CN107422895A - Gff结构触摸屏的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种GFF结构触摸屏的制造方法，先在上线路ITO薄膜层的上表面形成上层OCA光学胶层，在下线路ITO薄膜层的上表面形成下层OCA光学胶层，再将上线路ITO薄膜层与下线路ITO薄膜层贴合，最后将上层OCA光学胶层与玻璃基板下部的油墨层贴合。本发明提供的GFF结构触摸屏的制造方法，能使触摸屏的厚度减小，还节省了材料，有利于GFF结构触摸屏的轻薄化设计，降低生产成本。

Description

GFF结构触摸屏的制造方法
技术领域
本发明属于触摸屏技术领域，更具体地说，是涉及一种GFF结构触摸屏的制造方法。
背景技术
随着手机、平板等电子产品的发展，液晶显示器、触摸屏等模组的设计逐渐向尺寸扩大化，重量体积的轻薄化，价格成本的白日化的方向发展。现有的触摸屏具有多种结构的设计方案，其中一种为G+G结构，即使用玻璃盖板贴合玻璃功能片，使用该结构的触摸屏就会有两层玻璃材质，整体效果一定是有厚重感，不适合轻薄化产品；随后出现了GFF结构，即使用薄膜功能片替代玻璃的功能片，相对玻璃更好解决轻薄化问题；还有一种将功能片制作在玻璃盖板上，即OGS结构，其厚度上有优势，但体验性能和强度性能很难达到盖板玻璃的性能，没有GFF结构好；同时，有出现单层的方案如GFM(单层多点解决方案)和GF(单层膜解决方案)的触摸屏结构，都有欠缺；中高端手机比较热衷的触摸屏结构是ON-cell和IN-cell结构，其不同之处在于将触摸屏的功能片集中制作在显示模组LCM上，该结构触摸屏厚度是降低了，但生产成本较高，且线性度和精度性能一般，应用受限。从轻薄化、应用性能及价格成本考虑，GFF触摸屏结构是最具有发展前景的。但目前还不能将GFF结构的触摸屏做的更加轻薄，限制了GFF结构触摸屏的发展。
发明内容
本发明的目的在于提供一种GFF结构触摸屏的制造方法，旨在解决现有技术中存在的不能将GFF结构触摸屏设计的更加轻薄的问题。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：提供一种GFF结构触摸屏的制造方法，包括如下步骤：
制作上线路ITO薄膜层，在所述上线路ITO薄膜层的上表面形成上层OCA光学胶层；
制作下线路ITO薄膜层，在所述下线路ITO薄膜层的上表面形成下层OCA光学胶层；
将所述下层OCA光学胶层与所述上线路ITO薄膜层进行贴合；
将柔性线路板分别与所述上线路ITO薄膜层及所述下线路ITO薄膜层进行绑定；
在玻璃基板的下板面形成油墨层；
将所述上层OCA光学胶层与所述油墨层的下表面贴合。
进一步地，所述制作上线路ITO薄膜层的步骤包括：
在上线路基材的上表面形成上线路导电ITO层；
利用缩水老化处理使所述上线路基材及所述上线路导电ITO层完全结晶；
在所述上线路导电ITO层上贴合干膜，进行紫外曝光处理，使所述干膜沿导电线路图案的方向硬化；
将未硬化的所述干膜利用显影液清洗掉，暴露出所述上线路导电ITO层；
将暴露出的所述上线路导电ITO层利用蚀刻液蚀刻掉；
对已经硬化的所述干膜进行退膜处理，使所述上线路基材上仅存留形成上层导电线路的所述上线路导电ITO层；
在形成所述上层导电线路的所述上线路导电ITO层的边框区域上印刷导电银胶，对所述导电银胶进行激光刻蚀以形成上层银胶搭接线路。
进一步地，所述上线路基材为PET基材。
进一步地，所述制作下线路ITO薄膜层的步骤包括：
在下线路基材的上表面形成下线路导电ITO层；
利用缩水老化处理使所述下线路基材及所述下线路导电ITO层完全结晶；
在所述下线路导电ITO层上贴合干膜，进行紫外曝光处理，使所述干膜沿导电线路图案的方向硬化；
将未硬化的所述干膜利用显影液清洗掉，暴露出所述下线路导电ITO层；
将暴露出的所述下线路导电ITO层利用蚀刻液蚀刻掉；
对已经硬化的所述干膜进行退膜处理，使所述下线路基材上仅存留形成下层导电线路的所述下线路导电ITO层；
在形成所述下层导电线路的所述下线路导电ITO层的边框区域上印刷导电银胶，对所述导电银胶进行激光刻蚀以形成下层银胶搭接线路。
进一步地，所述下线路基材为PET基材。
进一步地，所述缩水老化处理的温度为150℃-160℃，老化速率为1.0m/min-2.0m/min。
进一步地，将所述下层OCA光学胶层与所述上线路ITO薄膜层进行贴合时的滚贴压力为2.5Kgf/CM2-3Kgf/CM2，滚贴速度为0.04mm/ms-0.06mm/ms。
进一步地，所述将柔性线路板分别与所述上线路ITO薄膜层及所述下线路ITO薄膜层进行绑定的步骤包括：
将预贴好ACF导电胶的所述柔性线路板与所述上线路ITO薄膜层及所述下线路ITO薄膜层进行热压贴合处理。
进一步地，所述热压贴合处理的压力为26KGF-28KGF，温度为165℃-175℃，时间11S-15S。
进一步地，将所述上层OCA光学胶层与所述油墨层的下表面贴合时的贴合压力为0.2MPa-0.4MPa，贴合速度为110mm/s-140mm/s。
本发明提供的GFF结构触摸屏的制造方法的有益效果在于：与现有技术相比，本发明GFF结构触摸屏的制造方法，可将油墨层设置的比现有技术更薄，达到0.003-0.005mm(现有技术一般为0.015-0.030mm)，为了保证贴合效果，上层OCA光学胶层与油墨层的厚度变化趋势要保持一致，也将上层OCA光学胶层设置的比现有技术更薄，达到0.025mm(现有技术一般为0.125mm)，在贴合时，先将上层OCA光学胶层与上线路ITO薄膜进行贴合，形成较厚的上层结构，再将此上层结构与下线路ITO薄膜进行贴合，能防止上线路ITO薄膜及上层OCA光学胶层在贴合时折损，较薄的上层OCA光学胶层的还有利于在与较薄的油墨层贴合后进行消泡，可实现油墨层高度差的填充，使用性能即外观均能达标，采用这种方法贴合后，能使触摸屏的厚度减小0.1mm左右，还节省了材料，有利于GFF结构触摸屏的轻薄化设计，同时降低生产成本。
附图说明
图1为本发明实施例提供的GFF结构触摸屏的制造方法的流程图；
图2为本发明实施例所采用的制作上线路ITO薄膜层的流程图；
图3为本发明实施例提供的GFF结构触摸屏的制造方法的工艺流程图；
图4为利用本发明实施例提供的GFF结构触摸屏的制造方法支座的触摸屏的结构图。
图中：1、上线路ITO薄膜层；2、上层OCA光学胶层；3、下线路ITO薄膜层；4、下层OCA光学胶层；5、玻璃基板；6、油墨层。
具体实施方式
为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请一并参阅图1至图4，现对本发明提供的GFF结构触摸屏的制造方法进行说明。所述GFF结构触摸屏的制造方法，包括如下步骤：
S101：制作上线路ITO薄膜层1；
S102：在上线路ITO薄膜层1的上表面形成上层OCA光学胶层2；
S201：制作下线路ITO薄膜层3；
S202：在下线路ITO薄膜层3的上表面形成下层OCA光学胶层4；
S301：将下层OCA光学胶层4与上线路ITO薄膜层1进行贴合；
S302：将柔性线路板分别与上线路ITO薄膜层1及下线路ITO薄膜层3进行绑定；
S401：在玻璃基板5的下板面形成油墨层6；
S501：将上层OCA光学胶层2与油墨层6的下表面贴合。
触摸屏的结构如图4所示，从上到下依次为玻璃基板5、油墨层6、上层OCA光学胶层2、上线路ITO薄膜层1、下层OCA光学胶层4及下线路ITO薄膜层3。
本发明提供的GFF结构触摸屏的制造方法，与现有技术相比，可将油墨层6设置的比现有技术更薄，达到0.003-0.005mm(现有技术一般为0.015-0.030mm)，为了保证贴合效果，上层OCA光学胶层2与油墨层6的厚度变化趋势要保持一致，也将上层OCA光学胶层2设置的比现有技术更薄，达到0.025mm(现有技术一般为0.125mm)，在贴合时，先将上层OCA光学胶层2与上线路ITO薄膜1进行贴合，形成较厚的上层结构，再将此上层结构与下线路ITO薄膜3进行贴合，能防止上线路ITO薄膜1及上层OCA光学胶层2在贴合时折损，较薄的上层OCA光学胶层2的还有利于在与较薄的油墨层6贴合后进行消泡，可实现油墨层6高度差的填充，使用性能即外观均能达标，采用这种方法贴合后，能使触摸屏的厚度减小0.1mm左右，还节省了材料，有利于GFF结构触摸屏的轻薄化设计，同时降低生产成本。
进一步地，请参阅图2，作为本发明提供的GFF结构触摸屏的制造方法的一种具体实施方式，制作上线路ITO薄膜层1的步骤包括：
S1011：在上线路基材的上表面形成上线路导电ITO层；
S1012：利用缩水老化处理使上线路基材及上线路导电ITO层完全结晶，方便后面工序的尺寸控制的材料的稳定性；
S1013：在上线路导电ITO层上贴合干膜，干膜是一种感光的材料，在经过紫外光照射后会产生固化反映，贴好干膜后利用底片遮挡，进行紫外曝光处理，使干膜沿导电线路图案的方向硬化；
S1014：将已经相互连接的上线路基材、上线路导电ITO层及干膜放入显影液中进行显影，未硬化的干膜(未照射到紫外光的干膜)会被显影液清洗掉，暴露出上线路导电ITO层，达到显影的目的；
S1015：将暴露出的上线路导电ITO层利用蚀刻液冲洗并蚀刻掉，只保留与上层导电线路图案一致的上线路导电ITO层；
S1016：对已经硬化的干膜进行退膜处理，保留下来的上线路导电ITO层上的干膜会被清洗掉，使上线路基材上仅存留形成上层导电线路的上线路导电ITO层；
S1017：在形成上层导电线路的上线路导电ITO层的边框区域上印刷导电银胶，对导电银胶进行激光刻蚀以形成上层银胶搭接线路，优选地，再在线路导电部分贴合上周转保护膜完成上线路ITO薄膜层功能图案制作。
优选地，作为本发明提供的GFF结构触摸屏的制造方法的一种具体实施方式，上线路基材为PET基材。PET为聚对苯二甲酸乙二醇酯，在较宽的温度范围内具有优良的物理机械性能，长期使用温度可达120℃，电绝缘性优良，抗蠕变性、耐疲劳性、耐摩擦性及尺寸稳定性都很好，适合作为触摸屏结构的基材，能保证触摸屏工作性能的稳定。
进一步地，作为本发明提供的GFF结构触摸屏的制造方法的一种具体实施方式，制作下线路ITO薄膜层3的步骤与制作上线路ITO薄膜层3的步骤基本一致，不同在于需要形成的功能图案不一样，上线路ITO薄膜层1主要用于RX电容接收层电路，而下线路ITO薄膜层3主要用于TX发射层电路，两者贴合一起才能实现发射和接收功能，请一并参阅图3，具体步骤包括：
在下线路基材的上表面形成下线路导电ITO层；
利用缩水老化处理使下线路基材及下线路导电ITO层完全结晶，方便后面工序的尺寸控制的材料的稳定性；
在下线路导电ITO层上贴合干膜，干膜是一种感光的材料，在经过紫外光照射后会产生固化反映，贴好干膜后利用底片遮挡，进行紫外曝光处理，使干膜沿导电线路图案的方向硬化；
将已经相互连接的下线路基材、下线路导电ITO层及干膜放入显影液中进行显影，未硬化的干膜(未照射到紫外光的干膜)会被显影液清洗掉，暴露出下线路导电ITO层，达到显影的目的；
