CN107451509A - 消除指纹识别芯片中垂直天线效应的电路、电子装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种消除指纹识别芯片垂直天线效应的电路和电子装置。所述指纹识别芯片包括基底、位于所述基底上的信号控制器件以及位于所述信号控制器件上方并与所述信号控制器件连接的指纹识别区域，所述电路还包括与所述信号控制器件并联连接的放电电路。本发明为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种用于消除指纹识别芯片中垂直天线效应的电路，当所述指纹识别芯片正常工作时，所述放电电路不会影响指纹识别芯片的正常工作，但是当所述指纹识别芯片遭受等离子体电荷的影响时，导通所述放电电路，通过所述放电电路将形成的通路将所述电荷导出，避免了对所述栅极介电层造成的损坏，有效地消除了指纹识别芯片中的垂直天线效应。

Description

消除指纹识别芯片中垂直天线效应的电路、电子装置

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体地，本发明涉及一种消除指纹识别芯片垂直天线效应的电路和电子装置。

背景技术

在电子消费领域，多功能设备越来越受到消费者的喜爱，相比于功能简单的设备，多功能设备制作过程将更加复杂，比如需要在电路版上集成多个不同功能的芯片，因而出现了3D集成电路(integrated circuit，IC)技术，3D集成电路(integrated circuit，IC)被定义为一种系统级集成结构，将多个芯片在垂直平面方向堆叠，从而节省空间。

在集成电路中指纹识别芯片的制备变的越来越广泛，如今指纹识别已成为手机标配，市场上出现越来越多的生产指纹识别的厂家，不同的产家其设计原理也是不一样的，其中基于电容结构方式的指纹识别器得到广泛应用。

其中，电容结构方式的指纹识别器是利用顶层金属层和手指指纹间形成的电容，由于手指指纹凹凸不平，与顶层金属层之间形成的电容大小也不一样，根据电容的变化，将信号传输给控制信号器件，从而实现手机相应功能的关闭和开启。

正是由于所述指纹识别芯片的特殊结构，会导致一些预料不到的问题，例如垂直天线效应(vertical antenna effect)，最终将导致芯片中栅极介电层的损坏。

目前所述指纹识别芯片中的所述垂直天线效应(vertical antenna effect)并不能消除，使得器件的性能降低。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明提供了一种用于消除指纹识别芯片中垂直天线效应的电路，所述指纹识别芯片包括基底、位于所述基底上的信号控制器件以及位于所述信号控制器件上方并与所述信号控制器件连接的指纹识别区域，所述电路还包括与所述信号控制器件并联连接的放电电路。

可选地，所述放电电路包括串联连接的第一二极管和第二二极管；

其中所述第一二极管的负极连接至所述第二二极管的负极，所述第一二极管的正极连接至所述信号控制器件的输入端，所述第二二极管的正极连接至接地端。

可选地，所述信号控制器件包括一MOS晶体管，所述MOS晶体管包括位于所述基底上的栅极介电层和位于所述栅极介电层上的栅极结构，所述栅极结构作为输入端连接至所述指纹识别区域。

可选地，第一二极管的正极连接至所述栅极结构。

可选地，所述放电电路包括在栅极结构一侧设置的相互间隔的第一PN结和第二PN结，其中，所述第一PN结电连接至所述栅极结构上方的金属层，所述第二PN结连接至接地端，所述第一PN结和所述第二PN结之间电连接。

可选地，在所述栅极结构的一侧形成有相互间隔设置的第一类型掺杂区域和第二类型掺杂区域，其中在所述第一类型掺杂区域内形成有内嵌第二类型掺杂区，以形成所述第一PN结，在所述第二类型掺杂区域内形成有内嵌第一类型掺杂区，以形成所述第二PN结。

可选地，所述内嵌第一类型掺杂区通过通孔和金属层连接至所述第一类型掺杂区域，所述内嵌第二类型掺杂区通过通孔和金属层连接至位于所述栅极上方的金属层，所述第二类型掺杂区连接至所述接地端。

可选地，所述指纹识别芯片的工作电压远小于所述放电电路的导通电压，所述放电电路的导通电压小于所述垂直天线效应中电荷的充电电压。

可选地，所述指纹识别芯片的工作充电电压远小于所述第一二极管和所述第二二极管的逆向击穿电压，所述第一二极管和所述第二二极管的逆向击穿电压小于所述垂直天线效应中电荷的充电电压。

可选地，所述信号控制器件通过互连结构连接至上方的指纹识别区域中的底部电极。

本发明还提供了一种电子装置，所述电子装置包括上述的电路。

本发明为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种用于消除指纹识别芯片中垂直天线效应的电路，当所述指纹识别芯片正常工作时，所述放电电路不会影响指纹识别芯片的正常工作，但是当所述指纹识别芯片遭受等离子体电荷的影响时，导通所述放电电路，通过所述放电电路将形成的通路将所述电荷导出，避免了对所述栅极介电层造成的损坏，有效地消除了指纹识别芯片中的垂直天线效应。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的装置及原理。在附图中，

图1为现有技术的指纹识别芯片中存在的垂直天线效应的示意图；

图2为本发明中用于消除指纹识别芯片中垂直天线效应的电路示意图；

图3为本发明中用于消除指纹识别芯片中垂直天线效应的结构示意图；

图4为本发明中指纹识别芯片中的工作原理示意图；

图5a-5b为本发明中用于消除指纹识别芯片中垂直天线效应的电路的工作原理示意图；

图6为本发明中移动电话手机的示例的外部视图。

具体实施方式

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。

应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。

应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。

空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本发明的技术方案。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。

现有技术中所述垂直天线效应(vertical antenna effect)与所述指纹识别芯片的特殊结构密切相关，所述芯片包括基底，位于基底上的栅极介电层、栅极结构、位于所述栅极结构上方的若干通孔和金属层交替设置形成的叠层，以及位于所述叠层上的顶部金属层，所述顶部金属层作为感应电容的底部电极，手指按下所述顶部金属层会导致所述电容器的充电和放电，然后决定信号设备打开或关闭，最后控制芯片解锁。所以平面面积相对较大的顶部金属层TM必须与一个相对较小的呈垂直结构的互连结构连接，这种垂直的特殊的结构就像一个天然的天线在后续的等离子体处理工艺中可以导致对于脆弱器件的大量电荷，当栅极遭受强大的应力后，栅极介电层会受到损坏，如图1所示。

正是由于所述指纹识别芯片的特殊结构，会导致一些预料不到的问题，例如垂直天线效应(vertical antenna effect)，最终将导致芯片中栅极介电层的损坏。

为了解决该问题，本发明提供了一种用于消除指纹识别芯片中垂直天线效应的电路，所述指纹识别芯片包括基底、位于所述基底上的信号控制器件以及位于所述信号控制器件上方并与所述信号控制器件连接的指纹识别区域，所述电路还包括一与所述信号控制器件并联连接的放电电路。

其中，如图2所示，在本发明所述电路100中的指纹识别芯片包括基底、位于所述基底上的信号控制器件103，所述控制器件103与上方的所述信号控制器件指纹识别区域101连接，所述放电电路102与所述信号控制器件并联连接，其中所述放电电路102的导通电压远大于所述控制器件103的正常工作电压，例如所述放电电路的导通电压是所述控制器件的正常工作电压的几百至几千倍，甚至几万倍。因此当所述指纹识别芯片正常工作时并不足以导通所述放电电路，此时所述放电电路102并不会干扰所述指纹识别芯片的正常工作，而当所述指纹识别芯片遭受等离子电荷的损坏时，由于所述等离子电荷的充电电压大于所述放电电路102的导通电压，此时会导通所述放电电路102，并通过所述放电电路进行放电，以保护所述指纹识别芯片，避免过大的压力对控制器件103造成损坏。

因此只要能够实现上述目的的放电电路均可以用于本发明，并不局限于某一种电路结构或组成。

本发明的用于消除指纹识别芯片中垂直天线效应的电路，当所述指纹识别芯片正常工作时，所述放电电路不会影响指纹识别芯片的正常工作，但是当所述指纹识别芯片遭受等离子体电荷的影响时，不管是正电荷还是负电荷，都可以导通所述放电电路，通过所述放电电路将形成的所述电荷导出，避免对所述栅极介电层造成损坏，有效的消除了指纹识别芯片中垂直天线效应。

实施例一

本发明为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种用于消除指纹识别芯片中垂直天线效应的电路，下面结合附图对所述电路作进一步的说明。

本发明中所述指纹识别芯片包括与所述信号控制器件并联连接的放电电路。

其中，如图4所示，所述电路包括第一二极管和第二二极管；

其中所述第一二极管的负极连接至所述第二二极管的负极，所述第二二极管的正极连接至接地端，所述第一二极管的正极连接至所述信号控制器件，以将所述指纹识别芯片中造成垂直天线效应的电荷导出。

其中，所述信号控制器件包括一MOS晶体管，包括位于所述基底上的栅极介电层和位于所述栅极介电层上的栅极结构，所述栅极结构作为输入端连接至所述指纹识别区域。

进一步，所述指纹识别芯片的工作充电电压远小于所述第一二极管和所述第二二极管的逆向击穿电压，所述第一二极管和所述第二二极管的逆向击穿电压小于所述垂直天线效应中电荷的充电电压。

在本发明中选用负极相对连接的两个二极管作为所述放电电路，选用MOS晶体管作为信号控制器件，可以使消除垂直天线效应的电路和放电电路更加简单，而且可以保证其中任一二极管的击穿电压远大于所述MOS晶体管的导通电压，使得MOS晶体管导通、所述指纹识别芯片正常工作时，所述放电电路不会影响指纹识别芯片的正常工作，但是当所述指纹识别芯片遭受等离子体电荷的影响时，不管是正电荷还是负电荷，都可以导通其中一个二极管同时击穿另一个二极管，导通所述放电电路，通过所述放电电路将形成的所述电荷导出，对所述MOS晶体管进行保护。

进一步，在本发明选用负极相对连接的两个二极管作为所述放电电路不仅可以对正电荷进行放电而且还可以对负电荷进行放电，适用性强，适用范围更广，避免了常规的放电电路只能将正电荷或者负电荷导出的弊端，而且所述放电电路更加简单。

可选地，所述第一二极管的正极连接至所述栅极结构。

其中所述指纹识别芯片还包括位于所述栅极结构上方的指纹识别区域，在所述指纹识别区域中设置有底部电极，所述底部电极和手指指纹间形成电容器，根据手指的按压使所述电容器的电容发生变化，将信号传输给所述栅极结构，从而实现手机的关闭和开启。

其中，所述栅极结构GT可包括多晶硅层、金属层、导电性金属氮化物层、导电性金属氧化物层和金属硅化物层中的一种或多种。

在所述栅极结构两侧形成有偏移侧墙(offset spacer)。所述偏移侧墙的材料例如是氮化硅，氧化硅或者氮氧化硅等绝缘材料。随着器件尺寸的进一步变小，器件的沟道长度越来越小，源漏极的粒子注入深度也越来越小，偏移侧墙的作用在于以提高形成的晶体管的沟道长度，减小短沟道效应和由于短沟道效应引起的热载流子效应。在栅极结构两侧形成偏移侧墙的工艺例如化学气相沉积，本实施例中，所述偏移侧墙的厚度可以小到80埃。

在所述栅极结构两侧形成有轻掺杂源极/漏极(LDD)。所述形成LDD的方法可以是离子注入工艺或扩散工艺。所述LDD注入的离子类型根据将要形成的半导体器件的电性决定，即形成的器件为NMOS器件，则LDD注入工艺中掺入的杂质离子为磷、砷、锑、铋中的一种或组合；若形成的器件为PMOS器件，则注入的杂质离子为硼。根据所需的杂质离子的浓度，离子注入工艺可以一步或多步完成。

进一步，在所述栅极结构的偏移侧壁上形成有间隙壁。所述间隙壁可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中一种或者它们组合构成。在栅极结构两侧的衬底中形成有源漏区。

进一步，在所述栅极结构和所述底部电极之间还设置有互连结构，包括若干相互间隔设置的所述通孔和金属层，用于将所述电容信号传输至所述栅极结构。

其中，所述通孔可以选用硅通孔或者常规通孔，所述金属层可以选用常规的金属层并不局限于某一种，其中所述硅通孔以及所述金属层的形成方法可以选用常规的方法。

在该实施例中，如图3所示，在所述栅极结构的上方形成有接触孔CT，在所述接触孔的上方形成有第一金属层M1，在所述第一金属层M1上形成有第一通孔V1，在所述第一通孔上由下向上依次形成有第二金属层M2、第二通孔V2、第三金属层M3、第三通孔V3、第四金属层M4、第四通孔V4、第五金属层M5、第五通孔V5等，根据需要可以一直向上延伸至第N金属层MN、第N通孔VN，以形成垂直结构的互连结构，在所述第N通孔VN的上方形成有顶部金属层M_T，所述顶部金属层M_T的面积较大，其作为指纹识别芯片中的底部电极，正由于所述垂直结构的面积远小于顶部金属层M_T的面积，导致所述当所述指纹识别芯片中存在垂直天线效应。

为了消除所述垂直天线效应，在所述栅极结构以及所述互连叠层的一侧形成有两个PN结，以形成上述两个二极管，其中所述第一PN结(即第一二极管)电连接至所述栅极结构上方的金属层，所述第二PN结(即第二二极管)连接至接地端，以将所述指纹识别芯片中引起垂直天线效应的电荷导出。

可选地，在所述栅极结构的一侧形成有相互间隔设置的第一类型掺杂区域和第二类型掺杂区域，其中在所述第一类型掺杂区域内形成有内嵌第二类型掺杂区，以形成所述第一PN结，即形成所述第二二极管，在所述第二类型掺杂区域内形成有内嵌第一类型掺杂区，以形成所述第二PN结，即形成所述第二二极管。

在本发明中所述第一PN结和所述第二PN结形成于所述指纹识别芯片的版图中未被使用的区域中，因此并不会额外增加所述芯片的面积或者占用有源区的面积，更加高效。

此外，通过形成第一PN结和所述第二PN结的方法形成所述放电电路也与现有的制备工艺能更好的兼容，并不会额外增加其他的工艺，例如所述掺杂区域可以和栅极两侧源漏的形成同时进行，或者选用LDD或者源漏注入的注入掩膜，使所述放电电路的形成与器件的制备更好的集成，因此可以简化工艺步骤，极大的降低工艺成本。

其中，所述内嵌第一类型掺杂区通过接触孔和金属层连接至所述第一类型掺杂区域，所述内嵌第二类型掺杂区通过接触孔和金属层连接位于所述栅极上方的金属层。

具体地，如图3所述，在靠近所述有源区的一侧形成N+掺杂区域，在所述N+掺杂区域中形成内嵌P-掺杂区域，所述N+掺杂区域完全包围所述内嵌P-掺杂区域，在所述N+掺杂区域的外侧形成有与所述N+掺杂区域相互隔离的P-掺杂区域，在所述P-掺杂区域中形成有内嵌N+掺杂区域，所述P-掺杂区域完全包围所述内嵌N+掺杂区域。

所述N+掺杂区域、所述内嵌P-掺杂区域和所述内嵌N+掺杂区域上形成有接触孔，并且在所述N+掺杂区域、所述内嵌P-掺杂区域上方的接触孔上形成有金属层，以将所述N+掺杂区域、所述内嵌P-掺杂区域连通，以形成电连接；所述内嵌P-掺杂区域上通过上方的通孔与金属层连接，与所述栅极结构上方的第一金属层连通，以与所述栅极结构形成电连接。

可选地，所述接触孔、所述金属层与所述栅极结构上方的所述接触孔和金属层平行设置，例如所述掺杂区域上方的所述金属层与所述第一金属层平齐设置。

进一步，所述PN结上方的金属层与所述栅极结构上方的金属层在同一工艺中形成，以简化工艺步骤。

进一步，所述栅极结构的导通电压远小于所述第一PN结和所述第二PN结的逆向击穿电压，所述第一PN结和所述第二PN结的逆向击穿电压小于所述垂直天线效应中电荷的充电电压。

可选地，所述垂直天线效应中电荷的为等离子体电荷。

下面结合附图对所述电路的工作原理做进一步的说明，其中如图4所示，当所述指纹识别芯片正常工作时，当用户指纹接触所述指纹识别区域，所述指纹识别区域中的所述底部电极和手指指纹间形成电容器，根据手指的按压使所述电容器的电容发生变化，电容器驱动电荷可以打开所述信号控制器件，即可以导通所述栅极结构，但是所述驱动电荷太小并不足以达到二极管的逆向击穿电压(reach reverse VBD)，因此在所述此时工作电路处于导通状态，而所述放电电路处于关闭状态。

当所述指纹识别芯片中产生大量电荷或者受到等离子体电荷的影响时，所述大量电荷或者等离子体电荷可以达到二极管的逆向击穿电压(reachreverse VBD)，从而将偏置二极管击穿，导通所述放电电路，通过所述放电电路导出通路将所述大量电荷或者等离子体电荷传输至接地端，从而避免了在所述栅极结构以及所述栅极介电层上产生较大的力，对所述栅极介电层造成损坏。

可选地，当所述指纹识别芯片中产生大量正电荷或者受到等离子体正电荷的影响时，所述大量正电荷或者等离子体正电荷可以导通与所述栅极结构相连的第一二极管，同时击穿连接至接地端的第二二极管，从而形成通路，导通所述放电电路，通过所述放电电路将所述大量正电荷或者等离子体正电荷传输至接地端，从而避免了在所述栅极结构以及所述栅极介电层上产生较大的力，对所述栅极介电层造成损坏，如图5a所示。

具体地，所述指纹识别芯片中产生大量正电荷或者受到等离子体正电荷的影响时，所述大量正电荷或者等离子体正电荷可以导通与所述栅极结构相连的PN结(P-/N+)，同时击穿连接至接地端的PN结(N+/P-)，从而形成通路，导通所述放电电路，通过所述放电电路将所述大量正电荷或者等离子体正电荷传输至接地端，从而避免了在所述栅极结构以及所述栅极介电层上产生较大的力，对所述栅极介电层造成损坏。

可选地，当所述指纹识别芯片中产生大量负电荷或者受到等离子体负电荷的影响时，所述大量负电荷或者等离子体负电荷可以击穿与所述栅极结构相连的第一二极管，同时导通连接至接地端的第二二极管，从而形成通路，导通所述放电电路，通过所述放电电路将所述大量负电荷或者等离子体负电荷传输至接地端，从而避免了在所述栅极结构以及所述栅极介电层上产生较大的力，对所述栅极介电层造成损坏，如图5b所示。

具体地，当所述指纹识别芯片中产生大量负电荷或者受到等离子体负电荷的影响时，所述大量负电荷或者等离子体负电荷可以击穿与所述栅极结构相连的PN结(P-/N+)，同时导通连接至接地端的PN结(N+/P-)，从而形成通路，导通所述放电电路，通过所述放电电路将所述大量负电荷或者等离子体负电荷传输至接地端，从而避免了在所述栅极结构以及所述栅极介电层上产生较大的力，对所述栅极介电层造成损坏，如图5b所示。

因此，当所述指纹识别芯片正常工作时，所述保护电路不会影响指纹识别芯片的正常工作，但是当所述指纹识别芯片遭受等离子体电荷的影响时，不管是正电荷还是负电荷，都足以导通其中的一个二极管并且击穿其中的一个二极管，从而是所述电路导通，形成电荷导出通路，避免对所述栅极介电层造成损坏，有效的消除了指纹识别芯片中垂直天线效应。

实施例二

本发明还提供了一种电子装置，包括实施例一所述的电路。

本实施例的电子装置，可以是手机、平板电脑、笔记本电脑、上网本、游戏机、电视机、VCD、DVD、导航仪、数码相框、照相机、摄像机、录音笔、MP3、MP4、PSP等任何电子产品或设备，也可为任何包括电路的中间产品。本发明实施例的电子装置，由于使用了上述的电路，因而具有更好的性能。

其中，图6示出移动电话手机的示例。移动电话手机200被设置有包括在外壳201中的显示部分202、操作按钮203、外部连接端口204、扬声器205、话筒206等。

其中所述移动电话手机包括实施例一所述的电路，当所述手机中的指纹识别芯片正常工作时，手指按下所述顶部金属层会导致所述电容器的充电和放电，然后决定信号设备打开或关闭，最后控制芯片解锁或者关闭，以实现手机屏幕的开关。此时，所述保护电路不会影响指纹识别芯片的正常工作。但是当所述指纹识别芯片遭受等离子体电荷的影响时，都足以导通其中的放电电路，形成电荷导出通路，避免对所述栅极介电层造成损坏，有效的消除了指纹识别芯片中垂直天线效应。

本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。

Claims (11)

1.一种用于消除指纹识别芯片中垂直天线效应的电路，所述指纹识别芯片包括基底、位于所述基底上的信号控制器件以及位于所述信号控制器件上方并与所述信号控制器件连接的指纹识别区域，其特征在于，所述电路还包括与所述信号控制器件并联连接的放电电路。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述放电电路包括串联连接的第一二极管和第二二极管；

其中所述第一二极管的负极连接至所述第二二极管的负极，所述第一二极管的正极连接至所述信号控制器件的输入端，所述第二二极管的正极连接至接地端。

3.根据权利要求1或2所述的电路，其特征在于，所述信号控制器件包括一MOS晶体管，所述MOS晶体管包括位于所述基底上的栅极介电层和位于所述栅极介电层上的栅极结构，所述栅极结构作为输入端连接至所述指纹识别区域。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，第一二极管的正极连接至所述栅极结构。

5.根据权利要求1或4所述的电路，其特征在于，所述放电电路包括在栅极结构一侧设置的相互间隔的第一PN结和第二PN结，其中，所述第一PN结电连接至所述栅极结构上方的金属层，所述第二PN结连接至接地端，所述第一PN结和所述第二PN结之间电连接。

6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，在所述栅极结构的一侧形成有相互间隔设置的第一类型掺杂区域和第二类型掺杂区域，其中在所述第一类型掺杂区域内形成有内嵌第二类型掺杂区，以形成所述第一PN结，在所述第二类型掺杂区域内形成有内嵌第一类型掺杂区，以形成所述第二PN结。

7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，所述内嵌第一类型掺杂区通过通孔和金属层连接至所述第一类型掺杂区域，所述内嵌第二类型掺杂区通过通孔和金属层连接至位于所述栅极上方的金属层，所述第二类型掺杂区连接至所述接地端。

8.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述指纹识别芯片的工作电压远小于所述放电电路的导通电压，所述放电电路的导通电压小于所述垂直天线效应中电荷的充电电压。

9.根据权利要求1或8所述的电路，其特征在于，所述指纹识别芯片的工作充电电压远小于所述第一二极管和所述第二二极管的逆向击穿电压，所述第一二极管和所述第二二极管的逆向击穿电压小于所述垂直天线效应中电荷的充电电压。

10.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述信号控制器件通过互连结构连接至上方的指纹识别区域中的底部电极。

11.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求1至10之一所述的电路。