CN107507880B - 太阳能电池模块 - Google Patents

太阳能电池模块 Download PDF

Info

Publication number
CN107507880B
CN107507880B CN201710441809.1A CN201710441809A CN107507880B CN 107507880 B CN107507880 B CN 107507880B CN 201710441809 A CN201710441809 A CN 201710441809A CN 107507880 B CN107507880 B CN 107507880B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
compound semiconductor
solar cell
cell module
attached
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201710441809.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107507880A (zh
Inventor
文强石
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Electronics Inc
Original Assignee
LG Electronics Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Electronics Inc filed Critical LG Electronics Inc
Publication of CN107507880A publication Critical patent/CN107507880A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107507880B publication Critical patent/CN107507880B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0508—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module the interconnection means having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
    • H01L31/02019—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02021—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H01L31/0481—Encapsulation of modules characterised by the composition of the encapsulation material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0512—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module made of a particular material or composition of materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/0547—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the reflecting type, e.g. parabolic mirrors, concentrators using total internal reflection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/056—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means the light-reflecting means being of the back surface reflector [BSR] type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/073—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising only AIIBVI compound semiconductors, e.g. CdS/CdTe solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0735—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising only AIIIBV compound semiconductors, e.g. GaAs/AlGaAs or InP/GaInAs solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0749—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type including a AIBIIICVI compound, e.g. CdS/CulnSe2 [CIS] heterojunction solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S40/00—Components or accessories in combination with PV modules, not provided for in groups H02S10/00 - H02S30/00
    • H02S40/20—Optical components
    • H02S40/22—Light-reflecting or light-concentrating means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/543—Solar cells from Group II-VI materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

太阳能电池模块包括：多个化合物半导体太阳能电池，各个所述化合物半导体太阳能电池均包括：化合物半导体基板、位于所述化合物半导体基板的前表面上的第一电极部、位于所述化合物半导体基板的背表面处的绝缘基板、位于所述化合物半导体基板的背表面与所述绝缘基板的前表面之间的第二电极部、以及将所述绝缘基板附接至所述第二电极部的绝缘粘合剂；导电连接构件，所述导电连接构件将两个相邻化合物半导体太阳能电池彼此电连接；导电粘合剂，所述导电粘合剂将所述导电连接构件附接至所述化合物半导体太阳能电池的相应电极部；前基板，所述前基板位于所述化合物半导体太阳能电池上；以及背基板，所述背基板位于所述化合物半导体太阳能电池的下面。

