CN107527796A - 一种蓝宝石衬底制作工艺 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 70
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 20
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 10
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000006210 lotion Substances 0.000 claims description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 5
- 238000012797 qualification Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 238000012372 quality testing Methods 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000010437 gem Substances 0.000 description 1
- 229910001751 gemstone Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
Landscapes
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
本发明涉及一种蓝宝石衬底制作工艺,所述制作工艺包括清洗、匀胶、烘烤、冷却、制作图形化衬底、人工目检、刻蚀和自动检测等步骤,清洗过程中用水作为冲洗液进行冲洗,在冲洗时,控制冲洗液的PH值在6~8之间,冲洗液温度在20~22℃,冲洗持续8~12min。本发明的优点在于:通过在进行蓝宝石衬底的图形化处理前对采用的平片衬底进行预清洗,以及图形化刻蚀过程中的清洗,严格控制清洗温度和PH值,确保经过清洗后的衬底不会影响后续的上胶处理,降低掉胶率,以便在人工目检过程中尽量发现问题,避免漏检流入下道工序后影响合格率,采用本发明的方法可将良品率提高5%左右,大大降低了资源的浪费和生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及属于芯片技术领域,特别涉及一种一种蓝宝石衬底制
作工艺。
背景技术
图形化蓝宝石衬底,简称PSS(Patterned Sapphire Substrate),也就是在蓝宝石衬底上生长干法刻蚀用掩膜,用标准的光刻工艺将掩膜刻出图形,利用ICP刻蚀技术刻蚀蓝宝石,并去掉掩膜,再在其上生长GaN材料,使GaN材料的纵向外延变为横向外延。一方面可以有效减少GaN外延材料的位错密度,从而减小有源区的非辐射复合,减小反向漏电流,提高LED的寿命;另一方面有源区发出的光,经GaN和蓝宝石衬底界面多次散射,改变了全反射光的出射角,增加了倒装LED的光从蓝宝石衬底出射的几率,从而提高了光的提取效率。综合这两方面的原因,使PSS上生长的LED的出射光亮度比传统的LED大大提高,同时反向漏电流减小,LED的寿命也得到了延长。随着LED领域工艺技术的发展,以及整个LED行业的迅速壮大,对GaN基LED器件PSS衬底的研究也逐渐增多。
蓝宝石衬底,其质量对后续GaN外延层的生长以及制备蓝光二极管的性能和成品率有很大的影响,高品质LED产品的生产首先要保证衬底基片的质量。可是目前关于硅单晶质量检测方面的研究较多,有的已经成为标准规范,但针对用作第三代半导体材料GaN衬底片的蓝宝石衬底基片质量检测方面的研究和文献资料相对较少,在根据生产经验进行多节点质量控制后,仍然无法获得较高的衬底合格率。
因此,研发一种能够提高衬底合格率并确保后期外延片生长质量的蓝宝石衬底制作工艺势在必行。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种能够提高衬底合格率并确保后期外延片生长质量的蓝宝石衬底制作工艺。
为解决上述技术问题,本发明的技术方案为:一种蓝宝石衬底制作工艺,其创新点在于:所述制作工艺的具体步骤如下:
(1)清洗:将平片衬底进行去胶处理,然后用水作为冲洗液进行冲洗,在冲洗时,控制冲洗液的PH值在6~8之间,冲洗液温度在20~22℃,冲洗持续8~12min;冲洗完成后再通过离心甩干10~12min;
(2)匀胶:将清洗好的平片衬底送至匀胶工艺治具,并用片盒进行扫描计数,使得匀胶厚度可达2200nm~2400nm;
(3)烘烤、冷却:匀胶结束的平片衬底在100~120℃的条件下烘烤40~70s,再降温至18~22℃进行冷却,冷却25~35s;
(4)制作图形化衬底:冷却后的平片衬底进行曝光,曝光部分的平片衬底用显影液腐蚀,处理得图形化衬底;
(5)人工目检:步骤(4)中图形化衬底有明显掉胶的被分拣出,而目标未发现明显掉胶缺陷的则为OK片,该OK片进入下一工序;
(6)刻蚀:将符合要求的OK片进行刻蚀处理;
(7)自动检测:通过自动检测仪对刻蚀后的OK片进行自动检测,有掉胶的被分拣出,没有掉胶缺陷的则入库。
本发明的优点在于:通过在进行蓝宝石衬底的图形化处理前对采用的平片衬底进行预清洗,以及图形化刻蚀过程中的清洗,并在过程中严格的控制清洗温度和PH值,去除平片衬底在加工过程中带入的杂质污染物,并确保经过清洗后的衬底不会影响后续的上胶处理,降低掉胶率,以便在人工目检过程中尽量发现问题,避免漏检流入下道工序后影响合格率,采用本发明的方法可将良品率提高5%左右,大大降低了资源的浪费和生产成本。
具体实施方式
下面的实施例可以使本专业的技术人员更全面地理解本发明,但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。
实施例1
本实施例的蓝宝石衬底制作工艺,具体步骤如下:
(1)清洗:将平片衬底进行去胶处理,然后用水作为冲洗液进行冲洗,在冲洗时,控制冲洗液的PH值在6之间,冲洗液温度在20℃,冲洗持续8min;冲洗完成后再通过离心甩干10min;
(2)匀胶:将清洗好的平片衬底送至匀胶工艺治具,并用片盒进行扫描计数,使得匀胶厚度可达2200nm;
(3)烘烤、冷却:匀胶结束的平片衬底在100℃的条件下烘烤40s,再降温至18℃进行冷却,冷却25s;
(4)制作图形化衬底:冷却后的平片衬底进行曝光,曝光部分的平片衬底用显影液腐蚀,处理得图形化衬底;
(5)人工目检:步骤(4)中图形化衬底有明显掉胶的被分拣出,而目标未发现明显掉胶缺陷的则为OK片,该OK片进入下一工序;
(6)刻蚀:将符合要求的OK片进行刻蚀处理;
(7)自动检测:通过自动检测仪对刻蚀后的OK片进行自动检测,有掉胶的被分拣出,没有掉胶缺陷的则入库。
实施例2
本实施例的蓝宝石衬底制作工艺,具体步骤如下:
(1)清洗:将平片衬底进行去胶处理,然后用水作为冲洗液进行冲洗,在冲洗时,控制冲洗液的PH值在8之间,冲洗液温度在22℃,冲洗持续12min;冲洗完成后再通过离心甩干12min;
(2)匀胶:将清洗好的平片衬底送至匀胶工艺治具,并用片盒进行扫描计数,使得匀胶厚度可达2400nm;
(3)烘烤、冷却:匀胶结束的平片衬底在120℃的条件下烘烤70s,再降温至22℃进行冷却,冷却35s;
(4)制作图形化衬底:冷却后的平片衬底进行曝光,曝光部分的平片衬底用显影液腐蚀,处理得图形化衬底;
(5)人工目检:步骤(4)中图形化衬底有明显掉胶的被分拣出,而目标未发现明显掉胶缺陷的则为OK片,该OK片进入下一工序;
(6)刻蚀:将符合要求的OK片进行刻蚀处理;
(7)自动检测:通过自动检测仪对刻蚀后的OK片进行自动检测,有掉胶的被分拣出,没有掉胶缺陷的则入库。
实施例3
本实施例的蓝宝石衬底制作工艺,具体步骤如下:
(1)清洗:将平片衬底进行去胶处理,然后用水作为冲洗液进行冲洗,在冲洗时,控制冲洗液的PH值在7之间,冲洗液温度在21℃,冲洗持续10min;冲洗完成后再通过离心甩干11min;
(2)匀胶:将清洗好的平片衬底送至匀胶工艺治具,并用片盒进行扫描计数,使得匀胶厚度可达2300nm;
(3)烘烤、冷却:匀胶结束的平片衬底在110℃的条件下烘烤55s,再降温至20℃进行冷却,冷却30s;
(4)制作图形化衬底:冷却后的平片衬底进行曝光,曝光部分的平片衬底用显影液腐蚀,处理得图形化衬底;
(5)人工目检:步骤(4)中图形化衬底有明显掉胶的被分拣出,而目标未发现明显掉胶缺陷的则为OK片,该OK片进入下一工序;
(6)刻蚀:将符合要求的OK片进行刻蚀处理;
(7)自动检测:通过自动检测仪对刻蚀后的OK片进行自动检测,有掉胶的被分拣出,没有掉胶缺陷的则入库。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征以及本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (1)
1.一种蓝宝石衬底制作工艺,其特征在于:所述制作工艺的具体步骤如下:
(1)清洗:将平片衬底进行去胶处理,然后用水作为冲洗液进行冲洗,在冲洗时,控制冲洗液的PH值在6~8之间,冲洗液温度在20~22℃,冲洗持续8~12min;冲洗完成后再通过离心甩干10~12min;
(2)匀胶:将清洗好的平片衬底送至匀胶工艺治具,并用片盒进
行扫描计数,使得匀胶厚度可达2200nm~2400nm;
(3)烘烤、冷却:匀胶结束的平片衬底在100~120℃的条件下烘烤40~70s,再降温至18~22℃进行冷却,冷却25~35s;
(4)制作图形化衬底:冷却后的平片衬底进行曝光,曝光部分的平片衬底用显影液腐蚀,处理得图形化衬底;
(5)人工目检:步骤(4)中图形化衬底有明显掉胶的被分拣出,而目标未发现明显掉胶缺陷的则为OK片,该OK片进入下一工序;
(6)刻蚀:将符合要求的OK片进行刻蚀处理;
(7)自动检测:通过自动检测仪对刻蚀后的OK片进行自动检测,有掉胶的被分拣出,没有掉胶缺陷的则入库。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710807336.2A CN107527796A (zh) | 2017-09-08 | 2017-09-08 | 一种蓝宝石衬底制作工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710807336.2A CN107527796A (zh) | 2017-09-08 | 2017-09-08 | 一种蓝宝石衬底制作工艺 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107527796A true CN107527796A (zh) | 2017-12-29 |
Family
ID=60736559
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710807336.2A Pending CN107527796A (zh) | 2017-09-08 | 2017-09-08 | 一种蓝宝石衬底制作工艺 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN107527796A (zh) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102157629A (zh) * | 2010-12-24 | 2011-08-17 | 长治虹源科技晶体有限公司 | 图形化蓝宝石衬底的制作方法 |
CN103426980A (zh) * | 2012-05-21 | 2013-12-04 | 吉林省九洲光电科技股份有限公司 | 图案化蓝宝石衬底的制作工艺 |
CN105405811A (zh) * | 2015-11-18 | 2016-03-16 | 海迪科(南通)光电科技有限公司 | 一种蓝宝石衬底制作工艺 |
-
2017
- 2017-09-08 CN CN201710807336.2A patent/CN107527796A/zh active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102157629A (zh) * | 2010-12-24 | 2011-08-17 | 长治虹源科技晶体有限公司 | 图形化蓝宝石衬底的制作方法 |
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PB01 | Publication | ||
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