将暴露出的下线路导电ITO层利用蚀刻液蚀刻掉，只保留与下层导电线路图案一致的下线路导电ITO层；
对已经硬化的干膜进行退膜处理，保留下来的下线路导电ITO层上的干膜会被清洗掉，使下线路基材上仅存留形成下层导电线路的下线路导电ITO层；
在形成下层导电线路的下线路导电ITO层的边框区域上印刷导电银胶，对导电银胶进行激光刻蚀以形成下层银胶搭接线路，优选地，再在线路导电部分贴合上周转保护膜完成上线路ITO薄膜层功能图案制作。
进一步地，作为本发明提供的GFF结构触摸屏的制造方法的一种具体实施方式，下线路基材为PET基材。
具体地，作为本发明提供的GFF结构触摸屏的制造方法的一种具体实施方式，缩水老化处理的温度为150℃-160℃，老化速率为1.0m/min-2.0m/min。
具体地，作为本发明提供的GFF结构触摸屏的制造方法的一种具体实施方式，将下层OCA光学胶层与上线路ITO薄膜层进行贴合时的滚贴压力为2.5Kgf/CM2-3Kgf/CM2，滚贴速度为0.04mm/ms-0.06mm/ms。
优选地，参阅图3，作为本发明提供的GFF结构触摸屏的制造方法的一种具体实施方式，在对ITO层利用蚀刻液进行蚀刻后，还需要进行检验，防止出现不良品。
优选地，参阅图3，作为本发明提供的GFF结构触摸屏的制造方法的一种具体实施方式，大张上线路ITO薄膜层与下线路ITO薄膜层贴合后经过检验即可通过冲切或者激光镭射成为单片的功能片。
优选地，参阅图3，作为本发明提供的GFF结构触摸屏的制造方法的一种具体实施方式，强经过外形冲切形成单片的功能片进行检测，合格后才能进行下一步的脱泡工序，在脱泡工序主要目的是保证贴合面之间没有气泡，使外观及使用性能都达标。
优选地，参阅图3，作为本发明提供的GFF结构触摸屏的制造方法的一种具体实施方式，对经过脱泡的功能片进行功能检测，保证功能片的性能全部合格才能进行下一步的绑定工序。
进一步地，请参阅图3，作为本发明提供的GFF结构触摸屏的制造方法的一种具体实施方式，将柔性线路板分别与上线路ITO薄膜层1及下线路ITO薄膜层3进行绑定的步骤包括：
将预贴好ACF导电胶的柔性线路板与上线路ITO薄膜层1及下线路ITO薄膜层3进行热压贴合处理。
具体地，作为本发明提供的GFF结构触摸屏的制造方法的一种具体实施方式，热压贴合处理的压力为26KGF-28KGF，温度为165℃-175℃，时间11S-15S。
进一步地，请参阅图3，作为本发明提供的GFF结构触摸屏的制造方法的一种具体实施方式，绑定后还要对功能片及柔性线路板(FPC)进行测试，以保证绑定效果。
具体地，请参阅图3，作为本发明提供的GFF结构触摸屏的制造方法的一种具体实施方式，绑定后采用面板喷码工艺喷涂油墨层6，使得面板上的油墨层6高度差在0.003mm-0.005mm之间，因而上层OCA光学胶层2可选择更加薄的厚度，此厚度即可实现油墨层6高度差的填充，贴合后外观无气泡不良。
具体地，作为本发明提供的GFF结构触摸屏的制造方法的一种具体实施方式，将上层OCA光学胶层2与油墨层6的下表面贴合时的贴合压力为0.2MPa-0.4MPa，贴合速度为110mm/s-140mm/s。
进一步地，请参阅图3，作为本发明提供的GFF结构触摸屏的制造方法的一种具体实施方式，在全部贴合工艺完成后，只需要再次进行脱泡处理，保证外观及功能性良好。为保证脱泡效果良好，脱泡时操作间内的真空度为-30KPa-1KPa。
进一步地，请参阅图3，作为本发明提供的GFF结构触摸屏的制造方法的一种具体实施方式，脱泡后再进行封胶处理，随后再进行成品测试及外观检验，合格产品贴上保护膜及泡棉，再次进行检验后即可入库等待出货。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.GFF结构触摸屏的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
制作上线路ITO薄膜层，在所述上线路ITO薄膜层的上表面形成上层OCA光学胶层；
制作下线路ITO薄膜层，在所述下线路ITO薄膜层的上表面形成下层OCA光学胶层；
将所述下层OCA光学胶层与所述上线路ITO薄膜层进行贴合；
将柔性线路板分别与所述上线路ITO薄膜层及所述下线路ITO薄膜层进行绑定；
在玻璃基板的下板面形成油墨层；
将所述上层OCA光学胶层与所述油墨层的下表面贴合。
2.如权利要求1所述的GFF结构触摸屏的制造方法，其特征在于，所述制作上线路ITO薄膜层的步骤包括：
在上线路基材的上表面形成上线路导电ITO层；
利用缩水老化处理使所述上线路基材及所述上线路导电ITO层完全结晶；
在所述上线路导电ITO层上贴合干膜，进行紫外曝光处理，使所述干膜沿导电线路图案的方向硬化；
将未硬化的所述干膜利用显影液清洗掉，暴露出所述上线路导电ITO层；
将暴露出的所述上线路导电ITO层利用蚀刻液蚀刻掉；
对已经硬化的所述干膜进行退膜处理，使所述上线路基材上仅存留形成上层导电线路的所述上线路导电ITO层；
在形成所述上层导电线路的所述上线路导电ITO层的边框区域上印刷导电银胶，对所述导电银胶进行激光刻蚀以形成上层银胶搭接线路。
3.如权利要求2所述的GFF结构触摸屏的制造方法，其特征在于：所述上线路基材为PET基材。
4.如权利要求1所述的GFF结构触摸屏的制造方法，其特征在于，所述制作下线路ITO薄膜层的步骤包括：
在下线路基材的上表面形成下线路导电ITO层；
利用缩水老化处理使所述下线路基材及所述下线路导电ITO层完全结晶；
在所述下线路导电ITO层上贴合干膜，进行紫外曝光处理，使所述干膜沿导电线路图案的方向硬化；
将未硬化的所述干膜利用显影液清洗掉，暴露出所述下线路导电ITO层；
将暴露出的所述下线路导电ITO层利用蚀刻液蚀刻掉；
对已经硬化的所述干膜进行退膜处理，使所述下线路基材上仅存留形成下层导电线路的所述下线路导电ITO层；
在形成所述下层导电线路的所述下线路导电ITO层的边框区域上印刷导电银胶，对所述导电银胶进行激光刻蚀以形成下层银胶搭接线路。
5.如权利要求4所述的GFF结构触摸屏的制造方法，其特征在于：所述下线路基材为PET基材。
6.如权利要求2或4所述的GFF结构触摸屏的制造方法，其特征在于：所述缩水老化处理的温度为150℃-160℃，老化速率为1.0m/min-2.0m/min。
7.如权利要求1所述的GFF结构触摸屏的制造方法，其特征在于：将所述下层OCA光学胶层与所述上线路ITO薄膜层进行贴合时的滚贴压力为2.5Kgf/CM2-3Kgf/CM2，滚贴速度为0.04mm/ms-0.06mm/ms。
8.如权利要求1所述的GFF结构触摸屏的制造方法，其特征在于，所述将柔性线路板分别与所述上线路ITO薄膜层及所述下线路ITO薄膜层进行绑定的步骤包括：
将预贴好ACF导电胶的所述柔性线路板与所述上线路ITO薄膜层及所述下线路ITO薄膜层进行热压贴合处理。
9.如权利要求8所述的GFF结构触摸屏的制造方法，其特征在于：所述热压贴合处理的压力为26KGF-28KGF，温度为165℃-175℃，时间11S-15S。
10.如权利要求1所述的GFF结构触摸屏的制造方法，其特征在于：将所述上层OCA光学胶层与所述油墨层的下表面贴合时的贴合压力为0.2MPa-0.4MPa，贴合速度为110mm/s-140mm/s。
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