
对所述导电扩展层进行湿法蚀刻,形成第一孔洞;
对所述第一孔洞进行干法蚀刻,刻蚀至第二半导体层表面并形成第二孔洞;
在所述第一半导体层上形成第一电极,在所述第一孔洞和第二孔洞内形成第 二电极,形成LED晶园。
作为上述方案的改进,所述湿法蚀刻的方法包括:采用FeCl3和HCl的混合 溶液对导电扩展层进行蚀刻,蚀刻时间为5-60秒。
作为上述方案的改进,所述干法蚀刻的方法包括:采用ICP刻蚀工艺对第一 孔洞进行蚀刻,蚀刻时间为10-60min。
作为上述方案的改进,所述第一孔洞的形状为倒梯形,所述第二孔洞的形状 为梯形。
作为上述方案的改进,所述导电扩展层的厚度为
作为上述方案的改进,所述导电扩展层的材质为铟锡氧化物,其中,铟锡氧 化物中铟和锡的比例为70-99:1-30。
作为上述方案的改进,采用电子束蒸发工艺在第二半导体层表面蒸镀一层导 电扩展层,其中,蒸镀温度为200-300℃,氧气流量为5-20sccm,蒸镀腔体真空 度为3.0-10.0E-5,蒸镀时间为100-300min。
作为上述方案的改进,在形成第一电极和第二电极之后,还包括以下步骤:
在所述LED晶园表面形成钝化层。
作为上述方案的改进,所述钝化层由氧化硅、氮化硅和氧化铝中的一种或几 种制成。
相应地,本发明还提供了一种LED芯片,包括:
衬底;
设于所述衬底表面的外延层,其中所述外延层包括设于衬底表面的第一半导 体层,设于所述第一半导体层表面的有源层,设于所述有源层表面的第二半导体 层;
设于第一半导体层上的第一电极;
设于第二半导体层上的第二电极和导电扩展层;
设于导电扩展层表面和第一电极两侧的绝缘层;
其中,所述第二电极的形状为漏斗形。
实施本发明,具有如下有益效果:
1、本发明提供的一种LED芯片及其制作方法,与传统的LED芯片制作方法 相比,本申请的LED芯片制作方法通过增加电极与导电扩展层的接触面积,从 而增加电极粘附力,操作简单、便于大规模生产,且无需大型昂贵设备,降低生 产成本。
附图说明
图1为本发明实施例的一种LED芯片的制作方法流程图;
图2a为本发明实施例中的一种LED芯片形成外延层的结构示意图;
图2b为本发明实施例中的一种LED芯片形成切割道的结构示意图;
图2c为本发明实施例中的一种LED芯片形成导电扩展层的结构示意图;
图2d为本发明实施例中的一种LED芯片形成第一孔洞的结构示意图;
图2e为本发明实施例中的一种LED芯片形成第二孔洞的结构示意图;
图2f为本发明实施例中的一种LED芯片形成第一电极和第二电极的结构示 意图;
图2g为本发明实施例中的一种LED芯片形成钝化层的结构示意图;
图3为本发明实施例中的一种LED芯片的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明作 进一步地详细描述。
本实施例提供了一种LED芯片的制作方法,其流程图如图1所示,包括以 下步骤:
S1:提供一衬底;
衬底的材料可以为蓝宝石、碳化硅或硅,也可以为其他半导体材料,本实施 例中优选衬底为蓝宝石衬底。
S2:在所述衬底上形成外延层;
如图2a所示,在衬底10任意一表面形成外延层20,其中,所述外延层20 包括设于所述衬底10表面的第一半导体层21,设于第一半导体层21表面的有源 层22,设于有源层22表面的第二半导体层23。
具体的,本申请实施例提供的第一半导体层和第二半导体层均为氮化镓基半 导体层,有源层为氮化镓基有源层;此外,本申请实施例提供的第一半导体层、 第二半导体层和有源层的材质还可以为其他材质,对此本申请不做具体限制。
其中,第一半导体层可以为N型半导体层,则第二半导体层为P型半导体层; 或者,第一半导体层为P型半导体层,而第二半导体层为N型半导体层,对于第 一半导体层和第二半导体层的导电类型,需要根据实际应用进行设计,对此本申 请不做具体限制。
需要说明的是,为了提高后续的刻蚀工艺的良率,所述外延层的厚度为 4-10μm。当外延层的厚度低于4μm,LED芯片的亮度会降低,在后续刻蚀时, LED芯片容易出现裂片的情况。但外延层的厚度大于10μm,LED芯片的亮度会 降低,增加刻蚀的难度和时间。
需要说明的是,在本申请的其他实施例中,所述衬底10与所述外延层20之 间设有缓存冲层(图中未示出)。
S3:对所述外延层进行蚀刻,刻蚀至第一半导体层并形成切割道;
如2b所示,对所述外延层20进行蚀刻,刻蚀至第一半导体层21并形成切 割道24,将所述第一半导体层21裸露出来。具体的,采用ICP刻蚀工艺对所述 外延层20进行蚀刻,刻蚀深度为1-4μm。其中,为了形成第一电极且不减少发 光面积,所述切割道24的宽度为10-30μm。
S4:在所述第二半导体层表面形成导电扩展层;
如图2c所示,在所述第二半导体层23表面形成导电扩展层30。具体的,采 用电子束蒸发工艺在所述第二半导体层23表面蒸镀一层导电扩展层30。其中, 蒸镀温度为200-300℃,氧气流量为5-20sccm,蒸镀腔体真空度为3.0-10.0E-5, 蒸镀时间为100-300min。
当蒸镀温度低于200℃时,导电扩展层无法获取足够的能量进行迁移,形成 的导电扩展层质量较差,缺陷多;当蒸镀温度高于300℃时,温度过高,薄膜能 量过大不易于在外延层上沉积,沉积速率变慢,效率降低。氧气流量小于5sccm 时,氧气流量过低,导电扩展层氧化不充分,薄膜质量不佳,氧气流量大于20sccm 时,氧气流量太大,导电扩展层过度氧化,膜层缺陷密度增加。蒸镀时间小于100min时,薄膜需要较高的沉积速率才能达到所需厚度,沉积速率太快,原子来 不及迁移,因此薄膜生长质量较差,缺陷多。
优选的,蒸镀温度为290℃,氧气流量为10sccm,蒸镀腔体真空度为 3.0*10-5-10.0*10-5。
具体的,所述导电扩展层30的厚度为优选的,所述导电扩展 层30的厚度为当导电扩展层30的厚度小于时,会降低导电扩展 层30与电极的粘附力,当导电扩展层30的厚度大于时,不仅增加导电扩 展层30的形成时间,还降低LED芯片的出光效率,进一步地,还会降低导电扩 展层30与电极的粘附力。
其中,所述导电扩展层30的材质为铟锡氧化物,但不限于此。铟锡氧化物 中铟和锡的比例为70-99:1-30。优选的,铟锡氧化物中铟和锡的比例为95:5。这 样有利提高导电扩展层30的导电能力,防止载流子聚集在一起,还提高LED芯 片的出光效率。
S5:对所述导电扩展层进行湿法蚀刻,形成第一孔洞;
如图2d所示,对所述导电扩展层30进行湿法蚀刻,形成第一孔洞31。具体 的,刻蚀到导电扩展层30的中间深度,因为湿法刻蚀的特性,只能刻蚀到一定 的深度。但利用湿法刻蚀,能够快速地刻蚀出多个第一孔洞。具体的,采用FeCl3和HCl的混合溶液对导电扩展层30进行蚀刻,蚀刻时间为5-60秒。当蚀刻时间 小于5秒,蚀刻不充分,不能形成第一孔洞31。当蚀刻时间大于60秒,蚀刻过 度,破坏LED芯片的结构。优选的,蚀刻时间为15秒。需要说明的是,为了便 于进行后续的干法刻蚀,所述第一孔洞31的形状为倒梯形。进一步地,湿法刻蚀的速率较快可以刻蚀出倒梯形的孔洞。在本申请的其他实施例中,所述第一孔 洞31的形状还可以为方形、多边形或不规则形状。
S6:对所述第一孔洞进行干法蚀刻,刻蚀至第二半导体层表面并形成第二孔 洞;
如图2e所示,对所述第一孔洞31进行干法蚀刻,刻蚀至第二半导体层23 表面并形成第二孔洞32。具体的,采用ICP刻蚀设备对第一孔洞31进行蚀刻, 蚀刻时间为10-60min。当蚀刻时间小于10min,蚀刻不充分,不能形成第二孔洞 32。当蚀刻时间大于60min,蚀刻过度,破坏LED芯片的结构。
需要说明的是,为了增加第二电极和导电扩展层30的接触面积,所述第二 孔洞32的形状为梯形。这样有效地增加电极与导电扩展层的粘附力,提高LED 芯片的可靠性能。
需要说明的是,在形成第一孔洞31之后,进行干法刻蚀之前,还包括以下 步骤:
首先用水冲洗导电扩散层30,然后进行甩干。
S7:在所述第一半导体层上形成第一电极,在所述第一孔洞和第二孔洞内形 成第二电极,形成LED晶园;
如图2f所示,在所述第一半导体层21上形成第一电极41,在所述第一孔洞 和第二孔洞内形成第二电极42,形成LED晶园。具体的,采用电子束蒸镀、磁 控溅射、电镀或化学镀工艺,在所述切割道24的第一半导体层21表面沉积填充 金属层形成第一电极41,在所述第所述第一孔洞和第二孔洞内沉积填充金属层形 成第二电极42。
需要说明的是,为了增加第一电极41与第一半导体层21的接触面积、第二 电极42与导电扩展层30的接触面积,所述第一电极41和第二电极42的厚度均 为1-4μm。其中,所述第二电极42的厚度大于第一孔洞31和第二孔洞32的总 的深度,所述第二电极42覆盖在所述导电扩展层30的表面。这样,增加第二电 极42与导电扩展层30的接触面积,从而加强了第二电极42与导电扩展层30的 粘附力,提到芯片的可靠性。优选的,所述第一电极或所述第二电极由Cr、Ni、 Al、Ti、Au、Pt、W、Pb、Rh、Sn、Cu、Ag中的一种或几种制成。
需要说的是,如图2g所示,在形成第一电极41和第二电极42之后,还包 括以下步骤:
在所述LED晶园表面形成钝化层40;
对所述钝化层40进行刻蚀,将第一电极41和第二电极42裸露出来。
具体的,所述钝化层40由氧化硅、氮化硅和氧化铝中的一种或几种制成。
下面以具体实施例进一步阐述本发明
实施例1
一种LED芯片的制作方法,包括:
提供一蓝宝石衬底;
在所述蓝宝石衬底上形成外延层,所述外延层包括依次设于所述蓝宝石衬底 表面的N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓层,所述外延层的厚度为6μm;
对所述外延层进行蚀刻,刻蚀至第一半导体层并形成切割道;
采用电子束蒸发工艺在P型氮化镓层表面蒸镀一层导电扩展层,所述导电扩 展层的厚度为其中,蒸镀温度为290℃,氧气流量为10sccm,蒸镀腔体 真空度为5.0*10-5,蒸镀时间为150min;
采用FeCl3和HCl的混合溶液对导电扩展层进行湿法蚀刻,形成第一孔洞, 蚀刻时间为15秒;
采用ICP刻蚀设备对第一孔洞进行蚀刻,刻蚀至第二半导体层表面并形成第 二孔洞,蚀刻时间为15min;
在所述第一半导体层上形成第一电极,在所述第一孔洞和第二孔洞内形成第 二电极。
实施例2
一种LED芯片的制作方法,包括:
提供一蓝宝石衬底;
在所述蓝宝石衬底上形成外延层,所述外延层包括依次设于所述蓝宝石衬底 表面的N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓层,所述外延层的厚度为6μm;
对所述外延层进行蚀刻,刻蚀至第一半导体层并形成切割道;
采用电子束蒸发工艺在P型氮化镓层表面蒸镀一层导电扩展层,所述导电扩 展层的厚度为其中,蒸镀温度为290℃,氧气流量为10sccm,蒸镀腔体 真空度为3.0*10-5-10.0*10-5,蒸镀时间为150min;
采用FeCl3和HCl的混合溶液对导电扩展层进行湿法蚀刻,形成第一孔洞, 蚀刻时间为15秒;
采用ICP刻蚀设备对第一孔洞进行蚀刻,刻蚀至第二半导体层表面并形成第 二孔洞,蚀刻时间为15min;
在所述第一半导体层上形成第一电极,在所述第一孔洞和第二孔洞内形成第 二电极。
实施例3
一种LED芯片的制作方法,包括:
提供一蓝宝石衬底;
在所述蓝宝石衬底上形成外延层,所述外延层包括依次设于所述蓝宝石衬底 表面的N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓层,所述外延层的厚度为6μm;
对所述外延层进行蚀刻,刻蚀至第一半导体层并形成切割道;
采用电子束蒸发工艺在P型氮化镓层表面蒸镀一层导电扩展层,所述导电扩 展层的厚度为其中,蒸镀温度为290℃,氧气流量为10sccm,蒸镀腔体 真空度为3.0*10-5-10.0*10-5,蒸镀时间为150min;
采用FeCl3和HCl的混合溶液对导电扩展层进行湿法蚀刻,形成第一孔洞, 蚀刻时间为15秒;
采用ICP刻蚀设备对第一孔洞进行蚀刻,刻蚀至第二半导体层表面并形成第 二孔洞,蚀刻时间为15min;
在所述第一半导体层上形成第一电极,在所述第一孔洞和第二孔洞内形成第 二电极。
实施例4
一种LED芯片的制作方法,包括:
提供一蓝宝石衬底;
在所述蓝宝石衬底上形成外延层,所述外延层包括依次设于所述蓝宝石衬底 表面的N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓层,所述外延层的厚度为6μm;
对所述外延层进行蚀刻,刻蚀至第一半导体层并形成切割道;
采用电子束蒸发工艺在P型氮化镓层表面蒸镀一层导电扩展层,所述导电扩 展层的厚度为其中,蒸镀温度为290℃,氧气流量为10sccm,蒸镀腔体 真空度为3.0*10-5-10.0*10-5,蒸镀时间为150min;
采用FeCl3和HCl的混合溶液对导电扩展层进行湿法蚀刻,形成第一孔洞, 蚀刻时间为15秒;
采用ICP刻蚀设备对第一孔洞进行蚀刻,刻蚀至第二半导体层表面并形成第 二孔洞,蚀刻时间为15min;
在所述第一半导体层上形成第一电极,在所述第一孔洞和第二孔洞内形成第 二电极。
实施例5
一种LED芯片的制作方法,包括:
提供一蓝宝石衬底;
在所述蓝宝石衬底上形成外延层,所述外延层包括依次设于所述蓝宝石衬底 表面的N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓层,所述外延层的厚度为6μm;
对所述外延层进行蚀刻,刻蚀至第一半导体层并形成切割道;
采用电子束蒸发工艺在P型氮化镓层表面蒸镀一层导电扩展层,所述导电扩 展层的厚度为其中,蒸镀温度为290℃,氧气流量为10sccm,蒸镀腔体 真空度为3.0*10-5-10.0*10-5,蒸镀时间为150min;
采用FeCl3和HCl的混合溶液对导电扩展层进行湿法蚀刻,刻蚀至第二半导 体层表面并形成第一孔洞,蚀刻时间为150秒;
在所述第一半导体层上形成第一电极,在所述第一孔洞内形成第二电极。
实施例6
一种LED芯片的制作方法,包括:
提供一蓝宝石衬底;
在所述蓝宝石衬底上形成外延层,所述外延层包括依次设于所述蓝宝石衬底 表面的N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓层,所述外延层的厚度为6μm;
对所述外延层进行蚀刻,刻蚀至第一半导体层并形成切割道;
采用电子束蒸发工艺在P型氮化镓层表面蒸镀一层导电扩展层,所述导电扩 展层的厚度为其中,蒸镀温度为290℃,氧气流量为10sccm,蒸镀腔体 真空度为3.0*10-5-10.0*10-5,蒸镀时间为150min;
采用FeCl3和HCl的混合溶液对导电扩展层进行湿法蚀刻,刻蚀至第二半导 体层表面并形成第一孔洞,蚀刻时间为150秒;
在所述第一半导体层上形成第一电极,在所述第一孔洞内形成第二电极。
实施例7
一种LED芯片的制作方法,包括:
提供一蓝宝石衬底;
在所述蓝宝石衬底上形成外延层,所述外延层包括依次设于所述蓝宝石衬底 表面的N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓层,所述外延层的厚度为6μm;
对所述外延层进行蚀刻,刻蚀至第一半导体层并形成切割道;
采用电子束蒸发工艺在P型氮化镓层表面蒸镀一层导电扩展层,所述导电扩 展层的厚度为其中,蒸镀温度为290℃,氧气流量为10sccm,蒸镀腔体 真空度为3.0*10-5-10.0*10-5,蒸镀时间为150min;
采用FeCl3和HCl的混合溶液对导电扩展层进行湿法蚀刻,刻蚀至第二半导 体层表面并形成第一孔洞,蚀刻时间为150秒;
在所述第一半导体层上形成第一电极,在所述第一孔洞内形成第二电极。
上述实施例1-4是本申请LED芯片的制作方法的具体实施例,实施例5-7是 现有的LED芯片的制作方法的实施例,其中,实施例5-7是完全使用湿法刻蚀工 艺来刻蚀导电扩展层。
结果如下:
将实施例1-7制成形成的LED芯片进行电极粘附能力的推拉力测试,
组别 | 电极粘附力推力测试值 | 拉力测试值 |
实施例1 | 50g | 10g |
实施例2 | 60g | 12g |
实施例3 | 65g | 14g |
实施例4 | 60g | 13g |
实施例5 | 35g | 8g |
实施例6 | 40g | 9g |
实施例7 | 45g | 9g |
其中,电极粘附力推力测试值和拉力测试值越大,电极与LED芯片的粘附 力越强。
从上述测试结果可以看出,采用现有的LED芯片的制作方法制作出来LED 芯片的电极粘附力明显小于本实施例的LED芯片的电极粘附力。其中,导电扩 展层的厚度对电极粘附力的大小也有显著的影响。具体的,当导电扩展层的厚度 小于时,会降低导电扩展层与电极的粘附力,当导电扩展层的厚度大于 时,不仅增加导电扩展层的形成时间,还降低LED芯片的出光效率,进一步地, 还会降低导电扩展层与电极的粘附力。
相应的,如图3所示,本申请提供了一种LED芯片,包括:
衬底10;
设于所述衬底10表面的外延层20,其中所述外延层20包括设于衬底10表 面的第一半导体层21,设于所述第一半导体层21表面的有源层22,设于所述有 源层22表面的第二半导体层23;
设于第一半导体层21上的第一电极41;
设于第二半导体层23上的第二电极42和导电扩展层30;
设于导电扩展层30表面和第一电极41两侧的绝缘层40;
其中,所述第二电极42的形状为漏斗形。
实施本发明,具有如下有益效果:
1、本发明提供的一种LED芯片及其制作方法,与传统的LED芯片制作方法 相比,本申请的LED芯片制作方法通过增加电极与导电扩展层的接触面积,从 而增加电极粘附力,操作简单、便于大规模生产,且无需大型昂贵设备,降低生 产成本。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已,当然不能以此来限定本发明 之权利范围,因此依本发明权利要求所作的等同变化,仍属本发明所涵盖的范围。
Claims (10)
1.一种LED芯片的制作方法,包括:
提供一衬底;
在所述衬底上形成外延层,其中,所述外延层包括依次设于所述衬底表面的第一半导体层、有源层和第二半导体层;
对所述外延层进行蚀刻,刻蚀至第一半导体层并形成切割道;
在所述第二半导体层表面形成导电扩展层;
对所述导电扩展层进行湿法蚀刻,形成第一孔洞;
对所述第一孔洞进行干法蚀刻,刻蚀至第二半导体层表面并形成第二孔洞;
在所述第一半导体层上形成第一电极,在所述第一孔洞和第二孔洞内形成第二电极,形成LED晶园。
2.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法,其特征在于,所述湿法蚀刻的方法包括:采用FeCl3和HCl的混合溶液对导电扩展层进行蚀刻,蚀刻时间为5-60秒。
3.根据权利要求2所述的LED芯片的制作方法,其特征在于,所述干法蚀刻的方法包括:采用ICP刻蚀工艺对第一孔洞进行蚀刻,蚀刻时间为10-60min。
4.根据权利要求3所述的LED芯片的制作方法,其特征在于,所述第一孔洞的形状为倒梯形,所述第二孔洞的形状为梯形。
5.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法,其特征在于,所述导电扩展层的厚度为
6.根据权利要求5所述的LED芯片的制作方法,其特征在于,所述导电扩展层的材质为铟锡氧化物,其中,铟锡氧化物中铟和锡的比例为70-99:1-30。
7.根据权利要求6所述的LED芯片的制作方法,其特征在于,采用电子束蒸发工艺在第二半导体层表面蒸镀一层导电扩展层,其中,蒸镀温度为200-300℃,氧气流量为5-20sccm,蒸镀腔体真空度为3.0-10.0E-5,蒸镀时间为100-300min。
8.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法,其特征在于,在形成第一电极和第二电极之后,还包括以下步骤:
在所述LED晶园表面形成钝化层。
9.根据权利要求8所述的LED芯片的制作方法,其特征在于,所述钝化层由氧化硅、氮化硅和氧化铝中的一种或几种制成。
10.一种LED芯片,包括:
衬底;
设于所述衬底表面的外延层,其中所述外延层包括设于衬底表面的第一半导体层,设于所述第一半导体层表面的有源层,设于所述有源层表面的第二半导体层;
设于第一半导体层上的第一电极;
设于第二半导体层上的第二电极和导电扩展层;
设于导电扩展层表面和第一电极两侧的绝缘层;
其中,所述第二电极的形状为漏斗形。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710933788.5A CN107611236B (zh) | 2017-10-10 | 2017-10-10 | 一种led芯片及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710933788.5A CN107611236B (zh) | 2017-10-10 | 2017-10-10 | 一种led芯片及其制作方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107611236A true CN107611236A (zh) | 2018-01-19 |
CN107611236B CN107611236B (zh) | 2020-05-19 |
Family
ID=61067807
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710933788.5A Active CN107611236B (zh) | 2017-10-10 | 2017-10-10 | 一种led芯片及其制作方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN107611236B (zh) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108172669A (zh) * | 2018-02-06 | 2018-06-15 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种铝电极led芯片及其制作方法 |
CN108470812A (zh) * | 2018-06-04 | 2018-08-31 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种薄膜倒装led芯片及其制作方法 |
CN108735869A (zh) * | 2018-06-25 | 2018-11-02 | 厦门三安光电有限公司 | 一种发光二极管 |
CN108878599A (zh) * | 2018-06-15 | 2018-11-23 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种倒装led芯片及其制作方法 |
CN108878613A (zh) * | 2018-06-26 | 2018-11-23 | 扬州乾照光电有限公司 | 隐藏式导电栅线结构芯片及其制备方法 |
CN111188081A (zh) * | 2019-11-27 | 2020-05-22 | 深圳市裕展精密科技有限公司 | 金属件、金属制品及金属件的制作方法 |
CN117393681A (zh) * | 2023-12-12 | 2024-01-12 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种倒装发光二极管芯片的制备方法及发光二极管芯片 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101958234A (zh) * | 2009-07-16 | 2011-01-26 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光刻刻蚀制作工艺 |
US20110068355A1 (en) * | 2009-09-23 | 2011-03-24 | Sun Kyung Kim | Light emitting device and light emitting device package |
CN102044610A (zh) * | 2009-10-21 | 2011-05-04 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件及其制造方法、发光器件封装和照明系统 |
CN103367580A (zh) * | 2013-07-25 | 2013-10-23 | 马鞍山圆融光电科技有限公司 | 一种高出光效率的发光二极管芯片及其制作方法 |
-
2017
- 2017-10-10 CN CN201710933788.5A patent/CN107611236B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101958234A (zh) * | 2009-07-16 | 2011-01-26 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光刻刻蚀制作工艺 |
US20110068355A1 (en) * | 2009-09-23 | 2011-03-24 | Sun Kyung Kim | Light emitting device and light emitting device package |
CN102044610A (zh) * | 2009-10-21 | 2011-05-04 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件及其制造方法、发光器件封装和照明系统 |
CN103367580A (zh) * | 2013-07-25 | 2013-10-23 | 马鞍山圆融光电科技有限公司 | 一种高出光效率的发光二极管芯片及其制作方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108172669A (zh) * | 2018-02-06 | 2018-06-15 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种铝电极led芯片及其制作方法 |
CN108470812A (zh) * | 2018-06-04 | 2018-08-31 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种薄膜倒装led芯片及其制作方法 |
CN108878599A (zh) * | 2018-06-15 | 2018-11-23 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种倒装led芯片及其制作方法 |
CN108735869A (zh) * | 2018-06-25 | 2018-11-02 | 厦门三安光电有限公司 | 一种发光二极管 |
CN108735869B (zh) * | 2018-06-25 | 2024-01-30 | 厦门三安光电有限公司 | 一种发光二极管 |
CN108878613A (zh) * | 2018-06-26 | 2018-11-23 | 扬州乾照光电有限公司 | 隐藏式导电栅线结构芯片及其制备方法 |
CN108878613B (zh) * | 2018-06-26 | 2019-11-26 | 扬州乾照光电有限公司 | 隐藏式导电栅线结构芯片及其制备方法 |
CN111188081A (zh) * | 2019-11-27 | 2020-05-22 | 深圳市裕展精密科技有限公司 | 金属件、金属制品及金属件的制作方法 |
CN117393681A (zh) * | 2023-12-12 | 2024-01-12 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种倒装发光二极管芯片的制备方法及发光二极管芯片 |
CN117393681B (zh) * | 2023-12-12 | 2024-04-12 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种倒装发光二极管芯片的制备方法及发光二极管芯片 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107611236B (zh) | 2020-05-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107611236A (zh) | 一种led芯片及其制作方法 | |
US20120060912A1 (en) | Method of forming conductive electrode structure and method of manufacturing solar cell with the same, and solar cell manufactured by the method of manufacturing solar cell | |
CN102931311B (zh) | 一种倒装led芯片的制作方法 | |
JP2000299494A (ja) | 半導体発光素子の製法 | |
CN107863434A (zh) | 一种具有绝缘保护结构的高亮倒装led芯片及其制作方法 | |
CN102017193A (zh) | 具有双面钝化的半导体发光器件 | |
US20110253972A1 (en) | LIGHT-EMITTING DEVICE BASED ON STRAIN-ADJUSTABLE InGaAIN FILM | |
CN108133993A (zh) | 一种紫外led垂直芯片结构 | |
CN1763984A (zh) | 半导体发光元件及其制造方法 | |
CN102931324B (zh) | 一种led芯片 | |
CN109449271B (zh) | 一种具有焊料电极的led芯片及其制作方法 | |
CN106876532A (zh) | 一种高出光率、高可靠性的紫外发光二极管及其制造方法 | |
US20150214435A1 (en) | Semiconductor light emitting diode device and formation method thereof | |
CN114868256A (zh) | 太阳能电池的对准金属化 | |
CN106129208A (zh) | 紫外发光二极管芯片及其制造方法 | |
CN102067340B (zh) | 具有在p-型层内钝化的半导体发光器件 | |
CN108365078A (zh) | 一种3d通孔超结构led芯片及其制备方法 | |
CN108470812A (zh) | 一种薄膜倒装led芯片及其制作方法 | |
CN108400213A (zh) | 具有占空比优化的通孔超结构的led芯片及其制备方法 | |
CN108336207A (zh) | 一种高可靠性led芯片及其制作方法 | |
CN207925512U (zh) | 一种高可靠性led芯片 | |
CN107623060B (zh) | 一种去除dbr膜层的制作方法 | |
CN112909140A (zh) | 一种新型双ito导电层的高光效芯片及其制作方法 | |
CN109244207A (zh) | 一种led芯片及其制作方法 | |
CN110034215B (zh) | 一种提升led芯片漏电良率的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |