CN107402485A - 阵列基板及其制作方法、液晶显示设备及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的实施例提供了一种阵列基板及其制作方法，制作方法包括：在衬底上依次形成第一金属图案层、第一绝缘层、第二金属图案层和第二绝缘层；在第二绝缘层上涂覆光致抗蚀剂；对光致抗蚀剂进行曝光和显影而形成光致抗蚀剂图案，并且形成蚀刻保护层，其中，在阵列基板的第一区中，光致抗蚀剂图案暴露第二绝缘层的顶表面的部分，并且通过蚀刻保护层与第二绝缘层接合；以及在所述第一区中，以光致抗蚀剂图案作为掩模而蚀刻掉蚀刻保护层并且蚀刻第二绝缘层的至少部分而不蚀刻第一绝缘层，从而暴露第二金属图案层的部分并且形成液晶导流槽。本发明的实施例还提供了一种液晶显示设备及其制作方法。

Description

阵列基板及其制作方法、液晶显示设备及其制作方法
技术领域
本发明一般涉及显示技术领域。更具体地，本发明涉及一种阵列基板的制作方法和由其制作的阵列基板、液晶显示设备的制作方法和由其制作的液晶显示设备。
背景技术
随着薄膜场效应晶体管液晶显示（TFT-LCD）技术的发展和工业技术的进步，液晶显示器的生产成本持续降低并且制造工艺日益完善，因而已经取代阴极射线管显示器而成为平板显示领域中的主流技术。TFT-LCD显示器因其本身所具有的体积小、功耗低、无辐射等优点而成为理想的显示装置。TFT-LCD的基本结构包括阵列基板和彩膜基板，以及夹在这两个基板之间的液晶层（LC）。在阵列基板和彩膜基板表面布置有对液晶具有取向作用的聚酰亚胺膜PI层（配向膜层）。以现有的扭曲向列（TN）型TFT-LCD为例，TFT结构通过在玻璃基板上依次沉积栅电极和公共电极、第一绝缘层、有源层、源漏电极、第二绝缘层、像素电极来形成，其中栅电极和公共电极同层布置。
发明内容
本发明实施例旨在提供一种改进的阵列基板的制作方法和由其制作的阵列基板、液晶显示设备的制作方法和由其制作的液晶显示设备。
典型地，彩膜基板和阵列基板在对盒后通过隔垫物与彼此间隔，并且向彩膜基板和阵列基板之间的间隙注入液晶，以形成液晶层。然而，由于阵列基板各部分之间存在高度差，因此液晶可能难以流动到覆盖阵列基板的整个表面，使得所形成的液晶层在阵列基板的某些区域上出现断裂，进而影响液晶显示设备的显示效果和良率。
相应地，提出在阵列基板上形成液晶导流槽，其用于对液晶进行导流，从而在阵列基板上形成均匀分布的液晶层。然而，发明人认识到，在现有技术的液晶导流槽设计中，在蚀刻金属层上方的绝缘层以形成液晶导流槽的过程中，金属层下方的绝缘层也可能被蚀刻掉，进而在金属层下方形成过蚀刻倒角。当制作后续层时，后续层由于该过蚀刻倒角的存在而可能出现断裂，因而影响液晶显示设备的显示效果和良率。
因此，根据本发明的一方面，提供了一种阵列基板的制作方法，包括：在衬底上依次形成第一金属图案层、第一绝缘层、第二金属图案层和第二绝缘层；在第二绝缘层上涂覆光致抗蚀剂；通过对光致抗蚀剂进行曝光和显影而形成光致抗蚀剂图案，并且形成蚀刻保护层。在阵列基板的第一区中，光致抗蚀剂图案暴露第二绝缘层的顶表面的部分，并且通过蚀刻保护层与第二绝缘层接合。在所述第一区中，第二绝缘层与第二金属图案层在衬底上的正投影重叠；以及在所述第一区中，以光致抗蚀剂图案作为掩模而蚀刻掉蚀刻保护层并且蚀刻第二绝缘层的至少部分而不蚀刻第一绝缘层，从而暴露第二金属图案层的部分并且形成液晶导流槽。
如本文所使用的，术语“液晶导流槽”是指促进液晶在阵列基板上均匀分布的结构。在上述阵列基板的制作方法中，通过形成蚀刻保护层来保护第一绝缘层，使得在以光致抗蚀剂图案作为掩模而进行蚀刻时，仅蚀刻保护层和第二绝缘层的至少部分被蚀刻掉，而第一绝缘层不被蚀刻，因而可以避免在第二金属图案层下方形成过蚀刻倒角，进而影响液晶显示设备的显示效果和良率。
