CN107561807B - 阵列基板和液晶显示装置 - Google Patents
阵列基板和液晶显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107561807B CN107561807B CN201710963863.2A CN201710963863A CN107561807B CN 107561807 B CN107561807 B CN 107561807B CN 201710963863 A CN201710963863 A CN 201710963863A CN 107561807 B CN107561807 B CN 107561807B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- array substrate
- light
- transparent electrode
- data line
- shading
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Abstract
本发明涉及一种阵列基板和液晶显示装置。该阵列基板包括：栅极线和数据线，所述栅极线和所述数据线交叉设置以限定多个像素区域，像素电极设置于所述像素区域内；遮光透明电极，与所述数据线上下相对设置，且所述数据线在所述遮光透明电极上的投影落入所述遮光透明电极内；遮光金属，沿所述像素电极的边缘设置；在所述遮光透明电极临近黑色矩阵的区域中，所述数据线与所述遮光金属至少部分上下相对重叠。本发明还提供了相应的液晶显示装置。本发明的阵列基板和液晶显示装置解决了DBS技术下的像素漏光问题。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示器领域，尤其涉及一种阵列基板和液晶显示装置。
背景技术
HVA(高垂直配向)模式是VA(垂直配向)模式中比较先进的一种，在LCD行业内被许多厂商应用于大尺寸的液晶显示屏制作模式。传统的HVA模式使用BM(黑色矩阵)对像素的栅极(gate)线和数据(data)线进行遮光，近期出现了一种data线不使用BM遮光的模式，以data BM less(数据线无BM)表述，简称DBS。
现有的液晶显示面板一般包括TFT(薄膜晶体管)阵列基板、与TFT阵列基板相对贴合设置的CF(彩色滤光片)基板及设于TFT阵列基板与CF基板之间的液晶层。图1为现有采用DBS设计的阵列基板结构的俯视示意图，从TFT阵列基板的基板一侧进行俯视，为方便显示及说明，图1中略去基板，主要显示阵列基板结构中与DBS设计相关的部分，无关的部分在此不再赘述。如图1所示，阵列基板主要包括：栅极线11和数据线12，所述栅极线11和所述数据线12交叉设置以限定多个像素区域，在像素区域内设有像素电极15；遮光透明电极13，与所述数据线12上下相对设置，且所述数据线12在所述遮光透明电极13上的投影落入所述遮光透明电极13内；遮光金属(shield metal)14，一般与所述栅极线11通过同层金属制作，沿像素电极15的边缘上下相对设置，遮光金属14的作用一般包括辅助遮光以及形成存储电容。如图所示，HVA模式的透明的像素电极15一般使用的是氧化铟锡(ITO)金属氧化物，在制备ITO层时，可以多做出一个图案——遮光透明电极13，夹在两个像素电极15之间，在数据线12之上，连接公共(common)电位，这部分是遮光透明电极13。由于遮光透明电极13电位和对侧基板的CF com(公共电极)电位都是相同的公共电位，所以夹在两个电极之间的液晶，无论像素电极15给的是什么信号，都不会产生转动。液晶不转动，意味着偏振光的相位不改变，穿过第一层偏光片的偏振光，在常黑模式的液晶显示器中，相位如果没有改变是无法穿过第二层偏光片的，起到相当于BM的作用，起到遮光的目的。对于阵列基板中采用DBS设计以外的区域，包括栅极线11在内，仍然设有黑色矩阵16(为方便显示其他结构，图中以虚线表示)进行遮蔽，黑色矩阵16一般设置于CF基板侧，也可以设置于TFT阵列基板侧。
对于像素的普通位置，以上的理论是成立的。但是对于图1中方框10所指示的区域——遮光透明电极13临近黑色矩阵16而非上下重叠的区域，该区域由于靠近TFT的栅极电极，在像素电极15和遮光金属14的末端，电场比较紊乱，液晶容易无序的转动，导致偏振光的相位改变，并且没有BM的遮蔽，而导致漏光。图2为图1中AA’截面示意图，为方便显示及说明，图2进行了放大及变形，加入了基板17，由于ITO透明，金属不透明，所以，漏光就发生在数据线12和遮光金属14之间，而且漏光一般只会在距离BM10微米以内发生，也就是图1中方框10所指的区域的纵向宽度大约为10微米。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种阵列基板，解决DBS技术下的像素漏光问题。
本发明的另一目的在于提供一种液晶显示装置，解决DBS技术下的像素漏光问题。
为实现上述目的，本发明提供了一种阵列基板，包括：
栅极线和数据线，所述栅极线和所述数据线交叉设置以限定多个像素区域，像素电极设置于所述像素区域内；
遮光透明电极，与所述数据线上下相对设置，且所述数据线在所述遮光透明电极上的投影落入所述遮光透明电极内；
遮光金属，沿所述像素电极的边缘设置；
在所述遮光透明电极临近黑色矩阵的区域中，所述数据线与所述遮光金属至少部分上下相对重叠。
其中，在所述遮光透明电极临近黑色矩阵的区域中，所述遮光金属自身相对加宽，以使所述数据线与所述遮光金属至少部分上下相对重叠。
其中，在所述遮光透明电极临近黑色矩阵的区域中，所述数据线自身相对加宽，以使所述数据线与所述遮光金属至少部分上下相对重叠。
其中，在所述遮光透明电极临近黑色矩阵的区域中，所述遮光金属自身相对加宽，所述数据线自身相对加宽，以使所述数据线与所述遮光金属至少部分上下相对重叠。
其中，所述遮光透明电极临近黑色矩阵的区域的最远端距离所述黑色矩阵10微米。
其中，所述遮光透明电极和像素电极由同一ITO层制作而成。
其中，所述遮光金属与栅极线由同一金属层制作而成。
其中，所述阵列基板为HVA模式阵列基板。
其中，所述黑色矩阵设置于所述阵列基板一侧，或者设置于与所述阵列基板相对应的CF基板一侧。
本发明还提供了一种液晶显示装置，包括如上所述的阵列基板。
综上，本发明的阵列基板和液晶显示装置解决了DBS技术下的像素漏光问题。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其他有益效果显而易见。
附图中，
图1为现有采用DBS设计的阵列基板结构的俯视示意图；
图2为图1中AA’截面示意图；
图3为本发明阵列基板一较佳实施例的俯视示意图；
图4为图3中AA’截面示意图；
图5为本发明阵列基板又一较佳实施例的俯视示意图；
图6为图5中AA’截面示意图。
具体实施方式
参见图3，图3从TFT阵列基板的基板一侧进行俯视，为方便显示及说明，图3中略去基板，主要显示阵列基板结构中与DBS设计相关的部分，无关的部分在此不再赘述。图4为图3中AA’截面示意图，为方便显示及说明，图4进行了放大及变形，加入了基板17。本发明的阵列基板主要包括：栅极线11和数据线12，所述栅极线11和所述数据线12交叉设置以限定多个像素区域，像素电极15设置于所述像素区域内；遮光透明电极13，与所述数据线12上下相对设置，且所述数据线12在所述遮光透明电极13上的投影落入所述遮光透明电极13内；遮光金属24，沿所述像素电极15的边缘上下相对设置；在所述遮光透明电极13临近黑色矩阵16的区域中，所述遮光金属24自身相对加宽，以使所述数据线12与所述遮光金属24至少部分上下相对重叠。其中，遮光透明电极13临近黑色矩阵16的区域可以定义为：遮光透明电极13临近黑色矩阵16的区域的最远端距离所述黑色矩阵16为10微米，即最远端所在直线到黑色矩阵16所在平面的距离为10微米。
阵列基板中采用DBS设计以外的区域，仍然设有黑色矩阵16(为方便显示其他结构，图中以虚线表示)进行遮蔽，黑色矩阵16一般设置于CF基板侧，也可以设置于TFT阵列基板侧。
在此较佳实施例中，本发明对于图3方框20处的像素结构进行了新的设计改进，位于该数据线12两侧的遮光金属24在该区域内的横向宽度相对该区域外增加。由于漏光一般只会在距离BM 10um以内发生，所以在此区域加宽遮光金属24，使得遮光金属24和数据线12重叠。由于遮光金属24和数据线12都是金属，起到遮光作用，避免漏光。由图4可看出遮光金属24增加后，无漏光出现。新结构增加的遮光金属24的区域不宜过大，避免寄生电容的产生。
参见图5，图5从TFT阵列基板的基板一侧进行俯视，为方便显示及说明，图5中略去基板，主要显示阵列基板结构中与DBS设计相关的部分，无关的部分在此不再赘述。图6为图5中AA’截面示意图，为方便显示及说明，图6进行了放大及变形，加入了基板17。本发明的阵列基板主要包括：栅极线11和数据线22，所述栅极线11和所述数据线22交叉设置以限定多个像素区域，像素电极15设置于所述像素区域内；遮光透明电极13，与所述数据线22上下相对设置，且所述数据线22在所述遮光透明电极13上的投影落入所述遮光透明电极13内；遮光金属14，沿所述像素电极15的边缘上下相对设置；在所述遮光透明电极13临近黑色矩阵16的区域中，所述数据线22自身相对加宽，以使所述数据线22与所述遮光金属14至少部分上下相对重叠。
在此较佳实施例中，数据线22在方框30区域内的横向宽度相对该区域外增加。此实施例是遮光金属14的宽度不变，但是在方框30区域增加数据线22的宽度。由图6可看出数据线22宽度增加后，无漏光出现。
本发明也可以选择同时改动数据线和遮光金属，使得数据线和位于该数据线两侧的遮光金属在该区域内的横向宽度都相对该区域外增加，最终也可以使所述数据线与所述遮光金属至少部分上下相对重叠。
本发明还相应提供了包含上述阵列基板的液晶显示装置。
综上，本发明的阵列基板和液晶显示装置解决了DBS技术下的像素漏光问题。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。
Claims (8)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
栅极线和数据线，所述栅极线和所述数据线交叉设置以限定多个像素区域，像素电极设置于所述像素区域内；
遮光透明电极，与所述数据线上下相对设置，且所述数据线在所述遮光透明电极上的投影落入所述遮光透明电极内；
遮光金属，沿所述像素电极的边缘设置；
在所述遮光透明电极临近黑色矩阵的区域中，所述数据线与所述遮光金属至少部分上下相对重叠；
所述遮光透明电极临近黑色矩阵的区域定义为：遮光透明电极临近黑色矩阵的区域的最远端距离所述黑色矩阵为10微米；
所述黑色矩阵设置于所述阵列基板一侧，或者设置于与所述阵列基板相对应的CF基板一侧。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述遮光透明电极临近黑色矩阵的区域中，所述遮光金属自身相对加宽，以使所述数据线与所述遮光金属至少部分上下相对重叠。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述遮光透明电极临近黑色矩阵的区域中，所述数据线自身相对加宽，以使所述数据线与所述遮光金属至少部分上下相对重叠。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述遮光透明电极临近黑色矩阵的区域中，所述遮光金属自身相对加宽，所述数据线自身相对加宽，以使所述数据线与所述遮光金属至少部分上下相对重叠。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光透明电极和像素电极由同一ITO层制作而成。
6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光金属与栅极线由同一金属层制作而成。
7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为HVA模式阵列基板。
8.一种液晶显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～7任一所述的阵列基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710963863.2A CN107561807B (zh) | 2017-10-16 | 2017-10-16 | 阵列基板和液晶显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710963863.2A CN107561807B (zh) | 2017-10-16 | 2017-10-16 | 阵列基板和液晶显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107561807A CN107561807A (zh) | 2018-01-09 |
| CN107561807B true CN107561807B (zh) | 2020-07-28 |
Family
ID=60985467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710963863.2A Active CN107561807B (zh) | 2017-10-16 | 2017-10-16 | 阵列基板和液晶显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107561807B (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6522182B1 (ja) * | 2018-02-21 | 2019-05-29 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| CN109031822B (zh) * | 2018-07-25 | 2020-06-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种液晶显示面板 |
| CN111919163B (zh) * | 2019-02-22 | 2023-01-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板以及显示装置 |
| CN109976060A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-07-05 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法 |
| CN111427210B (zh) * | 2020-04-10 | 2022-11-25 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
| CN112363356B (zh) * | 2020-11-17 | 2022-02-22 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
| CN115826303A (zh) * | 2022-12-07 | 2023-03-21 | 北海惠科光电技术有限公司 | 像素单元、阵列基板及显示面板 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004325953A (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示装置 |
| CN204945587U (zh) * | 2015-09-17 | 2016-01-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| CN105652543A (zh) * | 2016-03-31 | 2016-06-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示器件 |
| CN106773392A (zh) * | 2016-11-28 | 2017-05-31 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板及制作方法、曲面液晶显示面板 |
| CN107121864A (zh) * | 2017-07-07 | 2017-09-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板及液晶显示面板 |
-
2017
- 2017-10-16 CN CN201710963863.2A patent/CN107561807B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107561807A (zh) | 2018-01-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107561807B (zh) | 阵列基板和液晶显示装置 | |
| US8614779B2 (en) | Lateral electric field type active-matrix addressing liquid crystal display device | |
| JP6116220B2 (ja) | 液晶表示パネル | |
| JP4858820B2 (ja) | アクティブマトリクス基板及び液晶表示装置並びにその製造方法 | |
| JP5013554B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| US10429688B2 (en) | Liquid crystal display device | |
| JP5127485B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2013037364A (ja) | 横電界型の液晶表示装置 | |
| US11784193B2 (en) | Display device | |
| KR20130015734A (ko) | 액정표시장치 | |
| JP5429776B2 (ja) | 液晶表示パネル | |
| US20220107539A1 (en) | Display device | |
| KR20130075528A (ko) | 박막 트랜지스터 액정표시장치 및 이의 제조방법 | |
| JP5078176B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP5681269B2 (ja) | 液晶表示パネル | |
| US10627680B2 (en) | Display panel and display device | |
| KR20130030975A (ko) | 액정표시장치 | |
| CN108181768B (zh) | Coa型阵列基板 | |
| JPWO2012165617A1 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP5207422B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR20130034744A (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| US11953795B2 (en) | Pixel unit of a display panel and display panel | |
| KR20130063404A (ko) | 박막 트랜지스터 액정표시장치 및 이의 제조방법 | |
| JP5131525B2 (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
| US7719649B2 (en) | Liquid crystal display panel |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee after: TCL Huaxing Photoelectric Technology Co.,Ltd. Address before: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee before: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |