CN107393807A - 使用发色团和曝光除去聚合物 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及使用发色团和曝光除去聚合物。一种用于处理基底的方法，其包括接收在基底的表面上具有氟化聚合物残余物的基底。处理氟化聚合物残余物以提供对电磁(EM)辐射暴露敏感度增加的经处理的氟化聚合物残余物。将经处理的氟化聚合物残余物在含氧环境中进行EM辐射处理以促进从所述基底除去氟化聚合物残余物的清洁工艺。

Description

使用发色团和曝光除去聚合物
相关申请的交叉引用
本专利申请要求2016年3月25日提交的临时申请序列号62/313,351的权益。该临时申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开内容涉及半导体材料的加工，特别地涉及清洁技术和材料除去技术。
背景技术
集成电路和半导体器件的制造可涉及许多不同类型的加工技术。这样的技术通常涉及使基底图案化并使用图案来制造多种不同的牺牲结构和/或永久结构。例如，可使用光刻法利用辐射敏感材料例如光刻胶的薄层来产生图案化层。将该辐射敏感层转化为图案化掩模，其可用于将图案蚀刻或转移到基底上的一个或更多个下层中。因此，图案化的光刻胶层可充当一个或更多个下层的定向(各向异性)蚀刻的掩模。可对多种不同材料中的任何一种进行图案化，包括氧化物、有机材料、硬掩模、金属等。
集成电路和半导体器件的制造可以是沉积材料、改性材料、图案化材料和除去材料的循环工艺。通常需要除去给定基底上的一种类型的材料而不除去其他类型的材料。可实施多种不同的清洁工艺以从给定基底上选择性地除去或清洁材料。这样的清洁工艺可包括使用特定化学物质和/或物理机制以从基底上清洁或除去材料的湿清洁技术(例如反应性液体化学品)和干清洁技术(例如基于等离子体的清洁)。通常，重要的是选择性地除去材料而不损坏剩余的下层材料。
发明内容
如背景技术中所述，重要的是选择性地除去材料而不损坏剩余的下层材料。当设备节点(node)减小到更小的尺寸时，这种避免损坏下层材料的需要可能变得更加关键。在半导体加工期间选择性除去的材料可包括碳膜、光刻胶和蚀刻后聚合物。通常，可使用高温氧化工艺或等离子体灰化(ashing)工艺除去这样的膜。然而，这样的高温和基于等离子体的除去技术可能损坏下层。例如，低k电介质和其他绝缘材料可容易地被常规除去技术例如基于等离子体的除去和侵蚀性(aggressive)湿清洁损坏。
蚀刻后聚合物残余物可能特别难以除去。用于蚀刻硅、氧化硅和碳掺杂的氧化物的蚀刻工艺依赖于在反应离子蚀刻室中使用全氟烃和烃气体的混合物。这样的蚀刻工艺的结果是在基底上的氟化聚合物残余物，其应该被除去。用波长高于185nm的紫外(UV)光辐照这些蚀刻后聚合物可使得在随后的湿清洁工艺中能够更容易地除去这些膜。然而，这种UV辐照可能损坏下层膜。例如，本发明人认识到，尽管增加UV剂量可能有助于除去聚合物残余物，但这样的增加的UV暴露可能会损坏基底上的材料和器件。
因此，本发明的一个目的是通过在将残余物暴露于电磁(EM)辐射同时使这样的辐射对聚合物残余物下面的材料的损伤作用最小化来促进蚀刻后聚合物残余物的除去。
一个实施方案包括加工基底的方法。该方法包括接收在基底表面上沉积有氟化聚合物残余物的基底。处理聚合物残余物以增加聚合物残余物对EM辐射的敏感度。将经处理的蚀刻后聚合物残余物在含氧环境中暴露于EM辐射以促进蚀刻后聚合物的除去。
当然，为了清楚起见，已经提出了如本文所述的不同步骤的讨论顺序。通常，这些步骤可以以任何合适的顺序进行。另外，尽管本文的各个不同的特征、技术、配置等可在本公开内容的不同地方讨论，但是其意图是可以彼此独立地或者彼此组合地执行每个概念。因此，本发明可以以许多不同方式进行实施和观察。
注意，该概述部分没有指定本公开内容或所要求保护的发明的每个实施方案和/或增加的新的方面。相反，该概述仅提供了与常规技术相比的不同实施方案和对应的新颖点的初步讨论。关于本发明和实施方案的附加细节和/或可能的观点，读者将参考以下进一步讨论的本公开内容的详细描述部分和相应附图。
附图说明
图1是示出根据一个实施方案用于加工基底的方法的流程图；
图2A、2B、2C、2D、2E、2F、2G和2H例示了多种不同的发色团或染料的吸收光谱；
图3A、3B、3C和3D示出了在同一图形比例尺上多种不同的发色团或染料的吸收光谱的比较；
图4A和4B是例示了与本文公开的技术一起使用的用于产生单线态(singlet)氧之相应光波长的示例化合物和原子结构的表格；
图5是例示了用于在例如用于半导体晶片的基底清洁工具的系统上进行聚合物膜的液相发色团掺杂的示例加工流程的流程图；
图6例示了在光辐照(可见光和/或UV)和湿清洁之前进行聚合物膜的气相发色团掺杂的工艺流程的实例；以及
图7A、7B和7C示出了基底加工工具的示例实施方案。
具体实施方式
如上所述，本发明的一个目的是通过将残余物暴露于电磁(EM)辐射同时使这样的辐射对聚合物残余物下面的材料的损伤作用最小化而促进蚀刻后聚合物残余物的除去。
在含氧环境中用紫外光辐照氟化的蚀刻后聚合物膜来改性膜中聚合物片段的化学组成。增加UV剂量可导致在聚合物网络内形成的α氟取代的羰基(FxC＝O)和醇官能团(C-OH)的量增加。然而，相比之下，增加UV剂量可减少饱和CF2的量。含氧环境可以是包含氧的液体和/或包含氧的工艺气体。
蚀刻后聚合物膜中这些变化的一种机理是间接的光降解，原因是使用的一些UV波长(>230nm)不足以直接断裂聚合物残余物中的强CF键(480-540kJ/mol)。如本文所公开的，光降解机理包括通过羰基发色团和聚合物片段内的共轭碳链吸收入射的UV光(例如>230nm)，以及氧从存在于基底加工室中的三线态(triplet)氧(3O2)形成单线态氧(1O2)的能量转移。与常见状态的其三线态的氧相比，单线态氧是高度氧化的。单线态氧具有足够的反应性以通过引入氧气形成羰基(C＝O)和醇(C-OH)来化学改性氟化的蚀刻后聚合物，并引起聚合物片段的链断裂和氧化成CO或CO2蒸气。
本文的技术包括通过增加蚀刻后聚合物膜的EM敏感度来扩大EM暴露步骤的工艺窗口。通过增加EM敏感度，可减少总的EM暴露剂量，这可限制EM辐射对下面材料(例如低k电介质)的任何负面影响。例如，本文公开的技术包括用于增加蚀刻后聚合物膜对UV和可见光谱光波长中的光的敏感度以产生单线态氧的方法和系统。单线态氧的产生有助于从蚀刻后聚合物中除去CF2键，并促进用湿清洁化学物质的完全除去。
本发明人认识到，蚀刻后聚合物膜通常表现出低含量的羰基，其宽吸收范围为240nm至300nm，聚合物膜厚度高达10nm至20nm。因此，等离子体沉积的聚合物具有相对较低的UV辐射吸收并且可允许UV渗透到下面的膜中。根据下面的膜的组成，下面的膜可能被透过聚合物膜的UV光所损坏。
利用本文公开的技术，通过在其上具有蚀刻后聚合物的基底上沉积目标发色团来增加聚合物膜的敏感度。这种发色团能够显著改善光子吸收，一般地，UV吸收和/或在更长的光波长(包括可见光)下的吸收，其具有较少的能量来损害下面的敏感膜。更高的光子吸收将支持聚合物表面上更高的单线态氧产生速率以便更容易地除去聚合物。这可提供待施加的更低的UV-可见光剂量，并缩短整个工艺时间。
为了最大化光子产率，在从基底扩散到加工室气氛中或者通过聚合物膜扩散到下面的材料/层中之前通过与氟化的蚀刻后聚合物反应有利于由发色团产生的单线态氧。如果下面的材料是多孔的(例如，具有Si、C、O和H的组成的多孔低k电介质或旋涂型多孔/介孔(merosporous)材料)，则在到达可导致损坏的下层之前使光子与发色团反应是有利的。
图1是示出根据一个实施方案用于加工基底的方法的流程图。步骤101包括接收在基底的工作表面上沉积有氟化聚合物残余物的基底。氟化聚合物残余物通常作为给定浮凸图案到一个或更多个下层中的等离子体蚀刻转移的结果来沉积的。用于蚀刻转移的相应等离子体包括含氟和含烃气体。换言之，在将聚合物副产物留在晶片上的基于等离子体的蚀刻之后，晶片被接收或以其他方式使用。一个或更多个下层可以是硅、氧化硅、碳掺杂的氧化物、低k材料和/或硬掩模材料。基底上可具有例如晶体管、沟槽、通孔(vias)等的微结构。
在步骤103中，处理蚀刻后聚合物以增加聚合物材料对EM暴露的敏感度。在一个实施方案中，通过向基底添加吸收增强材料来增加敏感度。吸收增强材料可沉积在基底和聚合物残余物上，或并入聚合物残余物内。吸收增强材料可包括光吸收能力大于氟化聚合物残余物本身的光吸收能力的发色团。例如，与氟化聚合物残余物相比，发色团具有更大的产生单线态氧的能力。
吸收增强材料可包括包含增加导致产生单线态氧的电磁(EM)辐射吸收的羰基的单体物质、低聚物物质或高聚物(polymer)物质。这样的吸收增强材料可通过气相沉积、启动化学气相沉积(initiated chemical vapor deposition,iCVD)或通过包含溶剂和溶质的液体的旋涂沉积来进行沉积。气相沉积可包括使基底暴露于过氧物质。液体沉积可包括沉积选自单体、低聚物和高聚物的物质。任选地，可用发色团沉积氟清除物质。
在另一些实施方案中，吸收增强材料包括两种(或更多种)染料。可以选择特定的染料和/或光源进行匹配。例如，两种光源可以与两种染料匹配，使得两种光源分别提供用于产生单线态氧的两种染料的峰吸收值处的光波长。相对于断裂氟化聚合物内的化学键，将吸收增强材料沉积到基底上增加了氟化聚合物残余物对紫外光或可见光的敏感度。
接着，在步骤105中，如步骤105所示，在含氧环境中用光辐照氟化聚合物残余物和吸收增强材料。用光辐照包括用紫外光和/或可见光谱光辐照。紫外线包括从吸收增强材料产生单线态氧的波长。可见光谱光还包括从吸收增强材料产生单线态氧的波长。
在步骤105中暴露后可进行使用液体化学物质从基底除去氟化聚合物残余物的湿清洁工艺。例如，可将液体化学物质沉积在除去改性聚合物膜的旋转基底上。
本文中用于改进单线态氧的产率的一个实施方案是在用产生单线态氧的光波长照射发色团的同时加热基底。可通过使用加热的卡盘、蒸气和/或通过红外辐射或发色团照射光源或其他方式来加热给定的基底。例如，宽频带闪光灯可发出190nm至1100nm波长的光，并且可将硅基底加热至400℃。另一些实施方案包括在显著较低的温度下(例如低于200℃、100℃，甚至在室温下)从发色团和可见光产生单线态氧。
对于敏感的膜堆叠(stack)，保持基底温度低于400℃或200℃或更低是有益的。因此，选择在辐照期间维持的给定的基底温度可取决于下面的基底材料。通常，较高的基底温度通常在预处理期间允许更短的辐照持续时间，但是较高的温度可能损坏某些基底上的材料。对于坚固的基底材料，可使用较高的温度，但是对于较不坚固的材料，较低的温度更有利。例如，通过使用可见光以及沉积的发色团来帮助去除电介质和膜上的氟化蚀刻后残留物，未暴露于UV辐射的热固化膜(沉积并然后烘烤)可能有利。因此，可基于蚀刻后聚合物膜下面的材料的性质来选择经处理的聚合物残余物的具体热量和EM暴露量的组合。
不管工艺温度如何，使用可见光和发色团(或其组合)都是有益的。例如，一些电介质材料被UV固化或硬化。然而，另一些电介质材料不会被UV固化，因此可能对UV/空气暴露敏感，因为这样的电介质材料可能被UV光损坏。因此，用发色团和可见光改性蚀刻后聚合物对于某些材料组合是有益的。
用于增加聚合物膜的EM辐射敏感度的技术包括主动地将含有羰基和/或共轭碳键的单体、低聚物或高聚物物质添加到蚀刻后基底上以增加电磁辐射的吸收以及产生单线态氧。通过具有较高浓度的羰基发色团，增加了UV吸收和单线态氧的产生。此外，具有更高的单线态氧的产生加快进一步将氧并入到等离子体沉积的氟化聚合物膜中，这促进膜的除去，例如通过湿蚀刻。
向蚀刻后聚合物表面添加羰基物质有许多选择。例如，在图案化之后，可将含氧物质添加到等离子体中以促进形成更多的C＝O物质。这样的等离子体加工可能是挑战性的，原因是损坏具有高能量氧物质的低k电介质材料的风险。另一个选择是在蚀刻后加工室中进行气相沉积以将基底暴露于羰基单体、低聚物或高聚物蒸气。蒸气可低于、处于或高于相应室内的饱和条件。可通过相对于给定的蒸气饱和条件(即，蒸气相对于基底的温度)控制基底的温度从而控制基底上的羰基物质的沉积速率和量。
另一个选择是使用启动化学气相沉积(iCVD)。iCVD工艺可将聚合物沉积到图案化的基底上。iCVD的一个优点是进行薄高聚物/低聚物膜的共形沉积或非共形沉积的能力以及原位聚合单体的能力。低聚物和高聚物的沉积优选进行后段制程(back-end-of-line，BEOL)蚀刻后工艺以防止单体渗透到多孔低k电介质中。另一种选择是含有溶剂和溶质的液体的旋转沉积，其可以是含羰基的单体、低聚物或高聚物。此外，还可以进行暴露于过氧化物蒸气例如臭氧、原子氧、单线态氧、过氧化氢或羟基自由基。
通过向沉积的发色团中添加氟清除功能可增强本文的技术。来自蚀刻工艺的游离氟有助于可对集成器件产生显著的负产量影响的等待时间作用。氟清除材料是通常可获得的，例如来自Stabilization Technologies，LLC的STF产品或普通包含氟的硅清除剂例如原硅酸四乙酯(TEOS)、二乙基硅烷、四氟硅烷、含苯或乙炔的烃、一氧化碳蒸气。对于一氧化碳的使用，发色团沉积过程中的气氛可以用游离的一氧化碳连续吹扫从而助于除去游离氟。
在一些实施方案中，待沉积的吸收增强材料(例如给定的发色团或发色团组)可调谐到选择用于辐射辅助预清洁的辐射。例如，如果选择使用的给定光源(灯、激光等)提供从230nm至1100nm的宽频带辐射，则可在聚合物残余物上沉积一种或更多种发色团以吸收尽可能多的波长。作为非限制性实例，523nm绿光(或含有这种绿光的白光)可用于对可见光谱光作出反应的沉积的发色团(例如玫瑰红)。
另一个选择是将富含发色团的液体分配到旋转基底上，同时用引起相应的发色团产生单线态氧的光进行辐照。可以连续分配化学物质以保持基底完全润湿，或者化学物质可被脉冲化，使得基底表面在脉冲之间干燥。
由于多种不同的有机部分对辐射的吸收，本文有多个可选择的实施方案。例如，为了增加260nm辐射的吸收，可在蚀刻后聚合物膜上和/或内部引入更多的共轭二烯。通常，分子越大，吸收的辐射波长越长。图2A至2H例示了多种不同的发色团或染料的吸收光谱。图3A、3B、3C和3D示出了在相同的图示比例尺上多种不同的发色团或染料的吸收光谱的比较。在一些实施方案中，选择具有与光辐照源匹配的峰值吸收波长的吸收增强材料以使单线态氧的产生最大化。图4A和4B是例示了用于使用产生本文公开的技术产生单线态氧之相应光波长的示例化合物和原子结构的表格。
本文中的吸收增强材料可包括染料、有机光敏剂等。注意，任何数量的染料、光敏剂或染料的组合可与本文的实施方案一起使用。用于选择的示例染料包括但不限于：白芷素、生物大分子、硫属元素吡喃鎓(chalcogenapyrillium)染料、二氢卟酚(杂)、叶绿素、香豆素(杂)、青色素、DNA及相关化合物、药物(杂)、黄素和相关化合物、富勒烯、金属酞菁、金属卟啉、亚甲蓝衍生物、萘二甲酰亚胺、萘胺(naphthalocy anines)、天然化合物(杂)、尼罗兰衍生物、NSAID(非甾体抗炎药)、苝醌(perylenequinone)、酚、脱镁叶绿酸盐、脱镁叶绿素、光敏剂二聚体和共轭物、酞菁、卟吩(porphycene)、卟啉、补骨脂素、紫红素、醌、维甲类、罗丹明、噻吩、verdins、维生素、呫吨染料。
图5是例示了用于在例如用于半导体晶片的基底清洁工具的系统上进行聚合物膜的液相发色团掺杂的示例加工流程的流程图。注意，一些发色团可能具有能够在可见光谱内从白光或多种不同光波长产生单线态氧的化学结构。使用这样的发色团可能不需要随后的UV曝光。换言之，在基底上沉积一种或更多种染料后，可从可见光产生足够的单线态氧，其不需要UV曝光来预处理氟化聚合物用于随后的去除，这样可最小化UV曝光对下层材料的损伤的任何可能性。
在步骤401中，使用碳氟化合物蚀刻晶片，从而得到如上所述的蚀刻后聚合物膜沉积。然后在步骤403中将基底转移到清洁工具，并暴露于空气中大于240nm UV的UV波长从而使蚀刻后膜疏水(任选)。
在步骤407中将发色团分配到基底上，其中使选择的溶剂能够好的渗透(例如H2O/DMSO混合物)。在步骤409中，停止分配，并且基底旋转干燥，使得发色团处于聚合物膜的表面上和内部。
在步骤411中，用与发色团的吸收峰波长相匹配的UV辐照基底。暴露导致在聚合物膜上和聚合物膜内产生单线态氧，其加速C-Fx除去，如步骤413所示。在415中，使用后段制程(BEOL)聚合物除去制剂化学物质以除去经改性的蚀刻后聚合物膜以及在417中将基底漂洗并干燥。
图6例示了在光辐照(可见光和/或UV)和湿清洁之前进行聚合物膜的气相发色团掺杂的工艺流程的实例。在501中，使用碳氟化合物蚀刻晶片，并且在步骤503中，在具有或不具有F清除化学物质的情况下，在蚀刻工具内沉积气相发色团。在505中，用与发色团吸收匹配的UV辐照晶片(其可在蚀刻或清洁工具上完成)。在507中，在聚合物膜上和聚合物膜内产生加速C-FX除去的单线态氧。在509中，将晶片转移到使用湿清洁制剂的清洁工具以除去经改性的蚀刻后聚合物膜。在511中将晶片漂洗并干燥。
图7A、7B和7C示出了基底加工工具的示例实施方案。图7A的系统示出了具有六个蚀刻室的常规配置。图7B的系统例示了图7A的两个蚀刻室被蚀刻后处理室602、604所替代的实施方案。图7C的系统是在气氛转移区(真空或气氛加工室)具有蚀刻后处理室606的替代平台配置。
在另一些实施方案中，在沉积吸收增强材料之前通过用UV辐照基底，氟化聚合物残余物可被改性为疏水的或亲水的。此外，将吸收促进材料沉积在基底上、辐照吸收增强材料以及执行湿清洁工艺的步骤都可在单个加工室内或在单个加工工具或平台的多个不同模块内执行。
另一些实施方案可包括在辐照氟化聚合物残余物和吸收促进材料的同时加热基底。可使用上述任一机理来实现加热，例如加热卡盘、红外线灯或宽频带闪光灯。给定的基底可在25摄氏度和400摄氏度之间加热。该聚合物改性处理的给定持续时间可取决于下层的类型、聚合物的厚度、光强度、聚合物厚度、染料的类型等。在另一个实施方案中，基于一个或更多个下层的材料性质将基底加热至预定温度。例如，如果聚合物残余物之下的给定膜被热固化(非UV固化)并且易受高热影响，则可使用可见光和足够低的温度以防止对下层的损伤。如果确定下层不受UV和/或更高温度的影响，则可将基底保持在相对较高的温度，并用较高强度的光暴露持续相对较短的暴露持续时间，这可以增加产量。
因此，本文的技术能够选择性地改善基底上的膜的辐射吸收，并因此通过系统间交叉产生单线态氧。更高浓度的单线态氧加快了氧物质进一步并入到聚合物膜中并有助于除去蚀刻后聚合物中的CF2键从而使得能够成功地进行蚀刻后清洁。
在前面的描述中，已阐述了具体细节，例如加工系统的特定几何形状以及其中使用的多种不同组件和工艺的描述。然而，应理解，本文的技术可以在背离这些具体细节的另一些实施方案中实践，并且这样的细节是出于解释而非限制的目的。已参照附图描述了本文公开的实施方案。类似地，出于说明的目的，已阐述了具体的数字、材料和配置以提供透彻的理解。然而，可以在没有这些具体细节的情况下实践实施方案。具有基本上相同的功能结构的部件由相同的附图标记表示，因此可省略任何冗余的描述。
多种不同技术已经描述为多个独立操作以帮助理解多种不同实施方案。描述的顺序不应解释为暗示这些操作必须依赖顺序。实际上，这些操作不需要按照呈现的顺序来进行。所描述的操作可以以与所描述的实施方案不同的顺序来进行。在另外的实施方案中可进行多种不同的另外的操作和/或可省略所描述的操作。
如本文所用的“基底”或“目标基底”一般是指根据本发明进行加工的物体。基底可包括器件，特别是半导体或其他电子器件的任何材料部分或结构，并且可例如为基础基底结构(例如半导体晶片、掩模版)或者在基础基底上或覆于基础基底上的层(如薄膜)。因此，基底不限于任何特定的基础结构、下层或上层、图案化或未图案化的，而是预期包括任何这样的层或基础结构，以及层和/或基础结构的任何组合。该描述可以参考特定类型的基底，但是这仅是出于说明的目的。
本领域技术人员还将理解，可对以上解释的技术的操作进行许多变化，同时仍然实现本发明的相同目的。这样的变化旨在被本公开内容的范围覆盖。因此，本发明的实施方案的以上描述不旨在是限制性的。相反，本发明的实施方案的任何限制在以下权利要求中给出。

Claims (20)

1.一种用于加工基底的方法，所述方法包括：
接收在基底的表面上具有氟化聚合物残余物的所述基底；
处理所述氟化聚合物残余物以提供对电磁(EM)辐射暴露具有增加的敏感度的经处理的氟化聚合物残余物；以及
将所述经处理的氟化聚合物残余物在含氧环境中暴露于EM辐射以促进用于从所述基底除去所述氟化聚合物残余物的清洁工艺。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述处理包括在所述基底上沉积吸收增强材料，所述吸收增强材料的光吸收能力大于所述氟化聚合物残余物的光吸收能力。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述沉积包括在所述基底上沉积发色团，所述发色团的UV光吸收能力大于所述氟化聚合物残余物的UV光吸收能力。
4.根据权利要求2所述的方法，其中所述吸收增强材料包括选自单体物质、低聚物物质和高聚物物质的物质，所述物质包含增加对引起产生单线态氧的电磁辐射的吸收的羰基。
5.根据权利要求2所述的方法，其中所述吸收增强材料通过气相沉积、通过启动化学气相沉积(iCVD)或通过包含溶剂和溶质的液体的旋涂沉积而沉积。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述吸收增强材料通过所述气相沉积而沉积，所述气相沉积包括将所述基底暴露于过氧化物物质。
7.根据权利要求5所述的方法，其中所述吸收增强材料通过旋涂沉积而沉积，所述液体包括选自单体、低聚物和高聚物的物质。
8.根据权利要求3所述的方法，还包括用所述发色团沉积氟清除物质。
9.根据权利要求2所述的方法，其中所述吸收增强材料包含一种或更多种染料，所述方法还包括将一种或更多种光源与所述一种或更多种染料匹配使得所述一种或更多种光源分别提供在用于产生单线态氧的一种或更多种染料的峰吸收值处的光波长。
10.根据权利要求2所述的方法，还包括：
选择用于在含氧环境中辐照所述氟化聚合物残余物和所述吸收增强材料的宽频带光源；以及
选择用于所述吸收增强材料的两种或更多种染料，所述两种或更多种染料具有匹配所述宽频带光源的光吸收光谱。
11.根据权利要求2所述的方法，其中在所述基底上沉积所述吸收增强材料增加所述氟化聚合物残余物对与断裂所述氟化聚合物残余物内的化学键相关的光的敏感度。
12.根据权利要求2所述的方法，其中所述暴露包括用紫外光和可见光谱光辐照所述基底。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述紫外光包括从所述吸收增强材料产生单线态氧的波长。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述可见光谱光包括从所述吸收增强材料产生单线态氧的波长。
15.根据权利要求2所述的方法，其中在所述基底上沉积所述吸收增强材料、辐照所述吸收增强材料以及执行湿清洁工艺的步骤均在单个加工室内执行。
16.根据权利要求2所述的方法，还包括：在沉积所述吸收增强材料之前，通过在含氧气氛中用UV辐照所述基底将所述氟化聚合物残余物改性以使其变得疏水。
17.根据权利要求2所述的方法，还包括在辐照所述氟化聚合物残余物和所述吸收增强材料的同时加热所述基底。
18.根据权利要求17所述的方法，其中：
所述加热所述基底包括在25摄氏度和400摄氏度之间加热所述基底；以及
所述辐照包括用可见光谱光辐照所述基底。
19.根据权利要求2所述的方法，还包括进行给定浮凸图案到所述基底的一个或更多个下层的基于等离子体的蚀刻转移，所述基于等离子体的蚀刻转移的等离子体包括含氟和含烃的气体，其中所述氟化聚合物残余物作为所述基于等离子体的蚀刻转移的结果而沉积。
20.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述暴露之后，执行使用液体化学物质以从所述基底除去所述氟化聚合物残余物的湿清洁工艺。
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