根据一些实施例，光致抗蚀剂图案还暴露阵列基板的第二区中的第二绝缘层。在所述第二区中，第二绝缘层与第一金属图案层在衬底上的正投影重叠。上述方法还包括：在所述第二区中，以光致抗蚀剂图案作为掩模而蚀刻掉第一绝缘层和第二绝缘层，从而暴露第一金属图案层。
在这样的实施例中，可以通过一次图案化工艺而同时形成第一金属图案层和第二金属图案层上的开口，以便将第一金属图案层和第二金属图案层连接到外部电信号端，因而简化制作流程，节约制作成本。
根据一些实施例，蚀刻保护层与光致抗蚀剂图案的材料相同。
根据一些实施例，当蚀刻保护层与光致抗蚀剂图案的材料相同时，形成蚀刻保护层的步骤包括：在所述第一区中，采用光致抗蚀剂填充光致抗蚀剂图案与第二绝缘层之间的夹缝。
根据另外的一些实施例，当蚀刻保护层与光致抗蚀剂图案的材料相同时，通过对光致抗蚀剂进行曝光和显影而形成光致抗蚀剂图案，并且形成蚀刻保护层的步骤包括：采用半阶调光刻掩模板对光致抗蚀剂进行曝光，使得在所述第一区中，光致抗蚀剂被部分曝光；对曝光后的光致抗蚀剂进行显影，从而在所述第一区中同时形成蚀刻保护层和光致抗蚀剂图案。
如本文所使用的，“半阶调光刻掩膜板”是指光刻掩膜板上的不同位置处的光透过量不同的光刻掩膜板，使得通过该光刻掩膜板被照射的光致抗蚀剂上的不同位置处的曝光量不同，光致抗蚀剂的一些部分被完全曝光，一些部分被部分曝光，并且其它部分未被曝光，从而在显影后形成厚度不均匀的光致抗蚀剂图案。以正性光致抗蚀剂为例，完全曝光的光致抗蚀剂在显影后被完全去除，部分曝光的光致抗蚀剂在显影后被部分去除（即被减薄），而未被曝光的光致抗蚀剂在显影后没有变化。
在这样的实施例中，通过采用半阶调光刻掩膜板，可以通过一次图案化工艺而同时形成光致抗蚀剂图案和蚀刻保护层，从而简化制作流程，节约制作成本。
根据一些实施例，采用半阶调光刻掩模板对光致抗蚀剂进行曝光，还使得在所述第二区中，光致抗蚀剂被完全曝光。
在这样的实施例中，可以通过一次图案化工艺而同时形成第一金属图案层和第二金属图案层上的开口，以便将第一金属图案层和第二金属图案层连接到外部电信号端，从而简化制作流程，节约制作成本。
根据一些实施例，阵列基板的制作方法还包括，在形成第二金属图案层之前，在第一绝缘层上形成有源层图案。
根据一些实施例，第一金属图案层为栅金属图案层，第一绝缘层为栅极绝缘层，第二金属图案层为源漏金属图案层，并且第二绝缘层为钝化层。在这样的实施例中，所形成的阵列基板具有底栅结构。
根据一些实施例，第一金属图案层为源漏金属图案层，第一绝缘层为栅极绝缘层，第二金属图案层为栅金属图案层，并且第二绝缘层为钝化层。在这样的实施例中，所形成的阵列基板具有顶栅结构。
根据一些实施例，栅金属图案层包括公共电极线图案。
根据一些实施例，阵列基板的制作方法还包括，在形成液晶导流槽之后，去掉光致抗蚀剂图案，并且形成像素电极图案层。
根据一些实施例，所述第一区和所述第二区位于阵列基板的像素区中。
根据本发明的另一方面，提供了一种阵列基板，其通过上述任一种的方法来制作。
根据本发明的又一方面，提供了一种液晶显示设备的制作方法，包括：根据上述任一种方法来形成阵列基板；在阵列基板上形成液晶层；以及在液晶层上形成与阵列基板对盒的彩膜基板。
在这样的制作方法中，通过形成蚀刻保护层来保护第一绝缘层，使得在以光致抗蚀剂图案作为掩模而进行蚀刻时，仅蚀刻保护层和第二绝缘层的至少部分被蚀刻掉，而第一绝缘层不被蚀刻，因而可以避免在第二金属图案层下方形成过蚀刻倒角，进而影响液晶显示设备的显示效果和良率。
根据一些实施例，在阵列基板上提供液晶层包括，通过液晶导流槽导流液晶，从而使液晶在阵列基板的像素区中连续分布。
根据本发明另外的方面，提供了一种液晶显示设备，其由上述液晶显示设备的制作方法来制作。
应理解，根据本发明的各方面具有相同或类似的特征和实施例。以上的一般描述和下文的细节描述仅是示例性和解释性的，并非旨在以任何方式限制本发明。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例。
图1示意性地图示了典型的阵列基板的截面视图。
图2a示意性地图示了形成液晶导流槽的典型光致抗蚀剂图案的截面视图。
图2b示意性地图示了通过图2a所示的光致抗蚀剂图案形成的过蚀刻倒角的截面视图。
图3图示了根据本发明的实施例的阵列基板的制作方法的流程图。
图4a-4f示意性地图示了根据本发明的实施例的阵列基板的制作方法的各步骤的截面视图。
图5a-5e示意性地图示了根据本发明的另一实施例的阵列基板的制作方法的各步骤的截面视图。
通过上述附图，已示出本发明明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本发明构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域普通技术人员说明本发明的概念。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施例的技术方案作进一步地详细描述。
图1示意性地图示了典型的阵列基板的截面视图。如图1所示，阵列基板100包括依次布置在衬底102上的公共电极线图案104和栅线图案106、栅极绝缘层108、有源层110、源漏金属图案层112和钝化层114。为了将外部电信号施加到源漏金属图案层112，在钝化层114中形成暴露源漏金属图案层112的开口116。然而，在将液晶注入到该阵列基板200上时，液晶将聚集在开口116中而无法流动到开口116右侧的区域，因此导致所形成的液晶层在开口116的边缘处断裂，进而影响液晶显示设备的显示效果和良率。
相应地，提出在阵列基板上形成液晶导流槽，其用于对液晶进行导流，从而在阵列基板上形成均匀分布的液晶层。图2a示意性地图示了形成液晶导流槽的典型光致抗蚀剂图案的截面视图。如图2a所示，在阵列基板200中，在衬底202上依次形成公共电极线图案204和栅线图案206、栅极绝缘层208、有源层210、源漏金属图案层212和钝化层214。然后，在钝化层214上形成光致抗蚀剂图案216。该光致抗蚀剂图案216暴露源漏金属图案层212上方的钝化层214的部分和栅线图案206上方的绝缘层。随后以光致抗蚀剂图案216作为掩模而蚀刻掉钝化层214的暴露部分，以便一方面将外部电信号施加到栅线图案206和源漏金属图案层212，另一方面在源漏金属图案212上方形成钝化层214的液晶导流槽。相比于图1所示的阵列基板100，在阵列基板200中，由于不存在如图1所示的形成于钝化层114中的开口116，因此可以避免液晶聚集在开口116中而无法流动到开口116右侧的区域，进而导致所形成的液晶层在开口116的边缘处断裂，影响液晶显示设备的显示效果和良率。
然而，事实上，在钝化层214的蚀刻过程中，蚀刻过程在蚀刻掉钝化层214之后，还将继续向下蚀刻栅极绝缘层208，直至暴露出公共电极线图案204，从而在有源层210和源漏金属图案层212下方形成过蚀刻倒角，如图2b中的虚线框所示。因此，在随后形成像素电极图案层218时，像素电极图案层218将在该过蚀刻倒角处出现断裂，进而影响液晶显示设备的正常工作和良率。
相应地，本发明的实施例提出了一种改进的阵列基板的制作方法。图3图示了根据本发明的实施例的阵列基板的制作方法300的流程图。在步骤302中，在衬底上依次形成第一金属图案层、第一绝缘层、第二金属图案层和第二绝缘层。然后，在步骤304中，在第二绝缘层上涂覆光致抗蚀剂。接着，在步骤306中，通过对光致抗蚀剂进行曝光和显影而形成光致抗蚀剂图案，并且形成蚀刻保护层。在阵列基板的第一区中，光致抗蚀剂图案暴露第二绝缘层的顶表面的部分，并且通过蚀刻保护层与第二绝缘层接合。在所述第一区中，第二绝缘层与第二金属图案层在衬底上的正投影重叠。最后，在步骤308中，在所述第一区中，以光致抗蚀剂图案作为掩模而蚀刻掉蚀刻保护层并且蚀刻第二绝缘层的至少部分而不蚀刻第一绝缘层，从而暴露第二金属图案层的部分并且形成液晶导流槽。
