CN107557593A - 一种除镉中氧及其它杂质的方法 - Google Patents

一种除镉中氧及其它杂质的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107557593A
CN107557593A CN201710640623.9A CN201710640623A CN107557593A CN 107557593 A CN107557593 A CN 107557593A CN 201710640623 A CN201710640623 A CN 201710640623A CN 107557593 A CN107557593 A CN 107557593A
Authority
CN
China
Prior art keywords
hydrogen
cadmium
quartz ampoule
passed
constant temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710640623.9A
Other languages
English (en)
Inventor
彭寿
马立云
潘锦功
殷新建
梅楸烨
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CNBM (CHENGDU) OPTOELECTRONIC MATERIAL Co Ltd
Original Assignee
CNBM (CHENGDU) OPTOELECTRONIC MATERIAL Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CNBM (CHENGDU) OPTOELECTRONIC MATERIAL Co Ltd filed Critical CNBM (CHENGDU) OPTOELECTRONIC MATERIAL Co Ltd
Priority to CN201710640623.9A priority Critical patent/CN107557593A/zh
Publication of CN107557593A publication Critical patent/CN107557593A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明公开一种除镉中氧及其它杂质的方法,所述其他杂质包括:Cl、F、Br、I,所述方法包括:取单质镉装入石墨坩埚内,所述石墨坩埚置于磨口戴帽石英管的中部,盖上石英帽,将所述装料后的磨口戴帽石英管放入卧式加热炉中,通入氢气,加热,恒温氢化到规定的时间后,停止加热并继续通入氢气冷却到室温,停止通入氢气后出料,得到镉产品;所述方法可明显降低镉产品中的氧含量,同时提高镉产品的纯度。

Description

一种除镉中氧及其它杂质的方法
技术领域
本发明涉及高纯材料制备领域,具体涉及一种除镉中氧及其它杂质的方法。
背景技术
高纯镉(Cd)主要用于制备II-VI族化合物半导体,高纯合金,电池,焊料和原子反应堆中控制棒等,太阳能电池,红外探测器等。若高纯镉中非金属杂质O、Cl、F、Br、I等含量很高,将直接影响它作为光伏材料、半导材料和感光材料的光电性能。
发明内容
有鉴于此,本申请提供了一种除镉中氧及其它杂质的方法,所述方法可明显镉产品的氧含量,同时提高镉产品的纯度。
为解决以上技术问题,本发明提供的技术方案是一种除镉中氧及其它杂质的方法,所述其他杂质包括:Cl、F、Br、I,所述方法包括:
取单质镉装入石墨坩埚内,所述石墨坩埚置于磨口戴帽石英管的中部,盖上石英帽,得到装料后的石英管;
将所述装料后的磨口戴帽石英管放入卧式加热炉中,通入氢气,加热,恒温氢化,停炉出料,得到镉产品;所述停炉出料过程为:停止加热并继续通入氢气冷却到室温,停止通入氢气后出料。
优选的,每个所述石墨坩埚装入0.7~1.3kg的单质镉金属。
优选的,每个所述石英管中放置3~5个所述石墨坩埚。
优选的,所述加热温度为350~450℃。
优选的,所述恒温氢化过程时间为3.0~5.0h。
优选的,所述恒温氢化过程氢气流量为300~800ml/min。
优选的,所述恒温氢化过程进行多次振动所述装料石英管。
优选的,所述振动操作时间间隔25~35min进行1次。
优选的,每次所述振动操作时间不少于30s。
优选的,所述停炉具体过程为:关闭所述卧式加热炉电源停止加热,继续通入氢气,拉出2/3长度所述石英管于炉膛外,降低氢气流量,继续通氢气冷却至室温后关闭氢气出料。
优选的,所述拉出2/3长度所述石英管于炉膛外过程具体为:逐步拉出2/3长度所述通氢石英管在空气中进行分区域降温冷却。
优选的,所述镉原料纯度为5N、6N或7N。
优选的,所述方法还包括所述石英管预处理过程,所述石英管预处理过程具体为王水中浸泡,去离子水冲洗多次,干燥。
优选的,所述方法还包括加热前预通氢气。
优选的,所述加热前预通氢气时间为20~50min。
优选的,所述加热前预通氢氢气流量不小于600ml/min。
优选的,所述王水中浸泡时间>6h。
优选的,所述去离子水冲洗次数>3次。
本申请与现有技术相比,其详细说明如下:
本申请利用氢气在加热条件下与液态金属镉中的杂质O、Cl、F、Br、I反应,生成气态H2O、HCl、HF、HI后,随气流带出系统外,这样就逐渐地把镉中这些的杂质排出去了,也提高了金属镉的纯度。
本申请恒温氢化过程进行多次振动装料石英管,进一步保障受热均匀、反应充分,从而保证除杂效果,降低镉产品中的氧含量,提高镉产品纯度及质量。
本申请采用卧式加热炉,装料石英管受热均匀,保证恒温氢化过程对装料石英管的振动便利,保证反应完全,便于停炉过程进行分区域降温,逐步拉出所述通氢石英管,提高降温效率。
本申请控制每个石墨坩埚装入镉量,并在每个石英管中放置多个石墨坩埚,即保证了石墨坩埚受热均匀,又保证了除杂效率。
具体实施方式
为了使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合具体实施例对本发明作进一步的详细说明。
实施例1
一种除镉中氧杂质的方法,所述其他杂质包括:Cl、F、Br、I,所述方法包括:
取纯度为5N的镉金属单质装入石墨坩埚内,每个所述石墨坩埚装入0.7~1.3kg的镉金属单质,所述石墨坩埚置于所述石英管的中部,每个所述石英管中放置3~5个所述石墨坩埚,盖上石英帽,得到装料石英管;
所述装料石英管放入卧式加热炉中,通入流量为600ml/min的氢气,410℃加热,恒温氢化4h;
关闭所述卧式加热炉电源停止加热后,继续通氢气,拉出2/3所述通氢石英管于所述卧式加热炉炉膛外进行分区域降温冷却,降低氢气流量,所述通氢后石英管冷却至室温后关闭氢气;
出料:取下所述石英帽,取出所述石墨坩埚,倒出所述石墨坩埚中的所述除杂质后的镉产品,用PVC棒或玻棒刮干净粘留在所述通氢后石英管管壁和管口的镉,并用脱脂棉擦拭干净粉尘以备继续使用;
得到镉产品。
所述方法还包括,所述石英管和石英管预处理过程,所述预处理过程具体为王水中浸泡,去离子水冲洗多次,干燥,所述王水中浸泡时间>6h,所述去离子水冲洗次数>3次;所述加热前预通氢25~35min,氢气流量为900ml/min。
实施例2
与实施例1的区别在于取纯度为6N的镉金属单质,通入流量为580ml/min的氢气,400℃加热,恒温氢化3.5h。
实施例3
与实施例1的区别在于取纯度为7N的镉金属单质,通入流量为620ml/min的氢气,420℃加热,恒温氢化4.5h。
实施例4
检测所述实施例1~3镉除杂前、后的镉含量及杂质含量,以质量分数表示,检测见表1。
表1
由表1可知,本发明可以有效除去镉金属中氧及其它非金属杂质(O、Cl、F、Br、I),从而提高了的不同纯度的镉产品纯度。
以上仅是本发明的优选实施方式,应当指出的是,上述优选实施方式不应视为对本发明的限制,本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明的精神和范围内,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种除镉中氧及其它杂质的方法,所述其他杂质包括:Cl、F、Br、I,其特征在于,所述方法包括:
取单质镉装入石墨坩埚内,所述石墨坩埚置于磨口戴帽石英管的中部,盖上石英帽,得到装料后的石英管;
将所述装料后的磨口戴帽石英管放入卧式加热炉中,通入氢气,加热,恒温氢化,停炉出料,得到镉产品;所述停炉出料过程为:停止加热并继续通入氢气冷却到室温,停止通入氢气后出料。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,每个所述石墨坩埚内装入0.7~1.3kg的单质镉。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,每个所述石英管中放置3~5个所述石墨坩埚。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述恒温氢化过程时间为3.0~5.0h。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述恒温氢化过程氢气流量为300~800ml/min。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述停炉具体过程为:关闭所述卧式加热炉电源停止加热,继续通入氢气,拉出2/3长度所述石英管于炉膛外,降低氢气流量,继续通氢气冷却至室温后关闭氢气出料。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述拉出2/3长度所述石英管于炉膛外过程具体为:逐步拉出2/3长度所述通氢石英管在空气中进行分区域降温冷却。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述恒温氢化过程进行多次振动所述装料石英管。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述振动操作时间间隔25~35min进行1次。
10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,每次所述振动操作时间不少于30s。
CN201710640623.9A 2017-07-31 2017-07-31 一种除镉中氧及其它杂质的方法 Pending CN107557593A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710640623.9A CN107557593A (zh) 2017-07-31 2017-07-31 一种除镉中氧及其它杂质的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710640623.9A CN107557593A (zh) 2017-07-31 2017-07-31 一种除镉中氧及其它杂质的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107557593A true CN107557593A (zh) 2018-01-09

Family

ID=60974133

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710640623.9A Pending CN107557593A (zh) 2017-07-31 2017-07-31 一种除镉中氧及其它杂质的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107557593A (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08319522A (ja) * 1995-05-24 1996-12-03 Ushio Inc 金属カドミウムの精製方法
CN101126134A (zh) * 2007-08-31 2008-02-20 侯仁义 一种高纯镉的氢化方法
CN103184347A (zh) * 2011-12-28 2013-07-03 广东先导稀材股份有限公司 高纯镉的制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08319522A (ja) * 1995-05-24 1996-12-03 Ushio Inc 金属カドミウムの精製方法
CN101126134A (zh) * 2007-08-31 2008-02-20 侯仁义 一种高纯镉的氢化方法
CN103184347A (zh) * 2011-12-28 2013-07-03 广东先导稀材股份有限公司 高纯镉的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102206859B (zh) 超高纯锗单晶制备工艺及专用设备
CN101844768B (zh) 一种冶金级硅中磷和硼的去除方法
CN102923699B (zh) 一种连续式高温石墨提纯设备
CN102899714A (zh) 一种磷硅镉单晶体的生长方法与生长容器
CN103205797A (zh) 高效多晶硅铸锭方法
CN114045557B (zh) 超高纯锗单晶的制备方法及设备
CN101428803B (zh) 一种高纯金属硅提纯制备高纯多晶硅的方法及装置
US20120171848A1 (en) Method and System for Manufacturing Silicon and Silicon Carbide
CN201485535U (zh) 双加热系统硅单晶生长装置
CN108315820A (zh) 一种利用掺氮单晶硅回收料生产直拉单晶硅棒的方法
CN101311113A (zh) 高纯度多晶硅的制造装置及制造方法
CN107268071A (zh) 一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺
CN206052206U (zh) 一种蓝宝石单晶炉
CN101775650B (zh) 一种太阳能多晶硅铸锭的制备方法
CN202164386U (zh) 超高纯锗单晶炉
CN102383195B (zh) 碘化铯和掺铊碘化铯单晶的坩埚下降法生长工艺
CN206783819U (zh) 一种直拉单晶炉热场装置
CN107557593A (zh) 一种除镉中氧及其它杂质的方法
CN203768482U (zh) 一种新型真空电子束熔炼炉
CN105399106B (zh) 一种高纯硼粉的制备方法及装置
CN202849591U (zh) 一种用于单晶生长的石英防爆容器
CN202131396U (zh) 带导气环的晶体生长炉热场装置
CN103993355B (zh) CuInS2单晶体的制备方法和CuInS2单晶体制备装置
CN109231216A (zh) 工业硅炉外提纯精炼工艺
CN102978688B (zh) 一种直拉单晶法的冷却工艺

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180109