CN107450287A - 调焦调平测量装置及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种调焦调平测量装置及方法,所述调焦调平测量装置设置有测量光束和第一监测光束,所述测量光束对硅片测量后入射到测量探测器,在所述测量探测器中形成测量标记;所述第一监测光束入射到所述测量探测器,在所述测量探测器中形成第一监测标记。本发明的技术方案,通过测量光路对硅片测量后在测量探测器中形成测量标记,通过第一监测光路在所述测量探测器中形成第一监测标记,将所述测量标记的位移量减去所述第一监测标记的漂移量作为硅片的垂向位置,使硅片的测量结果补偿了由于测量探测器自身漂移造成的测量误差,对测量探测器自身漂移进行监测和校正,提高了测量精度和稳定性。

Description

调焦调平测量装置及方法
技术领域
本发明涉及一种调焦调平测量装置及方法,应用于光刻技术领域。
背景技术
投影光刻机是一种把掩模版上的图案通过投影物镜投影到硅片表面的设备。在光刻机的曝光过程中,硅片的厚度偏差、面形起伏以及投影物镜焦平面位置的准确性和重复性变动等因素会造成硅片相对于焦平面产生离焦或倾斜,如果硅片相对于物镜的焦平面发生离焦或倾斜,使曝光视场内某些区域处于有效焦深之外,将严重影响光刻质量,因此,必须采用调焦调平系统对曝光视场内硅片的位置进行精确控制,调焦调平测量装置的测量精度起到至关重要的作用。随着对光刻工艺技术的要求不断提高,调焦调平测量装置的测量精度也须不断提高,而系统的测量稳定性是影响其测量精度一个非常重要的因素。影响测量结果精度的因素不仅有环境,如温度和压力,而且还有探测器本身的功耗造成的漂移等。
如图1所示,现有技术的调焦调平测量装置由光源1发出的光线通过照明镜组2、狭缝3和投影镜组4后,照射到硅片5上,并通过硅片5的反射,经过探测镜组6后照射到探测器7线阵CCD上,通过光斑在线阵CCD上的位置变化,从而计算硅片5的离焦量。这种技术,没有考虑探测器7自身的漂移对测量结果的影响,也没有对探测器7的漂移进行监测,而探测器7自身漂移会使测量结果发生偏差,降低系统的测量精度,影响调焦调平测量装置的测量稳定性。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种对探测器漂移进行监测和校正的调焦调平测量装置及方法。
为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案予以实现:
一种调焦调平测量装置,包括:测量光路、第一监测光路和测量探测器,
所述测量光路沿光传播方向依次包括:测量照明单元、投影镜组、硅片、探测镜组和测量棱镜,所述测量照明单元发出的测量光束,经所述投影镜组投射到所述硅片上,在所述硅片上反射后经所述探测镜组和测量棱镜后,投射到所述测量探测器中,形成测量标记;
所述第一监测光路沿光传播方向依次包括:第一监测照明单元和所述测量棱镜,所述第一监测照明单元发出的第一监测光束经所述测量棱镜后,投射到所述测量探测器中,形成第一监测标记。
优选的,所述测量照明单元包括测量光源和与所述测量光源对应的测量狭缝;所述第一监测照明单元包括第一监测光源和与所述第一监测光源对应的第一监测狭缝。
优选的,所述测量光源上设置有第一滤波片,所述第一监测光源上设置有第三滤波片。
优选的,所述投影镜组包括沿光传播方向设置的第一投影镜、投影光阑组件和第二投影镜。
优选的,所述投影镜组还包括第一反射镜,所述探测镜组还包括第二反射镜,所述测量光束经所述第一反射镜反射后入射到所述硅片,在所述硅片上反射后,经所述第二反射镜反射后到达所述探测镜组。
优选的,所述测量棱镜和所述测量探测器之间设置有测量中继镜组。
优选的,所述测量光路和所述第一监测光路采用相同波段的光源。
优选的,还包括:与所述测量光路对应的参考光路、与所述第一监测光路对应的第二监测光路以及参考探测器。
优选的,所述参考光路包括:依次设置的参考光源、第二滤波片和参考狭缝,所述参考光源发出的参考光束经所述第二滤波片和参考狭缝后,经所述测量光路的投影镜组投射到第三反射镜上,在所述第三反射镜上反射后经所述探测镜组和探测棱镜后,投射到所述参考探测器中,形成参考标记。
优选的,所述测量光束和所述参考光束采用不同波段的光源。
优选的,所述测量光源采用可见光光源,所述参考光源采用红外光源。
优选的,所述测量棱镜和所述测量探测器之间设置有测量中继镜组,所述参考棱镜和所述参考探测器之间设置有参考中继镜组。
优选的,所述测量光路在所述投影棱镜和所述探测棱镜上发生透射,所述参考光路在所述投影棱镜和所述探测棱镜上发生反射。
优选的,所述第三反射镜设置于投影物镜下表面。
优选的,所述投影镜组还包括分束棱镜,所述探测镜组还包括合束棱镜,所述测量光束和所述参考光束在所述分束棱镜和所述合束棱镜的不同面上发生反射。
优选的,所述测量光束和所述第一监测光束采用相同波段的光源,所述参考光束和所述第二监测光束采用相同波段的光源。
优选的,所述第二监测光路包括:第二监测光源、第二监测狭缝和第四滤波片,所述第二监测光源发出的第二监测光束经所述第二监测狭缝和第四滤波片后,投射到所述参考探测器中,形成第二监测标记。
一种调焦调平测量方法,包括:
步骤1:通过测量光束对硅片测量后在测量探测器中形成测量标记,通过第一监测光束在所述测量探测器中形成第一监测标记;
步骤2:记录所述测量标记和所述第一监测标记在测量探测器发生和没有发生偏移时的位置;
步骤3:根据步骤2中的数值,计算所述测量标记的位移量和所述第一监测光束偏移的漂移量;
步骤4:将所述位移量减去所述漂移量,得到硅片的垂向位置。
优选的,步骤1进一步包括:设置参考光束,所述参考光束与所述测量光束相同方向传播但不经过所述硅片表面,投射到参考探测器中形成参考标记;设置第二监测光束,所述第二监测光束在所述参考探测器中形成第二监测标记;
步骤2进一步包括:记录所述参考标记和所述第二监测标记在参考探测器发生偏移和光路漂移时,及没有发生参考探测器偏移和光路漂移时的位置;
步骤3进一步包括:计算所述参考标记的漂移量和所述第二监测光束偏移的漂移量;
步骤4进一步包括:所述参考标记的漂移量减去所述第二监测标记的漂移量得到光路漂移量;所述测量标记的位移量同时减去所述第一监测标记的漂移量和所述光路漂移量,得出硅片的垂向位置。
与现有技术相比,本发明的技术方案,通过测量光路对硅片测量后在测量探测器中形成测量标记,通过第一监测光路在所述测量探测器中形成第一监测标记,将所述测量标记的位移量减去所述第一监测标记的漂移量作为硅片的垂向位置,使硅片的测量结果补偿了由于测量探测器自身漂移造成的测量误差,对测量探测器自身漂移进行监测和校正,提高了测量精度和稳定性。
附图说明
图1是现有技术中所述调焦调平测量装置的结构示意图;
图2是本发明一实施例中所述调焦调平测量装置的结构示意图;
图3是本发明一实施例中所述测量狭缝的结构示意图;
图4是本发明一实施例中所述第一监测狭缝的结构示意图;
图5是所述测量标记和第一监测标记在所述测量探测器中的成像效果图;
图6是所述测量标记和第一监测标记在所述测量探测器中漂移的示意图;
图7是所述参考标记和第二监测标记在所述参考探测器中的成像效果图;
图8是所述参考标记和第二监测标记在所述参考探测器中漂移的示意图;
图9是本发明一实施例中所述调焦调平测量装置的结构示意图;
图10是本发明一实施例中所述调焦调平测量方法的流程示意图。
图1中:1、光源;2、照明镜组;3、狭缝;4、投影镜组;5、硅片;6、探测镜组;7、探测器;
图2-4中:101、测量照明光源;102、第一滤波片;103、测量狭缝;104、第一投影镜;105、投影光阑组件;106、第二投影镜;107、第一反射镜;108、硅片;109、工件台;110、第二反射镜;111、第一探测镜;112、第二探测镜;113、测量棱镜;114、测量中继镜组;115、测量探测器;116、第一监测狭缝;117、第三滤波片;118、第一监测光源;119、投影物镜;
图5-8中:r1~r2、第一监测标记编号;R1~R2、第一监测标记的初始位置;d1~d3、测量标记编号;D1、测量标记d2的初始位置;r3~r4、第二监测标记编号;R3~R4、第二监测标记的初始位置;d4~d6、参考标记编号;D2、参考标记d5的初始位置;
图9中:201、测量照明光源;202、第一滤波片;203、测量狭缝;204、参考照明光源;205、第二滤波片;206、参考狭缝;207、投影棱镜;208、第一投影镜;209、投影光阑组件;210、第二投影镜;211、分束棱镜;212、硅片;213、工件台;214、合束棱镜;215、第一探测镜;216、第二探测镜;217、探测棱镜;218、测量棱镜;219、测量中继镜组;220、测量探测器;221、第一监测狭缝;222、第三滤波片;223、第一监测光源;224、参考棱镜;225、第二监测狭缝;226、第四滤波片;227、第二监测光源;228、参考中继镜组;229、参考探测器;230、投影物镜;231、第三反射镜。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作详细描述:
实施例1
如图2所示,本发明的调焦调平测量装置,设置有测量光路、第一监测光路和测量探测器115,所述测量光路沿光传播方向,依次包括测量照明光源101、测量狭缝103、投影镜组、硅片108、探测镜组和测量棱镜113,所述测量照明光源101发出的测量光束最终入射到所述测量探测器115,在所述测量探测器115中形成测量标记。所述第一监测光路沿光传播方向,依次包括第一监测光源118、第一监测狭缝116和所述测量棱镜113,所述第一监测光源118发出的第一监测光束最终入射到所述测量探测器115,在所述测量探测器115中形成第一监测标记。所述硅片108放置在工件台109上,位于投影物镜119下方。
具体的,所述测量光束由所述测量照明光源101发出,通过第一滤波片102变为与曝光光源波段不同的可见光波段,再经所述测量狭缝103形成测量光斑,然后,再经过第一投影镜104、投影光阑组件105和第二投影镜106后射出,所述投影光阑组件105设置在所述第一投影镜104和第二投影镜106之间。出射光在第一反射镜107上发生反射,入射到所述硅片108的表面,在所述硅片108上发生反射后,然后经第二反射镜110反射到第一探测镜111,经第一探测镜111调整为平行光、第二探测镜112会聚,再经所述测量棱镜113透射后,通过所述测量中继镜组114入射到所述测量探测器115。如图3所示,所述测量狭缝103上设置有形成3个测量标记的狭缝,使所述测量光斑中形成3个所述测量标记。
进一步的,所述第一监测光束由所述第一监测光源118发出,通过第三滤波片117变为与所述测量光路相同波段的可见光,经所述第一监测狭缝116形成第一监测光斑,再经所述测量棱镜113反射后,通过所述测量中继镜组114入射到所述测量探测器115。如图4所示,所述第一监测狭缝116上设置有形成2个第一监测标记的狭缝,使所述第一监测光斑中形成2个所述第一监测标记。
图5是所述测量标记和第一监测标记在所述测量探测器115中的成像效果图。其中,横坐标为所述测量标记和第一监测标记在所述测量探测器115中的位置,纵坐标为灰度值。所述测量标记的数量为3个,分别编号为:d1、d2、d3,所述第一监测标记的数量为2个,分别编号为:r1、r2,所述测量标记d1、d2、d3位于所述第一监测标记r1和r2之间。D1表示所述测量标记d2的初始位置,R1、R2分别为所述第一监测标记r1和r2的初始位置。
在正常情况下,所述测量探测器115位置固定即不存在漂移时,所述第一监测标记r1、r2在所述测量探测器115中的位置固定,保持在R1、R2位置不变。如图6所示,当所述测量探测器115在运行时受到散热等因素影响发生漂移,所述第一监测标记r1、r2在所述测量探测器115中产生的漂移为ΔR,所述测量标记d2在所述测量探测器115中的位移量为L,则实际测得硅片108的垂向位置D为:
D=L-ΔR。
相应的,本发明提出了的一种调焦调平测量方法,包括:
步骤1:通过测量光束对硅片108测量后在测量探测器115中形成测量标记,通过第一监测光束在所述测量探测器115中形成第一监测标记。
其中,所述测量光束由测量照明光源101发出,经测量狭缝103形成测量光斑,再经投影镜组会聚后入射到所述硅片108,在所述硅片108上反射后,经探测镜组调整为平行光,再经测量棱镜113透射后,入射到所述测量探测器115。
进一步的,所述第一监测光束由第一监测光源118发出,经第一监测狭缝116形成第一监测光斑,再经所述测量棱镜113反射后,入射到所述测量探测器115。
步骤2:记录所述测量标记和所述第一监测标记在测量探测器220发生和没有发生偏移时的位置。
步骤3:根据步骤2中的数值,计算所述测量标记的位移量和所述第一监测光束偏移的漂移量。
步骤4:将所述位移量减去所述漂移量,得到硅片212的垂向位置。
本发明将所述测量标记的位移量减去所述第一监测标记的漂移量作为硅片108的垂向位置,使硅片108的测量结果补偿了由于测量探测器115自身漂移造成的测量误差,对测量探测器115自身漂移进行监测和校正,提高了测量精度和稳定性。
实施例2
如图9所示,本发明的调焦调平测量装置,设置有测量光路、第一监测光路和测量探测器,还设置有参考光路、第二监测光路和参考探测器。
所述测量光路沿光传播方向,依次包括:测量照明光源201、测量狭缝203、投影棱镜207、投影镜组、分束棱镜211、硅片212、合束棱镜214、探测镜组、探测棱镜217和测量棱镜218,所述测量照明光源201发出的测量光束最终入射到所述测量探测器220,在所述测量探测器220中形成测量标记;所述第一监测光路沿光路传播方向,依次包括:第一监测光源223、第一监测狭缝221和所述测量棱镜218,所述第一监测光源223发出的第一监测光束最终入射到所述测量探测器220,在所述测量探测器220中形成第一监测标记。所述硅片212放置在工件台213上。
所述参考光路沿光传播方向,依次包括:参考照明光源204、参考狭缝206、所述投影棱镜207、所述投影镜组、所述分束棱镜211、第三反射镜231、所述合束棱镜214、所述探测镜组、所述探测棱镜217和参考棱镜224,所述参考照明光源204发出的参考光束最终入射到所述参考探测器229,所述参考探测器229中形成参考标记。所述第二监测光路沿光传播方向,依次包括:第二监测光源227、第二监测狭缝225和所述参考棱镜224,所述第二监测光源227发出的第二监测光束最终入射到所述参考探测器229中形成第二监测标记。
具体的,所述测量光束由所述测量照明光源201发出,通过第一滤波片202变为与曝光光源波段不同的可见光波段,经所述测量狭缝203形成测量光斑,经所述投影棱镜207透射后,再经过第一投影镜208、投影光阑组件209和第二投影镜210后射出,出射光在所述分束棱镜211上表面发生反射,入射到所述硅片212的表面,在所述硅片212上发生反射后,经所述合束棱镜214上表面反射到第一探测镜215,经第一探测镜215调整为平行光、第二探测镜216会聚,再经所述探测棱镜217和所述测量棱镜218透射后,通过所述测量中继镜组219入射到所述测量探测器220。
所述第一监测光束由所述第一监测光源223发出,通过第三滤波片222变为与所述测量光路相同波段的可见光,经所述第一监测狭缝225形成第一监测光斑,再经所述测量棱镜218反射后,通过所述测量中继镜组219入射到所述测量探测器220。
所述参考光束由所述参考照明光源204发出,通过第二滤波片205变为与所述测量照明光源201波段不同的红外光波段,经所述参考狭缝206形成参考光斑,经所述投影棱镜207反射后,再经过第一投影镜208、投影光阑组件209和第二投影镜210后射出,出射光在所述分束棱镜211下表面发生反射,入射到设置在投影物镜230下的第三反射镜231上发生反射后,经所述合束棱镜214下表面反射到第一探测镜215,经第一探测镜215调整为平行光、第二探测镜216会聚,再经所述探测棱镜217反射和所述参考棱镜224透射后,通过所述参考中继镜组228入射到所述参考探测器229。
所述第二监测光束由所述第二监测光源227发出,通过第四滤波片226变为与所述参考光路相同波段的红外光,经所述第二监测狭缝225形成第二监测光斑,再经所述参考棱镜224反射后,通过所述参考中继镜组228入射到所述参考探测器229。
参照图3,所述测量狭缝203上设置有形成3个测量标记的狭缝,使所述测量光斑中形成3个所述测量标记。同样的,所述参考狭缝206上设置有形成3个参考标记的狭缝,使所述参考光斑中形成3个所述参考标记。
参照图4,所述第一监测狭缝221上设置有形成2个第一监测标记的狭缝,使所述第一监测光斑中形成2个所述第一监测标记。同样的,所述第二监测狭缝225上设置有形成2个第二监测标记的狭缝,使所述第二监测光斑中形成2个所述第二监测标记。
图5是所述测量标记和第一监测标记在所述测量探测器220中的成像效果图。其中,横坐标为所述测量标记和第一监测标记在所述测量探测器220中的位置,纵坐标为灰度值。所述测量标记的数量为3个,分别编号为:d1、d2、d3,所述第一监测标记的数量为2个,分别编号为:r1、r2,所述测量标记d1、d2、d3位于所述第一监测标记r1和r2之间。D1表示所述测量标记d2的初始位置,R1、R2分别为所述第一监测标记r1和r2的初始位置。
图7是所述参考标记和第二监测标记在所述参考探测器229中的成像效果图。其中,横坐标为所述参考标记和第二监测标记在所述参考探测器229中的位置,纵坐标为灰度值。所述参考标记的数量为3个,分别编号为:d4、d5、d6,所述第一监测标记的数量为2个,分别编号为:r3、r4,所述参考标记d4、d5、d6位于所述第一监测标记r3和r4之间。D2表示所述参考标记d5的初始位置,R3、R4分别为所述第一监测标记r3和r4的初始位置。
在正常情况下,所述参考探测器229位置固定即不存在漂移时,所述第二监测标记r3、r4在所述参考探测器229中的位置固定,保持在R3、R4位置不变。如图8所示,当所述参考探测器229在运行时受到散热等因素影响发生漂移,所述第二监测标记r3、r4在所述参考探测器229中产生的漂移为ΔRR,当整个光路受到温度和压力等环境因素的影响,所述参考标记d5在所述参考探测器229中的漂移量为ΔRL,则光路漂移量ΔL为:
ΔL=ΔRL–ΔRR。
在正常情况下,所述测量探测器220位置固定即不存在漂移时,所述第一监测标记r1、r2在所述测量探测器220中的位置固定,保持在R1、R2位置不变。如图6所示,当所述测量探测器220在运行时受到散热等因素影响发生漂移,所述第一监测标记r1、r2在所述测量探测器220中产生的漂移为ΔR,所述测量标记d2在所述测量探测器220中的位移量为L,则实际测得硅片212的垂向位置D为:
D=L-ΔR-ΔL
=L-ΔR-ΔRL+ΔRR。
相应的,参照图10所示,本发明提出了的一种调焦调平测量方法,包括:
步骤1:通过测量光束对硅片212测量后在测量探测器220中形成测量标记,通过第一监测光束在所述测量探测器220中形成第一监测标记;设置参考光束,所述参考光束与所述测量光束相同方向传播但不经过所述硅片212表面,投射到参考探测器229中形成参考标记;设置第二监测光束,所述第二监测光束在所述参考探测器229中形成第二监测标记。
其中,所述测量光束由测量照明光源201发出,经测量狭缝203形成测量光斑,经投影棱镜207透射后入射投影镜组,再经所述投影镜组会聚后,经分束棱镜211、所述硅片212和合束棱镜214反射后,经探测镜组调整为平行光,再经探测棱镜217和测量棱镜218透射后,入射到所述测量探测器220;所述第二监测光束由第二监测光源227发出,经第二监测狭缝225形成第二监测光斑,再经所述测量棱镜218反射后,入射到所述测量探测器220。
所述参考光束由参考照明光源204发出,经参考狭缝206形成参考光斑,经所述投影棱镜207反射后入射所述投影镜组,再经所述投影镜组会聚后,经所述分束棱镜211、第三反射镜231和所述合束棱镜214反射后,经所述探测镜组调整为平行光,再经所述探测棱镜217反射、参考棱镜224透射后,入射到所述参考探测器229;所述第二监测光束由第二监测光源227发出,经第二监测狭缝225形成第二监测光斑,再经所述参考棱镜224反射后,入射到所述参考探测器229。
步骤2:记录所述参考标记和所述第二监测标记在参考探测器229发生偏移和光路漂移时,及没有发生参考探测器229偏移和光路漂移时的位置;记录所述测量标记和所述第一监测标记在没有发生测量探测器220漂移和光路漂移时的初始位置。
步骤3:计算所述参考标记的漂移量和所述第二监测光束偏移的漂移量;计算所述测量标记的位移量和所述第一监测光束偏移的漂移量。
步骤4:所述参考标记的漂移量减去所述第二监测标记的漂移量得到光路漂移量;所述测量标记的位移量同时减去所述第一监测标记的漂移量和所述光路漂移量,得出硅片212的垂向位置。
本发明将所述测量标记的位移量减去所述第一监测标记的漂移量和所述光路漂移量,作为硅片212的垂向位置。使硅片212的测量结果补偿了由于测量探测器220自身漂移和光路中环境因素如空气温度和压力等造成的测量误差,对测量探测器220自身漂移和整个光路的漂移进行监测和校正,提高了测量精度和稳定性。同时,测量光路和参考光路的光源波段不同,可避免两个光路在镜筒中产生串扰。通过分束棱镜211将测量光路和参考光路分别反射到硅片212上表面和投影物镜230下表面上,通过合束棱镜214接收所述测量光路和参考光路,在不增加其他设备和使两个光路在相同路径传播的前提下,使参考光路不经过硅片212,从而将整个光路的漂移从测量结果中分离出来,便于对硅片212位置测量的补偿,也简化了设备。

Claims (19)

1.一种调焦调平测量装置,其特征在于,包括:测量光路、第一监测光路和测量探测器,
所述测量光路沿光传播方向依次包括:测量照明单元、投影镜组、硅片、探测镜组和测量棱镜,所述测量照明单元发出的测量光束,经所述投影镜组投射到所述硅片上,在所述硅片上反射后经所述探测镜组和测量棱镜后,投射到所述测量探测器中,形成测量标记;
所述第一监测光路沿光传播方向依次包括:第一监测照明单元和所述测量棱镜,所述第一监测照明单元发出的第一监测光束经所述测量棱镜后,投射到所述测量探测器中,形成第一监测标记。
2.根据权利要求1所述的调焦调平测量装置,其特征在于,所述测量照明单元包括测量光源和与所述测量光源对应的测量狭缝;所述第一监测照明单元包括第一监测光源和与所述第一监测光源对应的第一监测狭缝。
3.根据权利要求2所述的调焦调平测量装置,其特征在于,所述测量光源上设置有第一滤波片,所述第一监测光源上设置有第三滤波片。
4.根据权利要求1所述的调焦调平测量装置,其特征在于,所述投影镜组包括沿光传播方向设置的第一投影镜、投影光阑组件和第二投影镜。
5.根据权利要求1所述的调焦调平测量装置,其特征在于,所述投影镜组还包括第一反射镜,所述探测镜组还包括第二反射镜,所述测量光束经所述第一反射镜反射后入射到所述硅片,在所述硅片上反射后,经所述第二反射镜反射后到达所述探测镜组。
6.根据权利要求1所述的调焦调平测量装置,其特征在于,所述测量棱镜和所述测量探测器之间设置有测量中继镜组。
7.根据权利要求1所述的调焦调平测量装置,其特征在于,所述测量光路和所述第一监测光路采用相同波段的光源。
8.根据权利要求1所述的调焦调平测量装置,其特征在于,还包括:与所述测量光路对应的参考光路、与所述第一监测光路对应的第二监测光路以及参考探测器。
9.根据权利要求8所述的调焦调平测量装置,其特征在于,所述参考光路包括:依次设置的参考光源、第二滤波片和参考狭缝,所述参考光源发出的参考光束经所述第二滤波片和参考狭缝后,经所述测量光路的投影镜组投射到第三反射镜上,在所述第三反射镜上反射后经所述探测镜组和探测棱镜后,投射到所述参考探测器中,形成参考标记。
10.根据权利要求9所述的调焦调平测量装置,其特征在于,所述测量光束和所述参考光束采用不同波段的光源。
11.根据权利要求9或10所述的调焦调平测量装置,其特征在于,所述测量光源采用可见光光源,所述参考光源采用红外光源。
12.根据权利要求9所述的调焦调平测量装置,其特征在于,所述测量棱镜和所述测量探测器之间设置有测量中继镜组,所述参考棱镜和所述参考探测器之间设置有参考中继镜组。
13.根据权利要求9所述的调焦调平测量装置,其特征在于,所述测量光路在所述投影棱镜和所述探测棱镜上发生透射,所述参考光路在所述投影棱镜和所述探测棱镜上发生反射。
14.根据权利要求9所述的调焦调平测量装置,其特征在于,所述第三反射镜设置于投影物镜下表面。
15.根据权利要求9所述的调焦调平测量装置,其特征在于,所述投影镜组还包括分束棱镜,所述探测镜组还包括合束棱镜,所述测量光束和所述参考光束在所述分束棱镜和所述合束棱镜的不同面上发生反射。
16.根据权利要求8所述的调焦调平测量装置,其特征在于,所述测量光束和所述第一监测光束采用相同波段的光源,所述参考光束和所述第二监测光束采用相同波段的光源。
17.根据权利要求8所述的调焦调平测量装置,其特征在于,所述第二监测光路包括:第二监测光源、第二监测狭缝和第四滤波片,所述第二监测光源发出的第二监测光束经所述第二监测狭缝和第四滤波片后,投射到所述参考探测器中,形成第二监测标记。
18.一种调焦调平测量方法,其特征在于,包括:
步骤1:通过测量光束对硅片测量后在测量探测器中形成测量标记,通过第一监测光束在所述测量探测器中形成第一监测标记;
步骤2:记录所述测量标记和所述第一监测标记在测量探测器发生和没有发生偏移时的位置;
步骤3:根据步骤2中的数值,计算所述测量标记的位移量和所述第一监测光束偏移的漂移量;
步骤4:将所述位移量减去所述漂移量,得到硅片的垂向位置。
19.根据权利要求18所述的调焦调平测量方法,其特征在于,
步骤1进一步包括:设置参考光束,所述参考光束与所述测量光束相同方向传播但不经过所述硅片表面,投射到参考探测器中形成参考标记;
设置第二监测光束,所述第二监测光束在所述参考探测器中形成第二监测标记;
步骤2进一步包括:记录所述参考标记和所述第二监测标记在参考探测器发生偏移和光路漂移时,及没有发生参考探测器偏移和光路漂移时的位置;
步骤3进一步包括:计算所述参考标记的漂移量和所述第二监测光束偏移的漂移量;
步骤4进一步包括:所述参考标记的漂移量减去所述第二监测标记的漂移量得到光路漂移量;所述测量标记的位移量同时减去所述第一监测标记的漂移量和所述光路漂移量,得出硅片的垂向位置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109443210A (zh) * 2018-12-13 2019-03-08 苏州亿拓光电科技有限公司 光学位置检测装置和方法
CN112130276A (zh) * 2020-10-19 2020-12-25 杭州奥创光子技术有限公司 闭环控制的光路自动复位调整方法、装置及其应用
CN112649435A (zh) * 2020-12-01 2021-04-13 上海御微半导体技术有限公司 一种焦面测量装置及缺陷检测设备

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116209874A (zh) 2021-09-30 2023-06-02 法国圣戈班玻璃厂 用于测量弯曲玻璃板的几何形状的方法和设备

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4558949A (en) * 1981-12-26 1985-12-17 Nippon Kogaku Kk Horizontal position detecting device
JP2002036373A (ja) * 2000-07-25 2002-02-05 Sanyo Electric Co Ltd 光造形装置
JP2003324028A (ja) * 2002-04-30 2003-11-14 Jfe Steel Kk 平面磁気素子の製造方法
US20040211920A1 (en) * 2002-11-12 2004-10-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN103091990A (zh) * 2011-10-28 2013-05-08 上海微电子装备有限公司 一种调焦调平系统中光斑水平位置调整机构及方法
CN104954666A (zh) * 2014-03-24 2015-09-30 西克股份公司 光电设备和用于拍摄清晰图像的方法

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL186353C (nl) * 1979-06-12 1990-11-01 Philips Nv Inrichting voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat voorzien van een opto-elektronisch detektiestelsel voor het bepalen van een afwijking tussen het beeldvlak van een projektielenzenstelsel en het substraatvlak.
US5162642A (en) * 1985-11-18 1992-11-10 Canon Kabushiki Kaisha Device for detecting the position of a surface
JPH01112726A (ja) * 1987-10-27 1989-05-01 Canon Inc 露光装置
US5218415A (en) * 1988-05-31 1993-06-08 Canon Kabushiki Kaisha Device for optically detecting inclination of a surface
US5124562A (en) * 1989-01-27 1992-06-23 Canon Kabushiki Kaisha Surface position detecting method at a predetermined and plurality of adjacent points
US6094268A (en) * 1989-04-21 2000-07-25 Hitachi, Ltd. Projection exposure apparatus and projection exposure method
JP2862311B2 (ja) 1990-02-23 1999-03-03 キヤノン株式会社 面位置検出装置
US5101226A (en) * 1990-10-22 1992-03-31 General Signal Corporation Distance and tilt sensing apparatus
US5216235A (en) * 1992-04-24 1993-06-01 Amray, Inc. Opto-mechanical automatic focusing system and method
KR100300618B1 (ko) * 1992-12-25 2001-11-22 오노 시게오 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법
JP3555230B2 (ja) * 1994-05-18 2004-08-18 株式会社ニコン 投影露光装置
JP3572430B2 (ja) * 1994-11-29 2004-10-06 株式会社ニコン 露光方法及びその装置
JP3376179B2 (ja) * 1995-08-03 2003-02-10 キヤノン株式会社 面位置検出方法
JPH1038513A (ja) * 1996-07-22 1998-02-13 Nikon Corp 表面高さ計測装置及び、これを用いた露光装置
JPH1064806A (ja) * 1996-08-19 1998-03-06 Nikon Corp 露光装置
JPH10242040A (ja) * 1997-02-24 1998-09-11 Nikon Corp 投影露光装置
EP0950881A3 (de) * 1998-04-17 2000-08-16 NanoPhotonics AG Verfahren und Vorrichtung zur automatischen relativen Justierung von Proben bezüglich eines Ellipsometers
KR20010089453A (ko) * 1998-11-18 2001-10-06 시마무라 테루오 노광방법 및 장치
JP2001296105A (ja) * 2000-04-12 2001-10-26 Nikon Corp 面位置検出装置、並びに該検出装置を用いた露光装置および露光方法
TW552464B (en) 2000-09-06 2003-09-11 Accent Optical Tech Inc A method of measuring parameters relating to a lithography device
DE10229818A1 (de) * 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
JP3910180B2 (ja) * 2003-01-14 2007-04-25 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置のレベルセンサ
FR2883369B1 (fr) * 2005-03-18 2007-06-01 Sagem Dispositif de mesure optique par triangulation optique
DE102006007170B4 (de) * 2006-02-08 2009-06-10 Sirona Dental Systems Gmbh Verfahren und Anordnung zur schnellen und robusten chromatisch konfokalen 3D-Messtechnik
US8068211B2 (en) 2007-07-06 2011-11-29 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method for manufacturing device
CN100535763C (zh) 2007-11-28 2009-09-02 上海微电子装备有限公司 一种自动调焦调平装置
CN100592214C (zh) * 2007-11-30 2010-02-24 北京理工大学 一种基于微透镜阵列调焦调平的装置与方法
CN102087483B (zh) * 2010-12-27 2013-04-03 中国科学院光电技术研究所 一种用于投影光刻中焦面检测的光学系统
JP2013187514A (ja) * 2012-03-10 2013-09-19 Nikon Corp 面位置検出方法及び装置、並びに露光方法及び装置
CN103365097B (zh) 2012-03-27 2015-06-17 上海微电子装备有限公司 一种调焦调平测量装置
CN104749901B (zh) * 2013-12-31 2017-08-29 上海微电子装备有限公司 一种调焦调平装置
CN105467781B (zh) 2014-09-09 2017-12-29 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种具有调焦及倾斜校正设计的标记及对准方法
CN105242501B (zh) * 2015-11-10 2017-07-11 中国科学院光电技术研究所 一种高精度调焦调平测量系统
CN106997152B (zh) * 2016-01-26 2019-11-26 上海微电子装备(集团)股份有限公司 扫描反射镜监测系统及方法、调焦调平系统

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4558949A (en) * 1981-12-26 1985-12-17 Nippon Kogaku Kk Horizontal position detecting device
JP2002036373A (ja) * 2000-07-25 2002-02-05 Sanyo Electric Co Ltd 光造形装置
JP2003324028A (ja) * 2002-04-30 2003-11-14 Jfe Steel Kk 平面磁気素子の製造方法
US20040211920A1 (en) * 2002-11-12 2004-10-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN103091990A (zh) * 2011-10-28 2013-05-08 上海微电子装备有限公司 一种调焦调平系统中光斑水平位置调整机构及方法
CN104954666A (zh) * 2014-03-24 2015-09-30 西克股份公司 光电设备和用于拍摄清晰图像的方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109443210A (zh) * 2018-12-13 2019-03-08 苏州亿拓光电科技有限公司 光学位置检测装置和方法
CN112130276A (zh) * 2020-10-19 2020-12-25 杭州奥创光子技术有限公司 闭环控制的光路自动复位调整方法、装置及其应用
CN112649435A (zh) * 2020-12-01 2021-04-13 上海御微半导体技术有限公司 一种焦面测量装置及缺陷检测设备

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Publication number Publication date
TW201809920A (zh) 2018-03-16
KR20190010652A (ko) 2019-01-30
KR102181903B1 (ko) 2020-11-24
TWI631435B (zh) 2018-08-01
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