CN1075651C - 自旋阀磁电阻元件及应用该元件的磁存贮系统 - Google Patents

自旋阀磁电阻元件及应用该元件的磁存贮系统 Download PDF

Info

Publication number
CN1075651C
CN1075651C CN95105053A CN95105053A CN1075651C CN 1075651 C CN1075651 C CN 1075651C CN 95105053 A CN95105053 A CN 95105053A CN 95105053 A CN95105053 A CN 95105053A CN 1075651 C CN1075651 C CN 1075651C
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
mentioned
ferromagnetic
ferromagnetic layer
sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN95105053A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1124866A (zh
Inventor
罗伯特·E·方塔纳
林珊
宋钦华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of CN1124866A publication Critical patent/CN1124866A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1075651C publication Critical patent/CN1075651C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
    • G11C11/15—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements using multiple magnetic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/80—Constructional details
    • H10N50/85—Magnetic active materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Abstract

本发明为一种改进的旋转阀(SV)磁阻元件，它有一铁磁层，该铁磁层有一带有明确边缘的中央活跃区域和端部区域。在铁磁材料的端部区域形成一层最好是镍-锰(Ni-Mn)合金的反铁磁材料，并且相接触，以便与端部区域交互耦合，从而为其磁化提供纵向偏置。SV元件中的固定铁磁层是通过与一层最好是铁-锰(Fe-Mn)合金的反铁磁材料交互耦合来固定的，该材料与端部区域上的反铁磁材料具有完全不同的内尔温度。

