CN107608148A - 显示设备 - Google Patents

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卢正训
宋根圭
李弦燮
张常希
全亨
全亨一
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Abstract

一种显示设备包括：设置为彼此面对的第一基板和第二基板；设置在所述第一基板上的栅极线和第一数据线；连接至所述栅极线和所述第一数据线的薄膜晶体管；连接至所述薄膜晶体管的像素电极；以及设置在所述第一基板和所述第二基板中至少之一上的滤色器，所述滤色器与所述像素电极重叠。所述滤色器具有比所述第一数据线与设置为与所述第一数据线相邻的第二数据线之间的距离大的宽度。

Description

显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求2016年7月11日提交的第10-2016-0087607号韩国专利申请的优先权和权益，该申请出于所有目的通过引用合并于此，如同在本文中完全阐述一样。
技术领域
示例性实施例涉及显示设备。
背景技术
基于显示设备的发光方案，可将这些设备分类为液晶显示(“LCD”)设备、有机发光二极管(“OLED”)显示设备、等离子体显示面板(“PDP”)设备、电泳显示设备等。
显示设备的基板通常包括对施加于电极的电压进行切换的薄膜晶体管(“TFT”)。除TFT外，基板还包括：设置在基板上的包括栅极线和数据线的布线；分别从外部接收信号并将信号传送至栅极线和数据线的栅极驱动器和数据驱动器。电连接至TFT的像素电极设置在由栅极线和数据线的相交所限定的透光区中。
此外，显示设备通常包括设置在基板上的滤色器和设置在除透光区之外的其余区域中的阻光层。在这样的示例性实施例中，滤色器中相邻的滤色器之间的边界部分被放置，以便与数据线上的阻光层重叠。
随着显示设备变得更大，像素之间的距离进一步减小，并且数据线的宽度减小。相应地，由于难以在与数据线重叠的滤色器之间形成边界部分，因此可以可视地识别到混色或漏光，这是因为滤色器与数据线上的阻光层可能不对准。
在本背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对本发明构思的背景的理解。因此，其可包含不形成对本领域普通技术人员已知的、或在本文公开的主题的有效递交日前公众可获得的现有技术的信息。
发明内容
示例性实施例提供一种能够基本防止由于滤色器的不对准而导致的混色或漏光的显示设备。
附加方面将在后面的具体描述中阐述，并且部分地从公开中将是显而易见的，或可通过本发明构思的实践而获知。
根据示例性实施例，一种显示设备包括：设置为彼此面对的第一基板和第二基板；设置在所述第一基板上的栅极线和第一数据线；连接至所述栅极线和所述第一数据线的薄膜晶体管；连接至所述薄膜晶体管的像素电极；以及设置在所述第一基板和所述第二基板中至少之一上的滤色器，所述滤色器与所述像素电极重叠。所述滤色器具有比所述第一数据线与设置为与所述第一数据线相邻的第二数据线之间的距离大的宽度。
以上总体描述和以下具体描述是示例性和解释性的，并意图提供对所要求保护的主题的进一步解释。
附图说明
所包括以提供对本发明构思的进一步理解并被合并且构成本说明书的一部分的附图，图示了本发明构思的示例性实施例，并与描述一起用于解释本发明构思的原理。
图1是图示根据示例性实施例的一个像素的平面图。
图2是沿图1的线I-I'截取的剖视图。
图3是图示包括具有图1中所示的结构的多个像素的显示设备的一部分的视图。
图4是沿图3的线II-II'截取的剖视图。
图5A是分离地图示位于图3中的预定部分处的多个像素电极和滤色器的视图。
图5B是分离地图示位于图3中的预定部分处的多个滤色器和阻光层的视图。
图6是图示根据可替代示例性实施例的显示设备的一部分的视图。
图7是沿图6的线III-III'截取的剖视图。
具体实施方式
在以下描述中，出于解释目的，阐述了很多特定细节以提供对各种示例性实施例的透彻理解。然而，很明显，可在没有这些特定细节的情况下或在有一个或多个等同布置的情况下实践各种示例性实施例。在其它实例中，公知的结构和设备以框图形式示出，从而避免不必要地遮蔽各种示例性实施例。
在附图中，为清楚起见和出于描述目的，层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸可被放大。而且，同样的附图标记表示同样的元件。
当提及一元件或层在另一元件或层“上”、“连接至”或“耦接至”另一元件或层时，该元件可直接在另一元件或层上、直接连接至或耦接至另一元件或层，或者也可以存在中间元件或层。然而，当提及一元件或层“直接”在另一元件或层“上”、“直接连接至”或“直接耦接至”另一元件或层时，则不存在中间元件或层。出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”以及“从由X、Y和Z组成的组中选出的至少一个”可解释为仅X、仅Y、仅Z，或X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合，诸如，例如XYZ、XYY、YZ和ZZ。在本文使用时，术语“和/或”包括相关联所列项中的一个或多个的任意和所有组合。
尽管本文中可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，组件、区域、层和/或部分，但这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层和/或部分与另一元件、组件、区域、层和/或部分区分开。因此，下面讨论的第一元件、组件、区域、层和/或部分可称为第二元件、组件、区域、层和/或部分，而不背离本公开的教导。
本文可出于描述目的使用空间上相对的术语，例如“下方”、“下面”、“下”、“上面”、“上”等，来描述图中例示的一个元件或特征与另外的元件或特征的关系。空间上相对的术语意在除图中绘出的方位外还涵盖装置在使用中、操作中和/或制造中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则描述为在另一元件或特征“下面”或“下方”的元件或特征将随之定位为在另一元件或特征“上面”。因此，示例性术语“下面”可涵盖上面和下面两种方位。此外，装置可被以另外的方式定位(例如，旋转90度或以其它定位)，并且这样本文使用的空间上相对的描述词作相应解释。
本文使用的术语用于描述特定实施例的目的，并不意在限制。在本文使用时，单数形式“一”和“该”意在也包括复数形式，除非上下文另有清楚指示。此外，当用于本说明书中时，术语“包括”和/或“包含”，指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在，但不排除存在或附加有一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组。
本文参照作为理想化的示例性实施例和/或中间结构的示意图示的剖面图示来描述各种示例性实施例。这样，可预期作为例如制造技术和/或容差的结果的图示的形状的变化。因此，本文公开的示例性实施例不应解释为限于区域的特定图示形状，而应包括从例如制造中得到的形状上的偏差。例如，图示为矩形的掺杂区域将通常在其边缘具有圆的或曲线特征和/或掺杂浓度的梯度，而非从掺杂到非掺杂区域是二元变化。同样地，通过掺杂形成的掩埋区可在掩埋区与掺杂发生所通过的表面之间的区域中导致一些掺杂。因此，图中示出的区域在本质上是示意性的，并且他们的形状不意在图示设备的区域的实际形状，且不意在是限制。
除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术术语和科技术语)具有与本公开所属的技术领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。诸如这些在通常使用的词典中定义的术语，应当解释为具有与它们在相关技术的语境中的含义一致的含义，并且不以理想化的或过于正式的意义来解释，除非在本文中明确这样定义。
图1是图示根据示例性实施例的一个像素的平面图，并且图2是沿图1的线I-I'截取的剖视图。
如在图1和图2中所图示的，像素PX包括薄膜晶体管(“TFT”)、栅极绝缘层311、绝缘中间层318、保护层320、滤色器354、盖层391、像素电极PE、液晶层333、阻光层376、外涂层722和公共电极330。
如图1中所图示的，一个像素PX包括透光区151和阻光区152。像素电极PE位于像素PX的透光区151处，并且TFT可位于像素PX的阻光区152处。透光区151可具有比阻光区152的面积小的面积。例如，透光区151与阻光区152之间的面积比可以在约3:7到约4:6的范围中。
TFT可连接至栅极线GL、数据线DL和像素电极PE。为此，TFT可包括栅电极GE、连接至数据线DL的漏电极DE、连接至像素电极PE的源电极SE，以及连接至漏电极DE和源电极SE的半导体层321。
TFT、栅极线GL、数据线DL、栅极绝缘层311、绝缘中间层318、保护层320、滤色器354、盖层391和像素电极PE可位于第一基板301上。
阻光层376、外涂层722和公共电极330可位于第二基板302上。
栅极线GL可包括多个栅电极GE。在示例性实施例中，尽管未示出，但栅极线GL的接触部(例如，端部)可具有比栅极线GL的用于连接至另外层或外部驱动电路的另外部分的面积大的面积。
栅极线GL可包括或由以下之一形成：铝(Al)或铝合金、银(Ag)或银合金、铜(Cu)或铜合金、钼(Mo)或钼合金。可替代地，栅极线GL可包括或由以下之一形成：铬(Cr)、钽(Ta)和/或钛(Ti)。栅极线GL可具有多层结构，该多层结构包括具有不同物理特性的至少两个导电层。
栅电极GE可包括与栅极线GL的材料基本相同的材料，并可具有与栅极线GL的结构基本相同的结构(多层结构)。栅极线GL和栅电极GE可以以基本相同的工艺同时形成。
如图2中所图示的，栅极绝缘层311位于栅极线GL和栅电极GE上。在这样的示例性实施例中，栅极绝缘层311可位于第一基板301的包括栅极线GL和栅电极GE在内的整个表面上。栅极绝缘层311可包括或由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)形成。栅极绝缘层311可具有多层结构，该多层结构包括具有不同物理特性的至少两个绝缘层。
如图2中所图示的，半导体层321可位于栅极绝缘层311上。如图1和图2中所图示的，半导体层321可与栅电极GE的至少一部分重叠。半导体层321可包括非晶硅或多晶硅。
如图2中所图示的，绝缘中间层318可位于半导体层321和栅极绝缘层311上。在这样的示例性实施例中，绝缘中间层318位于第一基板301的包括半导体层321在内的整个表面上。绝缘中间层318可具有第一接触孔CH1和第二接触孔CH2。绝缘中间层318可包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)等。绝缘中间层318可具有多层结构，该多层结构包括具有不同物理特性的至少两个绝缘层。
如图2中所图示的，数据线DL和漏电极DE可位于绝缘中间层318上。在这样的示例性实施例中，漏电极DE可通过绝缘中间层318的第一接触孔CH1连接至半导体层321。尽管未图示，但可在漏电极DE与半导体层321之间的界面处进一步放置欧姆接触层。
欧姆接触层可包括硅化物或以高浓度掺杂有n型杂质离子(例如磷(P)和磷化氢(PH3))的n+氢化非晶硅。
数据线DL的接触部(例如，端部)可具有比数据线DL的用于连接至另外层或外部驱动电路的另外部分的面积大的面积。
数据线DL可与栅极线GL交叉。尽管未图示，但数据线DL的与栅极线GL相交的一部分可具有比数据线DL的另外部分的线宽小的线宽。相应地，可减小数据线DL与栅极线GL之间的寄生电容。
数据线DL可包括或由难熔金属，例如钼、铬、钽、钛和/或它们的合金形成。数据线DL可具有包括难熔金属层和低电阻导电层的多层结构。多层结构的示例可包括：包括铬或钼(合金)下层和铝(合金)上层的双层结构；以及包括钼(合金)下层、铝(合金)中间层和钼(合金)上层的三层结构。在可替代示例性实施例中，数据线DL可包括或由上述材料外的任意合适的金属和/或导体形成。
如图1中所图示的，漏电极DE从数据线DL突出。漏电极DE可以是数据线DL的一部分。漏电极DE可包括与数据线DL的材料基本相同的材料，并可具有与数据线DL的结构基本相同的结构(多层)。漏电极DE和数据线DL可以以基本相同的工艺基本同时制造。
如图2中所图示的，保护层320位于数据线DL、漏电极DE和绝缘中间层318上。在这样的示例性实施例中，保护层320可位于第一基板301的包括数据线DL、漏电极DE和绝缘中间层318在内的整个表面上。保护层320可具有通过保护层320的一部分限定的第二接触孔CH2。
保护层320可包括无机绝缘材料，例如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)，并且在这样的示例性实施例中，可使用具有光敏性和约4.0的介电常数的无机绝缘材料。可替代地，保护层320可具有包括下无机层和上有机层的双层结构，该双层结构被发现赋予优异绝缘特性并且不破坏半导体层321的暴露部分。保护层320可具有大于或等于约例如在约到约的范围内的厚度。
如图2中所图示的，源电极SE位于保护层320上。在这样的示例性实施例中，源电极SE可通过在保护层320和绝缘中间层318中限定的第二接触孔CH2连接至半导体层321。尽管未示出，但可在源电极SE与半导体层321之间的界面处进一步放置欧姆接触层。
源电极SE可包括与数据线DL的材料基本相同的材料，并可具有与数据线DL的结构基本相同的结构(多层结构)。
如图2中所图示的，滤色器354位于源电极SE和保护层320上。滤色器354的边缘可位于栅极线GL和数据线DL上。然而，滤色器354不位于与第三接触孔CH3对应的区域处。滤色器354可包括光敏有机材料。
在这样的示例性实施例中，一个滤色器354的边缘与和其相邻的另一滤色器354的边缘重叠，这将在以下详细描述。
如图2中所图示的，盖层391位于滤色器354上。盖层391可基本防止从滤色器354生成的杂质扩散进液晶层333中。盖层391可具有第三接触孔CH3。盖层391可包括氮化硅、氧化硅等。
如图1和图2中所图示的，像素电极PE位于透光区151的盖层391上。
像素电极PE可包括透明导电材料，例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。在这样的示例性实施例中，ITO可包括多晶材料或单晶材料。作为示例，IZO可包括多晶材料或单晶材料。可替代地，IZO可包括非晶材料。
连接电极443可位于盖层391上。连接电极443可从像素电极PE朝向阻光区152延伸。连接电极443可与像素电极PE一体形成。连接电极443可位于透光区151和阻光区152处。连接电极443可通过盖层391的第三接触孔CH3连接至源电极SE。
连接电极443可包括与像素电极PE中包括的材料基本相同的材料。连接电极443和像素电极PE可以以基本相同的工艺基本同时形成。可替代地，连接电极443可包括与源电极SE中包括的材料基本相同的材料。例如，连接电极443可与源电极SE一体形成。在这样的示例性实施例中，连接电极443和源电极SE以基本相同的工艺基本同时形成。在这样的示例性实施例中，连接电极443通过接触孔连接至像素电极PE。
如图2中所图示的，阻光层376位于第二基板302上。阻光层376可位于除透光区151之外的其余区域中。
外涂层722可位于阻光层376上。在这样的示例性实施例中，外涂层722可位于第二基板302的包括阻光层376在内的整个表面上。外涂层722可用于基本最小化第二基板302的元件之间的高度差，该元件在外涂层722与第二基板302之间，例如阻光层376。外涂层722可省略。
公共电极330可位于外涂层722上。在这样的示例性实施例中，公共电极330可位于第二基板302的包括外涂层722在内的整个表面上。可替代地，公共电极330可位于与透光区151对应的外涂层722上。公共电压可施加于公共电极330。
在示例性实施例中，尽管未图示，像素PX可进一步包括第一偏振板和第二偏振板。当第一基板301和第二基板302的面对的表面被限定为相应基板的上表面，且上表面的相对侧上的表面分别被限定为相应基板的下表面时，第一偏振板可位于第一基板301的下表面上，且第二偏振板可位于第二基板302的下表面上。
第一偏振板的透射轴和第二偏振板的透射轴可彼此正交。这些透光轴中之一可布置为与栅极线GL平行。然而，显示设备可仅包括第一偏振板和第二偏振板中之一。
第一基板301和第二基板302可以是包括玻璃或塑料的绝缘基板。
第一基板301与第二基板302之间的液晶层333可包括液晶分子。这些液晶分子可以是扭曲向列型液晶分子。
图3是图示包括具有图1中所示结构的多个像素的显示设备的一部分的视图。图4是沿图3的线II-II'截取的剖视图。图5A是分离地图示位于图3中的预定部分处的多个像素电极和滤色器的视图。图5B是分离地图示位于图3中的预定部分处的多个滤色器和阻光层的视图。
图3中图示的多个像素PX中的每一个可具有与以上描述的图1的像素PX的结构基本相同的结构。亦即，图3中的每个像素PX可具有与图1中图示的像素PX的平面和剖面结构基本相同的平面和剖面结构。
特定列中的像素PX可比另一列中的像素PX进一步朝下或朝上偏移。例如，如图3中所图示的，偶数列(C2、C4和C6中之一)的像素PX比奇数列(C1、C3和C5中之一)的像素PX沿数据线(例如，数据线DL2)的纵向方向进一步向下偏移。换言之，在用于驱动数据线DL1、DL2、DL3、DL4、DL5、DL6和DL7的数据驱动器(未图示)位于图3的数据线DL1、DL2、DL3、DL4、DL5、DL6和DL7上方时，偶数列的像素PX可以比奇数列的像素PX从距离数据驱动器更远的区域(行)按顺序布置。在示例性实施例中，尽管未图示，数据线DL可具有之字(zig-zag)形状。
相应地，连接至第(2k-1)(k是自然数)行的像素电极PE的TFT可位于与第(2k-1)行的像素电极PE相邻且位于第2k行中的两个像素电极PE之间。例如，在图3中，当第一行R1和第三列C3中的像素电极PE定义为第一像素电极，第二行R2和第二列C2中的像素电极PE定义为第二像素电极，且第二行R2和第四列C4中的像素电极PE定义为第三像素电极时，连接至第一像素电极的TFT位于第二像素电极与第三像素电极之间。
分别连接至第(2k-1)行中的像素电极PE的TFT和分别连接至第2k行中的像素电极PE的TFT可共同连接至一条栅极线。例如，如图3所图示的，分别连接至第一行R1中的像素电极PE的TFT和分别连接至第二行R2中的像素电极PE的TFT共同连接至第一栅极线GL1。
由于第一栅极线GL1包括彼此连接的多个栅电极GE，因此奇数的栅电极GE可分别连接至用于驱动第一行R1中的像素电极PE的TFT，并且偶数的栅电极GE可分别连接至用于驱动第二行R2中的像素电极PE的TFT。
因此，包括以上述方式布置的多个栅电极GE的第一栅极线GL1可具有之字形状。另外的栅极线可具有与第一栅极线GL1的形状基本相同的形状。然而，栅极线中的各栅极线可不彼此连接。例如，第一栅极线GL1和第二栅极线GL2不彼此连接。
奇数行(R1、R3和R5中之一)中包括的像素电极PE可位于奇数列(C1、C3和C5)中。换言之，沿奇数行布置的像素电极PE可位于第(2x-1)(x是自然数)数据线与第2x数据线之间。例如，如图3中所图示的，第一行R1中包括的像素电极PE分别位于第一列C1、第三列C3和第五列C5中。换言之，沿第一行R1布置的像素电极PE可分别位于第一数据线DL1与第二数据线DL2之间、第三数据线DL3与第四数据线DL4之间，以及第五数据线DL5与第六数据线DL6之间。
偶数行(R2、R4和R6中之一)中包括的像素电极PE可位于偶数列(C2、C4和C6)中。换言之，沿偶数行布置的像素电极PE可位于第2x(x是自然数)数据线与第(2x+1)数据线之间。例如，如图3中所图示的，第二行R2中包括的像素电极PE分别位于第二列C2、第四列C4和第六列C6中。换言之，沿第二行R2布置的像素电极PE可分别位于第二数据线DL2与第三数据线DL3之间、第四数据线DL4与第五数据线DL5之间，以及第六数据线DL6与第七数据线DL7之间。然而，偶数行中的像素电极PE的最外侧的像素电极PE可位于数据线与第一基板301的边缘之间。
尽管未图示，但奇数行(R1、R3和R5中之一)中包括的像素电极PE可位于偶数列(C2、C4和C6)中，且偶数行(R2、R4和R6中之一)中包括的像素电极PE可位于奇数列(C1、C3和C5)中。在这样的示例性实施例中，沿奇数行布置的像素电极PE位于第2x数据线与第(2x+1)数据线之间，且沿偶数行布置的像素电极PE位于第(2x-1)数据线与第2x数据线之间。
每个像素PX可连接至相对侧的数据线之一。例如，如图3中所图示的，每个像素PX可连接至位于该像素PX左侧的数据线。像素PX可通过TFT连接至数据线。
两个相邻行中一行的像素电极PE可不位于两个相邻行中另一行的两个相邻像素电极PE之间。例如，在图3中，第二行R2和第二列C2中的像素电极PE定义为第一像素电极，位于第一行R1和第一列C1中的像素电极PE定义为第二像素电极，并且位于第一行R1和第三列C3的像素电极PE定义为第三像素电极，第一像素电极的每部分都不位于第二像素电极与第三像素电极之间。
这样，由于相邻像素电极PE在对角线方向上彼此相邻，且两个相邻行中一行的像素电极PE不位于两个相邻行中另一行的两个相邻像素电极PE之间，因此，彼此相邻且分别位于不同行中的像素电极PE之间的距离可增大。相应地，一个像素PX中的电场和液晶分子的运动可最小化地影响与所述一个像素PX相邻的另一像素PX中的电场或液晶分子的运动。
在图3中，像素电极PE上的参考字符R表示包括该像素电极PE的像素PX可以是用于显示红色的红色像素R，像素电极PE上的参考字符G表示包括该像素电极PE的像素PX可以是用于显示绿色的绿色像素G，并且像素电极PE上的参考字符B表示包括该像素电极PE的像素PX可以是用于显示蓝色的蓝色像素B。
共同连接至一条栅极线并彼此相邻的三个像素PX可构成一个主像素。例如，在图3中，共同连接至第一栅极线GL1且彼此相邻的红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B可构成一个主像素。
如图3和图4中所图示的，滤色器354与透光区151中的像素电极PE重叠并具有比像素电极PE的面积大的面积。在这样的示例性实施例中，滤色器354可具有像素电极PE的面积的约两倍到约三倍的面积。例如，在图3中，当第一行R1和第三列C3中的像素电极PE定义为第一像素电极时，与第一像素电极重叠的滤色器354定义为第一滤色器，第一滤色器具有第一像素电极的面积的约两倍到约三倍的面积。在这样的示例性实施例中，第一滤色器可以是蓝色滤色器354B。
在行方向上彼此相邻的滤色器354之间的重叠部分OL可不位于像素电极PE上，而是位于另一像素PX的栅电极GE上。亦即，滤色器354之间的重叠部分OL可位于与滤色器354中的相应滤色器重叠的像素电极PE之间的阻光区152中。
例如，在与第2k(k是自然数)行中的像素电极PE重叠的滤色器354之间的重叠部分OL可位于阻光区152中，在该阻光区152中，放置有与第2k行的像素电极PE相邻且连接至第(2k-1)行中的像素电极PE的TFT。例如，在图3中，当第一行R1和第三列C3中的像素电极PE定义为第一像素电极，第二行R2和第二列C2中的像素电极PE定义为第二像素电极，第二行R2和第四列C4中的像素电极PE定义为第三像素电极，并且与第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极重叠的滤色器354分别定义为第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器时，第二滤色器和第三滤色器的重叠部分OL可位于连接至第一像素电极的TFT所位于的阻光区152中。在这样的示例性实施例中，第一滤色器是蓝色滤色器354B、第二滤色器是绿色滤色器354G且第三滤色器是红色滤色器354R。
根据示例性实施例的重叠部分OL的宽度小于阻光区152的宽度。例如，重叠部分OL的宽度可以在约1μm到约2μm的范围中，且阻光区152的宽度可以在约2.5μm到约3.0μm的范围中。相应地，即使在滤色器354与像素电极PE之间发生不对准，滤色器354的重叠部分OL也可位于阻光区152中而不位于透光区151中。因此，重叠部分OL的宽度以及滤色器354R和354G的放置基本防止混色或从显示设备漏光。
将参照图5A和图5B具体描述像素电极PE、滤色器354和阻光层376的布置。
参照图5A，第二行R2和第二列C2中的像素电极PE定义为第一像素电极PE1，并且与第一像素电极PE1相邻且位于两个不同行中的四个像素电极PE分别定义为第二像素电极PE2、第三像素电极PE3、第四像素电极PE4和第五像素电极PE5。亦即，第一行R1和第一列C1中的像素电极PE可称作第二像素电极PE2，第一行R1和第三列C3中的像素电极PE可称作第三像素电极PE3，第三行R3和第一列C1中的像素电极PE可称作第四像素电极PE4，并且第三行R3和第三列C3中的像素电极PE可称作第五像素电极PE5。另外，与第一像素电极PE1、第二像素电极PE2、第三像素电极PE3、第四像素电极PE4和第五像素电极PE5重叠的滤色器354分别定义为第一滤色器、第二滤色器、第三滤色器、第四滤色器和第五滤色器。在这样的示例性实施例中，第一滤色器可以是绿色滤色器354G，第二滤色器和第四滤色器可以是红色滤色器354R，并且第三滤色器和第五滤色器可以是蓝色滤色器354B。
在这样的示例性实施例中，两个相邻行中一行中的像素电极PE的宽度小于与该像素电极PE相邻的两条数据线DL之间的距离。数据线DL之间的距离可定义为沿数据线DL的中心延伸的虚拟直线之间的距离D1。例如，如图5A中所图示的，第一像素电极PE1的宽度W1小于第二数据线DL2和第三数据线DL3之间的距离D1。
另外，滤色器354可与像素电极PE重叠，并可具有比两条数据线DL之间的距离大的宽度W2。例如，如图5A中所图示的，第一像素电极PE1可与第一滤色器354G重叠，并且第一滤色器354G的宽度W2大于第二数据线DL2和第三数据线DL3之间的距离D1。在这样的示例性实施例中，第一滤色器354G的宽度W2可以是第二数据线DL2与第三数据线DL3之间的距离D1的约1.3倍到约2.5倍。
另外，在行方向上彼此相邻的滤色器354之间的重叠部分OL可不位于像素电极PE上，而位于另一像素PX的栅电极GE上。亦即，滤色器354之间的重叠部分OL可以位于与滤色器354中的相应滤色器重叠的像素电极PE之间的阻光区152中。例如，如图5A中所图示的，第二滤色器354R与第三滤色器354B之间的重叠部分OL可不位于第二像素电极PE2和第三像素电极PE3上，而在阻光区152中。类似地，第四滤色器354R与第五滤色器354B之间的重叠部分OL可不位于第四像素电极PE4与第五像素电极PE5上，而在阻光区152中。
参照图5B，阻光层376位于透光区151之外的其余区域处。亦即，阻光层376可以位于与栅极线GL和数据线DL重叠的区域中。在示例性实施例中，尽管未示出，但可在与数据线重叠的区域中省略阻光层376。
在根据示例性实施例的显示设备中，滤色器354中的相邻滤色器的重叠部分OL与相邻透光区151之间的阻光层376重叠，并且相应地，即使在滤色器354与像素电极PE之间发生不对准，也可基本防止识别到混色或漏光。
图6是图示根据可替代示例性实施例的显示设备的一部分的视图，并且图7是沿图6的线III-III'截取的剖视图。
图6中图示的多个像素PX中的每一个可具有与以上描述的图1的像素PX的结构基本相同的结构。亦即，图6中的每个像素PX可具有与图1中图示的像素PX的平面和剖面结构基本相同的平面和剖面结构。
特定列中的像素PX具有与另一列中的像素PX的形状相对的形状。例如，如图6中所图示的，偶数列(C2、C4和C6中之一)的像素PX具有与奇数列(C1、C3和C5中之一)的像素PX的形状相对的形状。例如，奇数列中的像素PX中的每一个具有与以上描述的图1中图示的像素PX的形状基本相同的形状，并且偶数列中的像素PX中的每一个具有关于图1中图示的像素PX的形状翻转180度的形状。相应地，连接至第2k行中的像素电极PE的TFT位于与第2k行中的该像素电极PE相邻并位于第(2k-1)行中的两个像素电极PE之间。例如，在图6中，当第二行R2和第二列C2中的像素电极PE定义为第一像素电极，第一行R1和第一列C1中的像素电极PE定义为第二像素电极，且第一行R1和第三列C3中的像素电极PE定义为第三像素电极时，连接至第一像素电极的TFT位于第二像素电极与第三像素电极之间。
在根据如图7所图示的可替代示例性实施例的显示设备中，阻光层376位于第一基板301上。亦即，显示设备可具有阵列上黑矩阵(BOA)结构，在该结构中，TFT和阻光层376位于基本相同的基板上，从而可基本最小化第一基板301和第二基板302之间的粘合缺陷，并可简化制造工艺。
除TFT和阻光层376的位置外，图6和图7中图示的显示设备可与图3和图4中图示的显示设备基本相同，因此与图6和图7中图示的组件相关的描述将参照图1、图2、图3、图4、图5A和图5B以及它们相关的描述。
如本文以上所阐述的，根据一个或多个示例性实施例，通过将滤色器重叠部分设置在TFT和栅极线所位于的阻光区中，可基本防止发生混色或漏色。
尽管已在本文中描述了特定示例性实施例和实施方式，但其他实施例和修改从本描述中将是显而易见的。相应地，本发明构思不限于这样的实施例，而是限于给出的权利要求以及各种明显的改变和等同布置的较宽范围。

Claims (15)

1.一种显示设备，包括：
设置为彼此面对的第一基板和第二基板；
设置在所述第一基板上的栅极线和第一数据线；
连接至所述栅极线和所述第一数据线的薄膜晶体管；
连接至所述薄膜晶体管的像素电极；以及
设置在所述第一基板和所述第二基板中至少之一上的滤色器，所述滤色器与所述像素电极重叠，
其中所述滤色器具有比所述第一数据线与设置为与所述第一数据线相邻的第二数据线之间的距离大的宽度。
2.如权利要求1所述的显示设备，其中所述滤色器具有是所述第一数据线与所述第二数据线之间的所述距离的1.3倍到2.5倍的宽度。
3.如权利要求2所述的显示设备，其中所述滤色器之间的重叠部分不位于所述像素电极上。
4.如权利要求2所述的显示设备，其中所述滤色器之间的重叠部分位于另一像素的栅电极上。
5.如权利要求1所述的显示设备，其中一行中的两个相邻滤色器具有与和所述两个相邻滤色器相邻且位于另一行中的滤色器的颜色不同的颜色。
6.如权利要求1所述的显示设备，进一步包括阻光层，所述阻光层位于所述第一基板和所述第二基板中至少之一上，并与所述栅极线重叠。
7.如权利要求1所述的显示设备，进一步包括阻光层，所述阻光层位于所述第一基板和所述第二基板中至少之一上，并与所述第一数据线和所述第二数据线重叠。
8.如权利要求1所述的显示设备，其中奇数行和偶数行中之一的像素电极位于奇数列中，并且
所述奇数行和所述偶数行中另一个的像素电极位于偶数列中。
9.如权利要求8所述的显示设备，其中两个相邻行中一行的像素电极不位于所述两个相邻行中另一行的两个相邻像素电极之间。
10.如权利要求8所述的显示设备，其中分别连接至第2k-1行中的像素电极的薄膜晶体管和分别连接至第2k行中的像素电极的薄膜晶体管共同连接至一条栅极线，并且其中所述k是自然数。
11.如权利要求8所述的显示设备，其中连接至第2k-1行中的像素电极的薄膜晶体管位于与所述第2k-1行中的所述像素电极相邻且位于第2k行中的两个像素电极之间，并且其中所述k是自然数。
12.如权利要求8所述的显示设备，其中连接至第2k行中的像素电极的薄膜晶体管位于与所述第2k行中的所述像素电极相邻且位于第2k-1行中的两个像素电极之间，并且其中所述k是自然数。
13.如权利要求1所述的显示设备，其中所述栅极线具有之字形状。
14.如权利要求1所述的显示设备，其中所述第一数据线和所述第二数据线中的每一条具有之字形状。
15.如权利要求1所述的显示设备，其中：
所述像素电极位于透光区中，
所述薄膜晶体管和栅电极位于阻光区中，并且
所述透光区与所述阻光区之间的面积比在3:7到4:6的范围中。
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