CN107502867B - 一种用于热反射玻璃行业旋转硅银靶材及其制备方法 - Google Patents

一种用于热反射玻璃行业旋转硅银靶材及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107502867B
CN107502867B CN201710724582.1A CN201710724582A CN107502867B CN 107502867 B CN107502867 B CN 107502867B CN 201710724582 A CN201710724582 A CN 201710724582A CN 107502867 B CN107502867 B CN 107502867B
Authority
CN
China
Prior art keywords
parts
powder
silver
silicon
aluminium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710724582.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107502867A (zh
Inventor
秦国强
常金永
张志祥
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuxi Xinju Electronic Technology Co.,Ltd.
Original Assignee
Jiangyin En Telaite Plated Film Science And Technology Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangyin En Telaite Plated Film Science And Technology Ltd filed Critical Jiangyin En Telaite Plated Film Science And Technology Ltd
Priority to CN201710724582.1A priority Critical patent/CN107502867B/zh
Publication of CN107502867A publication Critical patent/CN107502867A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107502867B publication Critical patent/CN107502867B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C30/00—Alloys containing less than 50% by weight of each constituent
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C5/00—Alloys based on noble metals
    • C22C5/06—Alloys based on silver
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/18—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
    • C23C14/185—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates by cathodic sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
    • C23C4/04—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
    • C23C4/06—Metallic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
    • C23C4/12—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the method of spraying
    • C23C4/134—Plasma spraying

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)

Abstract

本发明涉及一种用于热反射玻璃行业旋转硅银靶材，属于材料技术领域。其包括硅20‑50份，银25‑55份，铪0.1‑3份，钪0.1‑2份，铝1‑5份，钒2‑7份，镍0.2‑7份，铬0.1‑1份，钴0.1‑2份，氮0.3‑1份，硫0.003‑0.01份。通过铝锭和三硫化二铝的熔化、制粉，银、镍、钒、V32N26、钪、铪、钴和铬的熔化、制粉，之后和将前述所得粉末与硅粉混合，最后等离子喷涂成靶材。本发明的靶材用真空磁控溅射方法制成的薄膜，致密性好，寿命更久，红外线反射率高，可见光透过率和反射率低。

Description

一种用于热反射玻璃行业旋转硅银靶材及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种用于热反射玻璃行业旋转硅银靶材及其制备方法，属于材料技术领域。
背景技术
热反射热反射玻璃一般是在玻璃表面镀一层或多层诸如铬、钛或不锈钢等金属或其化合物组成的薄膜，用其制作成的玻璃幕墙在现代建筑中应用的非常普遍，具有节能及调节室内光线的作用，并且使建筑具有现代的美感。其具有以下功能：1、反射和吸收可见光的功能，室内不受强光照射，视觉柔和；2、对红外线有较高的反射率，具有很好的节能性能；3、对紫外线有较高的吸收率，保护室内人员和物品免受紫外线的伤害。但是，由于其对可见光的反射率最高达82%-90%，给城市带来了严重的光污染。玻璃幕墙反射带来噪光，使人产生眩晕甚至影响身体健康，还会影响司机视线，造成交通事故。
发明内容
本发明专利的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种用于热反射玻璃行业旋转硅银靶材及其制作方法，其用真空磁控溅射方法制成的薄膜，致密性好，寿命更久，红外线反射率高，可见光透过率和反射率低。
按照本发明提供的技术方案，一种用于热反射玻璃行业旋转硅银靶材，配方比例按重量份计：硅20-50份，银25-55份，铪0.1-3份，钪0.1-2份，铝1-5份，钒2-7份，镍0.2-7份，铬0.1-1份，钴0.1-2份，氮0.3-1份，硫0.003-0.01份。
所述旋转硅银靶材密度4.95-7.11g/cm3，电阻率0.07-15 mΩ·cm ，导热率65.8-193W／(m·K) 。对应的热反射膜红外线反射率53%-87%，可见光透过率26%-49%，可见光反射率7%-25%。
所述用于热反射玻璃行业旋转硅银靶材，配方比例按重量份计：硅20-25份，银52-55份，铪2.7-2.9份，钪1.6-1.9份，铝3.1-4.3份，钒6.7-7.0份，镍6-7份，铬0.5-0.8份，钴1.3-1.7份，氮0.8-1份，硫0.003-0.008份。
所述旋转硅银靶材密度6.96-7.11g/cm3，电阻率0.07-0.09 mΩ·cm ，导热率186-193W／(m·K) 。对应的热反射膜红外线反射率78-82%，可见光透过率41-46%，可见光反射率11-15%。
所述用于热反射玻璃行业旋转硅银靶材，配方比例按重量份计：硅30-34份，银45-49份，铪1.5-2.0份，钪1.8-2.0份，铝3.8-4.1份，钒2.8-6.3份，镍5-6份，铬0.3-0.4份，钴0.1-0.3份，氮0.6-0.7份，硫0.005-0.007份。
所述旋转硅银靶材密度6.35-6.66g/cm3，电阻率0.26-0.63 mΩ·cm ，导热率157-172W／(m·K) 。对应的热反射膜红外线反射率71-79%，可见光透过率39-45%，可见光反射率16-18%。
所述用于热反射玻璃行业旋转硅银靶材，配方比例按重量份计：硅38-42份，银37-41份，铪1.2-2.4份，钪1.7-1.9份，铝4.3-4.5份，钒2.6-5.6份，镍3.1-3.3份，铬0.5-0.7份，钴1.0-1.7份，氮0.6-0.7份，硫0.005-0.009份。
所述旋转硅银靶材密度5.76-6.06g/cm3，电阻率1.65-3.53 mΩ·cm ，导热率137-143W／(m·K) 。对应的热反射膜红外线反射率61-65%，可见光透过率33-36%，可见光反射率13-16%。
所述用于热反射玻璃行业旋转硅银靶材，配方比例按重量份计：硅46-50份，银25-34份，铪2.5-2.8份，钪0.7-0.9份，铝4.6-4.8份，钒2.0-4.9份，镍4.3-4.5份，铬0.8-0.9份，钴1.1-1.0份，氮0.3-0.4份，硫0.003-0.007份。
所述旋转硅银靶材密度4.95-5.37g/cm3，电阻率8.81- 14.70mΩ·cm ，导热率66-86W／(m·K) 。对应的热反射膜红外线反射率53-57%，可见光透过率26-31%，可见光反射率21-25%。
所述用于热反射玻璃行业旋转硅银靶材，配方比例按重量份计：硅30-42份，银37-49份，铪1.2-2.4份，钪1.7-2.0份，铝3.8-4.5份，钒2.6-6.3份，镍3.1-6份，铬0.3-0.7份，钴0.1-7.7份，氮0.6-0.7份，硫0.005-0.009份。
所述用于热反射玻璃行业旋转硅银靶材，配方比例按重量份计：硅38-42份，银37-41份，铪1.2-2.4份，钪1.7-1.9份，铝4.3-4.5份，钒2.6-5.6份，镍3.1-3.3份，铬0.5-0.7份，钴1.0-1.7份，氮0.6-0.7份，硫0.005-0.009份。
所述一用于热反射玻璃行业旋转硅银靶材，配方比例按重量份计：硅42份，银38份，铪2.1份，钪1.9份，铝4.3份，钒5.6份，镍3.2份，铬0.6份，钴1.6份，氮0.7份，硫0.008份。
用于热反射玻璃行业旋转硅银靶材的制备方法，按重量份计步骤如下：
（1）铝锭和三硫化二铝熔化、制粉：向真空雾化制粉设备的熔炼炉中放入称量好的铝锭1-5份，用40-60kw的功率将铝锭熔化得到铝熔液，保温温度控制为850-900℃，保温时间为10min；之后向熔液中加入0.0047-0.016份三硫化二铝粉末，以15-30kW的功率熔炼30min；之后气雾化成100-150目的粉末；
（2）银、镍、钒、V32N26、钪、铪、钴和铬的熔化、制粉：将称量好的银块25-55份放入真空雾化制粉设备的熔炼炉中，用50-70kw的功率将银熔化得到熔液，将温度控制在1255-1265℃；之后向熔液中加入铬0.1-1份，以15-30kW的功率熔炼6-10分钟；之后向熔液中加入钪0.1-2份，以40-60kW的功率熔炼14-16分钟，温度升至1500-1600℃；之后向熔液中加入镍块0.2-7份、铪块0.1-3份、钴块0.1-2份和0.68-5.68份海绵钒，以50-70kw的功率熔炼，将温度升至1700-1750℃，精炼8-12分钟；之后向熔液中加入1.62-5.4份V32N26粉末，以25-50kw的功率精炼28-32分钟；之后气雾化成120-180目的粉末；
（3）混粉：将上述所得粉末按比例与80-150目的20-50份的硅粉混合；取出所得粉末，放入烘箱，以45-55℃烘烤10-14小时，待用；
（4）制成旋转硅银靶材：将前述所得混合粉末用等离子喷涂的工艺喷涂在不锈钢衬管上，得到旋转硅银靶材。
本发明的有益效果：本发明的硅银靶材，其用真空磁控溅射方法制成的薄膜，致密性好，寿命更久，红外线反射率高；由于其含有氮和硫的成份，和金属元素结合，在膜层中产生数量众多的细微的颗粒，对可见光有较高的吸收率，从而可见光透过率和反射率低。
具体实施方式
实施例1
合金比例：硅20份，银55份，铪2.9份，钪1.6份，铝4.3份，钒6.7份，镍6.6份，铬0.6份，钴1.3份，氮1.0份，硫0.004份。
所述硅银靶材的制备方法，步骤为：
（1）铝锭和三硫化二铝熔化、制粉：向真空雾化制粉设备的熔炼炉中放入称量好的铝锭4.3份，用40kw的功率将铝锭熔化得到铝熔液，保温温度控制为860℃，保温时间为10min；之后向熔液中加入0.0063份三硫化二铝粉末，以15kw的功率熔炼30min；之后气雾化成100-150目的粉末；
（2）银、镍、钒、V32N26、钪、铪、钴和铬的熔化、制粉：将称量好的银块55份放入真空雾化制粉设备的熔炼炉中，用70kw的功率将银熔化得到熔液，将温度控制在1260℃；之后向熔液中加入铬0.6份，以18kw的功率熔炼8分钟；之后向熔液中加入钪1.6份，以50kw的功率熔炼15分钟，温度升至1580℃；之后向熔液中加入镍块6.6份、铪块2.9份、钴块1.3份和2.3份海绵钒，以70kw的功率熔炼，将温度升至1700℃，精炼10分钟；之后向熔液中加入5.4份V32N26粉末，以40kw的功率精炼30min；之后气雾化成120-180目的粉末；
（3）混粉：将上述所得粉末按与20份80-150目的硅粉混合，用V型混料机混合2小时；取出所得粉末，放入烘箱，以50℃烘烤12小时，待用；
（4）制成旋转硅银靶材：将前述所得混合粉末用等离子喷涂的工艺喷涂在不锈钢衬管上，得到旋转硅银靶材。
所述旋转硅银靶材密度7.09g/cm3，电阻率0.07mΩ·cm，导热率193W／(m·K)。对应的热反射膜红外线反射率82%，可见光透过率45%，可见光反射率11%。
实施例2
合金比例：硅25份，银52份，铪2.7份，钪1.6份，铝3.3份，钒6.7份，镍6.0份，铬0.6份，钴1.3份，氮0.8份，硫0.006份。
所述硅银靶材的制备方法，步骤为：
（1）铝锭和三硫化二铝熔化、制粉：向真空雾化制粉设备的熔炼炉中放入称量好的铝锭3.3份，用40kw的功率将铝锭熔化得到铝熔液，保温温度控制为870℃，保温时间为10min；之后向熔液中加入0.0094份三硫化二铝粉末，以18kw的功率熔炼30min；之后气雾化成100-150目的粉末；
（2）银、镍、钒、V32N26、钪、铪、钴和铬的熔化、制粉：将称量好的银块52份放入真空雾化制粉设备的熔炼炉中，用65kw的功率将银熔化得到熔液，将温度控制在1260℃；之后向熔液中加入铬0.6份，以20kw的功率熔炼8分钟；之后向熔液中加入钪1.6份，以50kw的功率熔炼15分钟，温度升至1550℃；之后向熔液中加入镍块6.0份、铪块2.7份、钴块1.3份和3.18份海绵钒，以70kw的功率熔炼，将温度升至1750℃，精炼10分钟；之后向熔液中加入4.32份V32N26粉末，以43kw的功率精炼30min；之后气雾化成120-180目的粉末；
（3）混粉：将上述所得粉末按比例与25份80-150目的硅粉混合，用V型混料机混合2小时；取出所得粉末，放入烘箱，以50℃烘烤12小时，待用；
（4）制成旋转硅银靶材：将前述所得混合粉末用等离子喷涂的工艺喷涂在不锈钢衬管上，得到旋转硅银靶材。
所述旋转硅银靶材密度6.98g/cm3，电阻率0.09 mΩ·cm ，导热率186W／(m·K) 。对应的热反射膜红外线反射率78%，可见光透过率41%，可见光反射率15%。
实施例3
合金比例：硅30份，银49份，铪2.0份，钪1.8份，铝3.8份，钒6.3份，镍5.8份，铬0.3份，钴0.3份，氮0.7份，硫0.005份。
所述硅银靶材的制备方法，步骤为：
（1）铝锭和三硫化二铝熔化、制粉：向真空雾化制粉设备的熔炼炉中放入称量好的铝锭3.8份，用50kw的功率将铝锭熔化得到铝熔液，保温温度控制为850℃，保温时间为10min；之后向熔液中加入0.0078份三硫化二铝粉末，以25kw的功率熔炼30min；之后气雾化成100-150目的粉末；
（2）银、镍、钒、V32N26、钪、铪、钴和铬的熔化、制粉：将称量好的银块49份放入真空雾化制粉设备的熔炼炉中，用65kw的功率将银熔化得到熔液，将温度控制在1260℃；之后向熔液中加入铬0.3份，以15kw的功率熔炼8分钟；之后向熔液中加入钪1.8份，以40kw的功率熔炼15分钟，温度升至1520℃；之后向熔液中加入镍块5.8份、铪块2.0份、钴块0.3份和2.62份海绵钒，以70kw的功率熔炼，将温度升至1730℃，精炼10分钟；之后向熔液中加入3.78份V32N26粉末，以40kw的功率精炼30min；之后气雾化成120-180目的粉末；
（3）混粉：将上述所得粉末按比例与30份80-150目的硅粉混合，用V型混料机混合2小时；取出所得粉末，放入烘箱，以50℃烘烤12小时，待用；
（4）制成旋转硅银靶材：将前述所得混合粉末用等离子喷涂的工艺喷涂在不锈钢衬管上，得到旋转硅银靶材。
所述旋转硅银靶材密度6.65g/cm3，电阻率0.27 mΩ·cm ，导热率172W／(m·K) 。对应的热反射膜红外线反射率79%，可见光透过率45%，可见光反射率16%。
实施例4
合金比例：硅34份，银45份，铪2.0份，钪2.0份，铝3.9份，钒6.0份，镍6.0份，铬0.4份，钴0.1份，氮0.6份，硫0.007份。
所述硅银靶材的制备方法，步骤为：
（1）铝锭和三硫化二铝熔化、制粉：向真空雾化制粉设备的熔炼炉中放入称量好的铝锭3.9份，用55kw的功率将铝锭熔化得到铝熔液，保温温度控制为870℃，保温时间为10min；之后向熔液中加入0.0109份三硫化二铝粉末，以25kw的功率熔炼30min；之后气雾化成100-150目的粉末；
（2）银、镍、钒、V32N26、钪、铪、钴和铬的熔化、制粉：将称量好的银块45份放入真空雾化制粉设备的熔炼炉中，用60kw的功率将银熔化得到熔液，将温度控制在1260℃；之后向熔液中加入铬0.4份，以15kw的功率熔炼8分钟；之后向熔液中加入钪2.0份，以45kw的功率熔炼15分钟，温度升至1570℃；之后向熔液中加入镍块6.0份、铪块2.0份、钴块0.1份和3.36份海绵钒，以70kw的功率熔炼，将温度升至1720℃，精炼10分钟；之后向熔液中加入3.24份V32N26粉末，以40kw的功率精炼30min；之后气雾化成120-180目的粉末；
（3）混粉：将上述所得粉末按比例与34份80-150目的硅粉混合，用V型混料机混合2小时；取出所得粉末，放入烘箱，以50℃烘烤12小时，待用；
（4）制成旋转硅银靶材：将前述所得混合粉末用等离子喷涂的工艺喷涂在不锈钢衬管上，得到旋转硅银靶材。
所述旋转硅银靶材密度6.37g/cm3，电阻率0.61 mΩ·cm ，导热率157W／(m·K) 。对应的热反射膜红外线反射率71%，可见光透过率40%，可见光反射率16%。
实施例5
合金比例：硅39份，银41份，铪2.3份，钪1.9份，铝4.5份，钒5.0份，镍3.3份，铬0.7份，钴1.7份，氮0.6份，硫0.009份。
所述硅银靶材的制备方法，步骤为：
（1）铝锭和三硫化二铝熔化、制粉：向真空雾化制粉设备的熔炼炉中放入称量好的铝锭4.5份，用40kw的功率将铝锭熔化得到铝熔液，保温温度控制为890℃，保温时间为10min；之后向熔液中加入0.014份三硫化二铝粉末，以20kw的功率熔炼30min；之后气雾化成100-150目的粉末；
（2）银、镍、钒、V32N26、钪、铪、钴和铬的熔化、制粉：将称量好的银块41份放入真空雾化制粉设备的熔炼炉中，用55kw的功率将银熔化得到熔液，将温度控制在1260℃；之后向熔液中加入铬0.7份，以18kw的功率熔炼8分钟；之后向熔液中加入钪1.9份，以49kw的功率熔炼15分钟，温度升至1510℃；之后向熔液中加入镍块3.3份、铪块2.3份、钴块1.7份和2.36份海绵钒，以70kw的功率熔炼，将温度升至1730℃，精炼10分钟；之后向熔液中加入3.24份V32N26粉末，以50kw的功率精炼30min；之后气雾化成120-180目的粉末；
（3）混粉：将上述所得粉末按比例与39份80-150目的硅粉混合，用V型混料机混合2小时；取出所得粉末，放入烘箱，以50℃烘烤12小时，待用；
（4）制成旋转硅银靶材：将前述所得混合粉末用等离子喷涂的工艺喷涂在不锈钢衬管上，得到旋转硅银靶材。
所述旋转硅银靶材密度6.02g/cm3，电阻率1.86 mΩ·cm ，导热率143W／(m·K) 。对应的热反射膜红外线反射率65%，可见光透过率36%，可见光反射率15%。
实施例6
合金比例：硅42份，银38份，铪2.1份，钪1.9份，铝4.3份，钒5.6份，镍3.2份，铬0.6份，钴1.6份，氮0.7份，硫0.008份。
所述硅银靶材的制备方法，步骤为：
（1）铝锭和三硫化二铝熔化、制粉：向真空雾化制粉设备的熔炼炉中放入称量好的铝锭4.3份，用50kw的功率将铝锭熔化得到铝熔液，保温温度控制为880℃，保温时间为10min；之后向熔液中加入0.0125份三硫化二铝粉末，以25kw的功率熔炼30min；之后气雾化成100-150目的粉末；
（2）银、镍、钒、V32N26、钪、铪、钴和铬的熔化、制粉：将称量好的银块38份放入真空雾化制粉设备的熔炼炉中，用50kw的功率将银熔化得到熔液，将温度控制在1260℃；之后向熔液中加入铬0.6份，以20kw的功率熔炼8分钟；之后向熔液中加入钪1.9份，以45kw的功率熔炼15分钟，温度升至1570℃；之后向熔液中加入镍块3.2份、铪块2.1份、钴块1.6份和2.52份海绵钒，以65kw的功率熔炼，将温度升至1730℃，精炼10分钟；之后向熔液中加入3.78份V32N26粉末，以45kw的功率精炼30min；之后气雾化成120-180目的粉末；
（3）混粉：将上述所得粉末按比例与42份80-150目的硅粉混合，用V型混料机混合2小时；取出所得粉末，放入烘箱，以50℃烘烤12小时，待用；
（4）制成旋转硅银靶材：将前述所得混合粉末用等离子喷涂的工艺喷涂在不锈钢衬管上，得到旋转硅银靶材。
所述旋转硅银靶材密度5.82g/cm3，电阻率3.52 mΩ·cm ，导热率137W／(m·K) 。对应的热反射膜红外线反射率61%，可见光透过率33%，可见光反射率13%。
实施例7
合金比例：硅46份，银34份，铪2.5份，钪0.9份，铝4.8份，钒4.9份，镍4.5份，铬0.9份，钴1.1份，氮0.4份，硫0.004份。
所述硅银靶材的制备方法，步骤为：
（1）铝锭和三硫化二铝熔化、制粉：向真空雾化制粉设备的熔炼炉中放入称量好的铝锭4.8份，用50kw的功率将铝锭熔化得到铝熔液，保温温度控制为880℃，保温时间为10min；之后向熔液中加入0.0062份三硫化二铝粉末，以20kw的功率熔炼30min；之后气雾化成100-150目的粉末；
（2）银、镍、钒、V32N26、钪、铪、钴和铬的熔化、制粉：将称量好的银块34份放入真空雾化制粉设备的熔炼炉中，用50kw的功率将银熔化得到熔液，将温度控制在1260℃；之后向熔液中加入铬0.9份，以25kw的功率熔炼8分钟；之后向熔液中加入钪0.9份，以45kw的功率熔炼15分钟，温度升至1560℃；之后向熔液中加入镍块4.5份、铪块2.8份、钴块1.1份和3.14份海绵钒，以60kw的功率熔炼，将温度升至1750℃，精炼10分钟；之后向熔液中加入2.16份V32N26粉末，以45kw的功率精炼30min；之后气雾化成120-180目的粉末；
（3）混粉：将上述所得粉末按比例与46份80-150目的硅粉混合，用V型混料机混合2小时；取出所得粉末，放入烘箱，以50℃烘烤12小时，待用；
（4）制成旋转硅银靶材：将前述所得混合粉末用等离子喷涂的工艺喷涂在不锈钢衬管上，得到旋转硅银靶材。
所述旋转硅银靶材密度5.52g/cm3，电阻率8.96 mΩ·cm ，导热率86W／(m·K) 。对应的热反射膜红外线反射率57%，可见光透过率31%，可见光反射率21%。
实施例8
合金比例：硅50份，银29份，铪2.8份，钪0.9份，铝4.8份，钒4.9份，镍4.5份，铬0.9份，钴1.9份，氮0.3份，硫0.007份。
所述硅银靶材的制备方法，步骤为：
（1）铝锭和三硫化二铝熔化、制粉：向真空雾化制粉设备的熔炼炉中放入称量好的铝锭4.8份，用45kw的功率将铝锭熔化得到铝熔液，保温温度控制为880℃，保温时间为10min；之后向熔液中加入0.011份三硫化二铝粉末，以20kw的功率熔炼30min；之后气雾化成100-150目的粉末；
（2）银、镍、钒、V32N26、钪、铪、钴和铬的熔化、制粉：将称量好的银块29份放入真空雾化制粉设备的熔炼炉中，用50kw的功率将银熔化得到熔液，将温度控制在1260℃；之后向熔液中加入铬0.9份，以25kw的功率熔炼8分钟；之后向熔液中加入钪0.9份，以55kw的功率熔炼15分钟，温度升至1590℃；之后向熔液中加入镍块4.5份、铪块2.8份、钴块1.9份和3.58份海绵钒，以60kw的功率熔炼，将温度升至1750℃，精炼10分钟；之后向熔液中加入1.62份V32N26粉末，以45kw的功率精炼30min；之后气雾化成120-180目的粉末；
（3）混粉：将上述所得粉末按比例与50份80-150目的硅粉混合，用V型混料机混合2小时；取出所得粉末，放入烘箱，以50℃烘烤12小时，待用；
（4）制成旋转硅银靶材：将前述所得混合粉末用等离子喷涂的工艺喷涂在不锈钢衬管上，得到旋转硅银靶材。
所述旋转硅银靶材密度5.16g/cm3，电阻率13 mΩ·cm ，导热率71W／(m·K) 。对应的热反射膜红外线反射率54%，可见光透过率26%，可见光反射率25%。
从以上实施例可以看出，综合考虑成本、溅射效率、隔热性、房间内的亮度和反射噪光的因素，实施例6是比较理想的。

Claims (3)

1.一种用于热反射玻璃行业旋转硅银靶材的制备方法，其特征是：用于热反射玻璃行业旋转硅银靶材的配方比例按重量份计：硅20-50份，银25-55份，铪0.1-3份，钪0.1-2份，铝1-5份，钒2-7份，镍0.2-7份，铬0.1-1份，钴0.1-2份，氮0.3-1份，硫0.003-0.01份；
用于热反射玻璃行业旋转硅银靶材的制备步骤如下：
（1）铝锭和三硫化二铝熔化、制粉：向真空雾化制粉设备的熔炼炉中放入称量好的铝锭1-5份，用40-60kW 的功率将铝锭熔化得到铝熔液，保温温度控制为850-900℃，保温时间为10min；之后向熔液中加入0.0047-0.016份三硫化二铝粉末，以15-30kW的功率熔炼30min；之后气雾化成100-150目的粉末；
（2）银、镍、钒、V32N26、钪、铪、钴和铬的熔化、制粉：将称量好的银块25-55份放入真空雾化制粉设备的熔炼炉中，用50-70kW 的功率将银熔化得到熔液，将温度控制在1255-1265℃；之后向熔液中加入铬0.1-1份，以15-30kW的功率熔炼6-10分钟；之后向熔液中加入钪0.1-2份，以40-60kW的功率熔炼14-16分钟，温度升至1500-1600℃；之后向熔液中加入镍块0.2-7份、铪块0.1-3份、钴块0.1-2份和0.68-5.68份海绵钒，以50-70kW 的功率熔炼，将温度升至1700-1750℃，精炼8-12分钟；之后向熔液中加入1.62-5.4份V32N26粉末，以25-50kW的功率精炼28-32分钟；之后气雾化成120-180目的粉末；
（3）混粉：将上述所得粉末按比例与80-150目的20-50份的硅粉混合；取出所得粉末，放入烘箱，以45-55℃烘烤10-14小时，待用；
（4）制成旋转硅银靶材：将前述所得混合粉末用等离子喷涂的工艺喷涂在不锈钢衬管上，得到旋转硅银靶材。
2.如权利要求1所述用于热反射玻璃行业旋转硅银靶材的制备方法，其特征是：配方比例按重量份计：硅30-42份，银37-49份，铪1.2-2.4份，钪1.7-2.0份，铝3.8-4.5份，钒2.6-6.3份，镍3.1-6份，铬0.3-0.7份，钴0.1-7.7份，氮0.6-0.7份，硫0.005-0.009份。
3.如权利要求1所述用于热反射玻璃行业旋转硅银靶材的制备方法，其特征是：配方比例按重量份计：硅38-42份，银37-41份，铪1.2-2.4份，钪1.7-1.9份，铝4.3-4.5份，钒2.6-5.6份，镍3.1-3.3份，铬0.5-0.7份，钴1.0-1.7份，氮0.6-0.7份，硫0.005-0.009份。
CN201710724582.1A 2017-08-22 2017-08-22 一种用于热反射玻璃行业旋转硅银靶材及其制备方法 Active CN107502867B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710724582.1A CN107502867B (zh) 2017-08-22 2017-08-22 一种用于热反射玻璃行业旋转硅银靶材及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710724582.1A CN107502867B (zh) 2017-08-22 2017-08-22 一种用于热反射玻璃行业旋转硅银靶材及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107502867A CN107502867A (zh) 2017-12-22
CN107502867B true CN107502867B (zh) 2019-05-28

Family

ID=60691519

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710724582.1A Active CN107502867B (zh) 2017-08-22 2017-08-22 一种用于热反射玻璃行业旋转硅银靶材及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107502867B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108715995B (zh) * 2018-05-08 2020-05-26 江阴恩特莱特镀膜科技有限公司 一种用于低辐射玻璃的钛钯材及其制备方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004002929A (ja) * 2001-08-03 2004-01-08 Furuya Kinzoku:Kk 銀合金、スパッタリングターゲット、反射型ｌｃｄ用反射板、反射配線電極、薄膜、その製造方法、光学記録媒体、電磁波遮蔽体、電子部品用金属材料、配線材料、電子部品、電子機器、金属膜の加工方法、電子光学部品、積層体及び建材ガラス
JP2004061844A (ja) * 2002-07-29 2004-02-26 Hitachi Metals Ltd 表示装置用Ａｇ合金膜、表示装置用Ａｇ合金系反射膜、平面表示装置およびＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット材
US7951442B2 (en) * 2006-11-17 2011-05-31 Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. Thin film for reflection film or for semi-transparent reflection film, sputtering target and optical recording medium
JP4833942B2 (ja) * 2007-08-29 2011-12-07 株式会社コベルコ科研 Ａｇ基合金スパッタリングターゲット
JP5975186B1 (ja) * 2015-02-27 2016-08-23 三菱マテリアル株式会社 Ａｇ合金スパッタリングターゲット及びＡｇ合金膜の製造方法
CN105948535A (zh) * 2016-04-28 2016-09-21 信义节能玻璃（芜湖）有限公司 超低辐射镀膜玻璃及其制备方法
CN106947879B (zh) * 2017-04-11 2019-02-19 东北大学 用于真空磁控溅射银基合金靶材坯料及其制备方法和应用

Also Published As

Publication number Publication date
CN107502867A (zh) 2017-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106396410A (zh) 微晶玻璃的制备方法
CN107502867B (zh) 一种用于热反射玻璃行业旋转硅银靶材及其制备方法
CN106396411A (zh) 微晶玻璃的制备方法
CN110922054A (zh) 一种防尘增透光伏玻璃的生产工艺
CN111072276A (zh) 含复合澄清剂的锂铝硅微晶玻璃及其制备方法
CN110482856A (zh) 一种节能环保玻璃及其制备方法
CN107140850A (zh) 一种镀膜抗菌钢化玻璃及其制备方法
CN110255909A (zh) 一种锅体用珐琅涂层及其制备方法
CN103241953A (zh) 一种镀膜玻璃的生产方法
CN106336117A (zh) 一种熔融石英陶瓷的防水涂层的制备方法
CN111943513A (zh) 锂铝硅系瓷白微晶玻璃及其制造方法
CN110129759A (zh) 一种用于Low-E玻璃的硅铝锆靶材及其制备方法
CN110002753A (zh) 一种隔热耐摔玻璃及其制备方法
CN109337529A (zh) 一种超耐久立体金属拉丝效果涂层及其生产方法
CN105776856A (zh) 一种纳米透明耐刮玻璃及其制备方法
CN102775061B (zh) 一种无铅易熔绿色环保玻璃及其制备方法
CN111763011A (zh) 高铝硅玻璃工艺配方
CN111187569A (zh) 一种新型600℃黑色耐高温漆及其制备方法
CN110803868A (zh) 一种透辉石增强云母基可加工微晶玻璃及其制备方法
CN1203019C (zh) 强吸收紫外和红外的绿色玻璃
CN111003943A (zh) 一种高强度抗拉平板玻璃及其制备方法
CN101700958A (zh) 一种含钴蓝色微晶玻璃及其制备方法
CN104480352A (zh) 一种具有交替型层片组织特征的Al-Co-W合金及其制备方法
CN103833217B (zh) 一种透光耐热的玻璃材料及其制备方法
CN107779697A (zh) 一种注胶隔热铝合金型材及其生产工艺

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20210129

Address after: 214437 West, 3rd floor, Cyberport B, Chuangzhi Industrial Park, 201 Jinshan Road, Jiangyin City, Wuxi City, Jiangsu Province

Patentee after: Wuxi Xinju Electronic Technology Co.,Ltd.

Address before: 214437 1st floor, building B, energy island, Chuangzhi Industrial Park, 201 Jinshan Road, Jiangyin City, Wuxi City, Jiangsu Province

Patentee before: JIANGYIN ENTRET COATING TECHNOLOGY Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right