CN107408591A - 使用薄膜型太阳能电池的结构 - Google Patents

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Abstract

根据本发明的一个实施方案，提供一种使用薄膜型太阳能电池的结构，包括：外面板，暴露于太阳光线；第一粘合层，设置在外面板暴露于太阳光线的表面的相对表面上；薄膜型太阳能电池，设置在第一粘合层上；第二粘合层，设置在薄膜型太阳能电池上；以及保护层，设置在第二粘合层上，其中，第二粘合层由有色的粘合剂材料制成。

Description

使用薄膜型太阳能电池的结构
技术领域
本发明涉及一种薄膜型太阳能电池，更特别地，涉及应用于建筑物的窗户或汽车的天窗的薄膜型太阳能电池的不同类型的结构。
背景技术
太阳能电池通过利用半导体的性能将光能转换成电能。
太阳能电池具有其中的正(P)型半导体接合至负(N)型半导体的P-N结结构。当太阳光线入射到具有P-N结结构的太阳能电池上时，通过入射太阳光的能量在半导体中产生空穴(+)和电子(-)。此时，通过由P-N结产生的电场，空穴(+)朝P型半导体移动，电子(-)朝N型半导体移动，来产生电势，由此随着出现电势而产生电能。
太阳能电池可以分为薄膜型太阳能电池和和晶片型太阳能电池。
薄膜型太阳能电池通过在基板(例如玻璃)上形成薄膜型的半导体来制成，而晶片型太阳能电池使用硅晶片作为基板来制造。
对于效率，尽管晶片型太阳能电池比薄膜型太阳能电池更好，但是由于制造过程的性能上的困难，晶片型太阳能电池难以实现小的厚度，并且由于高价格的半导体基板使得制造成本增加。特别地，由于晶片不透明，因此在将晶片型太阳能电池应用于会需要光照的结构，例如，汽车的天窗或建筑物的窗户上具有限制。
尽管薄膜型太阳能电池在效率上劣于晶片型太阳能电池，但是它具有例如实现薄外形和使用便宜材料的优点，从而使得薄膜型太阳能电池的制造成本降低。特别地，由于可使用透明玻璃基板，因此薄膜型太阳能电池适合应用于会需要光照的结构，例如，汽车的天窗或建筑物的窗户。
在下文中，将参考附图描述根据现有技术的薄膜型太阳能电池。
图1是表示根据现有技术的使用薄膜型太阳能电池的结构的横截面图。
如图1所示，使用现有技术的薄膜型太阳能电池的结构包括外面板1、粘合层2和薄膜型太阳能电池3。
外面板1设置在暴露于太阳光线的表面，例如，建筑物的窗户或汽车的天窗上。外面板1可以由可以透射太阳光线的透明材料，例如，玻璃或透明塑料制成。
粘合层2形成在外面板1的内表面上，来将薄膜型太阳能电池3结合至外面板1。粘合层2由可以透射太阳光线的透明材料制成。
薄膜型太阳能电池3形成在粘合层2上。虽然未详细示出，但是薄膜型太阳能电池3包括前电极、半导体层和背电极。
如上所述，使用根据现有技术的薄膜型太阳能电池的结构可以应用于诸如建筑物的窗户或汽车的天窗的结构上。这种情况下，用户位于薄膜型太阳能电池3的前部。
因此，用户在薄膜型太阳能电池3的前部朝向外面板1来看外部。此时，使用现有技术的薄膜型太阳能电池的结构具有的问题在于，由于薄膜型太阳能电池3的光吸收波长范围而使可视性劣化。
更详细地，薄膜型太阳能电池3包括前电极、半导体层和背电极，其中，半导体层通常由非晶硅(a-Si)制成。然而，非晶硅(a-Si)的特征在于，它吸收短波长的光线并且透射长波长的光线。因此，当外部太阳光线穿过薄膜型太阳能电池3时，具有红色的长波长光线穿过薄膜型太阳能电池3，由此，用户观察的外部环境显示红色。
在这方面，由于使用根据现有技术的薄膜型太阳能电池的结构被用户感知为红色，因此可视性变差。另外，由于结构的颜色不能改变，因此出现结构不能够满足用户的不同需求的问题。
发明内容
技术问题
本发明的一个目的是提供一种使用薄膜型太阳能电池的结构，其具有改善的可视性并且颜色能够改变。
技术方案
根据本发明的一个方面，提供一种使用薄膜型太阳能电池的结构，包括：外面板，暴露于太阳光线；第一粘合层，设置在所述外面板暴露于太阳光线的表面的相对表面上；薄膜型太阳能电池，设置在所述第一粘合层上；第二粘合层，设置在所述薄膜型太阳能电池上；以及保护层，设置在所述第二粘合层上，其中，所述第二粘合层由有色的粘合剂材料制成。
所述第二粘合层设置有分布于透明粘合剂材料的有色的颜料或染料。
所述外面板、所述第一粘合层以及所述保护层分别由透明材料制成。
所述薄膜型太阳能电池可以包括：基板；多个第一电极，设置在所述基板上并且通过在其间插入第一间隔件互相间隔；多个半导体层，设置在所述第一电极上，其中设置有接触部分，并且通过在其间插入第二间隔件互相间隔；以及多个第二电极，设置在所述多个半导体层上，通过所述接触部分连接至所述第一电极，并且通过在其间插入所述第二间隔件互相间隔。
所述基板设置于所述第一粘合层与所述外面板接触的表面的相对表面上，并且其中，在所述第二间隔件的区域中，太阳光线依次穿过所述外面板、所述第一粘合层、所述基板和所述第一电极，并且当穿过所述第二粘合层时改变为有色的太阳光线，然后穿过所述保护层。
所述基板设置在所述第二粘合层与所述保护层接触的表面的相对表面上，在所述第二间隔件的区域中，太阳光线依次穿过所述外面板、所述第一粘合层、所述第一电极和所述基板，并且当穿过所述第二粘合层时改变为有色的太阳光线，然后穿过所述保护层。
在本发明的另一方面，提供一种使用薄膜型太阳能电池的结构，包括：外面板，暴露于太阳光线；第一粘合层，设置在所述外面板暴露于太阳光线的表面的相对表面上；薄膜型太阳能电池，设置在所述第一粘合层上；第二粘合层，设置在所述薄膜型太阳能电池上并且由有色的粘合剂材料制成；以及保护层，设置在所述第二粘合层上，其中，所述薄膜型太阳能电池设置有太阳光线可以穿过的多个孔。
所述薄膜型太阳能电池包括：基板；多个第一电极，设置在所述基板上并且通过在其间插入第一间隔件互相间隔；多个半导体层，设置在所述第一电极上，其中设置有接触部分，并且通过在其间插入第二间隔件互相间隔；以及多个第二电极，设置在所述多个半导体层上，通过所述接触部分连接至所述第一电极，并且通过在其间插入所述第二间隔件互相间隔，其中，所述多个孔中的每一个通过去除所述半导体层和所述第二电极而设置。
所述多个孔可以设置在一个单元电池的第一间隔件与它的相邻的单元电池的第二间隔件之间。
所述基板设置在所述第一粘合层与所述外面板接触的表面的相对表面上，在所述孔的区域中，太阳光线依次穿过所述外面板、所述第一粘合层、所述基板和所述第一电极，并且当穿过所述第二粘合层时改变为有色的太阳光线，然后穿过所述保护层。
所述基板设置在所述第二粘合层与所述保护层接触的表面的相对表面上，在所述孔的区域中，太阳光线依次穿过所述外面板、所述第一粘合层、所述第一电极和所述基板，并且当穿过所述第二粘合层时改变为有色的太阳光线，然后穿过所述保护层。
有益效果
根据上面描述的本发明，可以得到下面的优点。
根据本发明的一个实施方案，由于第二粘合层由有色的粘合剂材料制成，因此分布的颜料或染料可以改变为不同颜色，从而得到具有不同颜色的结构。结果，根据本发明的一个实施方案，能够得到具有除了红色之外的不同颜色的结构并且可以提高可视性。
此外，根据本发明另一实施方案的结构可以应用到温室。在这种情况下，温室内部的光线强度可以通过孔H的透光率的增加而增加，并且光线强度可以与孔的面积成比例增加，由此生物的生长可以得到改善。
附图说明
图1是示出使用根据现有技术的薄膜型太阳能电池的结构的横截面图；
图2是示出使用根据本发明一个实施方案的薄膜型太阳能电池的结构的横截面图；
图3是示出使用根据本发明另一实施方案的薄膜型太阳能电池的结构的横截面图；
图4是示出使用根据本发明又一实施方案的薄膜型太阳能电池的结构的横截面图；
图5是示出使用根据本发明再一实施方案的薄膜型太阳能电池的结构的横截面图；
图6是示出使用根据本发明又一实施方案的薄膜型太阳能电池的结构的横截面图；
图7是示出使用根据本发明一个实施方案的薄膜型太阳能电池的结构的平面图；以及
图8是示出根据本发明的每单位波长的透光率的变化的图。
具体实施方式
本发明的优点和特征及其实施方法将参照附图通过下面描述的实施方案来阐明。然而，本发明可以以不同的形式实施并且不应该解释为限于在此提出的实施利。相反，提供这些实施方案使得本发明彻底和完整，并且向本领域的技术人员充分地传达本发明的范围。另外，本发明仅由权利要求书的范围来限定。
附图中公开的用于描述本发明的实施方案的形状、尺寸、比例、角度和数目仅仅是实例，因此，本发明不限定于示出的细节。类似的附图标记在全文中表示相似的组件。在下面的描述中，当相关的已知功能或构造的详细描述确定为不必要地使本发明的要点模糊时，将省略这些详细描述。在使用本说明书中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下，除非使用“仅”，否则可以加入另一部件。除非提到相反的情况，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
在分析组件时，尽管没有明确的描述，但是组件解释为包含误差范围。
在本发明的实施方案的描述中，当一结构(例如，电极、线路、布线、层或接触)描述为形成在另一结构的顶部/底部或其它结构的上/下时，这种描述应该解释为包括这些结构相互接触的情况，而且，包括在其间设置第三结构的情况。
描述时间关系时，例如，当时间次序描述为“在…之后”、“随后”、“接下来”、“在…之前”时，除非使用“仅仅”或者“直接”，否则可以包括不连续的情况。
应当理解，本文中可以使用术语“第一”、“第二”等用来描述各种组件，这些组件不应该被这些术语所限制。这些术语仅用于区分一组件与另一组件。例如，在不脱离本发明的范围的情况下，第一组件可以被称为第二组件，类似地，第二组件可以被称为第一组件。
本发明的不同实施方案的特征可以部分地或全部地互相结合或组合，并且可以彼此不同地相互操作并且在技术上如本领域技术人员所理解的那样来实施。本发明的实施方案可以互相独立地进行，或者可以以共同依赖关系一起进行。
在下文中，将参照附图描述本发明的优选实施方案。
图2是示出使用本发明的一个实施方案的薄膜型太阳能电池的结构的横截面图。
如图2所示，根据本发明的一个实施方案的使用薄膜型太阳能电池的结构包括外面板10、第一粘合层20、薄膜型太阳能电池30、第二粘合层40和保护层50。
外面板10暴露于外部太阳光线并且设置在根据本发明的结构的整个表面上，并且由可以透射太阳光线的透明材料制成。
根据本发明的应用目的，可以不同地改变外面板10。例如，外面板10可以制成建筑物的窗户或汽车的天窗。
第一粘合层20形成在外面板10的没有暴露于太阳光线的内表面上。也就是说，第一粘合层20形成在外面板10的暴露于太阳光的表面的相对表面上。
第一粘合层20用于将薄膜型太阳能电池30结合至外面板10的内表面。第一粘合层20由可以透射太阳光线的透明粘合剂材料制成。
例如，第一粘合层20可以由透明粘合剂例如聚乙烯醇缩丁醛制成。第一粘合层20可以制成可粘合膜型，但是不限于此。第一粘合层20可以由通过使液体材料硬化而得到的材料制成。
薄膜型太阳能电池30形成在第一粘合层20上。更详细地，薄膜型太阳能电池30形成在第一粘合层20与外面板10接触的表面的相对表面上。
尽管未详细示出，薄膜型太阳能电池30包括前电极、半导体层和背电极。可以对薄膜型太阳能电池30进行本领域已知的各种改变。
第二粘合层40形成在薄膜型太阳能电池30上。更详细地，第二粘合层40形成在薄膜型太阳能电池30与第一粘合层20接触的表面的相对表面上。
第二粘合层40用于将保护层50结合至薄膜型太阳能电池30。另外，第二粘合层40用于对根据本发明的结构的颜色进行各种改变并且改善可视性。
上述第二粘合层40包含有色的粘合层。更详细地，第二粘合层40可以由有色的颜料或染料分布于透明粘合剂材料中的方式制成。透明粘合剂材料的实例可以包括聚乙烯醇缩丁醛。第二粘合层40可以制成可粘合膜型或者是通过使液体材料硬化而得到的材料。
根据本发明的一个实施方案，由于第二粘合层40由有色的粘合剂材料制成，因此分布的颜料或染料可以改变为不同颜色，由此可以得到具有不同颜色的结构。
保护层50形成在第二粘合层40上。更详细地，保护层50形成在第二粘合层20与薄膜型太阳能30接触的表面的相对表面上。
保护层50用于保护薄膜型太阳能电池30，并且为了用户的可视性，可以由透明材料例如玻璃或透明塑料制成。
图3是示出使用根据本发明另一实施方案的薄膜型太阳能电池的结构的横截面图。除了薄膜型太阳能电池30包括互相串联连接的多个单元电池之外，图3的结构与图2的结构相同。因此，相同的附图标记表示相同的组件，并且在下文中将省略相同组件的重复描述。
如图3所示，使用根据本发明另一实施方案的薄膜型太阳能电池的结构包括外面板10、第一粘合层20、薄膜型太阳能电池30、第二粘合层40和保护层50。
由于外面板10、第一粘合层20、第二粘合层40和保护层50与上面描述的相同，因此将省略它们的重复描述。
薄膜型太阳能电池30包括基板31、第一电极32、半导体层33和第二电极34。
基板31形成在第一粘合层20上。更详细地，基板31形成在第一粘合层20与外面板10接触的表面的相对表面上。基板31可以由透明的玻璃或透明塑料制成。
第一电极32形成在基板31上。更详细地，第一电极32形成在基板31与第一粘合层20接触的表面的相对表面上。
第一电极32可以由透明导电氧化物，例如，ZnO、ZnO:B、ZnO:Al、SnO2、SnO2:F或ITO(氧化铟锡)形成。每单元电池形成第一电极32，因此多个第一电极32通过在其间插入第一间隔件P1而互相间隔。
半导体层33形成在第一电极32上。更详细地，半导体层33形成在第一电极32与基板31接触的表面的相对表面上。另外，半导体层33形成在第一间隔件P1中。因此，半导体层33通过第一间隔件P1与基板31接触。
半导体层33形成每单元电池，并且因此多个半导体层33中的每一个通过在其间插入第二间隔件P3而互相间隔。另外，由于各个半导体层33设置有接触部分P2，因此可以通过接触部分P2进行第一电极32和第二电极34之间的电连接，由此单元电池可以互相串联连接。
由箭头放大的放大图可以看到，半导体层33可以形成为PIN结构，该PIN结构包括P型半导体层、I型半导体层和N型半导体层。这样，如果半导体层33形成PIN结构，则I型半导体层通过P型半导体层和N型半导体层而减少，从而在此产生电场。另外，通过太阳光线产生的空穴和电子通过电场移动，从而使得空穴可以通过P型半导体层聚集在第一电极32中并且电子可通过N型半导体层聚集在第二电极34中。
此时，P型半导体层可以设置为靠近第一电极32，N型半导体层可以设置为靠近第二电极34，I型半导体层可设置在P型半导体层和N型半导体层之间。
换句话说，P型半导体层可以形成为接近太阳光线的入射表面，N型半导体层可以形成为远离太阳光线的入射表面。通常，由于空穴的迁移移动率低于电子，因此P型半导体层形成为接近太阳光线的入射表面以使得基于入射光线的聚集效率最大化。
P型半导体层可以通过在非晶硅上掺杂P型掺杂剂制成，但是不限于此，I型半导体层可以由无定形硅制成，但是不限于此，N型半导体层可以通过在无定形硅中掺杂N型掺杂剂制成，但是不限于此。
第二电极34形成在半导体层33上。更详细地，第二电极34形成在半导体层33与第一电极32接触的表面的相对表面上。
第二电极34可以由透明导电氧化物，例如，ZnO、ZnO:B、ZnO:Al、SnO2、SnO2:F或ITO(氧化铟锡)形成，或者可以由金属，例如，Ag、Al、Ag+Mo、Ag+Ni、Ag+Cu形成。每单元电池形成第二电极34，并且多个第二电极34中的每一个通过在其间插入第二间隔件P3而互相间隔。而且，各个第二电极34通过接触部分P2连接至各个第一电极32。
同时，尽管未示出，透明导电氧化物层，例如，ZnO、ZnO:B、ZnO:Al、SnO2、SnO2:F或ITO(氧化铟锡)可以另外地形成在半导体层33和第二电极34之间。
根据本发明的另一实施方案，薄膜型太阳能电池30包括互相串联连接的多个单元电池。因此，第一间隔件P1、接触部分P2和第二间隔件P3如上设置。此时，半导体层33不形成在接触部分P2和第二间隔件P3中。
因此，接触部分P2和第二间隔件P3较少受到半导体层33的影响，由此可以不发生外部环境示在红色中的问题。特别地，第二电极34不形成在第二间隔件P3的区域中。因此，在第二间隔件P3的区域中，太阳光线依次穿过透明的外面板10、第一粘合层20、基板31和第一电极32，然后当穿过有色的第二粘合层40时改变为有色的太阳光线。之后，太阳光线可以穿过透明的保护层50入射到用户的眼睛。因此，在第二间隔件P3的区域中，可以通过第二粘合层40更精确地得到希望实现的颜色。
图4为示出使用根据本发明再一实施方案的薄膜型太阳能电池的结构的横截面图。除了改变薄膜型太阳能电池30的设置中互相串联连接的多个单元电池的结构之外，图4的结构与图3相同。因此，相同的附图标记表示相同的组件，在下文中将省略相同组件的重复描述。
如图4所示，根据本发明的再一实施方案，薄膜型太阳能电池30包括基板31、第一电极32、半导体层33和在第一粘合层20和第二粘合层40之间形成的第二电极34。
在这种情况下，基板31、第一电极32、半导体层33和第二电极34的沉积顺序与图3不同。
更详细地，基板31形成在第二粘合层40上。更详细地，基板31形成在第二粘合层40的与保护层50接触的表面的相对表面上。
第一电极32形成在基板31上。更详细地，第一电极32形成在基板31与第二粘合层40接触的表面的相对表面上。在与上述描述相同的方式下，每一个第一电极32通过在其间插入第一间隔件P1而互相间隔。
半导体层33形成在第一电极32上。更详细地，半导体层33形成在第一电极32与基板31接触的表面的相对表面上。
在与上述描述相同的方式下，半导体层33形成在第一间隔件P1内，使得半导体层33与基板31接触。此外，多个半导体层33中的每一个通过在其间插入第二间隔件P3互相间隔。另外，由于各个半导体层33设置有接触部分P2，因此可以通过接触部分P2进行第一电极32和第二电极34之间的电连接。
由箭头放大的放大图可以看到，半导体层33可以形成为PIN结构，该PIN结构包括P型半导体层、I型半导体层和N型半导体层。此时，P型半导体层可以设置为靠近第二电极34，N型半导体层可以设置为靠近第一电极32，I型半导体层可以设置在P型半导体层和N型半导体层之间。换句话讲，P型半导体层可以形成为接近太阳光线的入射表面，N型半导体层可以形成为远离太阳光线的入射表面。
第二电极34形成在半导体层33之上。更详细地，第二电极34形成在半导体层33与第一电极32接触的表面的相对表面上。多个第二电极34的每一个通过在其间插入第二间隔件P3而互相间隔。而且，各个第二电极34通过接触部分P2连接至各个第一电极32。
第二电极34形成在第一粘合层20上与第一粘合层20接触。更详细地，第二电极34形成在第一粘合层20与外面板10接触的表面的相对表面上。
如上所述，根据本发明的另一实施方案，由于半导体层33不形成在接触部分P2和第二间隔件P3中，因此接触部分P2和第二间隔件P3较少受到半导体层33的影响，由此可以不产生外部环境示在红色中的问题。
特别地，第二电极34不形成于第二间隔件P3的区域中。因此，在第二间隔件P3的区域中，太阳光线依次穿过透明的外面板10、第一粘合层20、第一电极32和基板31，然后当穿过有色的第二粘合层40时改变为有色的太阳光线。之后，太阳光线可以通过透明的保护层50入射到用户的眼睛。因此，在第二间隔件P3的区域中，可以更精确地得到通过第二粘合层40希望得到的颜色。
图5是示出使用根据本发明又一实施方案的薄膜型太阳能电池的结构的横截面图。除了图5的结构另外包含多个孔H之外，图5的结构与图3的相同。因此，相同的附图标记表示相同的组件，并且在下文中将省略相同组件的重复描述。
如图5所示，根据本发明又一实施方案，多个单元电池设置孔H。
孔H通过去除半导体层33和第二电极34形成。因此，半导体层33和第二电极34按照与第二间隔件P3的区域相同的方式，不形成在孔H的区域中。
结果，在与第二间隔件P3的区域类似的孔H的区域中，太阳光线依次穿过透明的外面板10、第一粘合层20、基板31和第一电极32，然后在穿过有色的第二粘合层40时改变为有色的太阳光线。之后，太阳光线可以通过透明的保护层50入射到用户的眼睛。因此，在第二间隔件P3和孔H的区域中，可以更精确地得到通过第二粘合层40希望得到的颜色。
特别地，根据图5的实施方案具有的优点在于，可以实现比图3的实施方案更加改善的有色的太阳光线多达孔H的面积。
如图5所示，多个孔H可以形成在一个单元电池的第一间隔件P1和相邻的单元电池的第二间隔件P3之间。虽然第一间隔件P1和第二间隔件P3可以形成为线状以将单元电池互相分隔，但是多个孔H中的每一个形成为岛状而不是线状。因此，多个孔H的每一个不将单元电池互相间隔，由此各个孔H之间的区域充当有用的单元。孔H的形状将参考在后面描述的图7而更容易理解。
图6是示出使用根据本发明又一实施方案的薄膜型太阳能电池的结构的横截面图。除了图6的结构另外包含多个孔H之外，图6的结构与图4的相同。因此，相同的附图标记表示相同的组件，并且在下文中将省略相同组件的重复描述。
如图6所示，根据本发明的又一实施方案，多个单元电池设置有孔H。
孔H通过去除半导体层33和第二电极34形成。因此，半导体层33和第二电极34按照与第二间隔件P3的区域相同的方式，不形成在孔H的区域中。
结果，在于第二间隔件P3的区域类似的孔H的区域中，太阳光线依次穿过透明的外面板10、第一粘合层20、第一电极32和基板31，然后在穿过有色的第二粘合层40时改变为有色的太阳光线。之后，太阳光线可以通过透明的保护层50入射到用户的眼睛。因此，在第二间隔件P3和孔H的区域中，可以更精确地得到通过第二粘合层40希望得到的颜色。
特别地，根据图6的实施方案具有的优点在于，可以实现比图4的实施方案更加改善的有色的太阳光线多达孔H的面积。
按照与图5的实施方案相同的方式，孔H可以形成在一个单元电池的第一间隔件P1和相邻的单元电池的第二间隔件P3之间，并且每一个孔H形成为岛状而不是线状。
图7是示出使用根据本发明一个实施方案的薄膜型太阳能电池的结构的平面图，并且对应于以上图5和图6的结构的平面图。
如图7所示，由于第一间隔件P1、接触部分P2和第二间隔P3重复，因此多个单元电池互相串联连接。从第一间隔件P1的任何一个到其相邻的另一第一间隔件P1的区域可以定义为一个单元电池，或者从第二间隔件P3的任何一个到与其相邻的另一第二间隔件P3的区域可以定义为一个单元电池。
对于多个单元电池中的每一个设置多个孔H。多个孔H中的每一个如图所示在平面图上形成为岛状。例如，尽管多个孔H中的每一个可以形成为圆形，但是可以对各个孔H的形状进行各种改变，例如，椭圆形和多边形，而不限于圆形。
如上所述，多个孔H可以形成在一个单元电池的第一间隔件P1和相邻单元的第二间隔件P3之间。第一间隔件P1和第二间隔件P3形成为线状，多个孔H中的每一个形成为岛状。
如图所示，上述的孔H可以设置为与第一间隔件P1、接触部分P2和第二间隔件P3的线状平行，但是不限于此。
此外，多个孔H可以设置为与第一间隔件P1、接触部分P2和第二间隔件P3的线状平行的多个列。如图所示，虽然这些孔H可以布置成两列，但是孔H可以设置成三列以上。
如果孔H的数目增加或孔H的面积增加，可以改善有色，但是太阳能电池的效率会多达改善有色地劣化。因此，优选地考虑有色的和太阳能电池的效率来适当地控制孔H的数目和孔H的面积。
图8是示出根据本发明的每单位波长(300nm至1100nm)的透光率的变化的图。
如图8所示，可以注意到，透光率在长波长中比在短波长中更优异。因此，应当注意，根据本发明的结构总体来看为红色。然而，应该指出的是，图5的实施方案中全部波长下的透光率比图3的实施方案更优异。特别地，在靠近大约700nm的长波长的情况下，可以注意到图3的实施方案表示出大约23％的透光率，而图5的实施方案表示出大约28％的透光率。结果，根据本发明的结构在5图的实施方案比在图3的实施方案中看起来相对更淡的红色。由此图5的实施方案中可视性得到改善。
下面的表1示出图3的实施方案和图5的实施方案中测量的光线的内部强度的结果。如表1中所示，图3的实施方案表示出的光线强度为325W/m2，而图5的实施方案表示出的光线强度为373W/m2，从而可以注意到，与图3的实施方案相比，图5的实施方案中可以得到相对高的光线的内部强度。
[表1]
图3的实施方案 图5的实施方案
光的内部强度 325W/m2 373W/m2
因此，如果图5的实施方案应用于温室，则温室内部的光线强度在点单元(dotcell)例如孔H的加工过程中可以通过透光率的增加而增加，并且光线的强度可以与孔的面积成比例增加。例如，如果形成孔H的面积在10％的范围内，则光线强度可以增加10％。结果，生物的生长可以通过温室内部的光线强度的增加而改善。
对于本领域的技术人员显而易见的是，在不脱离本发明的精神或范围内能够进行各种变化和改变。因此，本发明覆盖这些修改和变型，只要它们落在所附的权利要求书及其等同物的范围内。

Claims (11)

1.一种使用薄膜型太阳能电池的结构，包括：
外面板，暴露于太阳光线；
第一粘合层，设置在所述外面板暴露于太阳光线的表面的相对表面上；
薄膜型太阳能电池，设置在所述第一粘合层上；
第二粘合层，设置在所述薄膜型太阳能电池上；以及
保护层，设置在所述第二粘合层上，
其中，所述第二粘合层由有色的粘合剂材料制成。
2.根据权利要求1所述的使用薄膜型太阳能电池的结构，其中，所述第二粘合层设置有分布于透明粘合剂材料的有色的颜料或染料。
3.根据权利要求1所述的使用薄膜型太阳能电池的结构，其中，所述外面板、所述第一粘合层和所述保护层分别由透明材料制成。
4.根据权利要求1所述的使用薄膜型太阳能电池的结构，其中，所述薄膜型太阳能电池包括：
基板；
多个第一电极，设置在所述基板上并且通过在其间插入第一间隔件互相间隔；
多个半导体层，设置在所述第一电极上，其中设置有接触部分，并且通过在其间插入第二间隔件互相间隔；以及
多个第二电极，设置在所述多个半导体层上，通过所述接触部分连接至所述第一电极，并且通过在其间插入所述第二间隔件互相间隔。
5.根据权利要求4所述的使用薄膜型太阳能电池的结构，其中，所述基板设置在所述第一粘合层与所述外面板接触的表面的相对表面上，并且
其中，在所述第二间隔件的区域中，太阳光线依次穿过所述外面板、所述第一粘合层、所述基板和所述第一电极，并且当穿过所述第二粘合层时改变为有色的太阳光线，然后穿过所述保护层。
6.根据权利要求4所述的使用薄膜型太阳能电池的结构，其中，所述基板设置在所述第二粘合层与所述保护层接触的表面的相对表面上，并且
其中，在所述第二间隔件的区域中，太阳光线依次穿过所述外面板、所述第一粘合层、所述第一电极和所述基板，并且当穿过所述第二粘合层时改变为有色的太阳光线，然后穿过所述保护层。
7.一种使用薄膜型太阳能电池的结构，包括：
外面板，暴露于太阳光线；
第一粘合层，设置在所述外面板暴露于太阳光线的表面的相对表面上；
薄膜型太阳能电池，设置在所述第一粘合层上；
第二粘合层，设置在所述薄膜型太阳能电池上并且由有色的粘合剂材料制成；以及
保护层，设置在所述第二粘合层上，
其中，所述薄膜型太阳能电池设置有太阳光线可以穿过的多个孔。
8.根据权利要求7所述的使用薄膜型太阳能电池的结构，其中，所述薄膜型太阳能电池包括：
基板；
多个第一电极，设置在所述基板上并且通过在其间插入第一间隔件互相间隔；
多个半导体层，设置在所述第一电极上，其中设置有接触部分，并且通过在其间插入第二间隔件互相间隔；以及
多个第二电极，设置在所述多个半导体层上，通过所述接触部分连接至所述第一电极，并且通过在其间插入所述第二间隔件互相间隔，
其中，所述多个孔中的每一个通过去除所述半导体层和所述第二电极而设置。
9.根据权利要求8所述的使用薄膜型太阳能电池的结构，其中，所述多个孔设置在一个单元电池的第一间隔件与它的相邻的单元电池的第二间隔件之间。
10.根据权利要求8所述的使用薄膜型太阳能电池的结构，其中，所述基板设置在所述第一粘合层与所述外面板接触的表面的相对表面上，并且
其中，在所述孔的区域中，太阳光线依次穿过所述外面板、所述第一粘合层、所述基板和所述第一电极，并且当穿过所述第二粘合层时改变为有色的太阳光线，然后穿过所述保护层。
11.根据权利要求8所述的使用薄膜型太阳能电池的结构，其中，所述基板设置在所述第二粘合层与所述保护层接触的表面的相对表面上，并且
其中，在所述孔的区域中，太阳光线依次穿过所述外面板、所述第一粘合层、所述第一电极和所述基板，并且当穿过所述第二粘合层时改变为有色的太阳光线，然后穿过所述保护层。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110416341A (zh) * 2018-04-27 2019-11-05 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 导电电极膜层和光伏元件
CN111599882A (zh) * 2020-06-30 2020-08-28 扬州泽亮太阳能电池科技有限公司 高强度薄膜电池

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101895842B1 (ko) * 2017-06-19 2018-09-07 주식회사 광명전기 투과형 플렉서블 태양 전지 모듈 및 이의 제조 방법
KR102198423B1 (ko) * 2018-02-22 2021-01-05 한국과학기술원 박막 태양전지의 제조 방법 및 이를 통해 제조된 박막 태양전지

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4686321A (en) * 1985-07-02 1987-08-11 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic device and method of manufacturing thereof
US5059254A (en) * 1988-05-24 1991-10-22 Asahi Glass Company Ltd. Solar cell substrate and solar panel for automobile
US5176758A (en) * 1991-05-20 1993-01-05 United Solar Systems Corporation Translucent photovoltaic sheet material and panels
CN1280393A (zh) * 1999-06-30 2001-01-17 佳能株式会社 太阳能电池组件
US20070251566A1 (en) * 2004-04-19 2007-11-01 Sharp Kabushiki Kaisha Light Source Integrated Photovoltaic Module and Power-Generating Light-Emitting Unit Using Same
CN102064215A (zh) * 2009-11-17 2011-05-18 杜邦太阳能有限公司 太阳能电池模块

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4064521A (en) * 1975-07-28 1977-12-20 Rca Corporation Semiconductor device having a body of amorphous silicon
JP3746411B2 (ja) * 2000-02-23 2006-02-15 シャープ株式会社 太陽電池パネルおよびその製造方法
JP2002043594A (ja) * 2000-07-21 2002-02-08 Sharp Corp 光透過型薄膜太陽電池モジュール
US20100224235A1 (en) * 2009-03-06 2010-09-09 E.I. Du Pont De Nemours And Company Light weight solar cell modules
KR101172315B1 (ko) * 2010-10-11 2012-08-14 한국철강 주식회사 광기전력 모듈 및 그 제조 방법
JP2012119434A (ja) * 2010-11-30 2012-06-21 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール及びその製造方法
KR101338557B1 (ko) * 2011-12-19 2013-12-09 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
KR101382898B1 (ko) * 2011-12-22 2014-04-09 엘지이노텍 주식회사 씨스루형 태양전지 모듈 및 이의 제조방법
EP2827378A4 (en) * 2012-03-16 2015-11-04 Sanyo Electric Co SOLAR CELL MODULE

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4686321A (en) * 1985-07-02 1987-08-11 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic device and method of manufacturing thereof
US5059254A (en) * 1988-05-24 1991-10-22 Asahi Glass Company Ltd. Solar cell substrate and solar panel for automobile
US5176758A (en) * 1991-05-20 1993-01-05 United Solar Systems Corporation Translucent photovoltaic sheet material and panels
CN1280393A (zh) * 1999-06-30 2001-01-17 佳能株式会社 太阳能电池组件
US20070251566A1 (en) * 2004-04-19 2007-11-01 Sharp Kabushiki Kaisha Light Source Integrated Photovoltaic Module and Power-Generating Light-Emitting Unit Using Same
CN102064215A (zh) * 2009-11-17 2011-05-18 杜邦太阳能有限公司 太阳能电池模块

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110416341A (zh) * 2018-04-27 2019-11-05 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 导电电极膜层和光伏元件
CN111599882A (zh) * 2020-06-30 2020-08-28 扬州泽亮太阳能电池科技有限公司 高强度薄膜电池

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