Description

太阳能电池模块
技术领域
本申请涉及太阳能电池模块。
背景技术
化合物半导体不是由诸如硅(Si)和锗(Ge)的单个元素制成，而是由两种或更多种元素的组合形成以用作半导体。目前，各种化合物半导体已经被开发并且用于各种领域。化合物半导体通常用于诸如发光二极管和激光二极管的发光元件、利用光电转换效应的太阳能电池、利用珀尔帖效应的热电转换元件等。
化合物半导体太阳能电池在吸收太阳光并产生电子-空穴对的光吸收层中使用化合物半导体。光吸收层是使用诸如GaAs、InP、GaAlAs和GaInAs的III-V化合物半导体、诸如CdS、CdTe和ZnS的II-VI化合物半导体、诸如CuInSe2的I-III-VI化合物半导体等来形成的。
各自均具有上述配置的多个化合物半导体太阳能电池串联或并联连接以配置太阳能电池模块。
图1示意性地例示了根据现有技术的化合物半导体太阳能电池的配置。
图1中所示的化合物半导体太阳能电池包括由金属层形成的背电极10、形成在背电极10上的半导体层20、以及形成在半导体层20上的多个栅格电极30。半导体层20由化合物半导体形成，并且被部分地去除以暴露背电极10的一端(图1中的右端)。
太阳能电池模块中各自均具有上述配置的相邻化合物半导体太阳能电池彼此串联和/或并联连接。例如，如图2所示，导电连接构件40的一端通过焊接而被附接至第一太阳能电池的背电极10，并且导电连接构件40的另一端通过焊接而被附接至第二太阳能电池的栅格电极30。因此，多个太阳能电池串联连接。
然而，因为在高温下执行用于将导电连接构件40附接至相应电极的焊接，所以半导体层20可能由于使用焊接的附接处理中产生的热量而变形。
分别附接至导电连接构件40的两端的背电极10和栅格电极30分别被设置在半导体层20的前表面和背表面，半导体层20置于背电极10与栅格电极30之间。因此，由于背电极10与栅格电极30之间的高度差而难以使用导电连接构件40执行附接处理。
发明内容
因此，本公开的目的在于提供一种能够解决上述和其它问题的包括化合物半导体太阳能电池的太阳能电池模块。
在一方面，提供了一种太阳能电池模块，该太阳能电池模块包括：多个化合物半导体太阳能电池，各个所述化合物半导体太阳能电池均包括：包括光吸收层的化合物半导体基板、位于所述化合物半导体基板的前表面上的第一电极部、位于所述化合物半导体基板的背表面处并且支撑所述化合物半导体基板的绝缘基板、位于所述化合物半导体基板的背表面与所述绝缘基板的前表面之间并且向所述化合物半导体基板的端部的外部延伸的第二电极部、以及将所述绝缘基板附接至所述第二电极部的绝缘粘合剂；导电连接构件，所述导电连接构件将两个相邻化合物半导体太阳能电池彼此电连接；导电粘合剂，所述导电粘合剂将所述导电连接构件附接至所述化合物半导体太阳能电池的相应电极部，所述导电粘合剂包括低温可固化浆料；前基板，所述前基板位于所述多个化合物半导体太阳能电池上；以及背基板，所述背基板位于所述多个化合物半导体太阳能电池的下面。
所述低温可固化浆料可以包括以180℃或更低的温度固化的树脂以及分散在所述树脂中的多个导电粒子。所述树脂可以包括环氧基树脂或硅基树脂，并且所述导电粒子可以包括Ag、SnBi、Ni和Cu中的至少一种。
所述绝缘基板可以由具有10μm至300μm的厚度的聚合物形成。所述聚合物可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺(PI)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)中的至少一种。
所述化合物半导体基板可以是具有1μm至10μm的厚度的GaAs基板。
所述第二电极部可以向所述化合物半导体基板的端部的外部延伸0.1mm至5mm。
所述导电粘合剂可以包括：第一粘合剂，所述第一粘合剂将所述导电连接构件附接至所述第一电极部，以及第二粘合剂，所述第二粘合剂将所述导电连接构件附接至所述第二电极部。所述第一粘合剂的厚度或宽度中的至少一个可以与所述第二粘合剂的厚度或宽度中的至少一个不同。
例如，所述第一粘合剂和所述第二粘合剂可以具有不同的厚度，或者可以具有不同的宽度。所述第一粘合剂和所述第二粘合剂可以具有不同的厚度和不同的宽度。
当所述第一粘合剂和所述第二粘合剂具有不同的厚度时，所述第二粘合剂的厚度可以大于所述第一粘合剂的厚度。
在这种情况下，所述第二粘合剂的厚度可以基本上与所述化合物半导体基板的厚度、所述第一电极部的厚度和所述第一粘合剂的厚度的总和相同。
然而，所述第二粘合剂的厚度可以小于所述化合物半导体基板的厚度、所述第一电极部的厚度和所述第一粘合剂的厚度的总和。相反，所述第二粘合剂的厚度可以大于所述化合物半导体基板的厚度、所述第一电极部的厚度和所述第一粘合剂的厚度的总和。
所述第一粘合剂和所述第二粘合剂可以通过印刷法而被施加至相应电极部。在这种情况下，所述第一粘合剂可以通过一次印刷处理形成，所述第二粘合剂可以通过多次粘合处理形成。
另选地，所述第一粘合剂和第二粘合剂的每一个均可以通过多次粘合处理，并且所述第二粘合剂的印刷处理的次数可以大于所述第一粘合剂的印刷处理的次数。
另外，当所述第一粘合剂和所述第二粘合剂具有不同的宽度时，所述第一粘合剂的宽度可以大于所述第二粘合剂的宽度。
在这种情况下，当所述第一粘合剂和所述第二粘合剂按照彼此相同的量来施加时，根据在用于将所述第一粘合剂附接至所述导电连接构件的处理和用于将所述第二粘合剂附接至所述导电连接构件的处理中施加至所述导电连接构件的压力，所述第一粘合剂可以比所述第二粘合剂扩散得更快。因此，所述第一粘合剂的宽度可以大于所述第二粘合剂的宽度。
所述导电连接构件可以包括：基膜；以及导电金属部分，所述导电金属部分位于所述基膜的一整个表面上。所述导电金属部分可以通过所述导电粘合剂而被附接至所述第一电极部和所述第二电极部。
所述基膜可以由透光材料形成，并且所述导电金属部分可以被形成为反射金属层。
所述基膜可以由具有50μm至300μm的厚度的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺(PI)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)形成，并且所述反射金属层可以由银(Ag)或铝(Al)形成。
所述基膜和所述导电金属部分可以包括具有基本上为矩形的平面形状的主体部分，所述平面形状在第一方向上具有预定长度，并且在垂直于所述第一方向的第二方向上具有预定宽度。
所述基膜和所述导电金属部分可以具有还包括在所述第二方向上从所述主体部分延伸的至少一个分支部分的平面形状。所述至少一个分支部分可以被电连接至所述第一电极部。
作为另一示例，所述导电连接构件可以被形成为金属箔。所述金属箔可以包括具有基本上为矩形的平面形状的主体部分，所述平面形状在第一方向上具有预定长度，并且在垂直于所述第一方向的第二方向上具有预定宽度。所述金属箔可以具有还包括在所述第二方向上从所述主体部分延伸的至少一个分支部分的平面形状。
具有上述配置的所述导电连接构件可以包括用于应力消除的狭缝。
所述第一电极部可以包括：突片部分，所述突片部分在所述第一方向上延伸，并且被附接至所述主体部分；以及汇流条部分，所述汇流条部分在电连接和物理连接至所述突片部分的状态下在所述第二方向上从所述突片部分延伸，并且被附接至分支部分。
作为另一示例，所述第一电极部可以包括：突片部分，所述突片部分在所述第一方向上延伸，并且被附接至所述主体部分；以及指状物部分，所述指状物部分在所述第二方向上与所述突片部分间隔开，在所述第一方向上延伸，并且被附接至分支部分。
作为另一示例，所述第一电极部可以包括：突片部分，所述突片部分在所述第一方向上延伸，并且被附接至所述主体部分；汇流条部分，所述汇流条部分在电连接和物理连接至所述突片部分的状态下在所述第二方向上从所述突片部分延伸，并且被附接至分支部分；以及多个指状物部分，所述多个指状物部分在所述第二方向上与所述突片部分间隔开，在所述第一方向上延伸，并且被电连接和物理连接至所述汇流条部分。
所述前基板可以由具有良好透光率的低铁钢化玻璃形成，并且所述背基板可以由所述低铁钢化玻璃形成。
另选地，所述前基板可以由高渗透性氟膜形成，并且所述背基板可以由聚氟乙烯(PVF)、聚偏氟乙烯(PVDF)和聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)中的一种形成。
封装剂可以位于所述前基板与所述背基板之间以封装所述多个化合物半导体太阳能电池。
所述封装剂可以由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚烯烃(PO)、离聚物、聚乙烯醇缩丁醛(PVB)或硅中的至少一种形成。
所述封装剂可以包括：前封装剂，所述前封装剂位于所述前基板与所述多个化合物半导体太阳能电池之间；以及背封装剂，所述背封装剂位于所述多个化合物半导体太阳能电池与所述背基板之间。所述前封装剂和所述背封装剂可以由相同的材料或不同的材料形成。
另选地，所述封装剂没有位于所述多个化合物半导体太阳能电池与所述背基板之间，而是可以仅位于所述前基板与所述多个化合物半导体太阳能电池之间。光反射涂层可以位于所述第二基板的内表面上以反射通过所述前基板入射的光。
在这种情况下，可以设置所述多个化合物半导体太阳能电池，使得所述多个化合物半导体太阳能电池与所述光反射涂层直接接触。所述多个化合物半导体太阳能电池可以通过覆盖所述多个化合物半导体太阳能电池并且覆盖所述相邻化合物半导体太阳能电池之间的所述光反射涂层的所述封装剂来封装。
即使当所述光反射涂层位于所述第二基板的所述内表面上时，所述背封装剂可以附加地位于所述光反射涂层与所述化合物半导体太阳能电池之间。
空气或惰性气体可以被填充在所述前基板与所述背基板之间，而不是所述封装剂被填充在所述前基板与所述背基板之间。
在这种情况下，所述前基板与所述背基板之间的距离可以通过间隔体来维持。所述间隔体可以位于不同串上布置成彼此相邻的化合物半导体太阳能电池之间的间隔中。
所述多个化合物半导体太阳能电池可以通过位于所述背基板的所述内表面上的粘合剂而被附接至所述背基板，并且可以与所述背基板间隔开预定距离。
密封剂可以位于所述太阳能电池模块的边缘处以防止来自外部的湿气渗透到所述太阳能电池模块的内部。所述密封剂可以包括：热塑间隔体，所述热塑间隔体被附接至所述前基板的内表面和所述背基板的内表面；以及硅，所述硅被附接至所述前基板的所述内表面和所述背基板的所述内表面，并且围绕所述热塑间隔体。所述热塑间隔体可以包括位于其中的吸湿剂。
因此，太阳能电池模块可以具有无框结构，所述无框结构不包括围绕太阳能电池模块的外围边缘的金属框架。
太阳能电池模块可以使用作为导电粘合剂的以预定温度(例如，180℃或更低的温度)固化的低温可固化浆料将化合物半导体太阳能电池的电极部物理地附接至导电连接构件，并且可以将化合物半导体太阳能电池的电极部电连接至导电连接构件。因此，太阳能电池模块可以减小在用于将包括化合物半导体太阳能电池的太阳能电池模块模块化的处理中施加至化合物半导体太阳能电池的热应力，并且可以防止化合物半导体太阳能电池热变形。
如上所述，将第二电极部附接至导电连接构件的第二粘合剂的厚度可以大于将第一电极部附接至导电连接构件的第一粘合剂的厚度。在这种情况下，即使当由于第一电极部与第二电极部的形成位置而在第一电极部与第二电极部之间产生了高度差时，导电连接构件也可以与化合物半导体基板基本上齐平。因此，可以高效地执行导电连接构件的附接操作。
因为导电连接构件在与化合物半导体基板基本上齐平的状态下被附接至化合物半导体太阳能电池的电极部，所以可以减小两个相邻化合物半导体太阳能电池之间的距离。
因为使用导电金属部分或金属箔来反射入射在导电连接构件上的光，所以可以增大入射在化合物半导体太阳能电池上的光量。因此，可以实现高效率的包括化合物半导体太阳能电池的太阳能电池模块。
当空气或惰性气体而不是所述封装剂被填充在前基板与背基板之间时，可以进一步提高太阳能电池模块的光学效果。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并且被并入本说明书中且构成本说明书的一部分，附图例示了本发明的实施方式，并与本描述一起用于说明本发明的原理。在附图中：
图1示意性地例示了根据现有技术的化合物半导体太阳能电池的配置；
图2例示了包括在太阳能电池模块中的图1的化合物半导体太阳能电池之间的电联接关系；
图3是根据本发明的第一实施方式的太阳能电池模块的平面图；
图4是例示图3中所示的太阳能电池模块的部分“A”的第二方向的截面图；
图5是例示图3中所示的化合物半导体太阳能电池的第一示例的立体图；
图6例示了图5中所示的化合物半导体太阳能电池的制造方法；
图7是例示图3中所示的化合物半导体太阳能电池的第二示例的立体图；
图8是例示图3中所示的化合物半导体太阳能电池的第三示例的立体图；
图9是例示图3中所示的导电连接构件的第一示例的立体图；
图10是例示图9中所示的导电连接构件的修改示例的立体图；
图11是例示图3中所示的导电连接构件的第二示例的立体图；
图12是例示包括图5中所示的化合物半导体太阳能电池和图9中所示的导电连接构件的太阳能电池模块中的相邻化合物半导体太阳能电池之间的电联接关系的第二方向的截面图；
图13是图12中所示的太阳能电池模块的主要部件的放大图；
图14例示了图13的修改示例；
图15是放大地例示了根据本发明的第二实施方式的太阳能电池模块的主要部件的第二方向的截面图；
图16是根据本发明的第三实施方式的太阳能电池模块的平面图；
图17是例示图16中所示的太阳能电池模块的主要部件的配置的第一方向的截面图；
图18是例示根据本发明的第四实施方式的太阳能电池模块中的相邻化合物半导体太阳能电池之间的电联接关系的第二方向的截面图；
图19是图18中所示的化合物半导体太阳能电池的立体图。
具体实施方式
现在将详细参照附图中例示的本发明示例的实施方式。由于本公开可以按照各种方式来修改，并且可以具有各种形式，所以附图中例示了并且本说明书中详细描述了具体实施方式。然而，要理解的是，本公开不限于具体公开的实施方式，而是包括本公开的精神和技术构思内所包括的所有修改、等同物和替代。
术语“第一”、“第二”等可以用于描述各种组件，但组件不受这些术语的限制。术语仅用于区分一个组件与其它组件的目的。
例如，在不脱离本发明的范围的情况下，第一组件可以被指定为第二组件，并且第二组件可以被指定为第一组件。
术语“和/或”包括所公开的多个相关项目的组合和来自所公开的多个相关项目当中的任何项目二者。
当任意组件被描述为“连接至”或“链接至”另一组件时，这应理解为是指：尽管任意组件可以直接连接或链接至第二组件，但它们之间仍然可以存在另一组件。
另一方面，当任意组件被描述为“直接连接至”或“直接链接至”另一组件时，这应理解为是指它们之间不存在另一组件。
本申请中所使用的术语仅用于描述具体实施方式或示例，而不旨在限制本发明。只要上下文中没有明显不同的含义，单数表达就可以包括复数表达。
在本申请中，术语“包括”和“具有”应被理解为旨在指定存在所例示的特征、数量、步骤、操作、组件、部件及其组合，但不排除存在一个或更多个不同的特征、数量、步骤、操作、组件、部件及其组合或其添加的可能性。
在附图中，为清楚起见，夸大了层、薄膜、面板、区域等的厚度。将理解的是，当诸如层、薄膜、区域或基板的元件被称作“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在另一元件上或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。
除非另有明确说明，否则本文所使用的包括技术或科学术语的所有术语具有与本发明所属的领域中具有普通知识的人员通常所理解的含义相同的含义。
除非在本申请中对通用字典中定义的术语有明显规定，否则这些术语必须被理解为具有与现有技术的上下文中所使用的含义相同的含义，并且不应被解释为具有理想或过于正式的含义。
本发明的下面示例实施方式被提供给本领域技术人员，以更完整地描述本发明。因此，为清楚起见，可以夸大附图中所示的元件的形状和尺寸。
以下，参照图3至图6、图9、图12和图13描述本发明的第一实施方式。
图3是根据本发明的第一实施方式的太阳能电池模块的平面图，以及图4是例示图3中所示的太阳能电池模块的部分“A”的第二方向的截面图。
图5是例示图3中所示的化合物半导体太阳能电池的第一示例的立体图，以及图6例示了图5中所示的化合物半导体太阳能电池的制造方法。
图9是例示图3中所示的导电连接构件的第一示例的立体图。图12是例示包括图5中所示的化合物半导体太阳能电池和图9中所示的导电连接构件的太阳能电池模块中的相邻化合物半导体太阳能电池之间的电联接关系的第二方向的截面图。图13是图12中所示的太阳能电池模块的主要部件的放大图。
根据本发明的第一实施方式的太阳能电池模块包括多个化合物半导体太阳能电池100。
多个化合物半导体太阳能电池100具有多个串S1、S2、…、和Sn。布置在同一串上的化合物半导体太阳能电池100通过导电连接构件200彼此串联电连接。尽管图3中没有示出，但相邻串的相邻化合物半导体太阳能电池通过条状导电带或导线彼此串联连接。
例如，用于引出的导线被附接在第一串S1的第一行上的化合物半导体太阳能电池的第一电极部或第二电极部以及最后一串Sn的第一行上的化合物半导体太阳能电池的第二电极部或第一电极部。
另外，第一串S1的最后一行上的化合物半导体太阳能电池的第一电极部或第二电极部通过导电带或导线与第二串S2的最后一行上的化合物半导体太阳能电池的第二电极部或第一电极部串联连接。第二串S1的第一行上的化合物半导体太阳能电池的第一电极部或第二电极部通过导电带或导线与第三串S3的第一行上的化合物半导体太阳能电池的第二电极部或第一电极部串联连接。
根据本发明的第一实施方式的包括在太阳能电池模块中的所有化合物半导体太阳能电池按照这种电联接方式彼此串联电连接。
如图5所示，根据本发明的第一实施方式的化合物半导体太阳能电池100包括化合物半导体基板110，所述化合物半导体基板110包含光吸收层；第一电极部120，所述第一电极部120位于化合物半导体基板110的前表面上；绝缘基板140，所述绝缘基板140位于化合物半导体基板110的背表面处，并且支撑化合物半导体基板110；第二电极部130，所述第二电极部130位于化合物半导体基板110的背表面与绝缘基板140的前表面之间，并且延伸至化合物半导体基板110的一端的外部；以及绝缘粘合剂150，所述绝缘粘合剂150将第二电极部130附接至绝缘基板140。
在本文公开的实施方式中，“前表面”表示面向第一电极部120的前面的表面，以及“背表面”表示面向绝缘基板140的后面的表面。
化合物半导体基板110由母板通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)法、分子束外延(MBE)法或用于形成外延层的另一适当方法制造。
参照图6，母板1000可以用作为化合物半导体基板110提供适当晶格结构的基体。母板1000可以由GaAs、InP、GaP、GaSb或另一III-V化合物制造。
在下面的描述中，将化合物半导体基板110由GaAs化合物形成的情况作为示例来进行描述。
母板1000可以是先前用于制造一个或更多个化合物半导体基板110的基板。
即，母板1000可以在制造工艺的某些阶段与化合物半导体基板110分离，并且可以再用于制造其它的化合物半导体基板。
牺牲层1100被形成在母板1000上。牺牲层1100是使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法、分子束外延(MBE)法或用于形成外延层的另一适当方法来形成在母板1000上的。
牺牲层1100由能够使用外延剥离(ELO)处理来去除的材料形成。
化合物半导体基板110被形成在牺牲层1100上。化合物半导体基板110可以包括一层或更多层光吸收层。
光吸收层表示具有特定带隙能量特性的化合物半导体太阳能电池的层或区域，并且使用发电中的太阳光谱的特定部分。
当化合物半导体基板110包括两层或更多层光吸收层时，光吸收层可以具有不同的带隙能量特性。
具有上述配置的化合物半导体基板110可以由具有1μm至10μm的厚度T1的GaAs基板制成。
尽管没有具体示出，但化合物半导体基板110可以具有各种结构。
当制造化合物半导体基板110时，用作第二电极部130的金属层被形成在化合物半导体基板110的暴露表面上。金属层可以是使用气相沉积法来形成的。
当形成第二电极部130时，使用其一表面施加有绝缘粘合剂150的绝缘基板140将化合物半导体基板110从母板1000剥离。
在这种情况下，绝缘粘合剂150没有被施加至绝缘基板140，并且可以被施加至化合物半导体基板110的第二电极部130。
为了易于执行化合物半导体基板110的剥离，绝缘基板140可以被配置为使得如图6所示的绝缘基板140的两端比其中心部分弯曲得更多。
当如上所述的使用具有弯曲形状的绝缘基板140时，处于绝缘基板140被附接至第二电极部130的状态下的绝缘基板140的两端在将化合物半导体基板110从母板1000剥离的方向上向化合物半导体基板110施加力。因此，可以高效地从母板1000剥离化合物半导体基板110。
在从母板1000剥离化合物半导体基板110之后，化合物半导体基板110的一端被蚀刻以暴露第二电极部130的一部分。第二电极部130的暴露部分被形成为延伸部130A，导电连接构件200的一端通过导电粘合剂600附接至延伸部130A(参见图13)。
然后，第一电极部120被形成在化合物半导体基板110的暴露表面上。
第一电极部120和第二电极部130收集化合物半导体基板110的光吸收层中所产生的载流子。
如图5所示，第一电极部120可以包括在第二方向X-X’上形成的多个汇流条部分120A以及在第一方向Y-Y’上具有预定长度并且物理连接和电连接多个汇流条部分120A中的每一个汇流条部分的一端的突片(tab)部分120B。
多个汇流条部分120A可以在第一方向Y-Y’上彼此间隔开，并且可以具有在第二方向X-X’上延伸的条形形状。突片部分120B可以物理和电连接至多个汇流条部分120A的端部，并且可以具有在第一方向Y-Y’上延伸的条形形状。突片部分120B可以位于化合物半导体基板110的一端，例如，左端。
多个汇流条部分120A中的每一个汇流条部分均用于收集载流子。突片部分120B用于聚集通过多个汇流条部分120A收集的载流子，并且将载流子提供给外部电路。
各个汇流条部分120A的宽度W1均可以小于突片部分120B的宽度W2。例如，突片部分120B在第二方向X-X’上的宽度W2可以比汇流条部分120A在第一方向Y-Y’上的宽度W1大数倍至数十倍。
具有上述配置的第一电极部120可以由导电材料形成。例如，第一电极部120可以由金(Au)、锗(Ge)和镍(Ni)中的至少一种形成。
尽管没有示出，但形成欧姆接触的盖层可以被形成在第一电极部120与化合物半导体基板110之间，并且防反射层可以被形成在化合物半导体基板110的前表面中的没有形成第一电极部120的部分中。
第二电极部130可以完全位于化合物半导体基板110的背表面上。
在本文公开的实施方式中，“完全位于”是指第二电极部130基本上覆盖化合物半导体基板110的整个背表面。
另外，第二电极部130覆盖绝缘基板140的整个前表面。
因此，第二电极部130包括延伸至化合物半导体基板110的端部的外部的延伸部130A。延伸部130A被物理附接至用于将第二电极部130电连接至与第二电极部130相邻的化合物半导体太阳能电池100的第一电极部120的突片部分120B。
第二电极部130的延伸部130A可以沿着第二方向X-X’向化合物半导体基板110的端部的外部延伸预定长度L1(例如，0.1mm至5mm)。
延伸部130A在第二方向X-X’上的长度L1等于或大于0.1mm的理由在于：当延伸部130A的长度L1小于0.1mm时，难以物理附接导电连接构件200。另外，延伸部130A在第二方向X-X’上的长度L1等于或小于5mm的理由在于：当延伸部130A的长度L1大于5mm时，太阳能电池模块中无法用于光吸收的盲区(dead space)增大而导致光吸收区域减小。
根据本发明人的实验，优选的但不是必需的是，延伸部130A向化合物半导体基板110的一端的外部延伸约0.1mm至2mm的长度L1。
下面描述具有上述配置的化合物半导体太阳能电池100的操作。
当光入射在化合物半导体太阳能电池100的前表面上时，入射光在化合物半导体基板110内部产生电子-空穴对。电子-空穴对通过p-n结分离成电子和空穴，然后电子和空穴移动至第一电极部120和第二电极部130。
根据本发明的实施方式的太阳能电池模块包括多个化合物半导体太阳能电池100、用于将两个相邻化合物半导体太阳能电池100电连接的导电连接构件200、用于封装多个化合物半导体太阳能电池100的封装剂300、设置在多个化合物半导体太阳能电池100的前表面处的封装剂300上的光透射前基板400、设置在多个化合物半导体太阳能电池100的背表面处的封装剂300下方的背基板500、以及用于将导电连接构件200物理附接至化合物半导体太阳能电池100的相应电极部的导电粘合剂600。
背基板500可以防止湿气和氧气渗透到太阳能电池模块的背表面，并且可以保护多个化合物半导体太阳能电池100免受外部环境的影响。
背基板500可以具有包括防湿气/氧气渗透层、化学防腐层、绝缘特性层等的多层结构。例如，背基板500可以由聚氟乙烯(PVF)、聚偏氟乙烯(PVDF)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和低铁钢化玻璃中的一种形成。
当在封装剂300被设置在多个化合物半导体太阳能电池100上和下方的状态下执行层压处理时，封装剂300与多个化合物半导体太阳能电池100形成为一体，从而防止由于湿气渗透而导致的腐蚀，并且保护多个化合物半导体太阳能电池100免受冲击。
封装剂300可以由乙烯醋酸乙烯酯(EVA)、聚烯烃(PO)、离聚物、聚乙烯醇缩丁醛(PVB)和硅树脂形成。
