CN107369751B - 一种发光二极管芯片及其制作方法 - Google Patents
一种发光二极管芯片及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107369751B CN107369751B CN201710560564.4A CN201710560564A CN107369751B CN 107369751 B CN107369751 B CN 107369751B CN 201710560564 A CN201710560564 A CN 201710560564A CN 107369751 B CN107369751 B CN 107369751B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- conduction type
- light
- emitting diode
- backlight unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 12
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 230000026267 regulation of growth Effects 0.000 claims description 6
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 claims 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
一种发光二极管芯片及其制作方法，依靠绝缘层将第一电连接层与第二电连接层彼此电绝缘，在绝缘层内设置附属发光二极管芯片结构，附属发光二极管芯片结构具有完整的外延序列，利用绝缘层在发光二极管芯片内构建良好的电流通道，通过串联原发光二极管和附属发光二极管，增强发光二极管芯片的出光效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管的芯片结构和制作工艺。
背景技术
高功率高亮度发光二极管（LED）在当下高亮度照明市场的需求下凸显出了其重要性。在蓝宝石为衬底的水平结构LED上，由于蓝宝石的散热问题和电流拥挤效应，在高电流密度下操作极易过热导致芯片烧毁，因此高功率LED无法采用水平结构。而垂直结构LED，因其衬底可以置换成散热性和导热性良好的材料（例如：Si，CuW等），并且垂直结构无电流拥挤效应，电流可以很好的扩展，所以可以操作在超高电流密度下（例如：2.5A/mm2以上），实现大功率高亮度LED。为了获得更优的电流扩展，参看图1，在垂直结构LED中，往往采用多孔结构的超垂直LED（Pro-VTF）。如何在超垂直LED上进一步提高亮度实现大功率发光二极管是目前LED市场的一个热点。
发明内容
为了解决背景技术中关于提升亮度的需求，一方面，本发明提供了一种发光二极管芯片的技术方案：
半导体层序列，其具有在第一导电类型的层和第二导电类型的层之间的、设计用于产生辐射的第一有源层，其中
-所述第一导电类型的层与半导体层序列的正侧相邻，
-所述半导体层序列包含至少一个凹处，所述凹处从半导体层序列的与正侧对置的背侧穿过第一有源层延伸到第一导电类型的层，
-借助第一电连接层穿过所述凹处来电连接第一导电类型的层，其中第一电连接层至少局部地覆盖半导体层序列的背侧，
-第一电连接层与第二电连接层借助凹处的绝缘层，彼此电绝缘，
发光二极管芯片在所述凹处的区域中包含另一附属发光二极管芯片结构，所述另一附属发光二极管芯片结构具有第三导电类型的层和第四导电类型的层之间的、设计用于产生辐射的第二有源层，第三导电类型的层与第一电连接层电连接，所述第四导电类型的层与第一导电类型的层通过薄膜电连接层电连接，第一导电类型的层与第三导电类型的层导电类型相同，第二导电类型的层与第四导电类型的层导电类型相同。由于GaN和空气之间折射率差异大，为了增加出光，在第一导电类型的层会采用GaN表面粗化，形成六角锥体。
优选地，所述六角锥体的高度不小于100nm。
优选地，所述凹处的开口直径不小于100nm。
优选地，所述凹处的深度不小于1μm。
优选地，所述第一导电类型的层厚度为2μm~3μm。
优选地，所述绝缘层的材料包括氧化硅、氮化硅、氮化铝、氧化铝或者陶瓷。
优选地，所述绝缘层采用的材料导热系数不小于150w/m*k。
优选地，所述第一导电类型的层与凹处对应的正侧表面有凹坑。
优选地，所述凹坑底部到薄膜电连接层距离为1μm ~2μm。
优选地，所述凹坑的开口直径不小于凹处的开口直径。
优选地，所述薄膜电连接层的厚度为0.5nm~1nm。
优选地，所述薄膜电连接层的材料为Au或者In。
优选地，所述第一有源层所辐射的波长与所述第二有源层所辐射的波长不同。
一方面，本发明还公开了上述发光二极管芯片的制作工艺，至少有三个制作流程组成，
第一流程依次包括：
步骤1.1、在第一衬底上生长第一导电类型的层、第一有源层、第二导电类型的层；
步骤1.2、在与第一有源层异侧的第二导电类型的层表面上制作出复数个凹处，凹处从第二导电类型的层贯穿到第一导电类型的层，裸露出第一导电类型的层；
步骤1.3，在凹处内制作第一金属连接层；
第二流程依次包括：
步骤2.1、在第二衬底上生长第三导电类型的层、第二有源层、第四导电类型的层；
