CN107522191B - 一种基于自限制形核生长的大尺寸高质量石墨烯制备方法 - Google Patents
一种基于自限制形核生长的大尺寸高质量石墨烯制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107522191B CN107522191B CN201710712230.4A CN201710712230A CN107522191B CN 107522191 B CN107522191 B CN 107522191B CN 201710712230 A CN201710712230 A CN 201710712230A CN 107522191 B CN107522191 B CN 107522191B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- growth
- nickel
- graphene
- copper
- self
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 47
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 40
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 title claims abstract description 18
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 75
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229910000570 Cupronickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical compound [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims description 16
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 abstract 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N Tritium Chemical compound [3H] YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000861 blow drying Methods 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/12—Electroplating: Baths therefor from solutions of nickel or cobalt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B2204/00—Structure or properties of graphene
- C01B2204/20—Graphene characterized by its properties
- C01B2204/32—Size or surface area
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
本发明涉及一种基于自限制形核生长的大尺寸高质量石墨烯制备方法，具体包括制备覆盖镍的铜衬底，在真空的保护气氛中快速升温，到达特定的生长温度后，通入工艺气体进行石墨烯生长。生长初期金属表面为镍，可以有效控制石墨烯的形核点。生长过程中，铜逐步扩散至镍层形成富镍的铜镍合金，可以促进形核点快速生长。随着表面层中铜组份的不断增加，可有效单层石墨烯的大尺寸单晶形成，同时保持单晶的快速生长，实现大尺寸高质量的连续石墨烯薄膜。
Description
技术领域
本发明属于石墨烯制备技术领域，涉及一种基于自限制形核生长的大尺寸高质量石墨烯的制备方法。
背景技术
石墨烯作为一种半导体二维材料，在诸多领域都具有很大的应用潜力。大面积石墨烯生长一般采用过渡金属作为催化剂，铜镍由于价格原因成为最常用的衬底。碳原子在铜衬底中的溶解度较小，催化产生的碳原子在铜表面富集成核，因此铜衬底上生长石墨烯的开始阶段，会形成大量成核点，使得生长得到的石墨烯晶粒较小，薄膜中晶界较多。晶界的存在显著降低了石墨烯薄膜的性能。
镍在高温下有较高的碳溶解度，使用镍衬底生长石墨烯时，在高温过程中，石墨烯的形核点较少，催化产生的碳原子固溶在镍金属中，在降温过程中碳原子会大量析出，不仅形核点增加，而且容易形成多层石墨烯，影响薄膜质量。
发明内容
为了克服上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种基于自限制形核生长的大尺寸高质量石墨烯制备方法，具有生长速度快，晶粒尺寸大，薄膜质量高的特点。
为了实现上述目的，本发明采用的技术方案是：
一种基于自限制形核生长的大尺寸高质量石墨烯制备方法，包括以下步骤：
(1)将铜箔进行抛光处理后，进行镍金属沉积覆盖。
(2)将覆盖镍金属的铜箔放入生长腔内抽真空，通入保护气体，保持一定压强条件下，快速升温。
(3)在温度到达生长温度时，通入氢气及甲烷进行石墨烯生长。
衬底铜箔为多晶或单晶铜箔，采用化学抛光处理表面。
镍覆盖层为通过电镀或物理镀膜多晶或单晶金属镍，厚度大于1μm。
升温速率20-100℃/min，以减少升温过程中铜在镍层中的扩散。
升温及生长过程压强控制在0.1-10torr，保护气体为氮气或氩气等惰性气体，流量为10-200sccm。
石墨烯的生长温度在950-1050℃之间，当到达目标温度后立即开始通入甲烷氢气等工艺气体进行石墨烯生长，氢气流量为10-200sccm，甲烷流量为0.1-40sccm，生长时间为30-120min。
生长过程中衬底表面为富镍层，整个生长过程中保持镍层中铜含量成纵向梯度分布，避免形成均一组份的铜镍合金。
在生长过程中，镍金属中的铜元素含量会不断升高，降低了碳元素在衬底中的固溶度，进而在衬底表面析出，实现石墨烯的快速生长。
与现有技术相比，本发明的优点是：
采用覆盖镍的铜箔作为生长衬底，生长初期有效减小石墨烯的形核率，随着衬底表面铜含量增加，形核点快速生长大尺寸单晶石墨烯，最终得到高质量的石墨烯薄膜。在整个生长过程中保持铜元素在镍覆盖层中的梯度分布，实现了大尺寸石墨烯晶粒的快速成膜。
附图说明
图1为生长前衬底的结构示意图。
图2为生长过程示意图
图3为生长结束后衬底与石墨烯的结构示意图。
具体实施方式
下面结合实施例详细说明本发明的实施方式。
一种基于自限制形核生长的大尺寸高质量石墨烯的制备方法，包括以下步骤：
(1)采用多晶或单晶铜箔衬底铜箔1，采用化学抛光处理表面后，进行镍金属沉积覆盖，如图1所示，其中镍覆盖层2为通过电镀或物理镀膜多晶或单晶金属镍，厚度大于1μm。
(2)如图2所示，将覆盖镍金属的铜箔5放入生长腔内抽真空，通入氮气或氩气等惰性气体为保护气体，流量为10-200sccm，压强控制在0.1-10torr，接通加热丝6，快速升温，升温速率应大于20℃/min，以减少升温过程中铜在镍层中的扩散。
(3)在温度到达生长温度时，立即通入氢气3及甲烷4等工艺气体进行石墨烯生长，氢气流量为10-200sccm，甲烷流量为0.1-40sccm，生长时间为30-120min。
在生长过程中，衬底表面为富镍层，整个生长过程中保持镍层中铜含量成纵向梯度分布，以避免形成均一组份的铜镍合金。
在生长过程中，镍金属中的铜元素含量会不断升高，降低了碳元素在衬底中的固溶度，进而在衬底表面析出，实现石墨烯的快速生长。
最终得到的产品如图3所示，石墨烯7覆盖于衬底表面，衬底上部为富镍层，下部为富铜层，铜含量成纵向梯度分布，整个过程未形成均一组份的铜镍合金。
在本发明的一个具体实施例中，首先将尺寸为30cm×30cm，厚度为25μm的多晶铜箔进行电化学抛光，抛光电流为2A，时间为80min。抛光液成分为2L水，1L酒精，1L磷酸，200ml异丙醇，20g尿素。
将抛光后的铜箔用去离子水清洗，随后将铜箔置于阴极进行电镀镍沉积，阳极为镍金属板，电镀液配比为3L水，840gNiSO4·6H2O，24g NiCl2·6H2O，12g NaF，90g H3BO3，电镀电流为0.5A，电镀时间为30min。镍沉积厚度在20μm左右。
将镀镍后的铜衬底用去离子水清洗，并用氮气将表面吹干。其结构如图1所示。
将覆盖镍金属的铜箔放入生长腔内抽真空至0.1torr，通入200sccm流量Ar，控制压强为1torr开始升温，速率为25℃/min。
当温度升至1050℃时，通入200sccm H2，1sccm CH4,压强仍然维持1torr,开始石墨烯生长。整个生长过程维持温度和压力不变。
石墨烯生长时间为120min,生长结束后停止通入H2和CH4，同时通入400sccm Ar,维持压力不变，快速降至室温。
按照上述方案，成功制备出单晶尺寸在1mm，整体尺寸为30*30cm的大面积高质量石墨烯薄膜。
Claims (5)
1.一种基于自限制形核生长的大尺寸高质量石墨烯制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)将铜箔进行抛光处理后，进行镍金属沉积覆盖；
(2)将覆盖镍金属的铜箔放入生长腔内抽真空，通入保护气体，保持一定压强条件下，快速升温，所述的升温速率为20-100℃/min，以减少升温过程中铜在镍层中的扩散；
(3)在温度到达生长温度时，立即通入氢气及甲烷进行石墨烯生长；
生长过程中，衬底表面为富镍层，整个生长过程中保持镍层中铜组份呈纵向梯度分布，避免形成均一组份的铜镍合金；
生长过程中，镍金属中的铜元素不断升高，降低了碳元素在衬底中的固溶度，进而在衬底表面析出，实现石墨烯的快速生长。
2.根据权利要求1所述基于自限制形核生长的大尺寸高质量石墨烯制备方法，其特征在于，所述的铜箔为多晶或单晶铜箔，并进行化学抛光处理。
3.根据权利要求1所述基于自限制形核生长的大尺寸高质量石墨烯制备方法，其特征在于，所述的镍层为通过电镀或物理镀膜沉积的单晶或多晶金属镍，厚度大于1μm。
4.根据权利要求1所述基于自限制形核生长的大尺寸高质量石墨烯制备方法，其特征在于，所述的压强为0.1-10torr，保护气体为氮气或氩气，流量为10-200sccm。
5.根据权利要求1所述基于自限制形核生长的大尺寸高质量石墨烯制备方法，其特征在于，所述的生长温度在950-1050℃之间，在到达温度后立即开始通入氢气及甲烷，进行石墨烯生长，氢气流量为10-200sccm，甲烷流量为0.1-40sccm，生长时间为30-120min。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710712230.4A CN107522191B (zh) | 2017-08-18 | 2017-08-18 | 一种基于自限制形核生长的大尺寸高质量石墨烯制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710712230.4A CN107522191B (zh) | 2017-08-18 | 2017-08-18 | 一种基于自限制形核生长的大尺寸高质量石墨烯制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107522191A CN107522191A (zh) | 2017-12-29 |
| CN107522191B true CN107522191B (zh) | 2020-07-24 |
Family
ID=60681506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710712230.4A Expired - Fee Related CN107522191B (zh) | 2017-08-18 | 2017-08-18 | 一种基于自限制形核生长的大尺寸高质量石墨烯制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107522191B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108892132A (zh) * | 2018-07-26 | 2018-11-27 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 制备石墨烯的辅助装置、石墨烯及其制备方法 |
| CN110616458B (zh) * | 2019-03-07 | 2021-01-26 | 北京大学 | 一种基于单晶铜的垂直异质外延单晶金属薄膜的方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8878157B2 (en) * | 2011-10-20 | 2014-11-04 | University Of Kansas | Semiconductor-graphene hybrids formed using solution growth |
| TWI448427B (zh) * | 2012-02-08 | 2014-08-11 | Nat Univ Tsing Hua | 利用低頻電磁波製備石墨烯之方法 |
| CN103265021B (zh) * | 2013-05-29 | 2015-09-30 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 层数可控石墨烯的生长方法 |
| CN103726027B (zh) * | 2013-12-27 | 2016-03-16 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种石墨烯晶畴的制备方法 |
| CN104928649B (zh) * | 2015-04-20 | 2017-12-05 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 局域供碳装置及局域供碳制备晶圆级石墨烯单晶的方法 |
| KR101751271B1 (ko) * | 2015-06-16 | 2017-06-29 | 광주과학기술원 | 다층 그래핀의 제조방법 |
-
2017
- 2017-08-18 CN CN201710712230.4A patent/CN107522191B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107522191A (zh) | 2017-12-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110578171B (zh) | 一种大尺寸低缺陷碳化硅单晶的制造方法 | |
| CN108950684B (zh) | 一种制备单晶金属箔的方法 | |
| US9691612B2 (en) | Process for preparing graphene on a SiC substrate based on metal film-assisted annealing | |
| CN107522191B (zh) | 一种基于自限制形核生长的大尺寸高质量石墨烯制备方法 | |
| CN108447773A (zh) | 石墨烯单晶薄膜及其制备方法 | |
| US20140137795A1 (en) | Method for growing epitaxial diamond | |
| CN106868469A (zh) | 一种在硅基上无金属催化剂制备石墨烯的方法 | |
| CN109573991B (zh) | 一种利用复合金属模板制备阵点厚度不同石墨烯阵列的方法 | |
| CN110616454B (zh) | 一种基于单晶二维材料/单晶铜的垂直异质外延单晶金属薄膜的方法 | |
| CN116169222A (zh) | 一种AlN模板及其制备方法 | |
| CN109207961B (zh) | 一种管式炉及利用该管式炉制备石墨烯/六方氮化硼异质结的方法 | |
| CN116607121B (zh) | 一种难加工复杂内腔异形结构钨部件的制备方法 | |
| CN110886019B (zh) | 一种基于碱金属溶液催化的二硫化钼制备方法 | |
| JP2023086900A5 (zh) | ||
| CN115652422A (zh) | 一种基于铱-非晶碳预种植层提高大尺寸单晶金刚石异质外延形核密度的方法 | |
| CN107244666B (zh) | 一种以六方氮化硼为点籽晶生长大晶畴石墨烯的方法 | |
| CN112746263B (zh) | 一种常压化学气相沉积制备少层石墨烯膜的方法 | |
| CN111430451B (zh) | 一种氮化镓生长衬底及其制备方法 | |
| KR101748584B1 (ko) | 초박형 실리콘-금속 이종 접합 기판 제조 방법 | |
| KR101935267B1 (ko) | 초박형 실리콘 기판 제조 방법 | |
| CN115058770B (zh) | 一种用于提高cvd单晶金刚石生长数量的单晶金刚石制造方法 | |
| JP2014201491A (ja) | 下地基板の製造方法およびｉｉｉ族窒化物半導体基板の製造方法 | |
| CN113410352B (zh) | 一种复合AlN模板及其制备方法 | |
| CN116988162B (zh) | 一种降低铱衬底异质外延单晶金刚石表面缺陷的方法 | |
| CN111663175B (zh) | 一种通过嫁接制备单晶金属的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Zhang Anping Inventor after: Zhao Yan Inventor after: Yang Mingchao Inventor after: Chen Jiayu Inventor after: Wei Wei Inventor after: Zhang Xiaodong Inventor after: Tian Zhanyuan Inventor before: Zhang Anping Inventor before: Yang Mingchao Inventor before: Chen Jiayu Inventor before: Zhao Yan Inventor before: Wei Wei Inventor before: Zhang Xiaodong |
|
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20180207 Address after: 710048 Xianning Road, Shaanxi, Xi'an, No. 28 Applicant after: XI'AN JIAOTONG University Applicant after: SHAANXI COAL AND CHEMICAL TECHNOLOGY INSTITUTE Co.,Ltd. Address before: Beilin District Xianning West Road 710049, Shaanxi city of Xi'an province No. 28 Applicant before: Xi'an Jiaotong University |
|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20200724 |