封装剂300可以包括位于前基板400与多个化合物太阳能电池100之间的前封装剂和位于多个化合物太阳能电池100与背基板500之间的背封装剂。前封装剂和背封装剂可以由相同的材料或不同的材料形成。
封装剂300上的前基板400可以由具有高透光率和优异的防损坏功能的钢化玻璃等形成，或者可以由高渗透性氟膜形成。
在这种情况下，钢化玻璃可以是含有少量铁的低铁钢化玻璃。
如图9所示，导电连接构件200包括基膜210和位于基膜210的至少一个表面(例如，整个下表面)上的导电金属部分220(例如，反射金属层220)。
基膜210可以由透光材料(例如，聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺(PI)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN))形成，并且可以具有50μm至300μm的厚度T2。
反射金属层220可以由银(Ag)或铝(Al)形成。
根据具有上述配置的导电连接构件200，入射在两个相邻化合物半导体太阳能电池100之间的间隔(即，导电连接构件200)上的光穿过基膜210，然后从反射金属层220反射。反射的光再次被前基板400反射，并且入射在化合物半导体太阳能电池100的入射表面上。
因此，入射在化合物半导体太阳能电池100上的光量增大，并且太阳能电池模块的输出增大。
然而，基膜210可以由不透明材料或半透明材料形成。在这种情况下，单独的反射表面可以被形成在基膜210的另一表面(即，与基膜210中设置有反射金属层220的表面相反的表面)上。
基膜210可以包括用于散射其中的光的散射粒子。
当反射金属层220完全位于基膜210的下表面上时，基膜210与反射金属层220可以被形成为具有基本上为矩形的平面形状的主体部分200-1，该平面形状在第一方向Y-Y’上具有预定长度L2并且在第二方向X-X’上具有预定宽度W3。
在这种情况下，导电连接构件200在第一方向Y-Y’上的长度L2可以等于或小于化合物半导体基板110在第一方向Y-Y’上的长度。
当按照上述基本上为矩形的平面形状来形成导电连接构件200时，可以高效地反射入射在两个相邻化合物半导体太阳能电池100之间的间隔上的光，并且可以高效地增大导电连接构件200与相应电极部之间的附接区域。
如图9中的虚线所示，导电连接构件200可以包括位于主体部分200-1上的用于应力消除的狭缝211。
用于将导电连接构件200物理附接至化合物半导体太阳能电池100的相应电极部的导电粘合剂600由低温可固化浆料形成。
如图13所示，低温可固化浆料可以包括在180℃或更低的温度(优选地，150℃或更低)下固化的热固性树脂610以及分散在热固性树脂610中的多个导电粒子620。热固性树脂610可以包括环氧基树脂或硅基树脂，导电粒子620可以包括Ag、SnBi、Ni和Cu中的至少一种。
导电粒子620可以按照包括薄片形状、球形状、栗子刺(chestnut bur)形状等的各种形状来形成。
当使用由上述低温可固化浆料形成的导电粘合剂600将导电连接构件200物理附接至相应电极部120或130时，可以减小施加至化合物半导体太阳能电池100的热应力，并且可以防止化合物半导体太阳能电池100热变形。
在图5所示的化合物半导体太阳能电池100中，第一电极部120和第二电极部130二者都位于绝缘基板140的前表面处。然而，更具体地，第一电极部120位于化合物半导体基板110的前表面处，而第二电极部130位于化合物半导体基板110的背表面处。因此，第一电极部120与第二电极部130之间产生了高度差H1。
在本文公开的实施方式中，高度差H1为第二电极部130的背表面与第一电极部120的背表面之间的距离或第二电极部130的前表面与第一电极部120的前表面之间的距离。
因此，当使用导电连接构件200电连接两个相邻化合物半导体太阳能电池100时，在现有技术中由于高度差H1而不易于执行用于使用导电连接构件200附接两个相邻化合物半导体太阳能电池100的处理。因此，在现有技术中，由操作者手动执行导电连接构件200的附接处理。
另一方面，如图13所示，为了易于执行根据本发明的实施方式的太阳能电池模块中的导电连接构件200的附接处理，用于将第二电极部130物理附接至导电连接构件200的第二粘合剂600B的厚度T3被设置为大于用于将第一电极部120物理附接至导电连接构件200的第一粘合剂600A的厚度T4。
可以优选的但不是必需的是，第二粘合剂600B的厚度T3可以与化合物半导体基板110的厚度T1、第一粘合剂600A的厚度T4和第一电极部120的厚度T5的总和(T1+T4+T5)基本上相同。
如上所述，当第二粘合剂600B的厚度T3被设置为大于第一粘合剂600A的厚度T4时，尽管第一电极部120与第二电极部130之间存在高度差H1，但导电连接构件200可以与化合物半导体基板110基本上齐平。因此，可以通过自动处理来高效地执行导电连接构件200的附接处理。
因为导电连接构件200在与化合物半导体基板110基本上齐平的状态下被附接至化合物半导体太阳能电池100的电极部，所以与现有技术相比，可以减小导电连接构件200在第二方向X-X’上的宽度W3。另外，还可以减小两个相邻化合物半导体太阳能电池100之间的距离D1。
然而，第二粘合剂600B的厚度T3可以小于化合物半导体基板110的厚度T1、第一粘合剂600A的厚度T4和第一电极部120的厚度T5的总和(T1+T4+T5)。相反，第二粘合剂600B的厚度T3可以大于化合物半导体基板110的厚度T1、第一粘合剂600A的厚度T4和第一电极部120的厚度T5的总和(T1+T4+T5)。
第一粘合剂600A和第二粘合剂600B可以通过印刷法而被施加至电极部120和130。为了使第二粘合剂600B的厚度T3大于第一粘合剂600A的厚度T4，第一粘合剂600A可以通过一次印刷处理形成，第二粘合剂600B可以通过多次粘合处理形成。
另选地，第一粘合剂600A和第二粘合剂600B中的每一个均可以通过多次粘合处理，并且第二粘合剂600B的印刷处理的次数可以大于第一粘合剂600A的印刷处理的次数。
与上述描述不同，第一粘合剂600A在第二方向X-X’上的宽度W4可以不同于第二粘合剂600B在第二方向X-X’上的宽度W5，并且第一粘合剂600A和第二粘合剂600B可以具有不同的宽度和不同的厚度。
可以使用加热至预定温度的仪器或热风对包括第一粘合剂600A和第二粘合剂600B的导电粘合剂600进行固化。
图14例示了图13的修改示例。更具体地，图14例示了第一粘合剂600A在第二方向X-X’上的宽度W4不同于第二粘合剂600B在第二方向X-X’上的宽度W5的修改示例。
在本发明的实施方式中，第一粘合剂600A在第二方向X-X’上的宽度W4可以大于第二粘合剂600B在第二方向X-X’上的宽度W5。
当按照彼此相同的量或相似的量来施加第一粘合剂600A和第二粘合剂600B时，在用于将第一粘合剂600A附接至导电连接构件200的处理和用于将第二粘合剂600B附接至导电连接构件200的处理中，第一粘合剂600A的宽度W4大于第二粘合剂600B的宽度W5。
具有上述配置的导电粘合剂可以按照沿着导电连接构件200的主体部分200-1的长度方向(即，第一方向Y-Y’)延伸的条形形状来施加，或者可以仅被局部地施加至主体部分200-1的一部分。
当导电粘合剂600被局部地施加时，封装剂300可以被填充在彼此在第一方向Y-Y’上相邻的导电粘合剂600之间。
第一粘合剂600A在第二方向X-X’上的宽度W4可以大于第一电极部120的突片部分120B在第二方向X-X’上的宽度W2。
在这种情况下，第一粘合剂600A的一部分可以被附接至第一电极部120的汇流条部分120A的一部分。
导电连接构件可以按照各种平面形状来形成。
例如，如图10所示，根据本发明的实施方式的导电连接构件200A可以具有包括主体部分200A-1和在导电连接构件200A的宽度方向(即，第二方向X-X’)上从主体部分200A-1延伸的至少一个分支部分200A-2的平面形状，所述主体部分200A-1包括形成在第一方向Y-Y’上具有预定长度和在第二方向X-X’上具有预定宽度的基本上为矩形的平面形状的基膜210A和导电金属部分220A。
分支部分200A-2可以被形成在与第一电极部120的汇流条部分120A对应的位置处，并且可以使用第一粘合剂600A而被附接至汇流条部分120A。
在具有上述配置的导电连接构件200A中，导电金属部分220A可以通过涂覆而被形成在基膜210A的整个下表面上。
另选地，如图11所示，根据本发明的实施方式的导电连接构件200B可以包括与图9中的导电连接构件200的主体部分200-1具有相同平面形状的主体部分200B-1。另外，根据本发明的实施方式的导电连接构件200B可以被形成为具有预定厚度T2(例如，50μm至300μm的厚度T2)的金属箔210B。金属箔210B可以按照与图10中所示的导电连接构件200A相同的形状来形成。即，金属箔210B还可以包括分支部分。
下面参照图7和图8描述根据本发明的第一实施方式的可应用于太阳能电池模块的化合物半导体太阳能电池的另一示例。
在说明图7和图8中所示的化合物半导体太阳能电池时，可以简略进行或可以完全省略对与图5中所示的化合物半导体太阳能电池相同或等同的结构和组件的进一步描述。
图7是例示图3中所示的化合物半导体太阳能电池的第二示例的立体图，以及图8是例示图3中所示的化合物半导体太阳能电池的第三示例的立体图。
由于除了第一电极部的结构之外，图7和图8中所示的化合物半导体太阳能电池与图5中所示的化合物半导体太阳能电池基本上相同，所以下面仅描述第一电极部的结构。
图7中所示的化合物半导体太阳能电池100A的第一电极部120-1可以在第一方向Y-Y’上延伸。第一电极部120-1可以包括突片部分120B-1，所述突片部分120B-1被附接至导电连接构件200、200A和200B的主体部分200-1、200A-1、200B-1；以及多个指状物部分120C，所述多个指状物部分120C在第二方向X-X’上与突片部分120B-1间隔开，并且在第一方向Y-Y’上延伸。
因此，当使用图10中所示的导电连接构件200A时，至少一个分支部分200A-2在与多个指状物部分120C交叉的方向上延伸。因此，所述至少一个分支部分200A-2可以通过导电粘合剂而被物理附接至多个指状物部分120C，并且可以被电连接至多个指状物部分120C。
与图7不同，图8中所示的化合物半导体太阳能电池100B的第一电极部120-2还可以包括多个汇流条部分120A-2。也就是说，第一电极部120-2可以包括突片部分120B-2，所述突片部分120B-2附接至导电连接构件200、200A和200B的主体部分200-1、200A-1、200B-1；多个汇流条部分120A-2，所述多个汇流条部分120A-2在被电连接和物理连接至突片部分120B-2的状态下在第二方向X-X’上从突片部分120B-2延伸，并且被附接至分支部分200A-2；以及多个指状物部分120C，所述多个指状物部分120C在第二方向X-X’上与突片部分120B-2间隔开，在第一方向Y-Y’上延伸，并且被电连接和物理连接至突片部分120A-2。
因此，当使用图10中所示的导电连接构件200A时，至少一个分支部分200A-2可以通过导电粘合剂而被物理附接至多个汇流条部分120A-2，并且可以被电连接至多个汇流条部分120A-2。
在包括图5、图7和图8中所示的化合物半导体太阳能电池100、100A和100B之一和图9至图11中所示的导电连接构件200、200A和200B之一的太阳能电池模块中，如图4所示，密封剂700可以位于太阳能电池模块的边缘处，以防止来自外部的湿气渗透到太阳能电池模块的内部。密封剂700可以包括附接至前基板400的内表面和背基板500的内表面的热塑间隔体(thermoplastic spacer,TPS)710和附接至前基板400的内表面和背基板500的内表面并且围绕热塑间隔体710的硅720。热塑间隔体710可以包括位于其中的吸湿剂711。
因此，太阳能电池模块可以具有无框结构，该无框结构不包括围绕太阳能电池模块的外围边缘的金属框架。
下面参照图15描述根据本发明的第二实施方式的太阳能电池模块。
图15是放大地例示根据本发明的第二实施方式的太阳能电池模块的主要部件的第二方向的截面图。
在说明本发明的第二实施方式时，与根据第一实施方式的太阳能电池模块相同或等同的结构和组件用相同的附图标记来指定，并且可以简要进行或可以完全省略进一步描述。
根据本发明的第二实施方式的太阳能电池模块可以使用图5、图7和图8中所示的化合物半导体太阳能电池100、100A和100B中的任何一种。
除了光反射涂层800被附加地设置在背基板500的内表面上之外，根据本发明的第二实施方式的太阳能电池模块与根据本发明的第一实施方式的太阳能电池模块基本上相同。
光反射涂层800朝向前基板400反射入射在不同串上彼此相邻的化合物半导体太阳能电池100之间的间隔上的光，从而增大入射在化合物半导体太阳能电池100上的光量。
由于执行上述操作的光反射涂层800可以具有能够反射光的通用结构，所以将省略其详细描述。
下面参照图16和图17描述根据本发明的第三实施方式的太阳能电池模块。
图16是根据本发明的第三实施方式的太阳能电池模块的平面图，以及图17是例示图16中所示的太阳能电池模块的主要部件的配置的第一方向的截面图。
根据本发明的第三实施方式的太阳能电池模块与根据本发明的第一实施方式的太阳能电池模块的不同之处在于利用空气或惰性气体300A而不是第一实施方式中的前基板400与背基板500之间的封装剂300来填充封装剂300的形成间隔，并且由间隔体900来维持前基板400与背基板500之间的距离。间隔体900的两端可以分别被附接至前基板400的内表面和背基板500的内表面。
间隔体900可以位于不同串上彼此相邻的化合物半导体太阳能电池之间的间隔中，使得相邻化合物半导体太阳能电池之间的电联接不受间隔体900的干扰。
如图16所示，多个间隔体900可以位于岛状的不同串之间的间隔中。另选地，在第二方向X-X’上延伸的一个间隔体900可以位于不同串之间的间隔中。
尽管图16中没有示出，但间隔体900可以位于太阳能电池模块的上侧(即，布置在串的第一行上的化合物半导体太阳能电池与太阳能电池模块的边缘之间的间隔)和太阳能电池模块的下侧(即，布置在串的最后一行上的化合物半导体太阳能电池与太阳能电池模块的边缘之间的间隔)处。
多个化合物半导体太阳能电池可以通过位于背基板500的内表面上的粘合剂900A而被附接至背基板500，并且可以与背基板500间隔开预定距离。
间隔体900和粘合剂900A可以由绝缘材料或导电材料形成，并且可以由与热塑间隔体710相同的材料形成。
尽管没有示出，光反射涂层可以被附加地设置在背基板500的内表面上。
如上所述，填充有空气或惰性气体300A而不是封装剂300的太阳能电池模块可以抑制封装剂300中吸收的光的损失。
封装剂300的折射率可以约为1.5，而空气或惰性气体300A的折射率约为1。因此，填充有空气或惰性气体300A而不是封装剂300的太阳能电池模块中的化合物半导体基板110与空气或惰性气体300A之间的折射率差大于根据上述实施方式的太阳能电池模块中的化合物半导体基板110与封装剂300之间的折射率差。因此，可以进一步减少光损失。
因此，与上述实施方式相比，可以进一步提高填充有空气或惰性气体300A而不是封装剂300的太阳能电池模块的光学效果。
参照图18和图19描述根据本发明的第四实施方式的太阳能电池模块。
与根据上述实施方式的化合物半导体太阳能电池100、100A和100B不同，在用于根据本发明的第四实施方式的太阳能电池模块的化合物半导体太阳能电池100C中，第二电极部130-3不包括延伸部，并且化合物半导体基板110与绝缘基板140具有相同尺寸。
在包括化合物半导体太阳能电池100C的太阳能电池模块中，绝缘基板140包括通孔141，并且通孔141被填充有导电粘合剂600。
根据本发明的第四实施方式的太阳能电池模块被配置为使得一个化合物半导体太阳能电池100C的第一电极120的突片部分120B在投影平面上与和所述一个化合物半导体太阳能电池100C相邻的另一个化合物半导体太阳能电池100C的第二电极部130的一部分交叠。
因此，两个相邻化合物半导体太阳能电池100C通过经由通孔141中填充的导电粘合剂600将一个化合物半导体太阳能电池100C的第二电极130电连接至与所述一个化合物半导体太阳能电池100C相邻的另一个化合物半导体太阳能电池100C的第一电极120的突片部分120B来彼此串联连接。
通孔141可以按照沿着突片部分120B的长度方向延伸的条形形状来形成，或者可以沿着突片部分120B的长度方向局部地形成。
尽管已经参照其多个例示性实施方式描述了实施方式，但应理解的是，本领域技术人员可以设想到将落入本公开原理的范围内的许多其它修改和实施方式。更具体地，可以对本公开、附图和所附权利要求的范围内的主题组合布置的组成部件和/或布置进行各种变型和修改。除了对组成部件和/或布置进行变型和修改之外，对本领域技术人员而言，替代使用也将是显而易见的。
相关申请的交叉引用
本申请要求2016年6月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2016-0073738号的优先权和权益，通过引用将其全部内容并入本文。

Claims (20)

1.一种太阳能电池模块，该太阳能电池模块包括：
多个化合物半导体太阳能电池，各个化合物半导体太阳能电池均包括：
化合物半导体基板，所述化合物半导体基板包括至少一层光吸收层；
第一电极部，所述第一电极部位于所述化合物半导体基板的第一表面上；
第二电极部，所述第二电极部位于所述化合物半导体基板的第二表面上，所述第二电极部的一部分延伸至所述化合物半导体基板的边界的外部；
绝缘基板，所述绝缘基板位于所述第二电极部的表面上；以及
绝缘粘合剂，所述绝缘粘合剂将所述绝缘基板联接至所述第二电极部的所述表面；
导电连接构件，所述导电连接构件将所述化合物半导体太阳能电池中的第一化合物半导体太阳能电池电连接至所述化合物半导体太阳能电池中的第二化合物半导体太阳能电池，所述第一化合物半导体太阳能电池与所述第二化合物半导体太阳能电池相邻；
导电粘合剂，所述导电粘合剂(i)将所述导电连接构件联接至所述第一化合物半导体太阳能电池和所述第二化合物半导体太阳能电池，并且所述导电粘合剂(ii)包括低温可固化浆料；
第一基板，所述第一基板被联接至所述多个化合物半导体太阳能电池的第一侧；以及
第二基板，所述第二基板被联接至所述多个化合物半导体太阳能电池的第二侧，
其中，所述导电粘合剂包括：
第一粘合剂，所述第一粘合剂将所述导电连接构件联接至所述第一化合物半导体太阳能电池的第一电极部；以及
第二粘合剂，所述第二粘合剂将所述导电连接构件联接至所述第二化合物半导体太阳能电池的第二电极部，并且
其中，所述第一粘合剂的厚度与所述第二粘合剂的厚度不同。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其中，所述低温可固化浆料包括(i)在180℃或更低的温度固化的树脂以及(ii)所述树脂中的多个导电粒子，并且
其中，所述树脂包括环氧基树脂或硅基树脂，并且所述导电粒子包括Ag、SnBi、Ni和Cu中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其中，所述绝缘基板包括：
具有10μm至300μm的厚度的聚合物。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其中，所述第二电极部的所述部分在所述化合物半导体基板的边界的外部延伸0.1mm至5mm。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其中，所述第二粘合剂的厚度大于所述第一粘合剂的厚度。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池模块：
其中，所述导电连接构件包括：
基膜；以及
导电金属部分，所述导电金属部分覆盖所述基膜的第一表面，并且
其中，所述导电金属部分使用所述导电粘合剂而被联接至所述第一电极部和所述第二电极部。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池模块，其中，所述基膜包括透光材料，
其中，所述导电金属部分包括反射金属层，
其中，所述基膜包括聚对苯二甲酸乙二醇酯PET、聚酰亚胺PI或聚萘二甲酸乙二醇酯PEN中的至少一种，并且具有50μm至300μm的厚度，并且
其中，所述反射金属层包括银Ag或铝Al中的至少一种。
8.根据权利要求5所述的太阳能电池模块，该太阳能电池模块还包括：
封装剂，所述封装剂位于所述第一基板与所述第二基板之间，并且所述封装剂被配置为封装所述化合物半导体太阳能电池；以及
光反射涂层，所述光反射涂层被联接至所述第二基板的内表面。
9.根据权利要求5所述的太阳能电池模块，该太阳能电池模块还包括：
内部间隔，所述内部间隔位于所述第一基板与所述第二基板之间，
其中，所述内部间隔填充有空气或惰性气体。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池模块，该太阳能电池模块还包括：
间隔体，所述间隔体位于所述化合物半导体太阳能电池中的两个相邻的化合物半导体太阳能电池之间，以维持所述第一基板与所述第二基板之间的距离，
其中，所述化合物半导体太阳能电池使用粘合剂而被联接至所述第二基板的内表面。
11.根据权利要求10所述的太阳能电池模块，该太阳能电池模块还包括：
光反射涂层，所述光反射涂层被联接至所述第二基板的所述内表面。
12.根据权利要求5所述的太阳能电池模块，该太阳能电池模块还包括：
密封剂，所述密封剂位于所述第一基板和所述第二基板的边缘处，
其中，所述密封剂包括：
热塑间隔体，所述热塑间隔体(i)被联接至所述第一基板的内表面和所述第二基板的内表面，并且所述热塑间隔体(ii)包括吸湿剂；以及
硅，所述硅(i)被联接至所述第一基板的所述内表面和所述第二基板的所述内表面，并且所述硅(ii)围绕所述热塑间隔体。
13.根据权利要求12所述的太阳能电池模块，该太阳能电池模块还包括：
光反射涂层，所述光反射涂层被联接至所述第二基板的所述内表面。
14.根据权利要求5所述的太阳能电池模块，其中，所述导电连接构件包括金属箔。
15.根据权利要求14所述的太阳能电池模块，该太阳能电池模块还包括：
封装剂，所述封装剂位于所述第一基板与所述第二基板之间，并且所述封装剂包括聚对苯二甲酸乙二醇酯PET、聚烯烃PO、离聚物、聚乙烯醇缩丁醛PVB或硅中的至少一种；以及
光反射涂层，所述光反射涂层被联接至所述第二基板的内表面。
16.根据权利要求14所述的太阳能电池模块，该太阳能电池模块还包括：
内部间隔，所述内部间隔位于所述第一基板与所述第二基板之间，
其中，所述内部间隔填充有空气或惰性气体。
17.根据权利要求16所述的太阳能电池模块，该太阳能电池模块还包括：
间隔体，所述间隔体位于所述化合物半导体太阳能电池中的两个相邻的化合物半导体太阳能电池之间，以维持所述第一基板与所述第二基板之间的距离，
其中，所述化合物半导体太阳能电池使用粘合剂而被联接至所述第二基板的内表面。
18.根据权利要求17所述的太阳能电池模块，该太阳能电池模块还包括：
光反射涂层，所述光反射涂层被联接至所述第二基板的所述内表面。
19.根据权利要求14所述的太阳能电池模块，该太阳能电池模块还包括：
密封剂，所述密封剂位于所述第一基板和所述第二基板的边缘处，
其中，所述密封剂包括：
热塑间隔体，所述热塑间隔体(i)被联接至所述第一基板的内表面和所述第二基板的内表面，并且所述热塑间隔体(ii)包括吸湿剂；以及
硅，所述硅(i)被联接至所述第一基板的所述内表面和所述第二基板的所述内表面，并且所述硅(ii)围绕所述热塑间隔体。
20.根据权利要求19所述的太阳能电池模块，该太阳能电池模块还包括：
光反射涂层，所述光反射涂层被联接至所述第二基板的所述内表面。
CN201710441809.1A 2016-06-14 2017-06-13 太阳能电池模块 Expired - Fee Related CN107507880B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2016-0073738 2016-06-14
KR1020160073738A KR101821393B1 (ko) 2016-06-14 2016-06-14 태양전지 모듈

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107507880A CN107507880A (zh) 2017-12-22
CN107507880B true CN107507880B (zh) 2019-03-15

Family

ID=59030871

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710441809.1A Expired - Fee Related CN107507880B (zh) 2016-06-14 2017-06-13 太阳能电池模块

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10727364B2 (zh)
EP (1) EP3258502B1 (zh)
JP (1) JP6449375B2 (zh)
KR (1) KR101821393B1 (zh)
CN (1) CN107507880B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180127751A (ko) * 2017-05-22 2018-11-30 엘지전자 주식회사 화합물 태양전지, 화합물 태양전지 모듈과 이의 제조 방법
ES2956237T3 (es) 2020-04-17 2023-12-15 Exeger Operations Ab Dispositivo fotovoltaico
KR102531134B1 (ko) * 2020-09-01 2023-05-10 한화솔루션 주식회사 태양전지 모듈
KR102531133B1 (ko) * 2020-09-01 2023-05-10 한화솔루션 주식회사 태양전지 모듈

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101483204A (zh) * 2009-02-13 2009-07-15 苏州富能技术有限公司 串并联结构的薄膜太阳电池模块组及其加工方法
EP2897179A2 (en) * 2014-01-20 2015-07-22 LG Electronics Inc. Solar cell module

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5391235A (en) * 1992-03-31 1995-02-21 Canon Kabushiki Kaisha Solar cell module and method of manufacturing the same
JP2939075B2 (ja) 1992-12-24 1999-08-25 キヤノン株式会社 太陽電池モジュール
US20030116185A1 (en) * 2001-11-05 2003-06-26 Oswald Robert S. Sealed thin film photovoltaic modules
WO2008139479A2 (en) 2007-05-15 2008-11-20 3Gsolar Ltd. Photovoltaic cell
US7122398B1 (en) 2004-03-25 2006-10-17 Nanosolar, Inc. Manufacturing of optoelectronic devices
EP2106619A2 (en) 2006-12-22 2009-10-07 Paul M. Adriani Structures for low cost, reliable solar modules
US20080223436A1 (en) * 2007-03-15 2008-09-18 Guardian Industries Corp. Back reflector for use in photovoltaic device
JP5352824B2 (ja) 2007-07-20 2013-11-27 独立行政法人 宇宙航空研究開発機構 太陽電池の製造方法
JP2012526396A (ja) 2009-05-04 2012-10-25 マイクロリンク デバイセズ， インク． 太陽電池アレイの組立技法及びそれにより形成された太陽電池
US20120199173A1 (en) * 2009-07-31 2012-08-09 Aqt Solar, Inc. Interconnection Schemes for Photovoltaic Cells
CN102695769A (zh) 2009-10-14 2012-09-26 阿德科产品公司 炭黑在太阳能模块应用中用于氧化和热稳定性的用途
JP5560860B2 (ja) 2010-04-06 2014-07-30 トヨタ自動車株式会社 太陽電池モジュール
KR101642152B1 (ko) * 2010-08-20 2016-07-22 엘지전자 주식회사 태양전지 모듈
JP5736986B2 (ja) 2011-06-14 2015-06-17 ブラザー工業株式会社 無線通信装置
JP2013016358A (ja) 2011-07-04 2013-01-24 Sony Corp 光電変換素子モジュール
KR20140098305A (ko) 2013-01-30 2014-08-08 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
KR20150100146A (ko) 2014-02-24 2015-09-02 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
KR101542003B1 (ko) * 2014-04-21 2015-08-04 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101483204A (zh) * 2009-02-13 2009-07-15 苏州富能技术有限公司 串并联结构的薄膜太阳电池模块组及其加工方法
EP2897179A2 (en) * 2014-01-20 2015-07-22 LG Electronics Inc. Solar cell module

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017224814A (ja) 2017-12-21
KR101821393B1 (ko) 2018-01-23
KR20170140947A (ko) 2017-12-22
US10727364B2 (en) 2020-07-28
EP3258502A1 (en) 2017-12-20
US20170358693A1 (en) 2017-12-14
CN107507880A (zh) 2017-12-22
JP6449375B2 (ja) 2019-01-09
EP3258502B1 (en) 2020-05-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9825188B2 (en) Solar cell module
CN107507880B (zh) 太阳能电池模块
US4461922A (en) Solar cell module
KR101476478B1 (ko) 태양 전지 모듈의 제조 방법
US20120167954A1 (en) Monolithic module assembly using back contact solar cells and metal ribbon
US20090211622A1 (en) Multi-layered electro-optic devices
US20120103415A1 (en) Interconnection sheet, solar cell with interconnection sheet, solar cell module, and interconnection sheet roll
CN105977328B (zh) 太阳能电池组件
WO2009104627A1 (ja) 太陽電池モジュール
KR101440896B1 (ko) 박막 태양전지 모듈 및 이의 제조방법
CN110313072B (zh) 部分半透明光伏模块以及用于制造的方法
US20100218897A1 (en) Method and apparatus for manufacturing multi-layered electro-optic devices
JP2009267270A (ja) 太陽電池モジュール
EP2535950A2 (en) Solar cell module
EP2141747A2 (en) Solar cell module
JP2011054663A (ja) 太陽電池モジュール
JP2018046112A (ja) 太陽電池モジュール
CN111200031B (zh) 具有集成电子器件的薄膜光伏模块及其制造方法
JP6735472B2 (ja) 太陽電池モジュール
DE102011052318A1 (de) Solarmodul und Solarmodul-Herstellungsverfahren
JP5342151B2 (ja) 太陽電池モジュール
JP2012160511A (ja) 光電変換装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20190315

Termination date: 20200613