CN104681704B - 倒装led芯片及其制备方法 - Google Patents

Abstract

倒装LED芯片及其制备方法，倒装LED芯片包括衬底、N型氮化镓层、发光层及P型氮化镓层，P型氮化镓层上形成有反射层或电流扩展层，还包括：第一绝缘层、P型电极、N型电极、形成于P型电极或N型电极上的环形的散热凹槽、第二绝缘层、第二绝缘层上形成有散热孔，散热孔在水平面上的投影位于散热凹槽内；沉积于第二绝缘层上并与N型电极连接的N焊盘；沉积于第二绝缘层上并与P型电极连接的P焊盘；填充满散热孔的导热柱，导热柱的顶部与第二绝缘层表面平齐或露出于第二绝缘层。本发明在N型电极或P型电极上设置穿过第二绝缘层的导热柱，可以直接将热量向外导出或导出至P焊盘和N焊盘，不必再经过第二绝缘层，使芯片散热速度更快，散热效果更好。

Description

倒装LED芯片及其制备方法

技术领域

本发明属于半导体光电芯片技术领域，尤其涉及一种倒装LED芯片及其制备方法。

背景技术

针对由于LED芯片功率的提高带来的散热难、发光效率低及可靠性降低的问题，业界也对LED芯片的结构出了进一步的改进。例如，公开号为103762283的中国发明专利申请公开了一种LED倒装芯片，采用在芯片上设置P焊盘和N焊盘的结构实现导热，其散热主要通过芯片上的两个P/N焊盘，然后通过AuSn或锡膏焊接把热量从焊盘扩散到基板。但是该LED芯片主要通过传导散热，而其第二绝缘层的厚度大于6um，而且采用有机硅胶，由于第二绝缘层较厚而且其导热系数较低，导致热量依然难于导出，热量聚集在芯片上就会影响芯片可靠性，增加光衰和减少芯片寿命，LED芯片的导热及可靠性问题仍然没有得以解决。

发明内容

本发明的目的是提供一种能够改善散热问题的倒装LED芯片及其制备方法。

为了实现上述目的，本发明采取如下的技术解决方案：

倒装LED芯片，包括衬底以及依次生长于所述衬底表面上的N型氮化镓层、发光层及P型氮化镓层，所述N型氮化镓层、发光层及P型氮化镓层构成芯片的外延层，所述P型氮化镓层上形成有反射层或电流扩展层；还包括：覆盖所述外延层和所述反射层或电流扩展层表面的第一绝缘层；与所述反射层或电流扩展层电连接的P型电极，所述P型电极形成于所述第一绝缘层上；与所述N型氮化镓层电连接的N型电极，所述N型电极形成于所述第一绝缘层上；形成于所述P型电极或N型电极上的环形的散热凹槽，所述散热凹槽贯穿至所述第一绝缘层表面；覆盖于所述P型电极和N型电极表面上及位于P型电极和N型电极之间的第一绝缘层表面上的第二绝缘层，所述第二绝缘层填充满所述散热凹槽，所述第二绝缘层上形成贯穿至所述P型电极或N型电极表面的散热孔，所述散热孔在水平面上的投影位于所述散热凹槽内；沉积于所述第二绝缘层上并与所述N型电极连接的N焊盘；沉积于所述第二绝缘层上并与所述P型电极连接的P焊盘；填充满所述散热孔的导热柱，所述导热柱的顶部与所述第二绝缘层表面平齐或露出于所述第二绝缘层。

本发明倒装LED芯片更进一步的技术方案为：所述导热柱的导热系数不小于100W/(m·K)。

本发明倒装LED芯片更进一步的技术方案为：所述导热柱的顶部与所述第二绝缘层表面平齐并与所述P焊盘及N焊盘相连。

本发明倒装LED芯片更进一步的技术方案为：所述N焊盘和P焊盘部分填充满所述散热孔形成导热柱。

本发明倒装LED芯片更进一步的技术方案为：所述散热凹槽形成于所述N型电极上且位于芯片的两端。

本发明倒装LED芯片更进一步的技术方案为：所述导热柱覆盖于所述第二绝缘层表面上，并填充满所述散热孔，所述导热柱与所述N焊盘及P焊盘相互隔离。

本发明倒装LED芯片更进一步的技术方案为：所述散热凹槽形成于所述N型电极上且位于芯片的中部。

本发明倒装LED芯片更进一步的技术方案为：还包括贯穿所述外延层、露出所述衬底表面的沟槽；贯穿所述P型氮化镓、发光层直到N型氮化镓层表面的N电极孔；所述第一绝缘层填充所述沟槽和N电极孔，所述第一绝缘层上形成有与所述反射层或电流扩展层表面相连的P型接触孔和与所述N型氮化镓层表面相连的N型接触孔；所述P型电极沉积在部分第一绝缘层上及P型接触孔内、通过P型接触孔与反射层或电流扩展层电连接；所述N型电极沉积在部分第一绝缘层上及N型接触孔内、通过N型接触孔与N型氮化镓层电连接；所述第二绝缘层上形成有与N型电极表面连接的N型电极接触孔以及与P型电极表面连接的P型电极接触孔；所述N焊盘沉积于所述第二绝缘层上和所述N型电极接触孔内并与所述N型电极连接；所述P焊盘沉积于所述第二绝缘层上和所述P型电极接触孔内并与所述P型电极连接。

一种倒装LED芯片的制备方法，包括以下步骤：

步骤一、提供衬底，在所述衬底表面上生长N型氮化镓层，在N型氮化镓层上生长发光层，在发光层上生长P型氮化镓层，所述N型氮化镓层、发光层及P型氮化镓层构成每个芯片的外延层；

步骤二、在P型氮化镓层上覆盖反射层或电流扩展层；

步骤三、在外延层上形成沟槽及N电极孔，所述沟槽的深度至衬底表面并露出衬底，所述N电极孔贯穿P型氮化镓层、发光层直到N型氮化镓层表面；

步骤四、在外延层和反射层或电流扩展层的表面覆盖第一绝缘层，第一绝缘层填充沟槽和N电极孔；

步骤五、在第一绝缘层上形成深至反射层或电流扩展层表面的P型接触孔和深至N型氮化镓层表面的N型接触孔；

步骤六、在第一绝缘层上形成具有布线图案的P型电极和N型电极：在部分第一绝缘层上以及P型接触孔内沉积P型电极，在部分第一绝缘层上以及N型接触孔内沉积N型电极，在P型电极或N型电极上形成贯穿至所述第一绝缘层表面的环形的散热凹槽；

步骤七，形成第二绝缘层，第二绝缘层覆盖P型电极、N型电极的表面以及位于P型电极和N型电极之间的第一绝缘层的表面，并填充满散热凹槽；

步骤八、在第二绝缘层形成与N型电极表面连接的N型电极接触孔、与P型电极表面连接的P型电极接触孔、以及贯穿至P型电极或N型电极表面的散热孔，所述散热孔在水平面上的投影位于散热凹槽内；

步骤九、在部分第二绝缘层表面上及N型电极接触孔内形成N焊盘，在部分第二绝缘层表面上及P型电极接触孔内形成P焊盘，N焊盘通过N型电极接触孔与和N型电极相接触，P焊盘通过P型电极接触孔和P型电极相接触；在所述散热孔内填充导热柱，所述导热柱的顶部与所述第二绝缘层表面平齐或露出于所述第二绝缘层。

本发明倒装LED芯片制备方法更进一步的技术方案为：所述导热柱的顶部与N焊盘、P焊盘相连，或者所述导热柱覆盖于部分第二绝缘层上，并填充满所述散热孔。

由以上技术方案可知，本发明在N型电极或P型电极上设置穿过第二绝缘层的导热柱，导热柱顶部露出第二绝缘层或与P焊盘、N焊盘相接触，导热柱可以直接将发光层产生的热量向外导出或导出至P焊盘和N焊盘，不必再经过第二绝缘层，使得芯片散热速度更快，散热效果更好，发热少；而且P焊盘和N焊盘倒装接触面积大，且发光层离基板近，可以很容易的将热量导出。此外，第二绝缘层优选采用具备一定弹性的材料，能够吸收导致LED芯片内部损害的热应力，从而保证LED芯片工作的可靠性。

附图说明

图1为本发明实施例1的芯片的结构示意图；

图2为本发明实施例1的芯片形成外延层的结构示意图；

图3为本发明实施例1的芯片形成反射层的结构示意图；

图4为本发明实施例1的芯片形成沟槽和N电极孔的结构示意图；

图5为本发明实施例1的芯片形成第一绝缘层的结构示意图；

图6a为本发明实施例1的芯片形成P型接触孔和N型接触孔的结构示意图；

图6b为本发明实施例1的芯片形成P型接触孔和N型接触孔的俯视图；

图7a为本发明实施例1的芯片形成N型电极和P型电极及散热凹槽的结构示意图；

图7b为本发明实施例1的芯片形成N型电极和P型电极及散热凹槽的俯视图；

图8为本发明实施例1的芯片形成第二绝缘层的结构示意图；

图9a为本发明实施例1的芯片形成N型电极接触孔和P型电极接触孔的结构示意图；

图9b为本发明实施例1的芯片形成N型电极接触孔和P型电极接触孔的俯视图；

图10为本发明实施例2的芯片的结构示意图；

图11a为本发明实施例3的芯片形成散热凹槽的结构示意图；

图11b为图11a另一个方向的视图；

图12为本发明实施例3的芯片形成第二绝缘层的结构示意图；

图13a为本发明实施例3的芯片形成散热孔的结构示意图；

图13b为本发明实施例3的芯片形成散热孔的俯视图；

图14a为本发明实施例3的芯片形成N焊盘、P焊盘及导热柱的结构示意图；

图14b为本发明实施例3的芯片形成N焊盘、P焊盘及导热柱的俯视图。

以下结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细地说明。

具体实施方式

下面结合附图对本发明进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的附图会不依一般比例做局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。需要说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、清晰地辅助说明本发明实施例的目的。

实施例1

如图1所示，本实施例的倒装LED芯片包括衬底1以及依次生长于衬底1表面上的N型氮化镓层11、发光层12及P型氮化镓层13，P型氮化镓层13上覆盖反射层15，N型氮化镓层11、发光层12及P型氮化镓层13构成外延层2。在外延层2及反射层15表面覆盖第一绝缘层16。第一绝缘层16上形成与反射层15电连接的P型电极31以及与N型氮化镓层11电连接的N型电极32。在P型电极31或N型电极32上形成贯穿至第一绝缘层16表面的环形的散热凹槽65。在P型电极31和N型电极32的表面上及位于P型电极和N型电极之间的第一绝缘层16表面上覆盖有第二绝缘层22，第二绝缘层22填充满散热凹槽65，第二绝缘层22上形成贯穿至P型电极或N型电极表面的散热孔45，该散热孔45在水平面(垂直于其轴线的平面)上的投影位于散热凹槽65内。散热孔的外边缘位于散热凹槽区域内，也包括其外边缘正好位于散热凹槽的内边缘上。第二绝缘层22上形成与N型电极32连接的N焊盘26以及与P型电极31连接的P焊盘27，散热孔45内填充有导热柱55，导热柱55连接型电极和N焊盘26及P焊盘27。

下面结合附图，对本实施例的倒装LED芯片的制备方法进行说明，该制备方法包括以下步骤：

步骤一、如图2所示，提供衬底1，本实施例的衬底1为蓝宝石衬底，通过MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉淀)在衬底1表面上生长外延层2，外延层2生长过程依次为：在衬底1表面生长N型氮化镓层11，在N型氮化镓层11上生长发光层12，在发光层12上生长P型氮化镓层13；

步骤二、如图3所示，采用蒸镀及光刻工艺在P型氮化镓层13上覆盖反射层15，该反射层15的材料可为铝、镍、银或上述任意两者之合金；

步骤三、如图4所示，通过对外延层采用ICP蚀刻工艺，在外延层上形成沟槽3以及N电极孔4，沟槽3的深度至衬底1表面并露出衬底1，N电极孔4贯穿P型氮化镓层13、发光层12直到N型氮化镓层11表面，N电极孔4的数量可以为多个并且在外延层表面均匀分布；

步骤四、如图5所示，通过溅射或喷涂工艺在外延层和反射层的表面覆盖第一绝缘层16，且第一绝缘层16同时填充沟槽和N电极孔；第一绝缘层厚度为1um～2.5um，其材料可为氮化铝或二氧化硅或氮化硅或三氧化二铝或布拉格反射层DBR或硅胶或树脂或丙烯酸，布拉格反射层为二氧化硅和二氧化钛的多层交替结构；此外，第一绝缘层材料还可为有机硅胶，有机硅胶本身具备极高的填充微米级空洞能力，能有效填充沟槽和N电极孔所留下的空洞，减少此类空洞对光形成的发射，提高芯片发光效率并且防止芯片间漏电；

步骤五、如图6a和图6b所示，采用光刻和蚀刻技术在第一绝缘层16表面上分别刻蚀出P型接触孔5和N型接触孔6，其中，P型接触孔5深至反射层15表面，P型接触孔5底部露出反射层15，N型接触孔6深至N型氮化镓层11表面，N型接触孔6底部露出N型氮化镓层11；

步骤六、如图7a和图7b所示，通过溅射或蒸镀工艺在第一绝缘层16上形成具有布线图案的P型电极31和N型电极32：在部分第一绝缘层16上以及P型接触孔内沉积P型电极31，即P型电极31通过P型接触孔与反射层15电连接，在部分第一绝缘层16上以及N型接触孔内沉积N型电极32，即N型电极32通过N型接触孔与N型氮化镓层11电连接；

在P型电极31或N型电极32上形成贯穿至第一绝缘层16表面的环形的散热凹槽65；散热凹槽的闭环形状可以是三角形、圆形、四边形等，本实施例的散热凹槽65形成于N型电极32上；

步骤七，如图8所示，通过喷涂和光刻工艺形成第二绝缘层22，第二绝缘层22覆盖在P型电极31、N型电极32的表面以及位于P型电极31和N型电极32之间的第一绝缘层16的表面，并填充满散热凹槽65；

第二绝缘层的厚度为6～10um，材料可采用有机硅胶，有机硅胶是不吸收可见光谱并且具备一定弹性的材料，能够吸收导致高压芯片内部损害的热应力，从而保证高压LED芯片工作的可靠性；采用具有低固化温度(<200℃)的有机硅胶，适用于对热量有限制器件；

步骤八、如图9a和图9b所示，在第二绝缘层22表面蚀刻出P型电极接触孔29和N型电极接触孔28、以及贯穿至N型电极32表面的散热孔45，该散热孔45在水平面上的投影位于散热凹槽65内周面(以平行于衬底表面的平面为水平面)，散热孔的位置与散热凹槽的位置相对应，本实施例中散热凹槽65形成于N型电极32上，因此散热孔对应贯穿至N型电极表面，当散热凹槽形成于P型电极上时，散热孔也对应贯穿至P型电极表面；

P型电极接触孔29底部露出P型电极31表面，N型电极接触孔28底部露出N型电极32表面；P型电极接触孔29和N型电极接触孔28可以是多个；

步骤九、采用印刷和电镀技术制造相互绝缘的N焊盘26与P焊盘27(图1)，N焊盘26与P焊盘27对称分布，N焊盘26与P焊盘27覆盖在部分第二绝缘层22表面上以及填充于N型电极接触孔和P型电极接触孔内，N焊盘26通过N型电极接触孔与N型电极32相接触，P焊盘27通过P型电极接触孔和P型电极31相接触，同时，N焊盘26和P焊盘27部分填充满散热孔形成导热柱55。P焊盘和N焊盘之间的间隔大于等于150um，材料可为铝或镍或钛或铂金或金。

本实施例中，导热柱由P焊盘和N焊盘填充散热孔形成，导热柱与P焊盘、N焊盘为一体，导热柱与P焊盘、N焊盘的材料相同，但导热柱也可以采用其它导热系数不小于100W/(m·K)的材料制成，导热柱填充于散热孔内，与N型电极和P焊盘、N焊盘相接触，P焊盘和N焊盘通过导热柱55将发光层12产生的热量通过第一绝缘层直接导出至P焊盘和N焊盘，不必再经过第二绝缘层，使得高压芯片散热速度更快，散热效果更好，发热少。

优选的，可在N焊盘与P焊盘表面上通过电镀或印刷工艺覆盖锡膏层，锡膏层的厚度为50～100um，锡膏层由Sn、Ag、Cu组成，其中Sn的质量百分比为96.5，Ag的质量百分比为3.0，余量为Cu。由于该锡膏材料有较小的空洞率，能有效降低散热通道热阻，并且具备极强的粘结强度及导电能力。而且，该锡膏层属直接焊接的材料，有利于简化封装步骤，并且在高压芯片和PCB基板之间形成应力缓冲。

实施例2

如图10所示，本实施例的倒装LED芯片包括衬底1以及依次生长于衬底1表面上的N型氮化镓层11、发光层12及P型氮化镓层13，P型氮化镓层13上覆盖电流扩展层15’，N型氮化镓层11、发光层12及P型氮化镓层13构成外延层。在外延层及电流扩展层15’表面覆盖第一绝缘层16’。第一绝缘层16’上形成与电流扩展层15’电连接的P型电极31以及与N型氮化镓层11电连接的N型电极32。在N型电极32上形成贯穿至第一绝缘层16’表面的环形的散热凹槽65。在P型电极31和N型电极32的表面上及位于P型电极和N型电极之间的第一绝缘层16’表面上覆盖有第二绝缘层22，第二绝缘层22填充满散热凹槽65，第二绝缘层22上形成贯穿至N型电极表面的散热孔45，该散热孔45在水平面上的投影位于散热凹槽65内。第二绝缘层22上形成与N型电极32连接的N焊盘26以及与P型电极31连接的P焊盘27，散热孔45内填充有导热柱55，导热柱55连接N型电极32和N焊盘26、P焊盘27。

本实施例与实施例1不同的地方在于，在P型氮化镓层13上形成电流扩展层15’，电流扩展层材料为铟锡氧化物(ITO)，电流扩展层15’与P型电极31电连接，第一绝缘层16’为具备绝缘性能的布拉格反射镜层。

实施例3

如图11a和图11b所示，本实施例的制备步骤的前五步与实施例1相同，与实施例1不同的地方在于：散热凹槽65位于芯片中部，而实施例1中散热凹槽位于芯片两端。散热凹槽65形成于N型电极32上。如图12所示，第二绝缘层22覆盖于P型电极31、N型电极32及位于P型电极和N型电极之间的第一绝缘层16表面上，并填充满散热凹槽65。

如图13a和图13b所示，在第二绝缘层22上形成P型电极接触孔29和N型电极接触孔28、以及贯穿至N型电极32表面的散热孔45，散热孔45在水平面上的投影位于散热凹槽65内。如图14a和图14b所示，在第二绝缘层22上形成对称布置于芯片两端的N焊盘26和P焊盘27，N焊盘26与N型电极32电连接，P焊盘27与P型电极31电连接。在芯片的中部形成导热柱55，导热柱55覆盖在芯片中部的第二绝缘层22表面上，并填充满散热孔45，导热柱55与N焊盘26及P焊盘27相互隔离。通过导热柱55将热量直接从第一绝缘层16导出至外部。

以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其限制，尽管参照上述实施例对本发明进行了详细的说明，所属领域的普通技术人员应当理解，依然可以对本发明的具体实施方式进行修改或者等同替换，而未脱离本发明精神和范围的任何修改或者等同替换，其均应涵盖在本发明的权利要求范围之中。

Claims (10)

1.倒装LED芯片，包括衬底以及依次生长于所述衬底表面上的N型氮化镓层、发光层及P型氮化镓层，所述N型氮化镓层、发光层及P型氮化镓层构成芯片的外延层，所述P型氮化镓层上形成有反射层或电流扩展层；

其特征在于，还包括：

覆盖所述外延层和所述反射层或电流扩展层表面的第一绝缘层；

与所述反射层或电流扩展层电连接的P型电极，所述P型电极形成于所述第一绝缘层上；

与所述N型氮化镓层电连接的N型电极，所述N型电极形成于所述第一绝缘层上；

形成于所述P型电极或N型电极上的环形的散热凹槽，所述散热凹槽贯穿至所述第一绝缘层表面，所述散热凹槽位于芯片中部或芯片两端；

覆盖于所述P型电极和N型电极表面上及位于P型电极和N型电极之间的第一绝缘层表面上的第二绝缘层，所述第二绝缘层填充满所述散热凹槽，所述第二绝缘层上形成贯穿至所述P型电极或N型电极表面的散热孔，所述散热孔在水平面上的投影位于所述散热凹槽内；

沉积于所述第二绝缘层上并与所述N型电极连接的N焊盘；

沉积于所述第二绝缘层上并与所述P型电极连接的P焊盘；

填充满所述散热孔的导热柱，所述导热柱的顶部与所述第二绝缘层表面平齐或露出于所述第二绝缘层。

2.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于：所述导热柱的导热系数不小于100W/(m·K)。

3.如权利要求1或2所述的倒装LED芯片，其特征在于：所述导热柱的顶部与所述第二绝缘层表面平齐并与所述P焊盘及N焊盘相连。

4.如权利要求3所述的倒装LED芯片，其特征在于：所述N焊盘和P焊盘部分填充满所述散热孔形成导热柱。

5.如权利要求3所述的倒装LED芯片，其特征在于：所述散热凹槽形成于所述N型电极上且位于芯片的两端。

6.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于：所述导热柱覆盖于所述第二绝缘层表面上，并填充满所述散热孔，所述导热柱与所述N焊盘及P焊盘相互隔离。

7.如权利要求6所述的倒装LED芯片，其特征在于：所述散热凹槽形成于所述N型电极上且位于芯片的中部。

8.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于：还包括

贯穿所述外延层、露出所述衬底表面的沟槽；

贯穿所述P型氮化镓、发光层直到N型氮化镓层表面的N电极孔；

所述第一绝缘层填充所述沟槽和N电极孔，所述第一绝缘层上形成有与所述反射层或电流扩展层表面相连的P型接触孔和与所述N型氮化镓层表面相连的N型接触孔；

所述P型电极沉积在部分第一绝缘层上及P型接触孔内、通过P型接触孔与反射层或电流扩展层电连接；

所述N型电极沉积在部分第一绝缘层上及N型接触孔内、通过N型接触孔与N型氮化镓层电连接；

所述第二绝缘层上形成有与N型电极表面连接的N型电极接触孔以及与P型电极表面连接的P型电极接触孔；

所述N焊盘沉积于所述第二绝缘层上和所述N型电极接触孔内并与所述N型电极连接；所述P焊盘沉积于所述第二绝缘层上和所述P型电极接触孔内并与所述P型电极连接。

9.倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、提供衬底，在所述衬底表面上生长N型氮化镓层，在N型氮化镓层上生长发光层，在发光层上生长P型氮化镓层，所述N型氮化镓层、发光层及P型氮化镓层构成每个芯片的外延层；

步骤二、在P型氮化镓层上覆盖反射层或电流扩展层；

步骤三、在外延层上形成沟槽及N电极孔，所述沟槽的深度至衬底表面并露出衬底，所述N电极孔贯穿P型氮化镓层、发光层直到N型氮化镓层表面；

步骤四、在外延层和反射层或电流扩展层的表面覆盖第一绝缘层，第一绝缘层填充沟槽和N电极孔；

步骤五、在第一绝缘层上形成深至反射层或电流扩展层表面的P型接触孔和深至N型氮化镓层表面的N型接触孔；

步骤六、在第一绝缘层上形成具有布线图案的P型电极和N型电极：在部分第一绝缘层上以及P型接触孔内沉积P型电极，在部分第一绝缘层上以及N型接触孔内沉积N型电极，在P型电极或N型电极上形成贯穿至所述第一绝缘层表面的环形的散热凹槽，所述散热凹槽位于芯片中部或芯片两端；

步骤七，形成第二绝缘层，第二绝缘层覆盖P型电极、N型电极的表面以及位于P型电极和N型电极之间的第一绝缘层的表面，并填充满散热凹槽；

步骤八、在第二绝缘层形成与N型电极表面连接的N型电极接触孔、与P型电极表面连接的P型电极接触孔、以及贯穿至P型电极或N型电极表面的散热孔，所述散热孔在水平面上的投影位于散热凹槽内；

步骤九、在部分第二绝缘层表面上及N型电极接触孔内形成N焊盘，在部分第二绝缘层表面上及P型电极接触孔内形成P焊盘，N焊盘通过N型电极接触孔与和N型电极相接触，P焊盘通过P型电极接触孔和P型电极相接触；在所述散热孔内填充导热柱，所述导热柱的顶部与所述第二绝缘层表面平齐或露出于所述第二绝缘层。

10.如权利要求9所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于：所述导热柱的顶部与N焊盘、P焊盘相连，或者所述导热柱覆盖于部分第二绝缘层上，并填充满所述散热孔。