在这样的阵列基板的制作方法中，通过形成蚀刻保护层来保护第一绝缘层，使得在以光致抗蚀剂图案作为掩模而进行蚀刻时，仅蚀刻保护层和第二绝缘层的至少部分被蚀刻掉，而第一绝缘层不被蚀刻，因而可以避免在第二金属图案层下方形成过蚀刻倒角，进而影响液晶显示设备的显示效果和良率。
图4a-4f示意性地图示了根据本发明的实施例的阵列基板的制作方法的各步骤的截面视图。在图4a-4f中，以第一金属图案层为栅金属图案层，第一绝缘层为栅极绝缘层，第二金属图案层为源漏金属图案层，并且第二绝缘层为钝化层为例来描述根据本发明的实施例的阵列基板的制作方法。然而，本发明的概念也可以应用于顶栅结构，其中第一金属图案层为源漏金属图案层，第一绝缘层为栅极绝缘层，第二金属图案层为栅金属图案层，并且第二绝缘层为钝化层。
首先，如图4a所示，在衬底402上形成公共电极线图案404和栅线图案406。公共电极线图案404和栅线图案406可以同层同材料形成，此时，公共电极线图案404和栅线图案406可以集体称为栅金属图案层。
然后，如图4b所示，在公共电极线图案404和栅线图案406上依次形成栅极绝缘层408、有源层410、源漏金属图案层412和钝化层414。
随后，如图4c所示，在钝化层414上涂覆光致抗蚀剂。对光致抗蚀剂进行曝光和显影，从而形成光致抗蚀剂图案416a。在阵列基板的第一区A中，光致抗蚀剂图案416a暴露钝化层414的顶表面的部分。在第一区A中，钝化层414与源漏金属图案层412在衬底402上的正投影重叠。光致抗蚀剂图案416a还暴露阵列基板的第二区B中的钝化层414。在第二区B中，钝化层414与栅金属图案层406在衬底402上的正投影重叠。
随后，如图4d所示，在第一区A中，在光致抗蚀剂图案416a与钝化层414之间的夹缝C中形成蚀刻保护层416b，使得光致抗蚀剂图案416a通过蚀刻保护层416b与钝化层414接合。
随后，如图4e所示，在第一区A中，以光致抗蚀剂图案416a作为掩模而蚀刻掉蚀刻保护层416b并且蚀刻钝化层414的至少部分而不蚀刻栅极绝缘层408，从而暴露源漏金属图案层412的部分并且形成液晶导流槽（虚线框所示）。同时，在第二区B中，以光致抗蚀剂图案416a作为掩模而蚀刻掉栅极绝缘层408和钝化层414，从而暴露栅金属图案层406。
最后，如图4f所示，去掉光致抗蚀剂图案416a并且形成像素电极图案层418。
如图4f所示，在根据本发明的实施例提供的阵列基板的制作方法制作的阵列基板中，由于存在液晶导流槽（虚线框所示），因此液晶可以流动而均匀分布在阵列基板上，并且在源漏金属图案层下方不形成过蚀刻倒角，像素电极图案层418连续而没有发生断裂，因而保证和增强了液晶显示设备的显示效果和良率。
需要指出的是，蚀刻保护层416b的顶表面可以刚好与钝化层414的顶表面齐平，如图4d中所示。或者可替换地，蚀刻保护层416b的顶表面可以低于或高于钝化层414的顶表面，只要保证之后在以光致抗蚀剂图案416a作为掩模而进行蚀刻时，在第一区A中，仅该蚀刻保护层416b和钝化层414的至少部分被蚀刻掉，而栅极绝缘层408不被蚀刻即可。
蚀刻保护层416b可以采用任何在蚀刻钝化层414的工艺中能够被蚀刻的材料。特别地，蚀刻保护层416b可以与光致抗蚀剂图案416a的材料相同。例如，可以在形成光致抗蚀剂图案416a之后采用光致抗蚀剂填充光致抗蚀剂图案416a与钝化层414之间的夹缝C，从而形成蚀刻保护层416b。
图5a-5e示意性地图示了根据本发明的另一实施例的阵列基板的制作方法的各步骤的截面视图。在图5a-5e中，仍旧以第一金属图案层为栅金属图案层，第一绝缘层为栅极绝缘层，第二金属图案层为源漏金属图案层，并且第二绝缘层为钝化层为例来描述根据本发明的该实施例的阵列基板的制作方法。
首先，如图5a所示，在衬底502上形成公共电极线图案504和栅线图案506。公共电极线图案504和栅线图案506可以同层同材料形成，此时，公共电极线图案504和栅线图案506可以集体称为栅金属图案层。
然后，如图5b所示，在公共电极线图案504和栅线图案506上依次形成栅极绝缘层508、有源层510、源漏金属图案层512和钝化层514。
随后，如图5c所示，在钝化层514上涂覆光致抗蚀剂，并且采用半阶调光刻掩模板对光致抗蚀剂进行曝光，从而形成光致抗蚀剂层516。光致抗蚀剂层516包括光致抗蚀剂图案516a和蚀刻保护层516b。在阵列基板的第一区A中，光致抗蚀剂图案516a暴露钝化层514的顶表面的部分，并且通过蚀刻保护层516b与钝化层514接合，如图5c中的椭圆形中所示。在第一区A中，钝化层514与源漏金属图案层512在衬底502上的正投影重叠。光致抗蚀剂图案516a还暴露阵列基板的第二区B中的钝化层514。在第二区B中，钝化层514与栅金属图案层506在衬底502上的正投影重叠。
在如图5c中所示的步骤中，通过采用半阶调光刻掩模板来使得在第一区A中，光致抗蚀剂被部分曝光，并且在第二区B中，光致抗蚀剂被完全曝光，因此可以在一次图案化工艺中同时形成蚀刻保护层516a和光致抗蚀剂图案516b，从而简化制作流程，节约制作成本。
随后，如图5d所示，在第一区A中，以光致抗蚀剂图案516a作为掩模而蚀刻掉蚀刻保护层516b并且蚀刻钝化层414的至少部分而不蚀刻栅极绝缘层508，从而暴露源漏金属图案层512的部分并且形成液晶导流槽（虚线框所示）。在此过程中，由于蚀刻保护层516b和光致抗蚀剂图案516a是同时同材料形成的，因此在蚀刻掉蚀刻保护层516b的同时也将减薄光致抗蚀剂图案516a。同时，在第二区B中，以光致抗蚀剂图案516a作为掩模而蚀刻掉栅极绝缘层508和钝化层514，从而暴露栅金属图案层506。
最后，如图5e所示，去掉减薄后的光致抗蚀剂图案516a’并且形成像素电极图案层518。
在上述实施例中，第一区A和第二区B可以位于阵列基板的像素区中。
应当指出的是，尽管在图4a-4f和图5a-5e中，仅以形成在源漏金属图案层上方的液晶导流槽为例来说明本发明的概念，但是如本领域技术人员将领会到的，液晶导流槽也可以形成在阵列基板的其它凹陷处，以便使液晶均匀分布在阵列基板上。例如，在图4a-4f中，液晶导流槽也可以形成在栅金属图案层406上方。
本发明的实施例还提供了一种阵列基板，其通过上述制作方法来制作。
本发明的实施例还提供了一种液晶显示设备的制作方法，包括：根据上述任一种方法来形成阵列基板；在阵列基板上形成液晶层；以及在液晶层上形成与阵列基板对盒的彩膜基板。在一些实施例中，在阵列基板上提供液晶层包括，通过液晶导流槽导流液晶，从而使液晶在阵列基板的像素区中连续分布。
在这样的制作方法中，通过形成蚀刻保护层来保护第一绝缘层，使得在以光致抗蚀剂图案作为掩模而进行蚀刻时，仅蚀刻保护层和第二绝缘层的至少部分被蚀刻掉，而第一绝缘层不被蚀刻，因而可以避免在第二金属图案层下方形成过蚀刻倒角，进而影响液晶显示设备的显示效果和良率。
根据本发明另外的方面，提供了一种液晶显示设备，其由上述液晶显示设备的制作方法来制作。
本发明的概念可以广泛地应用于各种TFT液晶显示设备和具有TFT液晶显示设备的系统，例如移动电话、笔记本计算机、液晶电视等等。
除非另外定义，否则本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域普通技术人员所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。需要注意的是，在不冲突的前提下，上述实施例中的特征可以任意组合使用。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何本领域普通技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。

Claims (14)

1.一种阵列基板的制作方法，包括：
在衬底上依次形成第一金属图案层、第一绝缘层、第二金属图案层和第二绝缘层；
在第二绝缘层上涂覆光致抗蚀剂；
通过对光致抗蚀剂进行曝光和显影而形成光致抗蚀剂图案，并且形成蚀刻保护层，其中，在阵列基板的第一区中，所述光致抗蚀剂图案暴露第二绝缘层的顶表面的部分，并且通过蚀刻保护层与第二绝缘层接合，并且其中，在所述第一区中，第二绝缘层与第二金属图案层在衬底上的正投影重叠；以及在所述第一区中，以光致抗蚀剂图案作为掩模而蚀刻掉蚀刻保护层并且蚀刻第二绝缘层的至少部分而不蚀刻第一绝缘层，从而暴露第二金属图案层的部分并且形成液晶导流槽。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光致抗蚀剂图案还暴露阵列基板的第二区中的第二绝缘层，并且其中，在所述第二区中，第二绝缘层与第一金属图案层在衬底上的正投影重叠，
所述方法还包括：
在所述第二区中，以光致抗蚀剂图案作为掩模而蚀刻掉第一绝缘层和第二绝缘层，从而暴露第一金属图案层。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述蚀刻保护层与所述光致抗蚀剂图案的材料相同。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述形成蚀刻保护层的步骤包括：
在所述第一区中，采用光致抗蚀剂填充光致抗蚀剂图案与第二绝缘层之间的夹缝。
5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述通过对光致抗蚀剂进行曝光和显影而形成光致抗蚀剂图案并且形成蚀刻保护层的步骤包括：
采用半阶调光刻掩模板对光致抗蚀剂进行曝光，使得在第一区中，光致抗蚀剂被部分曝光；
对曝光后的光致抗蚀剂进行显影，从而在第一区中同时形成蚀刻保护层和光致抗蚀剂图案。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，采用半阶调光刻掩模板对光致抗蚀剂进行曝光，还使得在所述第二区中，光致抗蚀剂被完全曝光。
7.根据权利要求1所述的方法，还包括，在形成第二金属图案层之前，在第一绝缘层上形成有源层图案。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，第一金属图案层为栅金属图案层，第一绝缘层为栅极绝缘层，第二金属图案层为源漏金属图案层，并且第二绝缘层为钝化层。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，第一金属图案层为源漏金属图案层，第一绝缘层为栅极绝缘层，第二金属图案层为栅金属图案层，并且第二绝缘层为钝化层。
10.根据权利要求8或9所述的方法，其中，所述栅金属图案层包括公共电极线图案。
11.根据权利要求10所述的方法，还包括，在形成液晶导流槽之后，去掉光致抗蚀剂图案，并且形成像素电极图案层。
12.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一区和所述第二区位于阵列基板的像素区中。
13.一种液晶显示设备的制作方法，包括：
根据权利要求1-12中任一项所述的方法来形成阵列基板；
在阵列基板上形成液晶层；以及
在液晶层上形成与阵列基板对盒的彩膜基板。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，在阵列基板上提供液晶层包括，通过液晶导流槽导流液晶，从而使液晶在阵列基板的像素区中连续分布。
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