Description

自旋阀磁电阻元件及应用该元件的磁存贮系统
本发明涉及一种以自旋阀效应为基础来感应磁场的磁电阻(MR)传感器以及制造这种传感器的方法和含有这种传感器的磁存贮系统。
磁电阻传感器根据由磁性材料制成的读出元件的磁电阻变化对磁场信号进行检测，磁电阻是被读出元件检测的磁通量的强度和方向的函数。常规的磁电阻传感器是根据读出元件的磁电阻分量随读出元件的磁化强度和通过该读出元件检测电流的方向夹角余弦的平方而变化的各向异性的磁电阻效应(AMR)进行工作的。记录的数据可以从一个磁载体中读出，因为来自于被记录的磁载体(信号场)的外部磁场引起读出元件磁场方向的变化，磁场方向的变化又引起读出元件的阻抗和相应的被检测的电流和电压的变化。
另一种不同的并且更显著的被称为巨磁电阻(GMR)的磁电阻在各种磁多层结构中被观察到，其主要特征是具有至少被非铁磁金属层分开的两个铁磁金属层。这种巨磁阻效应已在多种系统中发现，例如铁/铬或钴/铜多层系统，象在磁场沿着两个铁磁层中被固定或锁住的一层方向的基本非耦合层状结构中的情况一样，显示了很强的对铁磁层的反铁磁性耦合特性。在所有结构中，物理变化的原因都是相同的：外部磁场的作用引起了相临铁磁层磁化的相对方向变化，这又引起与自旋相关的传导电子的扩散变化，从而导致这一结构电子阻抗的变化。因此，这个结构的阻抗随着这个铁磁层磁化相对方向的变化而变化。
巨磁阻的一个特别有用的用途是三明治结构，包括由一个非磁性铁垫圈层隔开的两个基本非耦合铁磁层，铁磁层中一层的磁化方向被固定。这种固定可以通过把这个铁磁层固定么一个反铁磁性的铁-锰层上，以使这两个相临层相互耦合实现。没有固定或“自由”的铁磁层也可能将其延展部位(即位于中央活跃感应区的任意一边上的自由层部份)予以固定，但其方向与被固定层的磁化方向垂直，这样只有自由层中央活跃区的磁化强度随外部场的变化而自由变化。自由层延伸的磁化强度也可以通过相互耦合到一个反铁磁层而固定。但是，用在这里的反铁磁性材料必须与用在固定层的铁-锰反铁磁性材料不同，产生的这种结构是一个自旋阀(SV)磁阻传感器，其中只有自由铁磁层随着外部磁场的变化而任意变化。授予IBM的美国专利5159513公开了一个传感器，其中铁磁层至少有一层含有钴或一种钴合金，并且通过使固定的铁磁层和一个反铁磁层相互耦合使外部作用磁场为零而使这两个铁磁层的磁化方向大体保持互相垂直。同样是授予IBM的美国专利5206590公开了一个基本自旋阀传感器，其自由层是一个具有中央活跃区和终止区的连续薄膜，自由层的终止区通过相互耦合到一种反铁磁性材料而相互施加偏压，固定层通过相互耦合到一个不同类型的反铁磁性材料而被固定。在590专利中描述的自旋阀传感器存在难以生产制造的缺点。如果使用相减生产技术，很难对传感器的顶层和到自由层进行精确的分解而又不危及或使自由层变薄。自由层也可是几层的组合，包括厚度只有几埃的薄层，因此自由层状结构的顶层在分解时可能是危险的。如果使用相加生产技术，不可能在一种真空过程中叠放全部的自旋阀层以使自由层和隔离层界面的完整性得到妥善解决。
1993年7月13日提交的相关申请08/090714描述了一个巨磁阻传感器，在那里由于终止区被反铁磁层纵向施加了偏压，磁阻元件有与中央传感区相连的不连续的终止区。
本发明的目的在于提供一种具有用于与反铁磁层相耦合的端部区域被改进的自由铁磁层的自旋阀传感器(下文中亦称为“SV传感器)”，制造该传感器的方法以及包含该传感器的磁记录系统。
在本发明公开的改进的SV传感器、制造该传感器的方法以及包含该传感器的磁记录系统中，SV传感器中的自由铁磁层只在传感器的中央活跃感应区域存在，它有一个与端部区域相临的明确边界。端部区域由一个铁磁层和一个反铁磁层形成，位于端部区域的铁磁层与传感器中央活跃区域的自由层绝然不同。这些铁磁层并不需要具有相同的组成、厚度或磁矩。最好是由镍-锰合金制成的反铁磁材料层在端部区域的铁磁材料上形成，并与其相接触，用于与端部区域相互耦合以给它们提供磁化的纵向偏压。SV传感器中的固定铁磁层通过与反铁磁材料的不同层相互耦合来定位，这个反铁磁材料最好是铁-锰合金，该铁磁材料与位于端部区域的反铁磁材料具有完全不同的奈尔温度。
在制造传感器的过程中，对构成中央传感区域的层进行图形腐蚀来限定具有确定磁道宽度的中央传感区域。接着将另外的铁磁材料以某种方式放在自由层中央区域的侧面的衬底上，以靠近自由层中央区域的边界。镍-锰自由层放在端部区域的铁磁材料上。传感器随后在施加磁场的情况下在锻烧炉中加热到使镍-锰磁化可被固定，并且与铁磁端部区域的磁化不同。冷却后，传感器在炉中旋转90度，并加热到镍-锰的奈尔温度以上，以使镍-锰的磁化固定，从而使其与固定的铁磁层的磁化不同。
本发明的技术效果在于：本发明能使自旋阀传感器的端部与中央活跃区域分离地或者独立地形成，从而使中央区域的活跃层在传感器的制造过程中不致于被损坏。
为了使读者对本发明的特性和优点有更好的理解，下面我们将结合附图进行详细的描述。
图1是根据本发明与SV传感器一起使用的磁记录磁盘驱动器的简化框图。
图2是去掉盖子后的图1的磁盘驱动器的俯视图。
图3是现有技术的SV传感器的部件分解透视图，示出了端部区域相互耦合到反铁磁层的连续自由层。
图4是从磁盘所看到的图3的现有技术SV传感器的示意图，它也示出了顶层和电导线。
图5是从磁盘看到的本发明的SV传感器的示意图。
图6A-6D示出了制造图5的SV传感器的步骤。
虽然本发明的SV传感器是与磁记录磁盘驱动器一起来描述的，如图1所示，但本发明也可以用于其他磁记录系统(如磁带记录系统)，也适用于磁阻元件起位元作用的磁随机存取存储系统。
图1示出了采用MR传感器的那一类的现有技术磁盘驱动器的剖面示意简图，该磁盘驱动器含有一个底座10，磁盘驱动器电机12、传动装置14和盖11固定在底座上。底座10和该盖11为该磁盘驱动器提供了一个完整的密封箱。特别是在底座10和盖11之间装有一个密封圈13和一个小通气孔(未示出)，用来平衡该磁盘驱动器内部和外部环境的压力。磁记录磁盘16通过轴毂18与驱动电机12相连，通过驱动电机12的转动带动其转动。一层薄润滑薄膜50保持在磁盘16的表面。读/写头或转换器25被安装在托架(例如一个空气支撑滑块)的从动端，转换器25可以是一个感应读和写转换器或一个将要描述的具有SV读元件那种类型的感应写元件。滑块20通过坚固的臂22和悬架24与传动装置相连，悬架24提供一个偏力推动在记录磁盘16上的滑块20。在磁盘驱动器工作期间，驱动电机12以固定速度带动磁盘16旋转。传动装置14一般为一个线性或旋转音圈电机(VCM)使滑块20沿径向在磁盘16的表面移动，从而使读/写头可以对磁盘16的不同磁道进行读写。
图2是去掉盖11的磁盘驱动器的内部俯视图，如图中详细所示，悬架：24提供一个力到滑块20以推动磁盘16，悬架可以是常规的如IBM美国专利4167765中描述的众所周知的Watrous悬架，这种类型的悬架也为滑块提供了万向架装置，使滑块座落在空气支撑面上时倾斜和转动，通过转换器25从磁盘16上检测到的数据，通过安装在臂22上的集成电路芯片15中的信号放大器和运算电路处理为一个数据读回信号，来自转换器25的这个信号通过电缆17传到芯片15，再通过电缆19把信号送出。
上面借助图1和图2对一个典型的磁记录磁盘驱动器的描述仅仅是为了说明的目的。很明显，磁盘驱动器可以包含大量的磁盘和转换器，每个转换器可以支撑许多滑块。此外，除空气支撑滑块，读/写头的托架可以是一个使头与磁盘相接触或靠近的托架，例如以液体支撑或其他接触记录磁盘驱动器。
现有技术的SV传感器30示在图3中。形成完整传感器的薄膜覆在适当的衬底31上，SV传感器30可以构成图1和图2磁盘驱动器系统的转换器25的部分，衬底31可以是头托架或滑块20的从动端。
底层或缓冲层33装在衬底31上，接着是软铁磁材料的第一薄层，接着是一个薄的非铁磁性金属隔离层37，接着是第二铁磁材料薄层，再就是具有较高电阻并直接与铁磁层39接触的相互偏磁材料的薄层41，它装在铁磁层35的上面，然后，对37、39、41层的端部进行浸蚀处理，其预定的宽度总是与磁介质，例如磁盘16，的数据磁道的宽度相对应，然后，反铁磁层42、43直接装在铁磁层35的中央活动传感区36两侧的延伸部位52、53上。用于防腐的顶层和分布在42、43层的电导线在图3中没有示出。
当不存在来自记录磁盘16的外部磁场作用时，两层铁磁材料35、39的磁化被相互定位在一个角度上，最好是90度，分别如箭头32和38所示。铁磁层35被称为“自由”铁磁层，因为在其中部区域36的磁化能响应外部作用的磁场(如图3所示的磁场h)来旋转其方向，如层35上的虚线箭头所示。铁磁层39被称为“固定”铁磁层，因为其磁化方向被固定在一个最佳位置，如箭头38所示。层41通过交互耦合来提供一个偏置磁场，由此将铁磁层39的磁化固定在最佳方向(箭头38)，这样在存在强度在磁盘16的信号磁场范围内的外部磁场作用时，它不会转动其方向。与此类似，层42、43通过交互藉合到自由铁磁层35的延伸部位52、53来提供纵向偏压。这保证了在不存在外部磁场作用时自由铁磁层35的中央敏感区的磁化一般被保持与固定铁磁层39的磁化垂直。
图4示出了从磁盘16的表面看去所看到的图3的结构，图中示出了覆盖层44和与传感器30电性相连的被组成图案的电线柱45、46。图4也将自由层35示为一种连续薄膜，它具有中央活跃感应区36，如虚线之间的部分所示，和位于中央区域36两侧的端部区域或延伸部位52、53。位于区域36的任意一边的自由层35的延伸部位52、53分别被反铁磁交换层42和43纵向偏置。采用反铁磁交互耦合层41和42、43是分别将铁磁层39和自由层35的延伸部位的磁化定位的最佳方法。交互偏置层41和42、43通常由适当的反铁磁材料制成，如铁-锰或镍-锰合金。但是用于层41的反铁磁材料必须与用于层42、43的不同，这是因为层41的磁化必须与层42、43的磁化垂直。在加工过程中，反铁磁材料受到一个磁场作用，并同时被加热到一个特定的极限温度来定位它的磁化。必须选择不同的反铁磁材料，以便当一种材料被加热到它的温度来定位其磁场时，这一温度将位于另一材料的极限温度之下，它的磁化不会受到影响。
采用持续薄膜自由铁磁层，其中中央敏感区域和延伸区域或端部区是该持续薄膜的一部分，在制造SV传感器时有一些缺点，主要问题是还原浸蚀隔离层37、固定铁磁层39和交互偏置区41的端部区域，而又不腐蚀或人为减小自由铁磁层端部区域52、53的厚度的能力。大多数浸蚀技术，如离子研磨或溅蚀，具有10％的均匀去除特性。必须被去除的三层中，一般来说隔离层的厚度为25埃，固定铁磁层的厚度为60埃，交互层的厚度为150埃，或总厚度为大约250埃。由于10％的材料去除的不确定性，通常厚度为50埃的自由层能够在厚度上被减少50％，变为25埃。这会消除端部区域52、53的纵向偏置，因为包含在端部区域的净磁矩应该与传感器的中央活跃区域36的净磁矩相差不大，以产生稳定的偏置状况。另外可以利用迭加技术解决现有技术旋转阀的制造，这种情况下，在放好自由铁磁层后，光敏抗腐剂可以通过传感器中央活跃区域的孔涂在自由层上，然后隔离层、固定铁磁层和交互层可以放在光敏抗腐剂和自由层的其他区域上，然后通过使光敏抗腐剂溶解把材料从自由层上卸下，这种迭加技术需要两次分离沉积来形成传感器的中央活跃区域，特别是在自由铁磁层和隔离层之间的界面要采取两次分离沉积步骤，与单一真空环境下形成的更为理想的界面相比，这个界面的质量下降了。差的界面导致传感器的较低阻抗变化，在端部区域和传感器活跃区域连续自由层的应用使对这些区域不能使用单独的和不同的铁磁材料。某些情况下，利用不同的镍-铁结构使交互范围最大，在端部区域比在中央区域更有优势。某些情况下，铁磁材料具有不同的厚度(或不同的净磁矩)，端部区域比中央区域也可能具有优势。
上述描述的实施例是对用在磁记录系统中的SV传感器而言的，例如磁盘驱动器，然而，本发明的SV元件也适用于在磁随机存储系统中使用。在这个实施例中，SV元件起一个位元的作用，自由层和固定层的磁化将沿逆平行而不是垂直方向排列。
根据本发明提供的旋转阀结构的最佳实施例示于图5，象图4现有技术传感器一样，图5所示的SV传感器60是从磁媒体，如磁盘16看上去的样子。在衬底61上形成一层作为缓冲层62的钽(Ta)，接着在缓冲层上形成一层镍-铁自由铁磁层，再接着是铜间隔层。自由层中的镍-铁的成分在Ni80Fe20至Ni85Fe15范围之间。在间隔层65上形成一铁磁固定层70，接着是铁-锰反铁磁层66，以与铁-锰固定层70交互耦合。在铁-锰层66上形成一个覆盖层67。在没有外部磁场作用时，自由层的磁化被定位在箭头64的方向。固定层70通过它与反铁磁层66的交互耦合将其磁化定位在箭头71(进入图5的纸内)的方向。层62、63、65、70、66和67有一个由边缘93、94限定的宽度，该宽度被选择为磁媒体需要的磁道宽度。由于这一宽度在微米(10,000埃)范围，而层的厚度在10-100埃范围，为了清楚地示出传感器薄膜，图5没有按比例示出。
在自由层的两侧形成一个镍-铁层90，并且紧靠边缘94，镍-锰层91在层90上构成并相接触，并与层90交互耦合，以使端部区域的镍-铁的磁化被大致保持在与箭头64平行的方向。因此，自由层63和层90的侧端或伸展部位构成了SV传感器的第一铁磁层。当存在来自磁媒体的磁场作用时，层63的磁化能自由地旋转，同时层90的端部区域大致保持固定。在层91上构成一层传导材料，作为SV传感器60的电接头。虽然在图5的实施例中自由层63比固定层70更靠近衬底61，但也可以采用相反的方式来构成SV传感器，即固定层更靠近衬底，在这种结构中，用于定位固定层70的反铁磁层66放在衬底61和固定层70之间。镍-锰层91和镍-铁层端部区域90也可以互换，使反铁磁层91先沉积，铁磁层90后沉积。
图5也示意性地示出了连接SV传感器和磁记录系统中的传感电路的装置。电接头92用于提供SV传感器60与电源82和传感装置84之间的电通路。当自由铁磁层63的磁化响应从磁记录媒体施加的磁信号而旋转时，该磁信号被检测电阻变化的传感装置所感应。
制造SV传感器60的步骤将结合附图6A-6D来进行描述。如图6A所示，在一次单一抽气过程中，将若干层第一次溅蚀放置在衬底61上。衬底61可以是玻璃、半导体材料或陶瓷材料，如用于传统滑块的三氧化二铝/碳化钛陶瓷材料。在衬底61上次序形成的薄膜包括一个50埃的钽底层或缓冲层62，一个60埃的强铁磁性铁-镍合金自由铁磁层63，一个25埃的铜间隔层65，一个80埃的强铁磁性铁-镍合金固定铁磁层70，一个用于定位固定层70的150埃的铁-锰交互偏置层，以及一个100埃的钛覆盖层67。
接着，如图6B所示，将光敏电阻74布置在这些层上形成一个矩形区域，对这些层进行离子研磨，将光敏电阻移走。
接着，如图6C所示，将光敏电阻层75布置在这些层上，其宽度相应于SV传感器需要的磁道宽度。光敏电阻层75具有双层特性，并带有一个切槽，该切槽使端部区域金属层可以次序卸下，并使端部区域金属可以稍微超覆覆盖层67。
如图6D所示，这些层中没有被光敏电阻层75保护的其余部分被离子研磨侵蚀或移走。由于离子研磨的均匀性通常为10％，离子研磨的时间被选择为大于移走这些层所需总时间的10％。离子研磨侵蚀的终止点在衬底上，因此端部区域的所有材料都被移走。从图6D可以看出，为了移走端部区域中的所有材料，离子研磨要稍微深入到衬底61中。接着，如图6E所示，放置一层铁磁材料90，该材料通常为镍-铁合金，但不必与SV传感器的中央活跃区域中的镍-铁合金具有同样的成分，随后放置300埃的镍-锰合金作为交互偏置层91，再放置一系列层作为电接头层92。层92最好由一系列喷溅放置的钛、金和钛层构成。层90、91、92也覆盖光敏电阻层75。铁磁自由层63是带有被隔开以形成SV传感器60的磁道宽度的边缘93、94的中央活跃感应区，层90被镀成一定的厚度，以使层90的净磁矩比自由层63的净磁矩大10-30％左右，因此，如果层90和层63是以同样的材料构成，那么层90的厚度应比层63厚约10-30％。反铁磁层91随后顺序码放到层90上，最好是在同样的抽真空程序下进行。
光敏电阻层75随后被熔化，移动覆盖层并留下图6F所示的传感器结构。
层90也可以由不同于自由层63的铁磁材料构成，在一些应用中，自由层镍-铁结构对磁致伸缩来说是最佳的，但该结构不必对镍-锰交互结构最佳。在某些应用中，活跃区域中的自由层可以不是镍-铁，而是镍-铁/钴层状结构，在这种情况下，铁磁层90也不必是镍-铁/钴层状结构，而是可以采用镍-铁层。端部区域稳定的条件是端部区域铁磁层的净磁矩大于中央活跃区域的自由铁磁层的净磁矩或等于其10-30％。
纵向偏置SV传感器紧凑作法的优势，在于实施和材料上的灵活性。紧凑作法可以将传感器端部区域的所有层移去，并使铁磁层和交互层在一个次序真空周期内沉积好。紧凑做法对铁磁层的厚度和材料进行修整，从而使铁磁/反铁磁层的交互强度最佳。
图6G是图6F沿G-G方向的俯视图，它示出了在衬底61上完整构成SV传感器60的方式，光阻层70(图6B)确定了传感器60的边缘100和101，光敏电阻层-75(图6E)确定了传感器60的边缘93和94，尾部或端部区域的顶层是层92，即接线材料层，传感器区域的顶层是层67，即覆盖曾层，在移走电阻层75后，传感器60通过在衬底上喷镀大约0.5微米的铝来密封。
铝密封传感器60随后被放在一个煅烧炉中，在有外部磁场的情况下被加热到大约240度，传感器在炉中的定位使得作用磁场位于箭头64(图5)所指的方向。镍-锰层91在室温下没有反铁磁性，但在加热时变为反铁磁，它的磁化按镍铁层90的磁化方向调准，而后者是按作用磁场来调准的。这一方向大致与自由层63的中央区域的磁化方向64平行。冷却后，镍-铁层91的磁化被永久性确定，并且在端部区域为层90提供反铁磁交互耦合，从而这些端部区域被永久性地磁化在箭头64所指的方向。
冷却后，传感器在同一煅烧炉中被旋转90度。与镍-锰不同的是，铁-锰层66溶敷时是反铁磁性的。然而，它的磁化必须重新调整，以便它能与固定层70耦合在合适的方向。将炉中的温度提高到大约180度，这一温度大于铁-锰的内尔温度，在该温度下，铁-锰不再是反铁磁的，并且没有磁化历史，从而当随后冷却时，它的磁化在适当的方向增长。由于作用的磁场被平行于固定层70的磁化方向定位，铁-锰层66的磁化也按该方向调准。来自煅烧炉的作用磁场将固定层70准备在合适的方向71(图5)，当随后冷却到铁-锰的内尔温度之下时，铁-锰的磁化按固定层70的磁化方向调准，结果铁-锰层66构成了反铁磁交互耦合层，以固定固定层70的磁化方向。因此，在存在感应磁场作用时，固定层70的磁化不会旋转。由于镍-锰的内尔温度大约为450度，远远大于铁-锰的160度内尔温度，镍-锰层91的磁化方向将不会受到影响，并保持与镍-铁层90和63的磁化方向平行。
虽然本发明是结合最佳实施例来进行描述的，但本领域的技术人员会理解到，在不脱离本发明精神的前提下，可以进行许多形式和细节上的变化，因此，所以本发明以权利要求限定的保护范围为准。

Claims (13)

1．一种自旋阀磁电阻元件，包括：
一个衬底；
一个形成在上述衬底上的中央活跃层状结构，该中央活跃层状结构包括：
    一个自由铁磁层，该自由铁磁层在无磁场施加在其上时
具有一个磁化取向；
    一个非磁性金属隔离层，该隔离层与上述自由铁磁层相
邻并与之发生物理接触；
    一个固定铁磁层，该固定铁磁层与上述隔离层相邻并与
之发生物理接触，所述固定铁磁层的磁化方向与上述自由铁
磁层的磁化方向成一个角度；以及
    一个第一类型的反铁磁材料层，该反铁磁材料层被设置
成与上述固定铁磁层相邻并与之发生物理接触，以便固定上
述固定铁磁层的磁化方向；
其特征在于：
上述自由铁磁层、隔离层、固定铁磁层和第一类型反铁磁材料层具有基本相同的宽度和共同的侧面边缘；另外，
上述自旋阀磁电阻元件还包括一个形成在上述基底上的纵向偏置端部区域层状结构，该层状结构紧靠上述的侧面边缘并与之发生物理接触，该层状结构包括：
一个端部区域铁磁层，该端部区域铁磁层在上述的侧面边缘处紧靠上述的自由铁磁层并与之发生物理接触；以及
一个第二类型的反铁磁层，该第二类型反铁磁层具有与上述的第一类型反铁磁层的成分和奈尔温度不同的成分和奈尔温度；上述第二类型反铁磁层形成在上述的端部区域铁磁层上并与之发生物理接触；以便在上述端部区域铁磁层中在纵向上使磁化交互偏置。
2．如权利要求1所述的自旋阀磁电阻元件，其特征在于：上述的第二类型反铁磁层由包含镍和锰的一种合金构成。
3．如权利要求1所述的自旋阀磁电阻元件，其特征在于：上述的第一类型反铁磁层由包含铁和锰的一种合金构成。
4．如权利要求1所述的自旋阀磁电阻元件，其特征在于：上述的第二类型反铁磁层在上述的侧面边缘处紧靠上述的自由铁磁层并与之发生物理接触。
5．如权利要求1所述的自旋阀磁电阻元件，其特征在于：上述的自由铁磁层具有与上述端部区域铁磁层的成份不同的成份。
6．一种磁存贮系统，包括：
一个具有多个用于记录数据的磁道的磁存贮媒体；
一个磁换能器，该磁换能器在与上述磁存贮媒体之间作相对运动时保持着紧靠住上述磁存贮媒体，上述磁换能器包括一个自旋阀磁电阻传感器；
耦合至上述磁电阻传感器的装置，该装置用于检测响应于表示被上述磁电阻传感器所截取的记录在上述磁存贮媒体中的数据位的磁场而引起的上述磁电阻传感器中的电阻变化；
上述的自旋阀磁电阻传感器包括：
一个衬底；
一个形成在上述衬底上的中央活跃层状结构，该中央活跃层状结构包括：
    一个自由铁磁层，该自由铁磁层在无磁场施加在其上时
具有一个磁化取向；
    一个非磁性金属隔离层，该隔离层与上述自由铁磁层相
邻并与之发生物理接触；
    一个固定铁磁层，该固定铁磁层与上述隔离层相邻并与
之发生物理接触，所述固定铁磁层的磁化方向与上述自由铁
磁层的磁化方向成一个角度；以及
    一个第一类型的反铁磁材料层，该反铁磁材料层被设置
成与上述固定铁磁层相邻并与之发生物理接触，以便固定上
述固定铁磁层的磁化方向；
其特征在于：
上述自由铁磁层、隔离层、固定铁磁层和第一类型反铁磁材料层具有基本相同的宽度和共同的侧面边缘；另外，
还包括一个形成在上述基底上的纵向偏置端部区域层状结构，该层状结构紧靠上述的侧面边缘并与之发生物理接触，该层状结构包括：
一个端部区域铁磁层，该端部区域铁磁层在上述的侧面边缘处紧靠上述的自由铁磁层并与之发生物理接触；以及
一个第二类型的反铁磁层，该第二类型反铁磁层具有与上述的第一类型反铁磁层的成分和奈尔温度不同的成分和奈尔温度；上述第二类型反铁磁层形成在上述的端部区域铁磁层上并与之发生物理接触；以便在上述端部区域铁磁层中在纵向上使磁化交互偏置。
7．如权利要求6所述的系统，其特征在于：上述第二类型的反铁磁层由包含镍和锰的一种合金构成。
8．如权利要求6所述的系统，其特征在于：上述第二类型的反铁磁层紧靠上述的自由层中央活跃区域，并与之发生物理接触。
9．如权利要求6所述的系统，其特征在于：
上述中央活跃区域中的铁磁材料的成份不同于上述铁氧体层的端部中的铁磁材料的成份。
10．一种制造自旋阀磁电阻元件的方法，包括以下步骤：
提供一个衬底；
将第一铁磁层放在该衬底上；
将一非磁性金属隔离层直接沉积在该第一铁磁层上，并相互接触；
将第二铁磁层直接放在该隔离层上，并相互接触；
对一反铁磁层直接沉积在该第二铁磁层上，并相互接触，该反铁磁层材料具有第一预定奈尔温度；
在所述预先放置的层的中央区域设置一遮盖物；
对所述预先放置的层从遮盖物外部区域一直侵蚀到衬底；
将第三铁磁层放在衬底上，该第三铁磁层限定了相邻并紧靠第一铁磁层的中央区域的边缘的端部区域；
将一层材料直接放在第三铁磁层上并相接触，该材料在加热时呈现反铁磁性，并且具有第二预定奈尔温度；
将遮盖物移走；
在第一外部磁场施加于第一方向的情况下，将衬底和预先放置的层加热到第一温度，以对在第三铁磁层上形成的层进行反铁磁化；
将衬底和预先放置的层冷却到所述第一温度之下，以永久地使得第三铁磁层和在其上形成的反铁磁层的磁化与所述第一作用磁场匹配；
在第二外部磁场施加于第二方向的情况下，将衬底和预先放置的层加热到介于所述第一和第二奈尔温度之间的一个第二温度；
将衬底和预先放置的层冷却到所述第一奈尔温度之下，以永久地使得所述第二铁磁层和在其上形成的反铁磁层的磁化与所述第二作用磁场匹配。
11．如权利要求10所述的方法，其特征在于在第三铁磁层上放上一层呈现反铁磁性的材料层的步骤包括沉积上一层由镍和锰构成的合金。
12．如权利要求10所述的方法，其特征在于在第二铁磁层上放上一层具有第一预定奈尔温度的反铁磁材料层包括沉积上一层由铁和锰构成的合金。
13．如权利要求10所述的方法，其特征在于在第三铁磁层上沉积上一层呈现反铁磁性的材料的步骤包括将所述层接触并紧靠第一铁层层中央区域的边缘。
CN95105053A 1994-07-26 1995-04-27 自旋阀磁电阻元件及应用该元件的磁存贮系统 Expired - Fee Related CN1075651C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US280967 1994-07-26
US08/280,967 US5528440A (en) 1994-07-26 1994-07-26 Spin valve magnetoresistive element with longitudinal exchange biasing of end regions abutting the free layer, and magnetic recording system using the element