步骤2.2、用连接介质覆盖在与第三导电类型的层异侧的第四导电类型的层上，通过连接介质将第四导电类型的层键合到临时衬底上，随后剥离第二衬底；
步骤2.3、制作从与第四导电类型的层异侧的第三导电类型的层表面开始至少贯穿到连接介质的孔洞，裸露出第三导电类型的层、第二有源层和第四导电类型的层
步骤2.4、在从与第四导电类型的层异侧的第三导电类型的层表面制作第二金属连接层，在第二金属连接层上接合第一电连接层，其后剥离连接介质和临时衬底；
步骤2.5、在裸露出的第三导电类型的层、第二有源层和第四导电类型的层表面覆盖上一层绝缘层，随后将第四导电类型的层表面部分的绝缘层去除，在第四导电类型的层表面去除绝缘层的区域覆盖上薄膜电连接层；
第三流程包括：
步骤3.1、将步骤1.3中的第一金属连接层与步骤2.5中的薄膜电连接层进行键合，制作得到发光二极管芯片。
优选地，所述连接介质包括高聚物或者金属。
与现有技术相比，本发明提供发光二极管芯片，包括的技术效果为：通过在绝缘层内制作另一附属发光二极管，提高整体出光效率。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。
图1是现有技术的LED结构示意图；
图2是实施例1步骤1.1制作的LED结构示意图；
图3是实施例1步骤1.2制作的LED结构示意图；
图4是实施例1步骤1.3制作的LED结构示意图；
图5是实施例1步骤2.1制作的LED结构示意图；
图6是实施例1步骤2.2制作的LED结构示意图；
图7是实施例1步骤2.3制作的LED结构示意图；
图8~图9是实施例1步骤2.4制作的LED结构示意图；
图10是实施例1步骤2.5制作的LED结构示意图；
图11是实施例1步骤3.1制作的LED结构示意图；
图12是实施例1步骤3.1制作的LED结构示意图；
图13是实施例1的LED结构示意图；
图14是实施例3的LED结构示意图；
图中各标号表示如下：11、第一衬底，12、第一导电类型的层，13、第一有源层，14、第二导电类型的层，15、凹处，16、第一金属连接层，21、第二衬底，22、第三导电类型的层，23、第二有源层，24、第四导电类型的层，25、连接介质，26、临时衬底，27、第二金属连接层，28、第一电连接层，29、绝缘层，210、薄膜电连接层,31、六角锥体，32、第二电连接层，41、凹坑。
具体实施方式
下面结合示意图对本发明的发光二极管芯片及其制作方法进行详细的描述，在进一步介绍本发明之前，应当理解，由于可以对特定的实施例进行改造，因此，本发明并不限于下述的特定实施例。还应当理解，由于本发明的范围只由所附权利要求限定，因此所采用的实施例只是介绍性的，而不是限制性的。除非另有说明，否则这里所用的所有技术和科学用语与本领域的普通技术人员所普遍理解的意义相同。
实施例1
本实施先提供一种发光二极管芯片的制作方法，由至少三个制作流程组成，第一流程依次包括：
步骤1.1、请参看附图2，在第一衬底11上依次生长第一导电类型的层12、设计用于产生辐射的第一有源层13、第二导电类型的层14，
步骤1.2、请参看附图3，在与第一有源层13异侧的第二导电类型的层14表面上制作出复数个凹处15，凹处15从第二导电类型的层14贯穿到第一导电类型的层12，裸露出第一导电类型的层12，凹处15的开口直径不小于100nm，凹处15深度不小于1μm；
步骤1.3，请参看附图4，在凹处15内制作第一金属连接层16；
第二流程依次包括：
步骤2.1、请参看附图5，在第二衬底21上依次生长第三导电类型的层22、第二有源层23、第四导电类型的层24；
步骤2.2、请参看附图6，用连接介质25覆盖在与第三导电类型的层22异侧的第四导电类型的层24上，其后键合临时衬底26，再剥离第二衬底21，连接介质25可以是高聚物或者金属；
步骤2.3、请参看附图7，制作从与第四导电类型的层24异侧的第三导电类型的层22表面开始至少贯穿到连接介质25的孔洞，裸露出第三导电类型的层22、第二有源层23和第四导电类型的层24;
步骤2.4、请参看附图8，在从与第四导电类型的层24异侧的第三导电类型的层22表面制作第二金属连接层27，请参看图9，在第二金属连接层27上接合第一电连接层28，其后剥离连接介25和临时衬底26；
步骤2.5、请参看图10，在裸露出的第三导电类型的层22、第二有源层23和第四导电类型的层24表面覆盖绝缘层29，绝缘层29材料包括氧化硅、氮化硅、氮化铝、氧化铝或者陶瓷，绝缘层29材料导热性要好，导热系数最好不小于150w*m-1*k-1，本实施例选择为氮化铝作为绝缘层29材料，很好地解决了热量无法扩散导致性能不佳的问题，绝缘层29厚度为0.5nm~1nm。随后将第四导电类型的层24表面部分的绝缘层29去除，在与第三导电类型的层22异侧的第四导电类型的层24表面去除绝缘层29的区域覆盖上薄膜电连接层210，由于薄膜电连接层210设置在光出口方向上，为了避免遮光，优选可以制作薄层、透光性比较好的金属，例如Au或In，本实施例选用的材料是Au，薄膜电连接层210的厚度为0.5nm~1nm，从图中可以看出，第一电连接层28、第三导电类型的层22、第二有源层23、第四导电类型的层24、薄膜电连接层210等结构，已构成另一小型附属发光二极管外延结构；
第三流程包括：
步骤3.1、请参看图11，将步骤1.3中的第一金属连接层16与步骤2.5中的薄膜电连接层210进行键合，制作得到图12中发光二极管芯片，本实施例中，第一电连接层28隔着绝缘层29，至少局部地覆盖第二导电类型的层14。对第一导电类型的层12进行减薄，第一导电类型的层12的厚度为2μm~3μm。本实施例的第一导电类型的层12、第三导电类型的层为N型半导体材料22，第二导电类型的层14、第四导电类型的层24为P型半导体材料。本实施例的第一有源层13与第二有源层23的辐射波长相近，波长差不超过1nm，增加出光亮度。由于第一导电类型的层12和空气之间折射率存在差异，为了增加出光，在第一导电类型的层12会采用表面粗化，形成六角锥体31。
请参考图13，完成步骤3.1后，再做出第二电连接层32的台阶面，并在其上制作第二电连接层32。本实施例就完成了第一流程中包括薄膜电连接层210、第一导电类型的层12、第一有源层13、第二导电类型的层14、第二电连接层32的发光二极管芯片结构和第二流程中包括第一电连接层28、第三导电类型的层22、第二有源层23、第四导电类型的层24、薄膜电连接层210的另一小型附属发光二极管芯片结构串联。由于绝缘层构建的电流通道曲折地设置在芯片内部，所以相比常规LED结构，本实施例的发光二极管兼具了更良好的电流扩展性的优势。
实施例2
请参看图13，本实施提供一种发光二极管结构，
具有半导体层序列，其具有在第一导电类型的层12和第二导电类型的层14之间的、设计用于产生辐射的第一有源层13，
-所述第一导电类型的层12与半导体层序列的正侧相邻，即定义图中向上为正侧，向下为背侧，
-所述半导体层序列包含至少一个凹处15，所述凹处15从半导体层序列的与正侧对置的背侧穿过第一有源层13延伸到第一导电类型的层12，
-借助第一电连接层穿过所述凹处来电连接第一导电类型的层12，其中第一电连接层28至少局部地覆盖半导体层序列的背侧，
-第一电连接层28与第二电连接层32借助凹处的绝缘层29，彼此电绝缘，
发光二极管芯片在所述凹处15的区域中包含另一小型附属发光二极管芯片结构，所述小型发光二极管芯片结构具有第三导电类型的层22和第四导电类型的层24之间的、设计用于产生辐射的第二有源层23，第三导电类型的层22与第一电连接层28电连接，所述第四导电类型的层24与第一导电类型的层12通过薄膜电连接层210电连接，第一导电类型的层12与第三导电类型的层22导电类型相同，第二导电类型的层14与第四导电类型的层24导电类型相同。
第一导电类型的层12的正侧表面采用表面粗化，形成六角锥体31，增加出光。
本实施例与实施例1的区别在于，发光二极管芯片中第一有源层13跟小型的发光二极管芯片中的第二有源层23，所辐射的出光波长不同。本实施例可以运用在特殊光需求的领域，例如在奇幻光空间、装饰品或者玩具上进行应用。本实施例实现了更小体积的发光二极管即可混合色彩的出光。
本实施例如果将第一有源层13的辐射波长设置成绿光或近绿光波段，而第二有源层23的辐射波长设置成红光或近红光波段，或者两者相反设置，则适合应用为植物照明的生长光源。
实施例3
请参看图14，本实施提供一种发光二极管结构，
具有半导体层序列，其具有在第一导电类型的层12和第二导电类型的层14之间的、设计用于产生辐射的第一有源层13，
-所述第一导电类型的层12与半导体层序列的正侧相邻，即定义图中向上为正，向下为背，
-所述半导体层序列包含至少一个凹处15，所述凹处15从半导体层序列的与正侧对置的背侧穿过第一有源层13延伸到第一导电类型的层12，
-借助第一电连接层28穿过所述凹处15来电连接第一导电类型的层12，其中第一电连接层28至少局部地覆盖半导体层序列的背侧，
-第一电连接层28与第二电连接层32借助凹处15的绝缘层29，彼此电绝缘，
发光二极管芯片在所述凹处15的区域中包含另一小型附属发光二极管芯片结构，所述小型附属发光二极管芯片结构具有第三导电类型的层22和第四导电类型的层24之间的、设计用于产生辐射的第二有源层23，第三导电类型的层22与第一电连接层电28连接，所述第四导电类型的层24与第一导电类型的层12通过薄膜电连接层电210连接，第一导电类型的层12与第三导电类型的层22导电类型相同，第二导电类型的层14与第四导电类型的层24导电类型相同。
第一导电类型的层12的正侧表面采用表面粗化，形成六角锥体31，增加出光。
第一导电类型的层12与凹处15对应的正侧表面有凹坑41。凹坑41底部到薄膜电连接层210的距离为1μm~2μm。所述凹坑41的开口直径不小于凹处15的开口直径。通过凹坑41的设计，缩短小型附属发光二极管的在第一导电类型的层12内光路程，减少第一导电类型的层12吸光，提高出光光效。
除了应用为常规照明LED，作为本实施例的一种变形，第一有源层和第二有源层的辐射波长也可以同时设置为紫外波段，用于制作紫外LED芯片，由于比较高的出光效率，适合制作高效紫外LED器件。
应当理解的是，上述具体实施方案仅为本发明的部分优选实施例，以上实施例还可以进行各种组合、变形。本发明的范围不限于以上实施例，凡依本发明所做的任何变更，皆属本发明的保护范围之内。
Claims (14)
1.一种发光二极管芯片，具有：
半导体层序列，其具有在第一导电类型的层和第二导电类型的层之间的、设计用于产生辐射的第一有源层，其中
-所述第一导电类型的层与半导体层序列的正侧相邻，
-所述半导体层序列包含至少一个凹处，所述凹处从半导体层序列的与正侧对置的背侧穿过第一有源层延伸到第一导电类型的层，
-借助第一电连接层穿过所述凹处来电连接第一导电类型的层，其中第一电连接层至少局部地覆盖半导体层序列的背侧，
-第一电连接层与第二电连接层借助凹处的绝缘层，彼此电绝缘，
其特征在于：发光二极管芯片在所述凹处的区域中包含附属发光二极管芯片结构，所述附属发光二极管芯片结构具有第三导电类型的层和第四导电类型的层之间的、设计用于产生辐射的第二有源层，第三导电类型的层与第一电连接层电连接，所述第四导电类型的层与第一导电类型的层通过薄膜电连接层电连接，第一导电类型的层与第三导电类型的层导电类型相同，第二导电类型的层与第四导电类型的层导电类型相同。
2.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：所述凹处的开口直径不小于100nm。
3.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：所述凹处的深度不小于1μm。
4.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：所述第一导电类型的层厚度为2μm~3μm。
5.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：所述绝缘层的材料包括氧化硅、氮化硅、氮化铝或者氧化铝。
6.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：所述绝缘层采用的材料导热系数不小于150w/m*k。
7.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：所述第一导电类型的层与凹处对应的正侧表面有凹坑。
8.根据权利要求7所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：所述凹坑底部到薄膜电连接层距离为1μm~2μm。
9.根据权利要求7所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：所述凹坑的开口直径不小于凹处的开口直径。
10.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：所述薄膜电连接层的厚度为0.5nm~1nm。
11.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：所述薄膜电连接层的材料为Au或者In。
12.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：所述第一有源层所辐射的波长与所述第二有源层所辐射的波长不同。
13.一种发光二极管芯片的制作方法，至少有三个制作流程组成，
第一流程依次包括：
步骤1.1、在第一衬底上生长第一导电类型的层、第一有源层、第二导电类型的层；
步骤1.2、在与第一有源层异侧的第二导电类型的层表面上制作出复数个凹处，凹处从第二导电类型的层贯穿到第一导电类型的层，裸露出第一导电类型的层；
步骤1.3，在凹处内制作第一金属连接层；
第二流程依次包括：
步骤2.1、在第二衬底上生长第三导电类型的层、第二有源层、第四导电类型的层；
步骤2.2、用连接介质覆盖在与第三导电类型的层异侧的第四导电类型的层上，通过连接介质将第四导电类型的层键合到临时衬底上，随后剥离第二衬底；
步骤2.3、制作从与第四导电类型的层异侧的第三导电类型的层表面开始至少贯穿到连接介质的孔洞，裸露出第三导电类型的层、第二有源层和第四导电类型的层;
步骤2.4、在从与第四导电类型的层异侧的第三导电类型的层表面制作第二金属连接层，在第二金属连接层上接合第一电连接层，其后剥离连接介质和临时衬底；
步骤2.5、在裸露出的第三导电类型的层、第二有源层和第四导电类型的层表面覆盖上一层绝缘层，随后将第四导电类型的层表面部分的绝缘层去除，在第四导电类型的层表面去除绝缘层的区域覆盖上薄膜电连接层；
第三流程包括：
步骤3.1、将步骤1.3中的第一金属连接层与步骤2.5中的薄膜电连接层进行键合，制作得到发光二极管芯片。
14.根据权利要求13所述的一种发光二极管芯片的制作方法，其特征在于：所述连接介质包括高聚物或者金属。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710560564.4A CN107369751B (zh) | 2017-07-11 | 2017-07-11 | 一种发光二极管芯片及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710560564.4A CN107369751B (zh) | 2017-07-11 | 2017-07-11 | 一种发光二极管芯片及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107369751A CN107369751A (zh) | 2017-11-21 |
| CN107369751B true CN107369751B (zh) | 2019-02-12 |
Family
ID=60305994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710560564.4A Active CN107369751B (zh) | 2017-07-11 | 2017-07-11 | 一种发光二极管芯片及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107369751B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108630793B (zh) * | 2018-04-26 | 2020-02-07 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种发光二极管 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102683534B (zh) * | 2012-05-21 | 2015-02-25 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 垂直式交流发光二极管器件及其制作方法 |
| CN203721757U (zh) * | 2013-12-18 | 2014-07-16 | 深圳市斯迈得光电子有限公司 | 高散热性的led封装结构 |
| CN104681704B (zh) * | 2015-01-30 | 2017-08-29 | 大连德豪光电科技有限公司 | 倒装led芯片及其制备方法 |
| CN105355742B (zh) * | 2015-12-04 | 2017-11-07 | 天津三安光电有限公司 | 发光二极管芯片及其制作方法 |
-
2017
- 2017-07-11 CN CN201710560564.4A patent/CN107369751B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107369751A (zh) | 2017-11-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11519564B2 (en) | Light emitting bulb | |
| TWI655793B (zh) | 半導體發光裝置 | |
| CN101933166B (zh) | 无引线接合的晶圆级发光二极管 | |
| CN104409466B (zh) | 倒装高压发光器件及其制作方法 | |
| US6633120B2 (en) | LED lamps | |
| CN108369977A (zh) | 低光学损失倒装芯片固态照明设备 | |
| US20190331303A1 (en) | Led filament and led light bulb | |
| US20120286701A1 (en) | Light Emitting Diode Light Source With Layered Phosphor Conversion Coating | |
| US8587020B2 (en) | LED lamps | |
| US20160087149A1 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
| CN105591012B (zh) | 制造发光设备的方法和发光模块检查设备 | |
| CN109585618B (zh) | 一种高压发光二极管芯片以及制备方法 | |
| TW201025680A (en) | Optoelectronic semiconductor body | |
| CN108206227A (zh) | Led芯片及其制作方法、led光源模组 | |
| WO2019092893A1 (ja) | 半導体モジュール、表示装置、及び半導体モジュールの製造方法 | |
| CN104091867B (zh) | 高压发光二极管芯片及其制作方法 | |
| JP2021508953A (ja) | セグメント化されたｌｅｄの高密度インターコネクト | |
| CN107369751B (zh) | 一种发光二极管芯片及其制作方法 | |
| CN102687295A (zh) | 通过转换元件接触光电半导体构件和相应的光电半导体构件 | |
| CN102130251B (zh) | 发光二极管及其制造方法 | |
| CN104241491B (zh) | 发光元件及其制造方法 | |
| TWI590487B (zh) | Thin-film light-emitting diode manufacturing method and film-type light-emitting Diode | |
| RU158959U1 (ru) | Светодиодный излучатель | |
| GB2366074A (en) | LED light source with two vertically-stacked LEDs of different colours | |
| TW201427089A (zh) | 發光晶片及其製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |