CN111599882A - 高强度薄膜电池 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 210000005056 cell body Anatomy 0.000 claims abstract description 48
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 abstract description 5
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract description 4
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000007688 edging Methods 0.000 description 2
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000004566 building material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
- H02S30/00—Structural details of PV modules other than those related to light conversion
- H02S30/10—Frame structures
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Sustainable Development (AREA)
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Abstract
本发明涉及薄膜电池技术领域，且公开了一种高强度薄膜电池，包括电池片本体、正极引线和负极引线，电池片本体由衬底、导电膜、半导体层、加强材料、金属层和网格栅组成，电池片本体的侧面设有防护边条，防护边条的底部设置有卡块一，防护边条的顶部开有卡槽一，卡槽一的形状和大小与卡块一匹配，电池片本体左侧的防护边条的侧面开有卡槽二。本发明通过设置加强材料、金属层和网格栅的防护，可以保证电池片本体的强度，不容易损坏，且通过电池片本体内部的加强条可以增加电池片本体的任性，不容易折断，从而进一步提高电池片本体的强度，从而提高装置的寿命，及时长时间的弯折也不会损坏，不会影响工作效率。
Description
技术领域
本发明涉及薄膜电池技术领域，具体为一种高强度薄膜电池。
背景技术
薄膜电池顾名思义就是将一层薄膜制备成太阳能电池，其用硅量极少，更容易降低成本，同时它既是一种高效能源产品，又是一种新型建筑材料，更容易与建筑完美结合。在国际市场硅原材料持续紧张的背景下，薄膜太阳电池已成为国际光伏市场发展的新趋势和新热点。已经能进行产业化大规模生产的薄膜电池主要有3种：硅基薄膜太阳能电池、铜铟镓硒薄膜太阳能电池(CIGS)、碲化镉薄膜太阳能电池(CdTe)。
现有的薄膜电池强度不够高，在长时间的使用中容易损坏破损，从而影响效率。
发明内容
本发明的目的在于提供了一种高强度薄膜电池，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种高强度薄膜电池，包括电池片本体，所述电池片本体的底部设有正极引线和负极引线，所述电池片本体由衬底、导电膜、半导体层、加强材料、金属层和网格栅组成，所述电池片本体的侧面设有防护边条，所述防护边条的底部设置有卡块一，所述防护边条的顶部开有卡槽一，所述卡槽一的形状和大小与卡块一匹配，所述电池片本体左侧的防护边条的侧面开有卡槽二，所述电池片本体右侧的防护边条的侧面设有卡块二，所述电池片本体的中部固定连接有加强条，所述防护边条的内侧设有卡块三，所述卡块三的一侧在电池片本体的两侧开有卡槽三，所述卡块三与卡槽三卡接。
优选的，所述正极引线固定连接在电池片本体底部的右侧，所述负极引线固定连接在电池片本体底部的左侧。
优选的，所述防护边条设有两个，两个所述防护边条分别安装在电池片本体的左右俩侧。
优选的，所述卡块一与防护边条为一体成型设计，所述卡块二与范湖边条为一体成型设计。
优选的，当多个所述电池片本体组装在一起时，电池片本体两侧的防护边条底部的卡块一与另一个电池片本体两侧的防护边条顶部的卡槽一卡接，电池片本体两侧的防护边条右侧的卡块二与另一个电池片本体两侧的防护边条左侧的卡槽二卡接。
优选的，所述卡块一的形状为长条形，所述卡块一横截面的形状为长方形，所述卡块二的形状为半圆条形，所述卡块二横截面的形状为半圆形。
优选的，所述电池片本体中部的加强条的横截面形状为正方形，所述加强条共设有十一个。
优选的，所述卡块三的一端设有两个小凸块，并且卡槽三的内部设有与小凸块匹配的小凹槽。
本发明提供了一种高强度薄膜电池。具备以下有益效果：
(1)、本发明通过设置加强材料、金属层和网格栅的防护，可以保证电池片本体的强度，不容易损坏，且通过电池片本体内部的加强条可以增加电池片本体的任性，不容易折断，从而进一步提高电池片本体的强度，从而提高装置的寿命，及时长时间的弯折也不会损坏，不会影响工作效率。
(2)、本发明通过在电池片本体的两侧设置防护边条，从而可以保护电池片本体的两侧不受损伤，提高装置的耐磨强度并且防护边条通过卡块三直接卡接在电池片本体两端的卡槽三上，从而可以方便装置的安装。
(3)、本发明通过电池片本体两侧的防护边条上的卡块一、卡槽一、卡槽二和卡块二，从而可以方便多个电池片本体之间的安装，从而提高工作的效率，方便人们使用。
附图说明
图1为本发明俯视图；
图2为本发明正视图；
图3为本发明A的放大示意图；
图4为本发明B的放大示意图；
图5为本发明电池片本体的结构图。
图中：1电池片本体、101衬底、102导电膜、103半导体层、104加强材料、105金属层、106网格栅、2正极引线、3负极引线、4防护边条、5卡块一、6卡槽一、7卡槽二、8卡块二、9加强条、10卡块三、11卡槽三。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
如图1-5所示，本发明提供一种技术方案：一种高强度薄膜电池，包括电池片本体1，电池片本体1的底部设有正极引线2和负极引线3，正极引线2固定连接在电池片本体1底部的右侧，负极引线3固定连接在电池片本体1底部的左侧，电池片本体1由衬底101、导电膜102、半导体层103、加强材料104、金属层105和网格栅106组成，电池片本体1的侧面设有防护边条4，防护边条4设有两个，两个防护边条4分别安装在电池片本体1的左右俩侧，防护边条4的底部设置有卡块一5，卡块一5与防护边条4为一体成型设计，卡块二8与范湖边条4为一体成型设计，防护边条4的顶部开有卡槽一6，卡槽一6的形状和大小与卡块一5匹配，电池片本体1左侧的防护边条4的侧面开有卡槽二7，电池片本体1右侧的防护边条4的侧面设有卡块二8，当多个电池片本体1组装在一起时，电池片本体1两侧的防护边条4底部的卡块一5与另一个电池片本体1两侧的防护边条4顶部的卡槽一6卡接，电池片本体1两侧的防护边条4右侧的卡块二8与另一个电池片本体1两侧的防护边条4左侧的卡槽二7卡接，卡块一5的形状为长条形，卡块一5横截面的形状为长方形，卡块二8的形状为半圆条形，卡块二8横截面的形状为半圆形，电池片本体1的中部固定连接有加强条9，通过设置加强材料104、金属层105和网格栅106的防护，可以保证电池片本体1的强度，不容易损坏，且通过电池片本体1内部的加强条9可以增加电池片本体1的任性，不容易折断，从而进一步提高电池片本体1的强度，从而提高装置的寿命，及时长时间的弯折也不会损坏，不会影响工作效率，电池片本体1中部的加强条9的横截面形状为正方形，加强条9共设有十一个，防护边条4的内侧设有卡块三10，卡块三10的一侧在电池片本体1的两侧开有卡槽三11，卡块三10的一端设有两个小凸块，并且卡槽三11的内部设有与小凸块匹配的小凹槽，卡块三10与卡槽三11卡接，通过在电池片本体1的两侧设置防护边条4，从而可以保护电池片本体1的两侧不受损伤，提高装置的耐磨强度并且防护边条4通过卡块三10直接卡接在电池片本体1两端的卡槽三11上，从而可以方便装置的安装，通过电池片本体1两侧的防护边条4上的卡块一5、卡槽一6、卡槽二7和卡块二8，从而可以方便多个电池片本体1之间的安装，从而提高工作的效率，方便人们使用。
在使用时，设置加强材料、金属层和网格栅的防护，可以保证电池片本体的强度，不容易损坏，且通过电池片本体内部的加强条可以增加电池片本体的任性，不容易折断，从而进一步提高电池片本体的强度，从而提高装置的寿命，及时长时间的弯折也不会损坏，不会影响工作效率，在电池片本体的两侧设置防护边条，从而可以保护电池片本体的两侧不受损伤，提高装置的耐磨强度并且防护边条通过卡块三直接卡接在电池片本体两端的卡槽三上，从而可以方便装置的安装，电池片本体两侧的防护边条上的卡块一、卡槽一、卡槽二和卡块二，从而可以方便多个电池片本体之间的安装。
综上可得，通过设置加强材料104、金属层105和网格栅106的防护，可以保证电池片本体1的强度，不容易损坏，且通过电池片本体1内部的加强条9可以增加电池片本体1的任性，不容易折断，从而进一步提高电池片本体1的强度，从而提高装置的寿命，及时长时间的弯折也不会损坏，不会影响工作效率，通过在电池片本体1的两侧设置防护边条4，从而可以保护电池片本体1的两侧不受损伤，提高装置的耐磨强度并且防护边条4通过卡块三10直接卡接在电池片本体1两端的卡槽三11上，从而可以方便装置的安装，通过电池片本体1两侧的防护边条4上的卡块一5、卡槽一6、卡槽二7和卡块二8，从而可以方便多个电池片本体1之间的安装，从而提高工作的效率，方便人们使用。
Claims (8)
1.一种高强度薄膜电池，包括电池片本体(1)，所述电池片本体(1)的底部设有正极引线(2)和负极引线(3)，其特征在于：所述电池片本体(1)由衬底(101)、导电膜(102)、半导体层(103)、加强材料(104)、金属层(105)和网格栅(106)组成，所述电池片本体(1)的侧面设有防护边条(4)，所述防护边条(4)的底部设置有卡块一(5)，所述防护边条(4)的顶部开有卡槽一(6)，所述卡槽一(6)的形状和大小与卡块一(5)匹配，所述电池片本体(1)左侧的防护边条(4)的侧面开有卡槽二(7)，所述电池片本体(1)右侧的防护边条(4)的侧面设有卡块二(8)，所述电池片本体(1)的中部固定连接有加强条(9)，所述防护边条(4)的内侧设有卡块三(10)，所述卡块三(10)的一侧在电池片本体(1)的两侧开有卡槽三(11)，所述卡块三(10)与卡槽三(11)卡接。
2.根据权利要求1所述的高强度薄膜电池，其特征在于：所述正极引线(2)固定连接在电池片本体(1)底部的右侧，所述负极引线(3)固定连接在电池片本体(1)底部的左侧。
3.根据权利要求1所述的高强度薄膜电池，其特征在于：所述防护边条(4)设有两个，两个所述防护边条(4)分别安装在电池片本体(1)的左右俩侧。
4.根据权利要求1所述的高强度薄膜电池，其特征在于：所述卡块一(5)与防护边条(4)为一体成型设计，所述卡块二(8)与范湖边条(4)为一体成型设计。
5.根据权利要求1所述的高强度薄膜电池，其特征在于：当多个所述电池片本体(1)组装在一起时，电池片本体(1)两侧的防护边条(4)底部的卡块一(5)与另一个电池片本体(1)两侧的防护边条(4)顶部的卡槽一(6)卡接，电池片本体(1)两侧的防护边条(4)右侧的卡块二(8)与另一个电池片本体(1)两侧的防护边条(4)左侧的卡槽二(7)卡接。
6.根据权利要求1所述的高强度薄膜电池，其特征在于：所述卡块一(5)的形状为长条形，所述卡块一(5)横截面的形状为长方形，所述卡块二(8)的形状为半圆条形，所述卡块二(8)横截面的形状为半圆形。
7.根据权利要求1所述的高强度薄膜电池，其特征在于：所述电池片本体(1)中部的加强条(9)的横截面形状为正方形，所述加强条(9)共设有十一个。
8.根据权利要求1所述的高强度薄膜电池，其特征在于：所述卡块三(10)的一端设有两个小凸块，并且卡槽三(11)的内部设有与小凸块匹配的小凹槽。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010616494.1A CN111599882B (zh) | 2020-06-30 | 2020-06-30 | 高强度薄膜电池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010616494.1A CN111599882B (zh) | 2020-06-30 | 2020-06-30 | 高强度薄膜电池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111599882A true CN111599882A (zh) | 2020-08-28 |
| CN111599882B CN111599882B (zh) | 2021-09-17 |
Family
ID=72185036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010616494.1A Active CN111599882B (zh) | 2020-06-30 | 2020-06-30 | 高强度薄膜电池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111599882B (zh) |
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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| TR01 | Transfer of patent right |