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1124866A CN1124866A (zh) 1996-06-19
CN1075651C true CN1075651C (zh) 2001-11-28

Family

ID=23075403

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN95105053A Expired - Fee Related CN1075651C (zh) 1994-07-26 1995-04-27 自旋阀磁电阻元件及应用该元件的磁存贮系统

Country Status (9)

Country Link
US (1) US5528440A (zh)
EP (1) EP0694788A3 (zh)
JP (1) JPH0845032A (zh)
KR (1) KR100223390B1 (zh)
CN (1) CN1075651C (zh)
BR (1) BR9502918A (zh)
CA (1) CA2148964A1 (zh)
MY (1) MY113475A (zh)
TW (1) TW275667B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101304070B (zh) * 2007-05-07 2010-11-10 佳能安内华股份有限公司 磁阻元件、其制造方法和磁性多层膜制造装置

Families Citing this family (87)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4243357A1 (de) * 1992-12-21 1994-06-23 Siemens Ag Magnetowiderstands-Sensor mit verkürzten Meßschichten
EP0685746A3 (en) * 1994-05-30 1996-12-04 Sony Corp Magnetoresistive effect device having improved thermal resistance.
WO1995035507A1 (en) * 1994-06-18 1995-12-28 The University Of Sheffield Magnetic field responsive device
JPH0887721A (ja) * 1994-09-16 1996-04-02 Tdk Corp 磁気変換素子及び薄膜磁気ヘッド
US5991125A (en) * 1994-09-16 1999-11-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetic head
JP2748876B2 (ja) * 1995-01-27 1998-05-13 日本電気株式会社 磁気抵抗効果膜
JPH08221719A (ja) * 1995-02-16 1996-08-30 Tdk Corp スピンバルブ磁気抵抗ヘッド及びその製造方法
JPH08279117A (ja) 1995-04-03 1996-10-22 Alps Electric Co Ltd 巨大磁気抵抗効果材料膜およびその製造方法とそれを用いた磁気ヘッド
JP3629309B2 (ja) * 1995-09-05 2005-03-16 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッド
US5764445A (en) * 1995-06-02 1998-06-09 Applied Magnetics Corporation Exchange biased magnetoresistive transducer
DE69619166T2 (de) * 1995-06-15 2002-06-20 Tdk Corp., Tokio/Tokyo Magnetoresistiver Wandler mit "Spin-Valve" Struktur und Herstellungsverfahren
US5896252A (en) * 1995-08-11 1999-04-20 Fujitsu Limited Multilayer spin valve magneto-resistive effect magnetic head with free magnetic layer including two sublayers and magnetic disk drive including same
JP3362818B2 (ja) * 1995-08-11 2003-01-07 富士通株式会社 スピンバルブ磁気抵抗効果型トランスジューサ及び磁気記録装置
US5768067A (en) 1995-09-19 1998-06-16 Alps Electric Co., Ltd. Magnetoresistive head using exchange anisotropic magnetic field with an antiferromagnetic layer
EP0768641A1 (en) * 1995-10-09 1997-04-16 TDK Corporation Manufacturing method of magnetic head apparatus with spin valve effect magnetoresistive head
JP3388685B2 (ja) * 1996-04-01 2003-03-24 ティーディーケイ株式会社 磁気ヘッド
JP3520170B2 (ja) * 1996-04-02 2004-04-19 Ｔｄｋ株式会社 複合型薄膜磁気ヘッド
JP2865055B2 (ja) * 1996-05-13 1999-03-08 日本電気株式会社 磁気抵抗効果型感磁素子及びこれを用いた磁気ヘッド
US5739987A (en) * 1996-06-04 1998-04-14 Read-Rite Corporation Magnetoresistive read transducers with multiple longitudinal stabilization layers
JP3291208B2 (ja) 1996-10-07 2002-06-10 アルプス電気株式会社 磁気抵抗効果型センサおよびその製造方法とそのセンサを備えた磁気ヘッド
US5739990A (en) * 1996-11-13 1998-04-14 Read-Rite Corporation Spin-valve GMR sensor with inbound exchange stabilization
US5729410A (en) * 1996-11-27 1998-03-17 International Business Machines Corporation Magnetic tunnel junction device with longitudinal biasing
JP2937237B2 (ja) * 1997-01-22 1999-08-23 日本電気株式会社 磁気抵抗効果ヘッドおよびその初期化方法
JP3735443B2 (ja) * 1997-04-03 2006-01-18 株式会社東芝 交換結合膜とそれを用いた磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドおよび磁気記憶装置
JP3255872B2 (ja) 1997-04-17 2002-02-12 アルプス電気株式会社 スピンバルブ型薄膜素子及びその製造方法
US6118622A (en) 1997-05-13 2000-09-12 International Business Machines Corporation Technique for robust resetting of spin valve head
US5825595A (en) * 1997-05-13 1998-10-20 International Business Machines Corporation Spin valve sensor with two spun values separated by an insulated current conductor
US5748399A (en) * 1997-05-13 1998-05-05 International Business Machines Corporation Resettable symmetric spin valve
JP2985964B2 (ja) * 1997-06-30 1999-12-06 日本電気株式会社 磁気抵抗効果型ヘッド及びその初期化方法
US6038107A (en) * 1997-10-27 2000-03-14 International Business Machines Corporation Antiparallel-pinned spin valve sensor
US6175477B1 (en) 1997-12-05 2001-01-16 International Business Machines Corporation Spin valve sensor with nonmagnetic oxide seed layer
US6141191A (en) * 1997-12-05 2000-10-31 International Business Machines Corporation Spin valves with enhanced GMR and thermal stability
JPH11185223A (ja) * 1997-12-25 1999-07-09 Fujitsu Ltd スピンバルブ・ヘッド及びその製造方法並びにスピンバルブ・ヘッドを使用した磁気ディスク駆動装置
US5920446A (en) * 1998-01-06 1999-07-06 International Business Machines Corporation Ultra high density GMR sensor
US5936293A (en) * 1998-01-23 1999-08-10 International Business Machines Corporation Hard/soft magnetic tunnel junction device with stable hard ferromagnetic layer
US6074767A (en) * 1998-03-12 2000-06-13 International Business Machines Corporation Spin valve magnetoresistive head with two sets of ferromagnetic/antiferromagnetic films having high blocking temperatures and fabrication method
JP3790356B2 (ja) * 1998-03-19 2006-06-28 富士通株式会社 Ｇｍｒヘッド、ｇｍｒヘッドの製造方法及び磁気ディスク駆動装置
US6117569A (en) * 1998-05-27 2000-09-12 International Business Machines Corporation Spin valves with antiferromagnetic exchange pinning and high uniaxial anisotropy reference and keeper layers
US6127053A (en) * 1998-05-27 2000-10-03 International Business Machines Corporation Spin valves with high uniaxial anisotropy reference and keeper layers
US6005753A (en) * 1998-05-29 1999-12-21 International Business Machines Corporation Magnetic tunnel junction magnetoresistive read head with longitudinal and transverse bias
US6023395A (en) * 1998-05-29 2000-02-08 International Business Machines Corporation Magnetic tunnel junction magnetoresistive sensor with in-stack biasing
JPH11354860A (ja) 1998-06-10 1999-12-24 Read Rite Smi Kk スピンバルブ磁気変換素子及び磁気ヘッド
JP2000030223A (ja) 1998-07-08 2000-01-28 Tdk Corp 磁気抵抗効果素子及び薄膜磁気ヘッド
FR2788159B1 (fr) * 1999-01-06 2001-02-09 Information Technology Dev Procede de fabrication d'une tete de lecture planaire miniaturisee a magnetoresistance geante
JP3212567B2 (ja) * 1999-01-27 2001-09-25 アルプス電気株式会社 磁気抵抗効果型薄膜磁気素子を備えた薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP3959881B2 (ja) 1999-02-08 2007-08-15 Ｔｄｋ株式会社 磁気抵抗効果センサの製造方法
US6469878B1 (en) * 1999-02-11 2002-10-22 Seagate Technology Llc Data head and method using a single antiferromagnetic material to pin multiple magnetic layers with differing orientation
US6469877B1 (en) 1999-06-15 2002-10-22 Read-Rite Corporation Spin valve device with improved exchange layer defined track width and method of fabrication
DE60037790T2 (de) * 1999-06-18 2009-01-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Magnetisches messsystem mit irreversibler charakteristik, sowie methode zur erzeugung, reparatur und verwendung eines solchen systems
JP2001014616A (ja) 1999-06-30 2001-01-19 Tdk Corp 磁気変換素子、薄膜磁気ヘッドおよびそれらの製造方法
US6266218B1 (en) 1999-10-28 2001-07-24 International Business Machines Corporation Magnetic sensors having antiferromagnetically exchange-coupled layers for longitudinal biasing
JP2001126219A (ja) * 1999-10-28 2001-05-11 Read Rite Corp スピンバルブ型磁気抵抗センサ及び薄膜磁気ヘッド
US6542341B1 (en) * 1999-11-18 2003-04-01 International Business Machines Corporation Magnetic sensors having an antiferromagnetic layer exchange-coupled to a free layer
US6649254B1 (en) 2000-02-04 2003-11-18 Seagate Technology Llc Compensated crystalline superlattice ferrimagnets
US6856494B2 (en) 2000-03-24 2005-02-15 Alps Electric Co., Ltd. Spin-valve type thin film magnetic element having bias layers and ferromagnetic layers
JP3706793B2 (ja) * 2000-06-20 2005-10-19 アルプス電気株式会社 スピンバルブ型薄膜磁気素子及びその製造方法並びにこのスピンバルブ型薄膜磁気素子を備えた薄膜磁気ヘッド
US6437950B1 (en) * 2000-10-12 2002-08-20 International Business Machines Corporation Top spin valve sensor that has an iridium manganese (IrMn) pinning layer and an iridium manganese oxide (IrMnO) seed layer
US6885527B1 (en) * 2000-10-26 2005-04-26 Headway Technologies, Inc. Process to manufacture a top spin valve
US6570745B1 (en) 2000-11-20 2003-05-27 International Business Machines Corporation Lead overlaid type of sensor with sensor passive regions pinned
US6473279B2 (en) 2001-01-04 2002-10-29 International Business Machines Corporation In-stack single-domain stabilization of free layers for CIP and CPP spin-valve or tunnel-valve read heads
US7050274B2 (en) * 2001-03-15 2006-05-23 Seagate Technology Llc Multilayer permanent magnet films
US6636397B2 (en) 2001-03-20 2003-10-21 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Lead overlay spin valve sensor with antiferromagnetic layers in passive regions for stabilizing a free layer
US6721143B2 (en) * 2001-08-22 2004-04-13 Headway Technologies, Inc. Ferromagnetic/antiferromagnetic bilayer, including decoupler, for longitudinal bias
US6954343B2 (en) 2001-06-12 2005-10-11 Seagate Technology Llc Magnetoresistive sensor having low resistivity dual path conductor and optimized magnetic
US20030002225A1 (en) * 2001-06-29 2003-01-02 Storage Technology Corporation Apparatus and method of making a reduced sensitivity spin valve sensor apparatus in which a flux injection efficiency is reduced
US20030002232A1 (en) * 2001-06-29 2003-01-02 Storage Technology Corporation Apparatus and method of making a reduced sensitivity spin valve sensor apparatus in which a flux carrying capacity is increased
US20030002231A1 (en) * 2001-06-29 2003-01-02 Dee Richard Henry Reduced sensitivity spin valve head for magnetic tape applications
US20030002230A1 (en) * 2001-06-29 2003-01-02 Storage Technology Corporation Apparatus and method of making a reduced sensitivity spin valve sensor apparatus in which a basic magnetic sensitivity is reduced
US6430085B1 (en) 2001-08-27 2002-08-06 Motorola, Inc. Magnetic random access memory having digit lines and bit lines with shape and induced anisotropy ferromagnetic cladding layer and method of manufacture
US6545906B1 (en) 2001-10-16 2003-04-08 Motorola, Inc. Method of writing to scalable magnetoresistance random access memory element
US6805173B2 (en) * 2002-01-11 2004-10-19 Healy Systems, Inc. Vapor space pressure control system for underground gasoline storage tank
JP5027993B2 (ja) * 2002-06-07 2012-09-19 シーゲイト テクノロジー エルエルシー 垂直交換バイアスを有する膜デバイス
US7095646B2 (en) 2002-07-17 2006-08-22 Freescale Semiconductor, Inc. Multi-state magnetoresistance random access cell with improved memory storage density
US7035061B2 (en) * 2002-09-11 2006-04-25 Seagate Technology Llc Magnetoresistive transducer with low magnetic moment, high coercivity stabilizing magnets
US7016166B1 (en) 2002-10-10 2006-03-21 Seagate Technology Llc Mag-tab design for biasing magnetic sensors
CN100394450C (zh) * 2002-10-26 2008-06-11 深圳市华夏磁电子技术开发有限公司 自旋阀巨磁电阻及含有该巨磁电阻的验钞机磁头传感器
US6956763B2 (en) 2003-06-27 2005-10-18 Freescale Semiconductor, Inc. MRAM element and methods for writing the MRAM element
US6967366B2 (en) 2003-08-25 2005-11-22 Freescale Semiconductor, Inc. Magnetoresistive random access memory with reduced switching field variation
US7129098B2 (en) 2004-11-24 2006-10-31 Freescale Semiconductor, Inc. Reduced power magnetoresistive random access memory elements
JP2007218700A (ja) * 2006-02-15 2007-08-30 Tdk Corp 磁気センサおよび電流センサ
JP2007287863A (ja) * 2006-04-14 2007-11-01 Tdk Corp 磁気抵抗効果素子およびその製造方法、ならびに磁気抵抗効果素子集合体、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置
US7461447B2 (en) * 2006-05-05 2008-12-09 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method of fabrication of magnetic head having annealed embedded read sensor
JP2008192632A (ja) * 2007-01-31 2008-08-21 Fujitsu Ltd 磁性薄膜および磁気抵抗効果素子
KR101616046B1 (ko) * 2009-10-05 2016-04-27 삼성전자주식회사 발진기 및 그 동작방법
US9685177B2 (en) * 2015-07-08 2017-06-20 Seagate Technology Llc Sensor stabilization in a multiple sensor magnetic reproducing device
US9704523B1 (en) * 2016-01-07 2017-07-11 Western Digital Technologies, Inc. Slider with tunnel feature
KR102176109B1 (ko) 2018-12-13 2020-11-10 재단법인대구경북과학기술원 교환 바이어스 필드 설정방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0490608A2 (en) * 1990-12-11 1992-06-17 International Business Machines Corporation Magnetoresistive sensor
EP0558237A2 (en) * 1992-02-28 1993-09-01 International Business Machines Corporation Magnetoresistive read transducer having improved bias profile

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4167765A (en) 1978-07-27 1979-09-11 International Business Machines Corporation Transducer suspension mount apparatus
DE3820475C1 (zh) * 1988-06-16 1989-12-21 Kernforschungsanlage Juelich Gmbh, 5170 Juelich, De
US5159513A (en) * 1991-02-08 1992-10-27 International Business Machines Corporation Magnetoresistive sensor based on the spin valve effect
US5329413A (en) * 1992-01-10 1994-07-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistance sensor magnetically coupled with high-coercive force film at two end regions
US5315468A (en) * 1992-07-28 1994-05-24 International Business Machines Corporation Magnetoresistive sensor having antiferromagnetic layer for exchange bias
US5287238A (en) * 1992-11-06 1994-02-15 International Business Machines Corporation Dual spin valve magnetoresistive sensor
US5301079A (en) * 1992-11-17 1994-04-05 International Business Machines Corporation Current biased magnetoresistive spin valve sensor
DE69420789T2 (de) 1993-07-13 2000-04-27 International Business Machines Corp., Armonk Magnetoresistiver Lesewandler

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0490608A2 (en) * 1990-12-11 1992-06-17 International Business Machines Corporation Magnetoresistive sensor
EP0558237A2 (en) * 1992-02-28 1993-09-01 International Business Machines Corporation Magnetoresistive read transducer having improved bias profile

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101304070B (zh) * 2007-05-07 2010-11-10 佳能安内华股份有限公司 磁阻元件、其制造方法和磁性多层膜制造装置

Also Published As

Publication number Publication date
US5528440A (en) 1996-06-18
KR960005450A (ko) 1996-02-23
EP0694788A2 (en) 1996-01-31
CA2148964A1 (en) 1996-01-27
CN1124866A (zh) 1996-06-19
JPH0845032A (ja) 1996-02-16
BR9502918A (pt) 1996-02-27
KR100223390B1 (ko) 1999-10-15
EP0694788A3 (en) 1996-12-04
TW275667B (zh) 1996-05-11
MY113475A (en) 2002-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1075651C (zh) 自旋阀磁电阻元件及应用该元件的磁存贮系统
CN1064132C (zh) 自旋阀磁致电阻传感器及采用此传感器的磁记录系统
JP3180027B2 (ja) スピン・バルブ磁気抵抗センサと、このセンサを使用した磁気記録システム
CN1136540C (zh) 改进的反向平行限定式自旋阀型传感器
JP2786601B2 (ja) 磁気抵抗スピン・バルブ・センサおよびこのセンサを使用した磁気記録システム
US6479096B1 (en) Method for manufacturing a GMR spin valve having a smooth interface between magnetic and non-magnetic layers
US5898549A (en) Anti-parallel-pinned spin valve sensor with minimal pinned layer shunting
CN1057627C (zh) 带有非磁性背层的磁致电阻自旋阀传感器
US6052263A (en) Low moment/high coercivity pinned layer for magnetic tunnel junction sensors
EP0622781B1 (en) Granular multilayer magnetoresistive sensor
US5748399A (en) Resettable symmetric spin valve
US6947264B2 (en) Self-pinned in-stack bias structure for magnetoresistive read heads
US6127045A (en) Magnetic tunnel junction device with optimized ferromagnetic layer
US6219211B1 (en) Current-pinned, current resettable soft AP-pinned spin valve sensor
KR100320896B1 (ko) Ｍｒ 효과 소자 및 ｍｒ 센서, 이를 이용한 ｍｒ 감지 시스템및 자기 기억 시스템
US6358332B1 (en) Method of resetting a spin valve sensor
CN1103195A (zh) 电流偏置磁性旋转阀式传感器
US7092220B2 (en) Apparatus for enhancing thermal stability, improving biasing and reducing damage from electrostatic discharge in self-pinned abutted junction heads having a first self-pinned layer extending under the hard bias layers
CN1064162C (zh) 具有连续纵向偏置层的磁致电阻读传感器的制造方法
WO2000019226A1 (en) Quad-layer gmr sandwich
US6714374B1 (en) Magnetoresistive sensor, magnetoresistive head, and magnetic recording/reproducing apparatus
US7072154B2 (en) Method and apparatus for providing a self-pinned bias layer that extends beyond the ends of the free layer
US6175477B1 (en) Spin valve sensor with nonmagnetic oxide seed layer
US7099123B2 (en) Self-pinned abutted junction heads having an arrangement of a second hard bias layer and a free layer for providing a net net longitudinal bias on the free layer
US7050277B2 (en) Apparatus having a self-pinned abutted junction magnetic read sensor with hard bias layers formed over ends of a self-pinned layer and extending under a hard bias layer

Legal Events

Date Code Title Description
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C06 Publication
PB01 Publication
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20011128