CN107438895B - 基板处理装置 - Google Patents

基板处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107438895B
CN107438895B CN201680021625.3A CN201680021625A CN107438895B CN 107438895 B CN107438895 B CN 107438895B CN 201680021625 A CN201680021625 A CN 201680021625A CN 107438895 B CN107438895 B CN 107438895B
Authority
CN
China
Prior art keywords
gas
substrate
gas supply
tube
processing apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201680021625.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107438895A (zh
Inventor
郑愚德
诸成泰
崔圭鎭
韩星珉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Eugene Technology Co Ltd
Original Assignee
Eugene Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Eugene Technology Co Ltd filed Critical Eugene Technology Co Ltd
Publication of CN107438895A publication Critical patent/CN107438895A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107438895B publication Critical patent/CN107438895B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明提供一种基板处理装置。基板处理装置包含：管件，具有内空间；基板支撑件，多个基板在管件内以多级形式堆叠于基板支撑件上，基板支撑件个别地界定分别处理多个基板的多个处理空间；第一气体供应部件，经组态以将第一气体供应至所有多个处理空间中；第二气体供应部件，包括多个喷射器，多个喷射器经安置为分别对应于多个处理空间，使得将第二气体个别地供应至多个基板中的每一者上；以及排出部件，经组态以排出管件内的气体。因此，可将气体个别地供应至分别处理多个基板的处理空间中的每一者中。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明内容涉及一种基板处理装置，且更特定而言，涉及一种能够将气体个别地供应至分别处理多个基板的空间中的基板处理装置。
背景技术
一般而言，基板处理设备(substrate processing equipment)被分类成能够一次处理一个基板的单晶圆型基板处理设备(single wafer type substrate processingequipment)，以及能够同时处理多个基板的批量型基板处理设备(batch type substrateprocessing equipment)。单晶圆型基板处理设备具有简单结构，但具有低生产力。因此，正广泛地使用能够大量生产基板的批量型基板处理设备。
批量型基板处理设备包含：处理腔室(processing chamber)，在处理腔室中容纳以及处理以多级形式水平地堆叠的基板；处理气体供应喷嘴(processing gas supplynozzle)，用于将处理气体供应至处理腔室中；以及排出管线(exhaust line)，通过排出管线而排出处理腔室中的气体。可如下执行使用批量型基板处理设备的基板处理程序(substrate processing process)。首先，将多个基板装载至处理腔室中。接着，在通过排出管线而排出处理腔室内的气体时，将处理气体通过处理气体供应喷嘴而供应至处理腔室中。此处，将自处理气体供应喷嘴喷射的处理气体引入至排出管线中，同时在多个基板之间传递以在每一基板上形成薄膜。
然而，在根据相关技术的基板处理设备中，可将处理气体通过一个处理气体供应管线而供应至处理气体供应喷嘴中。因此，可仅控制被供应至处理腔室中的处理气体的总量，但可不单独地控制被供应至每一基板上的处理气体的量。也即，可不单独地控制被供应至每一基板上的处理气体的浓度。因此，由于考虑到基板的状态而不控制薄膜的厚度，故多个基板的薄膜可彼此不同。
发明内容
技术问题
本发明内容提供一种能够将气体个别地供应至分别处理多个基板的处理空间(processing space)中的基板处理装置。
本发明内容也提供一种能够根据基板处理程序的情形来控制至少一种气体的选择性供应的基板处理装置。
本发明内容也提供一种能够改良基板处理程序的效率的基板处理装置。
技术方案
根据例示性实施例，一种基板处理装置包含：管件(tube)，具有内空间；基板支撑件(substrate support)，多个基板在管件内以多级形式堆叠于基板支撑件上，基板支撑件个别地界定分别处理多个基板的多个处理空间；第一气体供应部件(first gas supplypart)，经组态以将第一气体供应至所有多个处理空间中；第二气体供应部件(second gassupply part)，包含多个喷射器(injector)，多个喷射器经安置为分别对应于多个处理空间，使得将第二气体个别地供应至多个基板中的每一者上；以及排出部件(exhaust part)，经组态以排出管件内的气体。
第一气体供应部件可包含：喷射单元(injection unit)，在基板堆叠的方向上延伸；以及气体供应单元(gas supply unit)，连接至喷射单元以将气体供应至喷射单元中，其中经界定为在基板堆叠的方向上对应于处理空间的多个喷射孔(injection hole)可界定于喷射单元中。
多个喷射孔可具有在远离于喷射单元与气体供应单元彼此连接处的部分的方向上逐渐地增加的直径。
第二气体供应部件可包含：多个喷射器，具有彼此不同的高度以分别对应于处理空间；以及多个气体供应管线，分别连接至喷射器的端部。
喷射气体所通过的喷射孔可界定于喷射器的其他端部中，且喷射孔可沿着管件的圆周以螺旋方式界定。
多个气体供应管线中的每一者可包含：气体管件(gas tube)，经组态以界定气体移动通过的路径，气体管件连接至喷射器中的每一者；流量传感器(flow sensor)，安装于气体管件中以量测气体管件内的气体的流动速率；以及阀门(valve)，安装于气体管件中以控制气体管件内的气体的流动速率，其中可个别地控制多个气体供应管线以个别地量测气体的流动速率。
界定于第一气体供应部件中的喷射孔以及界定于第二气体供应部件中以对应于喷射孔的通孔(through hole)可界定于管件的圆周中。
基板处理装置可还包含旋转驱动部件(rotational driving part)，旋转驱动部件连接至基板支撑件以旋转基板支撑件。
基板处理装置可还包含外部管件(external tube)，外部管件经组态以在其中容纳管件，其中第一气体供应部件的喷射单元以及第二气体供应部件的喷射器可安置于管件与外部管件之间。
第一气体供应部件可供应包含硅源气体(silicon source gas)的第一气体。
第二气体供应部件可将包含掺杂气体(dopant gas)以及蚀刻气体(etching gas)中的至少一者的第二气体选择性地供应至多个基板中的每一者上。
基板支撑件可包含多个隔离板(isolationplate)，多个隔离板在基板的堆叠方向上分别安置于基板之间以使多个处理空间彼此隔离。
有利效果
根据例示性实施例，气体供应部件能够将气体个别地供应至分别处理多个基板的处理空间中。因此，可根据每一基板的情形来单独地控制被供应至每一处理空间中的气体的量。因此，由于经供应气体的量被控制为最佳地供应至每一基板上，故可改良基板或基板上的薄膜的品质。
再者，根据例示性实施例，可根据处理程序的情形来选择性地供应至少一种气体。因此，可选择待供应气体的种类以调整形成于基板上的薄膜的厚度。因此，多个基板上的薄膜可整体上具有均一厚度以改良薄膜的品质。
再者，由于控制被供应至每一处理空间中的气体的量以及种类，故可根据基板的情形来快速地控制处理程序的条件。因此，可缩减基板或基板上的薄膜的缺陷以改良基板处理程序的效率。
再者，根据例示性实施例，可提供用于供应主要源气体的第一气体供应部件以及用于选择性地供应至少一种气体中的至少一者的第二气体供应部件。因此，当控制待供应至处理空间中的在第二气体供应部件中选择的气体的量时，可控制主要源气体与经选择气体的混合比率。再者，可根据在第二气体供应部件中选择的气体的种类来选择性地执行各种基板处理程序。
附图说明
图1为根据例示性实施例的基板处理设备的示意图。
图2为根据例示性实施例的基板处理装置的视图。
图3为根据例示性实施例的基板支撑件的视图。
图4为根据例示性实施例的说明管件以及气体供应部件的结构的透视图。
图5为根据例示性实施例的说明管件以及气体供应部件的结构的平面图。
图6为根据例示性实施例的说明气体供应单元以及气体供应管线的结构的视图。
具体实施方式
在下文中，将参考随附附图来详细地描述特定实施例。然而，本发明可以不同形式予以体现且不应被认作限于本文中所阐述的实施例。更确切而言，提供此等实施例使得本发明将透彻且完整，且将向在本领域技术人员充分地传达本发明的范畴。在诸图中，出于说明清楚起见而夸示层以及区的尺寸。类似附图元件符号始终指代类似元件。
图1为根据例示性实施例的基板处理设备的示意图，图2为根据例示性实施例的基板处理装置的视图，图3为根据例示性实施例的基板支撑件的视图，图4为根据例示性实施例的说明管件以及气体供应部件的结构的透视图，图5为根据例示性实施例的说明管件以及气体供应部件的结构的平面图，且图6为根据例示性实施例的说明气体供应单元以及气体供应管线的结构的视图。
根据例示性实施例的基板处理装置100包含：基板支撑件171，个别地界定分别处理基板S的多个空间；第一气体供应部件140，用于将第一气体供应至每一处理空间中；第二气体供应部件150，经安置为多个喷射器151以对应于多个处理空间以将第二气体个别地供应至多个基板S上；以及排出部件160，用于排出管件130内的气体。
首先，为了帮助理解描述，下文将描述根据例示性实施例的基板处理设备。
参看图1，基板处理设备包含程序设备(process equipment)1000以及设备前端模块(equipment front end module；EFEM)50，60，70。设备前端模块50，60，70装配于程序设备1000的前侧上以在容纳多个基板的容器(container)(未图示)与程序设备1000之间转移基板。诸如前开式单元匣(front open unified pod；FOUP)的密封用容器可用作容器。
设备前端模块50例如是框架(frame)，设备前端模块60例如是包含多个负载埠(loadport)。框架安置于负载埠与程序设备1000之间。用于容纳基板的容器是由诸如架空转移(overhead transfer)、架空输送机(overhead conveyor)或自动导引载具(automaticguided vehicle)的转移单元(transfer unit)(未图示)置放于负载埠上。
设备前端模块70例如是用于在置放于负载埠上的容器与程序设备1000之间转移基板的框架机器人(frame robot)且安置于框架内。再者，用于自动地敞开/闭合容器的门的开门器(door opener)(未图示)可安置于框架内。再者，用于将经清洁空气(cleanedair)供应至框架50中使得经清洁空气在框架内自上侧向下流动的扇形过滤器单元(fanfilter unit；FFU)(未图示)可安置于框架中。
在程序设备1000内对基板执行预定程序。程序设备1000包含转移器件(transferdevice)200、负载锁器件(loadlock device)300、清洁器件(cleaning device)500a，500b、缓冲器件(buffer device)400，以及外延器件(epitaxial device)100a，100b，100c。此处，根据例示性实施例的基板处理装置可为外延器件100a，100b，100c。
转移器件200具有多边形平面形状，且负载锁器件300、清洁器件500a，500b、缓冲器件400以及外延器件100a，100b，100c安置于转移器件200的侧表面(side surface)上。
负载锁器件300安置于转移器件200的侧表面上，侧表面邻近于设备前端模块50、60及70。基板可暂时地停留于负载锁器件300中，且接着由转移器件200装载至清洁器件500a，500b、缓冲器件400以及外延器件100a，100b，100c中。接着，对基板执行预定程序。在程序完成之后，可由转移器件200卸载基板以暂时地停留于负载锁器件300中。
转移器件200、清洁器件500a，500b、缓冲器件400以及外延器件100a，100b，100c维持于真空状态(vacuum state)下，且负载锁器件300在真空状态与大气状态(atmospherestate)之间切换。负载锁器件300可防止外部污染物被引入至转移器件200、清洁器件500a，500b、缓冲器件400以及外延器件100a，100b，100c中。再者，在转移基板时，可不将基板曝露于大气以防止氧化物层生长于基板上。
闸阀(gate valve)(未图示)分别安置于负载锁器件300与转移器件200之间以及负载锁器件300与设备前端模块50，60，70之间。当在设备前端模块50，60，70与负载锁器件300之间转移基板S时，闭合安置于负载锁器件300与转移器件200之间的闸阀。当在负载锁器件300与转移器件200之间转移基板时，闭合安置于负载锁器件300与设备前端模块50，60，70之间的闸阀。
转移器件200包含基板处置器(substrate handler)210。基板处置器210在负载锁器件300、清洁器件500a，500b、缓冲器件400与外延器件100a，100b，100c之间转移基板。当转移基板时，将转移器件200密封为维持于真空状态下。因此，可防止基板曝露于污染物。
在外延器件100a，100b，100c内对基板执行外延程序之前，清洁器件500a，500b可清洁基板。为了成功地执行外延程序，必须最小化存在于晶质基板上的氧化物的量。若基板的表面氧含量过高，则氧原子可中断沉积于基板上的材料的结晶配置(crystallographicarrangement)。因此，外延程序可受到有害影响。因此，可在清洁器件500a，500b内执行用于移除形成于基板S上的原生氧化物(或表面氧化物)的清洁程序。
根据例示性实施例的外延器件100a，100b，100c或基板处理装置可在每一基板上形成外延层。此处，外延器件100a，100b，100c可为选择性外延器件。在当前实施例中，提供三个外延器件100a，100b，100c。由于外延程序相较于清洁程序需要相对长的时间，故可经由多个外延器件100a，100b，100c来改良制造良率(manufacturing yield)。然而，例示性实施例并不限于外延器件100a，100b，100c的数目。也即，可改变外延器件的数目。
在下文中，将详细地描述根据例示性实施例的基板处理装置(或外延器件)100。
参看图2至图5，根据例示性实施例的基板处理装置100包含管件130、基板支撑件171、第一气体供应部件140、第二气体供应部件150，以及排出部件160。再者，基板处理装置100可包含：腔室110，具有内空间；外部管件120，安置于腔室110中以界定容纳管件130的空间；加热器(heater)190，围绕外部管件120而安置；轴件(shaft)172，支撑基板支撑件171；垂直驱动部件(vertical driving part)173，垂直地移动基板支撑件171；旋转驱动部件174，旋转基板支撑件171；以及支撑板(support plate)180。
腔室110具有矩形或圆柱形形状以在其中界定内空间。再者，腔室110包含上部腔室(upper chamber)110a以及下部腔室(lower chamber)110b。上部腔室110a与下部腔室110b彼此连通。与转移器件200连通的插入孔(insertion hole)界定于下部腔室110b的一个侧中。因此，可将基板S通过插入孔而自转移器件200装载至腔室110。引入孔(introduction hole)220界定于转移器件200的一个侧中以对应于腔室110的插入孔。闸阀230安置于引入孔220与插入孔之间。因此，转移器件200的内空间与腔室110的内空间可由闸阀230隔离。再者，引入孔220以及插入孔是由闸阀230敞开或闭合。此处，插入孔可界定于下部腔室110b中。
外部管件120安置于具有敞开式上部部分(opened upper portion)的下部腔室110b上方或安置于上部腔室110a中。外部管件120具有执行外延程序或选择性外延程序的内空间，且向下敞开。再者，管件130可容纳于外部管件120中。
加热器190提供于腔室110中且经安置为环绕外部管件120或管件130的侧表面以及上部部分。加热器190将热能提供至外部管件120或管件130以加热外部管件120或管件130的内空间。因此，可将外部管件120或管件130的内空间的温度调整至能够执行外延程序的温度。
管件130安置于下部腔室110b上方或安置于上部腔室110a中。详言之，管件130通过外部管件120的敞开式部分而插入至外部管件120的内空间中，且接着安置于外部管件120的内空间中。再者，管件130界定容纳基板支撑件171的空间，且向下敞开。因此，当基板支撑件171在上部腔室110a以及下部腔室110b内垂直地移动时，基板支撑件171可通过管件130的开口而插入至管件130中或自管件130撤回。
管件130可具有圆柱形形状且向下敞开。再者，对应于第一气体供应部件140的喷射单元141的喷射孔(其将稍后予以描述)以及第二气体供应部件150的喷射器151的喷射孔的通孔界定于管件130的圆周的一个侧中。详言之，对应于喷射单元141的通孔可沿着喷射单元141的延伸方向以直线形状界定于管件130中。对应于喷射器151的通孔可沿着喷射器151的端部的横截面而界定，使得喷射器151的端部可插入至通孔中。再者，与排出部件160连通的通孔界定于管件130的圆周的另一侧中。然而，例示性实施例并不限于通孔的形状。举例而言，通孔可具有各种形状。
再者，管件130的下部部分(lower portion)包含突起物(protrusion)，突起物自管件130的圆周向外突起且连接至外部管件120或腔室110，使得管件130连接至外部管件120或腔室110的内壁且由此内壁支撑。再者，具有圆盘形状且安置于管件130的圆周上以支撑喷射单元141以及喷射器151的支撑单元(support unit)135可经安置为稳定地支撑喷射单元141以及喷射器151。然而，例示性实施例并不限于管件130的结构以及形状。举例而言，管件130可具有各种结构以及形状。
基板支撑件171在垂直方向上堆叠多个基板S。举例而言，基板支撑件171可以多级形式堆叠15片基板。基板支撑件171可个别地界定分别处理多个基板S的处理空间。也即，基板支撑件171可包含多个垂直层(vertical layer)，且可在每一层上装载一个基板S。因此，基板S的处理空间可单独地界定于基板支撑件171的层中以防止处理空间彼此干扰。
举例而言，参看图3，基板支撑件171可包含晶圆舟皿(wafer boat)171a，171b、热隔离单元(heat isolation unit)(未图示)，以及旋转套件(rotation kit)(未图示)。突起至中心部分以允许安放基板S的突起物安置于晶圆舟皿171a，171b上，晶圆舟皿171b例如是突起物。可垂直地提供多个突起物，且基板S装载于突起物上。
再者，用于分隔处理空间的多个隔离板可提供于晶圆舟皿171a，171b中，晶圆舟皿171a例如是隔离板。举例而言，隔离板可具有圆盘形状且可提供多个隔离板以分隔处理空间。因此，多个隔离板可分别在基板S的堆叠方向上垂直地安置于基板S之间。也即，诸如分隔物的隔离板可提供于分别装载基板S的突起物之间。因此，多个处理空间可彼此隔离且被独立地界定。
热隔离单元可连接至晶圆舟皿171a，171b的下部部分以防止管件130内的热损耗。旋转套件可具有连接至热隔离单元的下部部分的上部部分，以及连接至轴件172的下部部分。
轴件172垂直地延伸，且具有连接至基板支撑件171的下部部分的上部端部(upperend)。轴件172支撑基板支撑件171。轴件172的下部部分穿过下部腔室110b，且在下部腔室110b外部连接至垂直驱动部件173以及旋转驱动部件174。
垂直驱动部件173连接至轴件172以垂直地移动轴件172。因此，连接至轴件172的上部端部的基板支撑件171可沿着轴件172垂直地移动。举例而言，基板支撑件171可通过垂直驱动部件173的操作而向下移动，且接着安置于下部腔室110b中(或安置于装载位置处)。因此，自转移器件200装载至下部腔室110b的基板S可装载于安置于下部腔室110b中的基板支撑件171上。
当所有多个基板S装载于基板支撑件171上时，基板支撑件171可由垂直驱动部件173向上移动以在外部管件120或管件130中(或在程序位置处)移动。因此，可在外部管件120或管件130内对基板S执行外延程序。
旋转驱动部件174连接至与基板支撑件171连接的轴件172以旋转基板支撑件171。旋转驱动部件174使轴件172相对于轴件172的垂直中心轴线(vertical central axis)旋转。因此，连接至轴件172的基板支撑件171也可相对于垂直中心轴线旋转。当对基板S执行处理程序时，被供应至管件130的一个侧的至少一种气体可传递通过堆叠于基板支撑件171上的基板S，且接着被排放至管件130的另一侧。此处，当基板支撑件171通过旋转驱动部件174的操作而旋转时，将传递通过基板支撑件171的气体可混合且因此均一地分布于基板S的整个表面上。因此，可改良沉积于基板S上的薄膜的品质。
支撑板180安装于轴件172上且与基板支撑件171一起升高以密封外部管件120或管件130内的程序空间(process space)而与外部隔离。支撑板180经安置为与基板支撑件171的下部部分隔开。再者，具有○形环形状的密封构件(sealing member)181可提供于支撑板180与外部管件120之间或提供于支撑板180与管件130之间以密封程序空间。轴承构件(bearing member)172可提供于支撑板180与轴件172之间，且轴件172可以轴件由轴承构件182支撑的状态而旋转。
参看图4至图6，第一气体供应部件140包含在基板S的堆叠方向上延伸的喷射单元141，以及连接至喷射单元141以将气体供应至喷射单元141中的气体供应单元142。此处，第一气体供应部件140可将硅源气体以及蚀刻气体供应至多个基板S上。也即，第一气体供应部件140将用于基板S的处理程序的主要源气体供应至处理空间中。
喷射单元141具有管路形状(pipe shape)以在基板S堆叠的方向(例如，垂直方向)上延伸。喷射单元141安置于管件130与外部管件120之间。喷射单元141具有闭合式上部部分，以及连接至气体供应单元142的下部部分。再者，经界定为对应于基板S的处理空间的多个喷射孔141a沿着基板S的堆叠方向界定于喷射单元141中。也即，喷射孔141a可界定于对应于基板支撑件171的每一层的部分中。因此，通过气体供应单元142而供应至喷射单元141中的第一气体可通过喷射孔141a而供应至基板S的每一处理空间中。
多个喷射孔141a可具有在远离于喷射单元141的部分的方向上逐渐地增加的直径，此部分连接至气体供应单元142。举例而言，当气体供应单元142连接至喷射单元141的下部端部(lower end)以将第一气体自喷射单元141的下部部分供应至上部部分时，上部喷射孔的直径可大于下部喷射孔的直径。
也即，在喷射孔邻近于气体供应单元142的状况下，由于将第一气体供应至邻近位置，故可容易地引入大量第一气体。另一方面，在喷射孔经界定为与第一气体供应部件140相隔长距离的状况下，由于遍及长距离而供应第一气体，故可仅将在引入至喷射孔中之后剩余的第一气体供应至喷射孔中。因此，当将第一气体通过第一气体供应部件140而供应至喷射单元141中时，通过邻近于第一气体供应部件140的喷射孔所喷射的第一气体的量与通过远离于第一气体供应部件140的喷射孔所喷射的第一气体的量可彼此不同。
因此，邻近于第一气体供应部件140的喷射孔的直径可减小以缩减待喷射的第一气体的量，且远离于第一气体供应部件140的喷射孔的直径可增加以增加待喷射的第一气体的量。也即，可调整喷射孔141a的直径，使得通过邻近于第一气体供应部件140的喷射孔以及远离于第一气体供应部件140的喷射孔而供应均一量的第一气体。因此，可将第一气体均一地供应至层上的基板S以改良处理效率。
气体供应单元142包含界定第一气体移动通过的路径的第一气体管件142a、存储至少一种气体的至少一个气体供应源，以及针对气体供应源所提供的至少一个阀门。
此处，第一气体可包含硅源气体、蚀刻气体以及运载气体(carrier gas)。再者，硅烷(SiH4)以及二氯硅烷(DCS)可用作硅源气体，氢氯酸(HCl)可用作蚀刻气体，且氢气(H2)可用作运载气体。运载气体可稀释硅气体或蚀刻气体的浓度。因此，当控制待供应的运载气体的量时，可控制硅源气体或蚀刻气体的浓度。由于硅气体、蚀刻气体与运载气体具有彼此不同的分子量，故硅气体、蚀刻气体与运载气体可彼此容易地混合。然而，第一气体并不限于上述材料。举例而言，第一气体可包含诸如掺杂气体的各种材料。
第一气体管件142a具有管路形状。再者，第一气体管件142a具有连接至喷射单元141的一个端部，以及连接至气体供应源的另一端部。
可以对应于被提供为第一气体的气体的种类的数目提供第一气体供应源。举例而言，气体供应源可包含硅源气体供应源(silicon source gas supply source)142c、存储蚀刻气体的蚀刻气体供应源(etching gas supply source)142e，以及存储运载气体的运载气体供应源(carrier gas supply source)142g。此处，第一气体管件142a具有路径被分支且接着连接至气体供应源的另一端部。也即，硅源气体的移动路径、蚀刻气体的移动路径与运载气体的移动路径可彼此组合且接着连接至喷射单元141。
控制阀门(control valve)142b，142d，142f可分别提供于气体供应源中以控制被供应至第一气体管件142a中的气体的流动速率。举例而言，控制阀门142b，142d，142f可包含提供于硅源气体供应源142c中以控制硅源气体的流动速率的硅源气体控制阀门(silicon source gas control valve)142b、提供于蚀刻气体供应源142e中以控制蚀刻气体的流动速率的蚀刻气体控制阀门(etching gas control valve)142d，以及提供于运载气体供应源142g中以控制运载气体的流动速率的运载气体控制阀门(carrier gascontrol valve)142f。因此，当控制控制阀门142b，142d，142f时，可控制通过喷射单元141而喷射至基板S上的第一气体的总流动速率。再者，可通过使用控制阀门142b，142d，142f来选择待供应至基板S上的气体的种类。然而，例示性实施例并不限于待使用的气体的上述种类或第一气体供应部件140的上述结构。举例而言，气体的种类以及第一气体供应部件140的结构可变化。
第二气体供应部件150包含安置于彼此不同的高度处以分别对应于处理空间的多个喷射器151，以及分别连接至喷射器151的端部的多个气体供应管线152。此处，第二气体供应部件150可将掺杂气体或蚀刻气体选择性地供应至多个基板S中的每一者上。也即，第二气体供应部件150可在基板S处理程序中将辅助气体供应至处理空间中。
每一喷射器151可具有管路形状，且可以对应于基板支撑件171的处理空间的数目的数目提供或以比处理空间的数目少一个的数目提供喷射器151。举例而言，当基板支撑件171可支撑15片基板S以形成15个基板S处理空间时，可提供14个喷射器151。也即，喷射器151可连接至除了与喷射单元141重叠的一个部分以外的所有处理空间。
喷射气体所通过的喷射孔151a可界定于每一喷射器151的另一端部中，且喷射器151的另一端部可延伸至处理空间。再者，喷射器151安置于管件130与外部管件120之间。举例而言，喷射器151可具有
Figure GDA0001432695730000081
形状。因此，突起至基板S的处理空间的喷射器151的端部可通过管件130的通孔而接触程序空间。因此，可将通过气体供应管线152而供应至一个端部(例如，喷射器151的下部端部)的第二气体供应至喷射器151中，且接着通过喷射孔151a而喷射至安置于每一处理空间中的基板S上。
再者，多个喷射器151可具有彼此不同的高度以将气体供应至每一处理空间(也即，基板支撑件171的每一层)中。也即，接触下部处理空间的喷射器151可具有低的高度，且接触上部处理空间的喷射器151可具有高的高度。举例而言，喷射器151的喷射孔151a可沿着管件130的圆周以螺旋方式界定。再者，具有最高的高度的喷射器151可安置于最高位置处，且接着，其他喷射器可根据其高度而顺次地安置。因此，相较于多个喷射器151被不规则地安置的状况，当具有彼此不同的高度的多个喷射器151被规则地安置时，可改良空间效率。
气体供应管线152包含界定气体移动通过的路径且连接至每一喷射器的第二气体管件152a、安装于第二气体管件152a中以量测第二气体管件152a内的气体的流动速率的流量传感器152b，以及安装于第二气体管件152a中以控制第二气体管件152a内的流动速率的阀门。
此处，第二气体可包含掺杂气体、蚀刻气体以及运载气体中的至少一者。此处，氢氯酸(HCl)可用作蚀刻气体，且氢气(H2)可用作运载气体。掺杂气体可与硅源气体混合以在基板S上沉积薄膜。因此，当控制处理基板S的处理空间内的掺杂气体的浓度时，可个别地控制硅薄膜的掺杂浓度。运载气体可稀释硅气体或蚀刻气体的浓度。因此，当控制待供应的运载气体的量时，可控制硅源气体或蚀刻气体的浓度。然而，第二气体并不限于上述材料。举例而言，第二气体可包含诸如硅源气体的各种材料。
因此，可选择性地使用第二气体的种类以针对每一处理空间选择一程序。也即，当仅选择蚀刻气体作为第二气体时，处理空间内的蚀刻气体的混合比率可增加以执行蚀刻程序，使得在基板S上实现选择性外延生长(selective epitaxial growth)。再者，当仅选择掺杂气体作为第二气体时，处理空间内的掺杂气体的混合比率可增加，且因此，第一气体的硅源气体与掺杂气体可彼此混合以在基板S上形成薄膜。再者，当停止第二气体的供应时，可通过使用第一气体而在处理空间内的基板S上形成硅薄膜。
当第二气体管件152a连接至硅源气体供应源时，可更有效地控制形成于基板S上的薄膜的厚度。也即，当形成于基板S上的薄膜具有薄的厚度时，可供应硅源气体作为第二气体。当形成于基板S上的薄膜具有厚的厚度时，可供应蚀刻气体作为第二气体以调整形成于基板S上的薄膜的厚度。因此，可选择针对基板S的每一处理空间所供应的第二气体以控制每一处理空间中的基板S的厚度，藉此改良形成于基板S上的薄膜的品质。
第二气体管件152a具有管路形状。再者，第二气体管件152a可具有连接至喷射器151的一个端部，以及连接至供应源152e，152g，152i的另一端部。
可以对应于被提供为第二气体的气体的种类的数目提供供应源152e，152g，152i。举例而言，供应源152e，152g，152i可包含存储掺杂气体的掺杂气体供应源152e、存储蚀刻气体的蚀刻气体供应源152g，以及存储运载气体的运载气体供应源152i。第二气体管件152a的一个端部可被划分且接着分别连接至多个喷射器151。接着，第二气体管件152a的经划分端部可彼此组合，且接着按对应于供应源152e，152g，152i的数目而划分。因此，第二气体管件152a的其他端部可分别连接至供应源152e，152g，152i。
流量控制阀门(flow control valve)152d，152f，152h可分别提供于供应源152e，152g，152i中以控制被供应至第二气体管件152a中的气体的流动速率。举例而言，流量控制阀门152d，152f，152h可包含提供于掺杂气体供应源152e中以控制掺杂气体的流动速率的掺杂气体流量控制阀门(dopant gas flow control valve)152d、提供于蚀刻气体供应源152g中以控制蚀刻气体的流动速率的蚀刻气体流量控制阀门(etching gas flow controlvalve)152f，以及提供于运载气体供应源152i中以控制运载气体的流动速率的运载气体流量控制阀门(carrier gas flow control valve)152h。因此，当控制流量控制阀门152d，152f，152h时，可控制通过喷射器151而喷射至基板S上的第二气体的总流动速率，且可选择待喷射的气体的种类。
流量传感器152b可提供于第二气体管件152a的每一经划分端部中。也即，为了个别地量测被供应至每一处理空间中的第二气体的量，可以对应于处理空间的数目的数目提供流量传感器152b。此处，流量传感器152b可个别地提供于第二气体管件152a的多个端部上，多个端部连接至处理空间。流量传感器152b可安置于喷射单元141与第二气体管件152a的端部彼此组合处的部分之间。因此，可通过使用流量传感器152b来即时地监测被供应至每一处理空间中的第二气体的流动速率。
阀门152c安置于第二气体管件152a的每一经划分端部中。也即，为了个别地控制被供应至每一处理空间中的第二气体的量，可以对应于处理空间的数目的数目提供流量传感器152b。此处，流量传感器152b可个别地提供于第二气体管件152a的多个端部上，多个端部连接至处理空间。阀门152c可安置于喷射单元141与第二气体管件152a的端部彼此组合处的部分之间。再者，阀门152c可安置于流量传感器152b的前端部或后端部处。因此，当控制阀门152c的操作时，可个别地控制被供应至每一处理空间中的第二气体的流动速率。
就此操作而言，在基板S的处理空间中可发生形成于基板S上的薄膜的厚度差异，处理空间界定于基板支撑件171中。若形成于基板S上的薄膜具有极厚的厚度，则供应至程序空间中的掺杂气体的量必须减小，或经供应的蚀刻气体的量必须增加。另一方面，若形成于基板S上的薄膜具有极薄的厚度，则经供应的掺杂气体的量必须增加，且经供应的蚀刻气体的量必须减小。因此，若形成于基板S上的薄膜具有彼此不同的厚度，则当控制被供应至预定基板上的第二气体的量时，形成于一个基板上的薄膜可具有极厚的厚度，且形成于另一基板上的薄膜可具有极薄的厚度。
因此，形成于每一处理空间的基板S上的薄膜的厚度可被确认为根据处理空间来控制经供应气体的浓度。也即，在通过使用流量传感器152b来量测被供应至每一处理空间中的气体的流动速率时，可根据形成于基板S上的薄膜的厚度而经由阀门152c来控制被供应至每一处理空间中的气体的流动速率。因此，可针对每一处理空间独立地控制气体的浓度，而不判定相对于预定基板S所供应的气体的浓度。
举例而言，若形成于最上部基板S上的薄膜具有极厚的厚度，则经供应的蚀刻气体的量增加至最上部处理空间以蚀刻薄膜的部分，且可中断蚀刻气体至最下部处理空间中的供应。
举例而言，可如下对基板S执行选择性外延生长(SEG)程序。容纳基板S的所有处理空间的温度可通过使用加热器190来增加至适合于选择性外延生长的温度。接着，可将包含硅源气体、蚀刻气体以及运载气体中的至少一者的第一气体通过第一气体供应部件140而供应至所有处理空间中。第一气体传递通过基板S，且接着通过排出部件160而被排放至处理空间外部。接着，可通过使用第二气体供应部件150而经由各种方法将第二气体供应至每一处理空间中，下文将描述此等方法。
第一，可敞开所有流量控制阀门152d，152f，152h以及第二气体管件152a的所有阀门152c以将包含掺杂气体、蚀刻气体以及运载气体中的至少一者的第二气体供应至所有处理空间中。因此，第一气体与第二气体可彼此混合以在基板S上形成由硅以及掺杂物的混合物形成的薄膜。
第二，在闭合掺杂气体流量控制阀门152d之后，可敞开第二气体管件152a的所有阀门152c以仅将蚀刻气体供应至每一处理空间中且移除处理空间内的杂质。再者，蚀刻气体可蚀刻薄膜以缩减薄膜的厚度。也即，在将包含硅源气体、蚀刻气体以及运载气体中的至少一者的第一气体供应至处理空间中的状态下，可将仅包含蚀刻气体的第二气体供应至处理空间中。因此，处理空间内的气体中的蚀刻气体的比率可增加以蚀刻薄膜。
此处，可调整被供应至容纳形成有厚度薄的薄膜于其上的基板S的处理空间中的蚀刻气体的量。也即，可仅闭合连接至容纳厚度薄的基板S的处理空间的第二气体管件152a的阀门152c以仅缩减被供应至处理空间中的蚀刻气体的流动速率或中断蚀刻气体的引入。因此，可控制待针对每一处理空间所供应的蚀刻气体的量，使得将大量蚀刻气体供应至容纳形成有厚度厚的薄膜于其上的基板S的处理空间中，且将少量蚀刻气体供应至容纳包含厚度薄的薄膜的基板S的处理空间中，或停止蚀刻气体至容纳包含厚度薄的薄膜的基板S的处理空间中的供应。
可对包含在以前的程序中图案化的氧化物或氮化物层的基板S执行选择性外延程序。首先，可将包含硅源气体的第一气体供应至基板上。因此，可将硅源沉积于基板上。此处，在基板的裸硅部分与基板S的经图案化部分之间可发生薄膜形成速率差异。
因此，可将第二气体供应至基板S上以调整处理基板S的处理空间内的气体的组分。也即，当将仅包含蚀刻气体或仅包含蚀刻气体以及运载气体的第二气体供应至基板S的处理空间中时，第一气体与第二气体可彼此混合以通过第二气体来增加处理空间内的蚀刻气体的比率。因此，安置于基板S的部分上的薄膜(此薄膜的形成在此部分处缓慢)可在此薄膜生长之前通过蚀刻气体予以移除。另一方面，安置于基板S的部分上的薄膜(此薄膜的形成在此部分处快速)可在通过蚀刻气体予以移除之前进行沉积以及生长。因此，当控制第二气体的蚀刻气体的浓度时，可执行选择性外延程序。
再者，可由提供于第二气体供应部件150的每一处理空间中的阀门152c个别地控制被供应至每一处理空间中的第二气体的量。因此，当控制用于每一处理空间的蚀刻气体的浓度时，薄膜的沉积可主动地发生于基板的一部分上且可缓慢地发生于基板的另一部分上以根据基板S上的薄膜的生长速率来选择性地控制基板S的处理环境。
第三，在敞开掺杂气体流量控制阀门152d且闭合蚀刻气体流量控制阀门152f之后，可敞开第二气体管件152a的所有阀门152c以仅将蚀刻气体供应至每一处理空间中。供应至处理空间中的掺杂气体可与第一气体混合以在基板S上形成薄膜。此处，可调整被供应至薄膜中的硅薄膜的掺杂浓度高的处理空间中的掺杂气体的量。
也即，可闭合连接至薄膜的掺杂浓度高的处理空间的第二气体管件152a以仅缩减被供应至处理空间中的掺杂气体的流动速率或阻断掺杂气体的引入。因此，可控制待针对每一处理空间所供应的掺杂气体的量以将少量掺杂气体供应至薄膜的掺杂浓度高的处理空间中或停止掺杂气体的供应，且将大量掺杂气体供应至薄膜的掺杂浓度低的处理空间中。
第四，可闭合掺杂气体流量控制阀门152d以及蚀刻气体流量控制阀门152f中的全部，且可闭合第二气体管件152a的所有阀门152c。因此，由于仅将第一气体供应至处理空间中，故可通过硅源气体而仅将硅薄膜形成于基板S上。
可经由上述各种组合在基板S上形成具有高品质的薄膜，也即，具有高品质的选择性外延层。再者，可产生在基板S的每一处理空间中独立地处理基板S所依据的最佳条件以改良所生产的基板S或基板S上的薄膜的品质。然而，例示性实施例并不限于掺杂气体以及蚀刻气体的供应次序以及方法。举例而言，可经由各种次序以及方法而供应掺杂气体以及蚀刻气体。
由于单独地提供用于供应第一气体的第一气体供应部件140与用于供应第二气体的第二气体供应部件150，故可控制被供应至多个处理空间中的气体的混合比率。也即，第一气体供应部件140可将用于基板S处理程序的主要气体(第一气体)供应至所有处理空间中以在基板S上沉积硅薄膜。第二气体供应部件150可供应用于基板S处理程序的辅助气体(第二气体)以将辅助气体与主要气体混合。此处，第二气体供应部件150可选择掺杂气体以及蚀刻气体中的至少一者以将经选择气体供应至每一处理空间中。因此，处理空间内的掺杂气体或蚀刻气体的浓度可增加。因此，通过第二气体供应部件150供应的气体可调整自第一气体供应部件140供应的气体的组分的比率。也即，可经由第二气体的供应而调谐第一气体或处理空间内的气体。
举例而言，当供应蚀刻气体作为第二气体时，待供应至处理空间中的蚀刻气体的比率可增加以执行蚀刻程序，使得实现选择性外延生长。另一方面，当供应掺杂气体作为第二气体时，处理空间中的掺杂气体的比率可增加以在处理空间中主动地执行掺杂程序。因此，当选择待自第二气体供应部件150供应的气体的种类时，可选择待在处理空间中执行的掺杂程序、蚀刻程序或选择性外延程序。
再者，第二气体供应部件150可个别地控制待供应至多个处理腔室中的每一者中的第二气体的流动速率。因此，可经由第二气体供应部件150而个别地调整每一处理空间内的气体的组分。因此，可容易地控制每一处理空间内的环境以简化设备的结构。
另一方面，当不单独地提供第一气体供应部件140与第二气体供应部件150且将处理气体通过一个气体供应部件而供应至多个处理空间中时，可能难以个别地控制多个处理空间内的气体的组分。也即，可仅控制相对于整个处理空间的气体组分，但可不控制每一处理空间内的气体的组分。因此，当将处理气体供应至特定处理空间中时，薄膜可能不会恰当地沉积于基板上或可能会过度地沉积于其他处理空间内。
另外，当硅源气体供应源、掺杂气体供应源、蚀刻气体供应源以及运载气体供应源分别连接至多个处理空间时，可能难以调谐处理空间内的气体。也即，尽管选择待供应至每一处理空间中的气体，但可不提供用于控制气体的流动速率的成分以限制调谐。另一方面，根据例示性实施例的第二气体供应部件150可包含用于控制各个气体供应源的流量控制阀门152d，152f，152h，单独阀门152c以及流量传感器152b控制待供应至每一处理空间中的第二气体的流动速率以容易地控制待供应至处理空间中的气体的种类以及流动速率。
再者，当硅源气体供应源、掺杂气体供应源、蚀刻气体供应源以及运载气体供应源分别连接至多个处理空间时，气体供应源的数目可随着处理空间的数目增加而增加，且气体管件的连接结构可复杂以增加设备的体积。由于设备的结构复杂，故设备可能难以进行维护。
排出部件160包含具有与管件130的内空间连通且安装于管件130的另一侧上的排出孔的排出管件(exhaust tube)161、具有连接至排出管件161的一个端部的排出管线162，以及连接至排出管线162的另一端部的排出泵(exhaust pump)(未图示)。排出管件161的排出孔可经界定为对应于安置于管件130的圆周的一个侧中的喷射单元141的喷射孔。再者，排出气体控制阀门(exhaust gas control valve)(未图示)可提供于排出管线162中以敞开以及闭合排出管线162。因此，排出部件160可将管件130内的气体或反应副产物排放至管件130外部。然而，例示性实施例并不限于基板处理装置100的结构以及形状。举例而言，基板处理装置100可具有各种结构以及形状。
如上文所描述，可提供用于将气体个别地供应至处理多个基板S的每一处理空间中的第一与第二气体供应部件140，150以根据每一基板S的情形来单独地控制待供应至处理空间中的气体的量。因此，由于在基板S的最佳条件下执行处理程序，故可改良基板S或基板S上的薄膜的品质。
再者，由于第一与第二气体供应部件140，150根据处理程序的情形而将至少一种气体选择性地供应至处理空间中，故可调整形成于基板S上的薄膜的厚度，藉此改良基板S或基板S上的薄膜的品质。
再者，由于控制被供应至每一处理空间中的气体的量以及种类，故可根据基板S的情形来快速地控制处理程序的条件。因此，可缩减基板S或基板S上的薄膜的缺陷以改良基板处理程序的效率。
再者，可提供用于供应主要气体的第一气体供应部件140以及用于选择性地供应至少一种气体中的至少一者的第二气体供应部件150以选择待自第二气体供应部件供应的气体，藉此控制处理空间内的气体的混合比率。再者，可选择待自第二气体供应部件150供应的气体以对基板S选择性地执行各种处理程序。
如上文所描述，虽然已参考本发明的较佳实施例而特定地展示以及描述本发明，但在本领域技术人员应理解，可对较佳实施例进行各种形式与细节改变而不脱离权利要求所界定的本发明的精神以及范畴。因此，本发明的范畴不是由本发明的实施方式界定，而是由权利要求界定，且在此范畴内的所有差异将被认作包含于本发明中。

Claims (11)

1.一种基板处理装置，包括：
管件，具有内空间；
基板支撑件，多个基板在所述管件内以多级形式堆叠于所述基板支撑件上，所述基板支撑件个别地界定分别处理所述多个基板的多个处理空间；
第一气体供应部件，经组态以将第一气体供应至所有所述多个处理空间中；
第二气体供应部件，包括多个喷射器，所述多个喷射器经安置为分别对应于所述多个处理空间，使得将第二气体个别地供应至所述多个基板中的每一者上；以及
排出部件，经组态以排出所述管件内的气体，
其中所述第二气体供应部件包括：
所述多个喷射器，安置于不同的高度以分别对应于所述多个处理空间；
多个气体供应管线，分别连接至所述多个喷射器的一个端部；以及
所述多个气体供应管线包括掺杂气体供应源、蚀刻气体供应源、运载气体供应源以及多个流量控制阀门，每个流量控制阀门经组态以控制从每个供应源供应的气体的流量，以便根据在每个处理空间中执行的处理选择将用作所述第二气体的气体。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述第一气体供应部件包括：
喷射单元，在所述多个基板堆叠的方向上延伸；以及
气体供应单元，连接至所述喷射单元以将所述第一气体供应至所述喷射单元中，
其中经界定为在所述多个基板堆叠的所述方向上对应于所述多个处理空间的多个喷射孔界定于所述喷射单元中。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中所述多个喷射孔具有在远离于所述喷射单元与所述气体供应单元彼此连接处的部分的方向上逐渐地增加的直径。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中喷射所述第二气体所通过的喷射孔界定于所述多个喷射器的其他端部中，且
所述喷射孔沿着所述管件的圆周以螺旋方式界定。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述多个气体供应管线中的每一者包括：
气体管件，经组态以界定所述第二气体移动通过的路径，所述气体管件连接至所述多个喷射器中的每一者；
流量传感器，安装于所述气体管件中以量测所述气体管件内的所述第二气体的流动速率；以及
阀门，安装于所述气体管件中以控制所述气体管件内的所述第二气体的所述流动速率，
其中个别地控制所述多个气体供应管线以个别地量测所述第二气体的所述流动速率。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中界定于所述第一气体供应部件中的喷射孔以及界定于所述第二气体供应部件中以对应于所述喷射孔的通孔界定于所述管件的圆周中。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，还包括旋转驱动部件，所述旋转驱动部件连接至所述基板支撑件以旋转所述基板支撑件。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，还包括外部管件，所述外部管件经组态以在其中容纳所述管件，
其中所述第一气体供应部件的喷射单元以及所述第二气体供应部件的所述多个喷射器安置于所述管件与所述外部管件之间。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述第一气体供应部件供应包括硅源气体的所述第一气体。
10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述第二气体供应部件将包括掺杂气体以及蚀刻气体中的至少一者的所述第二气体选择性地供应至所述多个基板中的每一者上。
11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述基板支撑件包括多个隔离板，所述多个隔离板在所述多个基板的堆叠方向上分别安置于所述多个基板之间以使所述多个处理空间彼此隔离。
CN201680021625.3A 2015-04-14 2016-04-12 基板处理装置 Active CN107438895B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150052533A KR101682154B1 (ko) 2015-04-14 2015-04-14 기판처리장치
KR10-2015-0052533 2015-04-14
PCT/KR2016/003861 WO2016167554A1 (ko) 2015-04-14 2016-04-12 기판처리장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107438895A CN107438895A (zh) 2017-12-05
CN107438895B true CN107438895B (zh) 2021-05-04

Family

ID=57127284

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680021625.3A Active CN107438895B (zh) 2015-04-14 2016-04-12 基板处理装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10741396B2 (zh)
JP (1) JP6475863B2 (zh)
KR (1) KR101682154B1 (zh)
CN (1) CN107438895B (zh)
TW (1) TWI636486B (zh)
WO (1) WO2016167554A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101912886B1 (ko) 2017-03-07 2018-10-29 에이피시스템 주식회사 가스 분사 장치, 이를 포함하는 기판 처리 설비 및 이를 이용한 기판 처리 방법
US10446393B2 (en) * 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5217560A (en) * 1991-02-19 1993-06-08 Tokyo Electron Limited Vertical type processing apparatus
US20080121180A1 (en) * 2002-04-05 2008-05-29 Tadashi Kontani Substrate Processing Apparatus and Reaction Container
US20120000425A1 (en) * 2010-06-30 2012-01-05 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Apparatus for Processing Substrate
US8394200B2 (en) * 2006-03-24 2013-03-12 Tokyo Electron Limited Vertical plasma processing apparatus for semiconductor process
CN103959438A (zh) * 2011-11-17 2014-07-30 株式会社Eugene科技 供应具有相位差的反应性气体的基板处理装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06326038A (ja) 1993-05-14 1994-11-25 Canon Inc 気相成長装置
JP3318067B2 (ja) 1993-07-27 2002-08-26 株式会社日立国際電気 燐ドープシリコン膜生成方法及び半導体製造装置及び半導体デバイスの製造方法
JP2003045864A (ja) 2001-08-02 2003-02-14 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
WO2006049055A1 (ja) * 2004-11-01 2006-05-11 Hitachi Kokusai Electric Inc. 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法
JP5730496B2 (ja) * 2009-05-01 2015-06-10 株式会社日立国際電気 熱処理装置、半導体デバイスの製造方法および基板処理方法
JP5813303B2 (ja) * 2009-11-20 2015-11-17 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置
JP2011142347A (ja) 2011-04-08 2011-07-21 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
KR101308111B1 (ko) 2011-11-17 2013-09-26 주식회사 유진테크 복수의 배기포트를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법
KR101371435B1 (ko) 2012-01-04 2014-03-12 주식회사 유진테크 처리유닛을 포함하는 기판 처리 장치
JP2014116484A (ja) 2012-12-11 2014-06-26 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置および処理容器内圧力調整方法
KR101392378B1 (ko) 2013-03-27 2014-05-12 주식회사 유진테크 기판처리장치
JP6128969B2 (ja) 2013-06-03 2017-05-17 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP6125946B2 (ja) * 2013-08-08 2017-05-10 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
JP6106278B2 (ja) * 2013-09-27 2017-03-29 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5217560A (en) * 1991-02-19 1993-06-08 Tokyo Electron Limited Vertical type processing apparatus
US20080121180A1 (en) * 2002-04-05 2008-05-29 Tadashi Kontani Substrate Processing Apparatus and Reaction Container
US8394200B2 (en) * 2006-03-24 2013-03-12 Tokyo Electron Limited Vertical plasma processing apparatus for semiconductor process
US20120000425A1 (en) * 2010-06-30 2012-01-05 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Apparatus for Processing Substrate
CN103959438A (zh) * 2011-11-17 2014-07-30 株式会社Eugene科技 供应具有相位差的反应性气体的基板处理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20180090323A1 (en) 2018-03-29
TW201701321A (zh) 2017-01-01
JP6475863B2 (ja) 2019-02-27
US10741396B2 (en) 2020-08-11
TWI636486B (zh) 2018-09-21
KR20160122523A (ko) 2016-10-24
JP2018514084A (ja) 2018-05-31
WO2016167554A1 (ko) 2016-10-20
CN107438895A (zh) 2017-12-05
KR101682154B1 (ko) 2016-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101834119B (zh) 衬底处理装置
JP5899318B2 (ja) エピタキシャルプロセスのための半導体製造設備
KR101271248B1 (ko) 에피택셜 공정을 위한 반도체 제조설비
JP5844900B2 (ja) エピタキシャルプロセスのための半導体製造設備
KR101715193B1 (ko) 기판 처리장치
KR101685096B1 (ko) 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법
KR102072270B1 (ko) 오목부 내의 결정 성장 방법 및 처리 장치
KR101271246B1 (ko) 에피택셜 공정을 위한 반도체 제조설비
JP6431620B2 (ja) 基板処理装置
CN107438895B (zh) 基板处理装置
US10692745B2 (en) Substrate processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant