CN103943747A - 一种使用陶瓷散热的高功率led灯具 - Google Patents
一种使用陶瓷散热的高功率led灯具 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103943747A CN103943747A CN201410172746.0A CN201410172746A CN103943747A CN 103943747 A CN103943747 A CN 103943747A CN 201410172746 A CN201410172746 A CN 201410172746A CN 103943747 A CN103943747 A CN 103943747A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- type electrode
- chip
- photoresist layer
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 title abstract description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 65
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 65
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 63
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 36
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 29
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 26
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 26
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 17
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 16
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- -1 cyclic n nitroso compound Chemical class 0.000 claims description 11
- 238000012800 visualization Methods 0.000 claims description 10
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910002114 biscuit porcelain Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 7
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 claims description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 claims description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 33
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 7
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2101/00—Point-like light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0075—Processes relating to semiconductor body packages relating to heat extraction or cooling elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明涉及一种使用陶瓷散热的高功率LED灯具，包括陶瓷散热基座（6），在所述陶瓷散热基座（6）的一面固定电路板，在所述电路板连接有白光LED倒装芯片（5），在所述白光LED倒装芯片（5）上方固定设有一非透明灯罩；在所述陶瓷散热基座（6）的另一面设有向外突出的散热鳍片（61），所述散热鳍片（61）也为陶瓷材质。本发明由于散热鳍片与陶瓷散热基座的材质为陶瓷材质，利用陶瓷材质的高传导和高辐射物理特性，可以将白光LED倒装芯片产生的热能快速吸收并散去，确保白光LED倒装芯片处于一恒定低温状态，并且可稳定并持续运作，因而可以延长了LED的使用寿命。
Description
技术领域
本发明申请为申请日2012年02月27日，申请号为：201210044889.4 ，名称为“一种使用陶瓷散热的高功率LED灯具”的发明专利申请的分案申请。本发明涉及一种LED灯具，尤其是涉及一种使用陶瓷散热的高功率LED灯具。
背景技术
LED灯具由于散热大，如果不能及时进行散热，尤其是大功率LED时间久后将会烧毁电子元器件，影响到LED灯具正常的使用和寿命。现在市场上的使用散热装置通常是使用金属散热方式，但是金属散热没有使用陶瓷材料散热的效果更佳。
此外，使用蓝宝石衬底其优点是化学稳定性好，不吸收可见光、价格适中、制造技术相对成熟，因此成为用于GaN生长最普遍的衬底。在LED的封装过程中，都把蓝宝石衬底面直接固定在散热板上。在LED的工作过程中，其发光区是器件发热的根源。由于蓝宝石衬底本身是一种绝缘体材料，且导热性能比GaN材料较差，所以对这种正装的LED器件其工作电流都有一定的限制，以确保LED的发光效率和工作寿命。为改善器件的散热性能，人们设计了一种LED芯片结构，即倒装结构的LED芯片。
另外，传统的蓝宝石衬底的GaN芯片的结构，电极刚好位于芯片的出光面。由于p-GaN层有限的电导率，因此要求在 p-GaN层表面沉淀一层用于电流扩散的金属层，这个电流扩散层由 Ni和 Au组成，会吸收部分光，从而降低出光效率。如果将芯片倒装，那么电流扩散层 (金属反射层)就成为光的反射层，这样光可通过蓝宝石衬底发射出去，从而提高出光效率。
自从提出芯片的倒装设计之后，人们针对其可行性进行了大量的研究和探索。由于LED芯片设计的局限性，封装良率一直很低，原因如下：第一、N型电极区域相对小，很难与PCB板的相应区域对位；第二、N型电极位置比P型电极位置高很多，很容易造成虚焊、脱焊情形；第三、为制作N型电极，往往要人为地去掉很大一部分有源区，这样大大地减少了器件的发光面积，直接影响了LED发光效率。
再者，虽然LED的发光效率已经超过日光灯和白炽灯，但商业化LED发光效率还是低于钠灯(150lm/W)。那么，哪些因素影响LED的发光效率呢？就白光LED来说，其封装成品发光效率是由内量子效率, 电注入效率, 提取效率和封装效率的乘积决定的。 如图35所示，利用MOCVD、VPE、MBE或LPE技术在衬底30上生长器件（如LED、LD等）结构，从上至下依次分别为衬底30、N型材料层31、发光区32、P型材料层33、P型电极34、P级焊锡层35、PCB板36以及散热板40。其中N型材料层31与散热板40之间还依次连接N型电极37、N级焊锡层38和PCB板39。
该传统的LED倒装芯片存在的技术缺陷如下：
1、在水平方向N型电极37所处位置与P型电极34相距较远，N型电极37对其下方的PCB板39的位置设计有苛刻的要求，影响到封装优良率。
2、N型电极37位置比P型电极34位置高很多，导致其与下方的PCB板39之间的间隙较大，在焊锡时很容易使得N级焊锡层38过长而造成虚焊或脱焊的发生。
3、为了使得N型电极37与其下方的PCB板39可以进行焊接，需要去掉很大一部分发光区，影响到LED芯片的发光效率。
4、电极区域不够大，影响注入电流效率进而影响到LED芯片的发光效率。
5、P型电极与N型电极位在芯片两侧，造成电子流动路径不一，如图36，形成电阻不均匀，芯片发光区发光不均匀，影响到LED芯片的发光效率。
发明内容
本发明设计了一种使用陶瓷散热的高功率LED灯具，其解决了以下技术问题是：
（1）大功率LED灯具由于散热大，如果不能及时进行散热，尤其是大功率LED时间久后将会烧毁电子元器件，影响到LED灯具正常的使用和寿命。
（2）N型电极区和P型电极区相对小，很难与PCB板的相应区域对位，会影响到封装效果和LED产品的优良率；
（3）N型电极位置比P型电极位置高很多，很容易造成虚焊、脱焊情形；
（4）为制作N型电极，往往要人为地去掉很大一部分有源区，这样大大地减少了器件的发光面积，直接影响了LED发光效率；
（5）P型电极及N型电极区域不够大，影响注入电流，直接影响了LED芯片发光效率；
（6）P型电极与N型电极位在芯片两侧，造成电子流动路径不一，形成电阻不均匀，芯片发光区发光不均匀，影响到LED芯片的发光效率。
为了解决上述存在的技术问题，本发明采用了以下方案：
一种使用陶瓷散热的高功率LED灯具，包括陶瓷散热基座（60），在所述陶瓷散热基座（60）的一面固定电路板，在所述电路板连接有白光LED倒装芯片（50），在所述白光LED倒装芯片（50）上方固定设有一非透明灯罩；在所述陶瓷散热基座（60）的另一面设有向外突出的散热鳍片（61），所述散热鳍片（61）也为陶瓷材质，其特征在于：所述白光LED倒装芯片（13）层结构依次包括衬底（1）、缓冲层（2）、N型层（3）、N型分别限制层（4）、发光区层（5）、P型分别限制层（6）、P型层（7）、P型欧姆接触层（8）、光穿透层（9）、二氧化硅层（10）、金属层（11），在衬底（1）表面涂敷一层纳米荧光粉层（28），其特征在于：该芯片蚀刻成梯台结构并形成环状N型电极和柱形P型电极，柱形P型电极被环状N型电极包围，所述环状N型电极和所述柱形P型电极与PCB板连接的焊锡面处于同一水平面高度。
进一步，N型电极主要包括N型电极光穿透层ITO薄膜（191）和N型电极金属合金层（23），其中N型电极光穿透层ITO薄膜（191）为阶梯结构，阶梯结构下部与芯片两侧的N型层（3）暴露区连接；阶梯结构上部与N型电极金属合金层（23）、金属层（11）以及绝缘介质膜（16）连接，其中N型电极金属合金层（23）位于阶梯结构上部的上方，金属层（11）和绝缘介质膜（16）位于阶梯结构上部的下方；P型电极主要包括P型电极金属合金层（24）和P型电极光穿透层ITO薄膜（192），P型电极光穿透层ITO薄膜（192）上方与P型电极金属合金层（24）连接，P型电极光穿透层ITO薄膜（192）四周向下延伸至光穿透层（9）并且将金属层（11）和二氧化硅层（10）限制于其中；
N型电极金属合金层（23）与P型电极金属合金层（24）位于同一水平面。
进一步，所述绝缘介质膜（16）与阶梯结构的中间部分和下部相平行，起到隔离N型电极光穿透层ITO薄膜（191）的作用。
进一步，在所述衬底（1）中形成一层凹凸面（12）。
进一步，所述衬底（1）与所述缓冲层（2）通过凹凸面（12）结构过渡。
进一步，所述环状N型电极和所述P型电极通过各自的PCB板与散热结构（26）连接。
进一步，在所述衬底（1）上通过刻蚀形成多个附着孔（27），纳米荧光粉层（28）通过所述多个附着孔（27）粘附在所述衬底（1）表面。
进一步，所述散热鳍片（61）为圆柱状的散热凸块。
进一步，所述散热鳍片（61）为方块状的散热凸块。
该使用陶瓷散热的高功率LED灯具与普通的高功率LED灯具相比，具有以下有益效果：
（1）本发明由于散热鳍片与陶瓷散热基座的材质为陶瓷材质，利用陶瓷材质的高传导和高辐射物理特性，可以将白光LED倒装芯片产生的热能快速吸收并散去，确保白光LED倒装芯片处于一恒定低温状态，并且可稳定并持续运作，因而可以延长了LED的使用寿命。
（2）本发明由于在衬底上通过附着孔附着一层环形纳米荧光粉层，该纳米荧光粉层与普通的荧光粉相比，可以使得芯片发出的白光更加明亮可靠。
（3）本发明由于将P型电极下方的二氧化硅层和金属层被P型电极光穿透层ITO薄膜完全包裹，增加了P型电极光穿透层ITO薄膜暴露面积，因而也就增加了光穿透层面积，提高了LED发光效率。
（4）本发明由于芯片结构包括N型电极和P型电极，使得P电极和N电极层面积最大，得到最大注入电流，提升发光效率。
（5）本发明由于N型电极采用了阶梯结构，只要求去掉很小一部分有源区，确保了光反射层面积的最大化，得到最佳发光效率。
（6）本发明由于采用环形N型电极层包围柱形P型电极层，可以实现最均匀的电流，使得发光区最为均匀。
（7）本发明还由于N型电极层与P型电极层处于同一平面，封装优良率更高。
附图说明
图1：本发明中的LED芯片制作工艺步骤1示意图；
图2：本发明中的LED芯片制作工艺步骤2示意图；
图3：本发明中的LED芯片制作工艺步骤3示意图；
图4：本发明中的LED芯片制作工艺步骤4示意图；
图5：本发明中的LED芯片制作工艺步骤5示意图；
图6：本发明中的LED芯片制作工艺步骤6示意图；
图7：本发明中的LED芯片制作工艺步骤7示意图；
图8：本发明中的LED芯片制作工艺步骤8示意图；
图9：本发明中的LED芯片制作工艺步骤9示意图；
图10：本发明中的LED芯片制作工艺步骤10示意图；
图11：本发明中的LED芯片制作工艺步骤11示意图；
图12：本发明中的LED芯片制作工艺步骤12示意图；
图13：本发明中的LED芯片制作工艺步骤13示意图；
图14：本发明中的LED芯片制作工艺步骤14示意图；
图15：本发明中的LED芯片制作工艺步骤15示意图；
图16：本发明中的LED芯片制作工艺步骤16示意图；
图17：本发明中的LED芯片制作工艺步骤17示意图；
图18：本发明中的LED芯片制作工艺步骤18示意图；
图19：本发明中的LED芯片制作工艺步骤19示意图；
图20：本发明中的LED芯片制作工艺步骤20示意图；
图21：本发明中的LED芯片制作工艺步骤21示意图；
图22：本发明中的LED芯片制作工艺步骤22示意图；
图23：本发明中的LED芯片制作工艺步骤23示意图；
图24：本发明中的LED芯片制作工艺步骤24示意图；
图25：本发明中的LED芯片制作工艺步骤25示意图；
图26：本发明中的LED芯片制作工艺步骤26示意图；
图27：本发明中的LED芯片制作工艺步骤27示意图；
图28：本发明中的LED芯片制作工艺步骤28示意图；
图29：本发明中的LED芯片制作工艺步骤29示意图；
图30：本发明使用陶瓷散热的高功率LED灯具结构示意图；
图31：图30的俯视图；
图32：图28中光反射示意效果图；
图33：本发明使用陶瓷散热的高功率LED灯具与散热结构连接示意图；
图34：本发明使用陶瓷散热的高功率LED灯具立体结构示意图；
图35：现有技术中LED芯片结构示意图；
图36：图34中电子流向示意图。
附图标记说明：
1—衬底；2—缓冲层；3—N型层；4—N型分别限制层；5—发光区层；6—P型分别限制层；7—P型层；8—P型欧姆接触层；9—光穿透层；10—二氧化硅层；11—金属层；12—凹凸面；13—第一光刻胶层；14—第二光刻胶层；15—第三光刻胶层；16—绝缘介质膜；17—第四光刻胶层；18—第五光刻胶层；19—光穿透层ITO薄膜；191—N型电极光穿透层ITO薄膜；192—P型电极光穿透层ITO薄膜；20—第六光刻胶层；21—金属合金层；22—第七光刻胶层；23—N型电极金属合金层；24—P型电极金属合金层；25—PCB板；26—散热结构；27—附着孔；28—纳米荧光粉层；
30—衬底；31—N型材料层；32—发光区；33—P型材料层；34—P型电极；35—P级焊锡层；36—PCB板；37—N型电极；38—N级焊锡层；39—PCB板；40—散热板；
50—白光LED倒装芯片；51—安装基座；52—螺栓；60—陶瓷散热基座；61—散热鳍片。
具体实施方式
下面结合图1至图34，对本发明做进一步说明：
如图1所示，衬底1是载体，一般是蓝宝石、碳化硅、硅、GaAs、AlN、ZnO或GaN等材料。
在衬底1上，先以蚀刻形成一层凹凸面12，此凹凸面12可以减少光在芯片内的全反射，增加出光率。
缓冲层2是一个过渡层，在此基础上生长高质量的N、P、量子阱等其它材料。
LED由pn结构成，缓冲层2、N型层3层、N型分别限制层4、P型分别限制层6以及P型层7是为了形成制作LED所需的P和N型材料。发光区层5是LED的发光区，光的颜色由有源区的材料决定。
P型欧姆接触层8是材料生长的最后一层，这一层的载流子搀杂浓度较高，目的是为制作较小的欧姆接触电阻。
P型金属欧姆接触层不是由生长形成的，而是通过蒸镀或溅射等方法形成的，目的之一是制作器件的电极，目的之二是为了封装打线用。
再通过蒸镀、溅射或其它薄膜制作方法，在P型欧姆接触层8表面形成一层ITO薄膜，用于制作发光二极管的光穿透层9，ITO薄膜一般为氧化铟锡材质，是一种透明的半导体导电薄膜，一般可使LED 的出光效率提高20%—30%。再通过蒸镀、溅射或其它薄膜制作方法，在光穿透层9形成二氧化硅层10和金属层11多层结构的全反射镜，二氧化硅层10可以改进发光区的电流扩展，降低电流堆积效应，而金属层11作为反射镜可以降低P电极对光的吸收，增加蓝宝石衬底边光的提取，并可以做为芯片的导热板；金属依需求可选用铝、银或金等材料。
如图2所示，在图1结构的金属层11表面涂布第一光刻胶层13（正胶或负胶），涂布速度在2500-5000转/分，并对涂布温度控制90摄氏度-100摄氏度之间，在烘箱里或铁板表面烘烤，烘烤时间分别为30分钟和2分钟。
如图3所示，LED倒装芯片周边的第一光刻胶层13通过曝光或显影方式去除，并且形成环形金属层暴露区。
如图4所示，利用干刻或化学腐蚀的方法，将暴露部分的N型分别限制层4、发光区层5、P型分别限制层6、P型层7、P型欧姆接触层8、光穿透层9 、二氧化硅层10、金属层11以及部分的N型层3去除使得整个LED芯片形成梯台结构。
如图5所示，将LED芯片中间剩余的第一光刻胶层13全部去除。
如图6所示，在图5结构的表面涂布第二光刻胶层14（正胶或负胶），涂布速度在2500-5000转/分，并对涂布温度控制90摄氏度-100摄氏度之间，在烘箱里或铁板表面烘烤，烘烤时间分别为30分钟和2分钟。
如图7所示，将LED倒装芯片梯台结构上的部分第二光刻胶层14通过曝光或显影方式去除，并且形成环形金属层暴露区。
如图8所示，利用干刻或化学腐蚀的方法，将暴露部分的金属层11和二氧化硅层10去除，形成环形凹槽。
如图9所示，将LED倒装芯片剩余的第二光刻胶层14全部去除。
如图10所示，在图9中所得LED芯片结构的表面涂布第三光刻胶层15（正胶或负胶），涂布速度在2500-5000转/分，并对涂布温度控制90摄氏度-100摄氏度之间，在烘箱里或铁板表面烘烤，烘烤时间分别为30分钟和2分钟。
如图11所示，将LED芯片表面的第三光刻胶层15通过曝光或显影方式部份去除，形成梯台外壁暴露区以及在梯台上形成环形暴露区。
如图12所示，利用PECVD或其它镀膜技术，在图11所示的结构表面直接制备一层绝缘介质膜16，绝缘介质膜16材质为二氧化硅层或其它透光性佳的绝缘介质，厚度在100nm-500nm之间。绝缘介质膜16通过镀膜的方式均匀地覆盖在阶梯结构的LED芯片上及第三光刻胶层15表面。
如图13所示，在图12的LED结构表面涂布第四光刻胶层17（正胶或负胶），涂布速度在2500-5000转/分，并对涂布温度控制90摄氏度-100摄氏度之间，在烘箱里或铁板表面烘烤，烘烤时间分别为30分钟和2分钟。
如图14所示，将LED芯片表面的第四光刻胶层17通过曝光或显影方式部份去除，仅保留梯台外壁垂直涂布的第四光刻胶层17。
如图15所示，利用干刻或化学腐蚀的方法，除去部分绝缘介质膜16，仅保留梯台外壁垂直布置的绝缘介质膜16和梯台上环形凹槽中的绝缘介质膜16，梯台上环形凹槽中的绝缘介质膜16高度等于金属层11和二氧化硅层10的厚度。
如图16所示，将LED芯片剩余的第三光刻胶层15和第四光刻胶层17全部去除。
如图17所示，在图16芯片结构的表面涂布第五光刻胶层18（正胶或负胶），涂布速度在2500-5000转/分，并对涂布温度控制90摄氏度-100摄氏度之间，在烘箱里或铁板表面烘烤，烘烤时间分别为30分钟和2分钟。
如图18所示，将LED芯片环形凹槽上方的第五光刻胶层18通过曝光或显影方式部份去除，并且形成环形绝缘介质膜暴露区。
如图19所示，利用干刻或化学腐蚀的方法，将芯片上方靠两侧暴露部分的绝缘介质膜16完全去除。
如图20所示，将LED芯片剩余的第五光刻胶层18全部去除。
如图21所示，再通过蒸镀、溅射或其它薄膜制作方法，在图20芯片结构上形成一层光穿透层ITO薄膜19，用于制作发光二极管的光穿透层及导电。
如图22所示，在图21芯片结构的表面涂布第六光刻胶层20（正胶或负胶），涂布速度在2500-5000转/分，并对涂布温度控制90摄氏度-100摄氏度之间，在烘箱里或铁板表面烘烤，烘烤时间分别为30分钟和2分钟。
如图23所示，将LED芯片梯台顶部的第六光刻胶层20通过曝光或显影方式部份去除，并且形成光穿透层ITO薄膜暴露区。
如图24所示，利用PECVD或其它镀膜技术，在图23所示的芯片结构表面制备一层金属合金层21。
如图25所示，在图24结构的表面涂布第七光刻胶层22（正胶或负胶），涂布速度在2500-5000转/分，并对涂布温度控制90摄氏度-100摄氏度之间，在烘箱里或铁板表面烘烤，烘烤时间分别为30分钟和2分钟。
如图26所示，将LED芯片上方靠两侧表面的第七光刻胶层22通过曝光或显影方式部份去除，在倒装芯片梯台顶部保留环状和方形的第七光刻胶层22。并且形成梯台下方和梯台上的环形金属合金层暴露区。图26中可以看出，剩下的第七光刻胶层22分成两个部分，都位于LED芯片的台阶上，环状的第七光刻胶层22和方形的第七光刻胶层22之间的金属合金层暴露区用于P型电极和两个N型电极进行隔离。
如图27所示，利用干刻或化学腐蚀的方法，去除没有被第七光刻胶层22覆盖的金属合金层21，同时也去除环状第七光刻胶层22和方形第七光刻胶层22之间的二氧化硅层10、金属层11以及光穿透层ITO薄膜19。原有的光穿透层ITO薄膜19将被分成N型电极光穿透层ITO薄膜191和P型电极光穿透层ITO薄膜192。
如图28所示，将LED芯片剩余的第六光刻胶层20和第七光刻胶层22全部去除，并形成环状N型电极和一个P型电极，P型电极被环状N型电极包围。
如图29所示，为了进一步提高LED芯片的发光效率，利用ICP、RIE或其它刻蚀技术对衬底1进行刻蚀，并且形成多个附着孔27。
如图30所示，利用涂胶方法把配制好的纳米荧光粉液均匀地涂布在衬底1表面。然后在100-180摄氏度的烘箱内进行烘烤，时间为10分钟-1个小时，最终在衬底1表面形成一层均匀的纳米荧光粉层28。
至图30中的LED芯片为止，本发明使用陶瓷散热的高功率LED灯具的主要制作步骤已经完成。
该发明使用陶瓷散热的高功率LED灯具的N型电极主要包括N型电极光穿透层ITO薄膜191和N型电极金属合金层23，其中N型电极光穿透层ITO薄膜191为阶梯结构，阶梯结构下部与芯片两侧的N型层3暴露区连接；阶梯结构上部与N型电极金属合金层23、金属层11以及绝缘介质膜16连接，其中N型电极金属合金层23位于阶梯结构上部的上方，金属层11和绝缘介质膜16位于阶梯结构上部的下方。
LED芯片的P型电极主要包括P型电极金属合金层24和P型电极光穿透层ITO薄膜192，P型电极光穿透层ITO薄膜192上方与P型电极金属合金层24连接，P型电极光穿透层ITO薄膜192四周向下延伸至光穿透层9并且将金属层11和二氧化硅层10限制于其中；N型电极金属合金层23与P型电极金属合金层24位于同一水平面。
此外，可以看出包括透过大面积的金属层11、N型电极金属合金层23以及P型电极金属合金层24，亦可达到散热最大面积。
如图31所示，N型电极包围P型电极，达到最均匀电流，并且使得发光区和发光效果达到最均匀的理想状态。
如图32所示，从芯片上方及两侧四面出光及金属层11反射，可以大大提升芯片发光效率。
如图33所示，两个N型电极金属合金层23和P型电极金属合金层24分别通过PCB板25与散热结构26进行连接。由于两个N型电极金属合金层23和P型电极金属合金层24位置在同一水平面上，使得它们与PCB板25锡焊时，锡焊层的厚度可以进行有效的控制，避免虚焊或脱焊。
如图34所示，一种使用陶瓷散热的高功率LED灯具，包括陶瓷散热基座60，在陶瓷散热基座60的一面固定电路板，在电路板连接有白光LED倒装芯片50，在白光LED倒装芯片50上方固定设有一非透明灯罩；在陶瓷散热基座60的另一面设有向外突出的散热鳍片61，散热鳍片61也为陶瓷材质。安装基座51、陶瓷散热基座6以及散热鳍片61通过螺栓52进行固定。
本发明由于散热鳍片与陶瓷散热基座的材质为陶瓷材质，利用陶瓷材质的高传导和高辐射物理特性，可以将白光LED倒装芯片产生的热能快速吸收并散去，确保白光LED倒装芯片处于一恒定低温状态，并且可稳定并持续运作，因而可以延长了LED的使用寿命。
上面结合附图对本发明进行了示例性的描述，显然本发明的实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围内。
Claims (6)
1.一种使用陶瓷散热的高功率LED灯具，包括陶瓷散热基座（60），在所述陶瓷散热基座（60）的一面固定电路板，在所述电路板连接有白光LED倒装芯片（50），在所述白光LED倒装芯片（50）上方固定设有一非透明灯罩；在所述陶瓷散热基座（60）的另一面设有向外突出的散热鳍片（61），所述散热鳍片（61）也为陶瓷材质，其特征在于：所述白光LED倒装芯片（50）制作步骤如下：步骤1、所述白光LED倒装芯片（13）层结构依次包括衬底（1）、缓冲层（2）、N型层（3）、N型分别限制层（4）、发光区层（5）、P型分别限制层（6）、P型层（7）、P型欧姆接触层（8）、光穿透层（9）、二氧化硅层（10）、金属层（11）；步骤2、金属层（11）表面涂布第一光刻胶层（13）；步骤3、LED倒装芯片周边的第一光刻胶层（13）通过曝光或显影方式去除，并且形成环形暴露区；步骤4、将暴露部分的N型分别限制层（4）、发光区层（5）、P型分别限制层（6）、P型层（7）、P型欧姆接触层（8）、光穿透层（9）、二氧化硅层（10）、金属层（11）以及部分的N型层（3）去除使得整个倒装LED芯片形成梯台结构；步骤5、将LED芯片中间剩余的第一光刻胶层（13）全部去除；步骤6、在步骤5所得倒装芯片的表面涂布第二光刻胶层（14）；步骤7、将LED倒装芯片梯台结构上的部分第二光刻胶层（14）通过曝光或显影方式去除，并且形成环形金属层暴露区；步骤8、将暴露部分的金属层（11）和二氧化硅层（10）去除，形成环形凹槽；步骤9、将LED倒装芯片剩余的第二光刻胶层（14）全部去除；步骤10、在步骤9所得LED倒装芯片的表面涂布第三光刻胶层（15）；步骤11、将LED芯片表面的第三光刻胶层（15）通过曝光或显影方式部份去除，形成梯台外壁暴露区以及在梯台上形成环形暴露区；步骤12、在步骤11所得LED倒装芯片的表面直接制备一层绝缘介质膜（16）；步骤13、在步骤12所得LED倒装芯片的表面涂布第四光刻胶层（17）；步骤14、去除部分第四光刻胶层（17），仅保留梯台外壁垂直涂布的第四光刻胶层（17）；步骤15、除去部分绝缘介质膜（16），仅保留梯台外壁垂直布置的绝缘介质膜（16）和梯台上环形凹槽中的绝缘介质膜（16）；步骤16、去除剩余所有的第三光刻胶层（15）和第四光刻胶层（17）；步骤17、在步骤16所得LED倒装芯片的表面涂布第五光刻胶层（18）；步骤18、将梯台上环形凹槽上方的第五光刻胶层（18）去除，并且形成环形绝缘介质膜暴露区；步骤19、将芯片上方靠两侧暴露部分的绝缘介质膜（16）完全去除；步骤20、去除剩余所有的第五光刻胶层（18）；步骤21、在步骤20所得LED倒装芯片的表面上形成一层光穿透层ITO薄膜（19）；步骤22、在步骤21所得LED倒装芯片的表面涂布第六光刻胶层（20）；步骤23、去除LED倒装芯片梯台顶部的第六光刻胶层（20），并且形成光穿透层ITO薄膜暴露区；步骤24、在步骤23所得LED倒装芯片的表面制备一金属合金层（21）；步骤25、在步骤24所得LED倒装芯片的表面添加第七光刻胶层（22）；步骤26、去除部分的第七光刻胶层（22），仅仅在倒装芯片梯台顶部保留环状和方形的第七光刻胶层（22）；步骤27、去除没有被第七光刻胶层（22）覆盖的金属合金层（21），同时也去除环状第七光刻胶层（22）和方形第七光刻胶层（22）之间的二氧化硅层（10）、金属层（11）以及光穿透层ITO薄膜（19）；光穿透层ITO薄膜（19）被分割成两个独立的部分：N型电极光穿透层ITO薄膜（191）和P型电极光穿透层ITO薄膜（192）；步骤28、将剩余的第六光刻胶层（20）和第七光刻胶层（22）全部去除，并形成环状N型电极和一个P型电极，P型电极被环状N型电极包；步骤29、利用ICP、RIE或其它刻蚀技术对衬底（1）进行刻蚀形成多个附着孔（27）；纳米荧光粉层（28）通过所述多个附着孔（27）粘附在所述衬底（1）表面；利用涂胶方法把配制好的纳米荧光粉液均匀地涂布在衬底（1）表面，然后在100-180摄氏度的烘箱内进行烘烤，时间为10分钟-1个小时，最终在衬底（1）表面形成一层均匀的纳米荧光粉层（28）；该芯片蚀刻成梯台结构并形成环状N型电极和柱形P型电极，柱形P型电极被环状N型电极包围，所述环状N型电极和所述柱形P型电极与PCB板连接的焊锡面处于同一水平面高度；N型电极主要包括N型电极光穿透层ITO薄膜（191）和N型电极金属合金层（23），其中N型电极光穿透层ITO薄膜（191）为阶梯结构，阶梯结构下部与芯片的N型层（3）暴露区连接；阶梯结构上部与N型电极金属合金层（23）、金属层（11）以及绝缘介质膜（16）连接，其中N型电极金属合金层（23）位于阶梯结构上部的上方，金属层（11）和绝缘介质膜（16）位于阶梯结构上部的下方；P型电极主要包括P型电极金属合金层（24）和P型电极光穿透层ITO薄膜（192），P型电极光穿透层ITO薄膜（192）上方与P型电极金属合金层（24）连接，P型电极光穿透层ITO薄膜（192）四周向下延伸至光穿透层（9）并且将下方的金属层（11）和二氧化硅层（10）限制于其中；N型电极金属合金层（23）与P型电极金属合金层（24）位于同一水平面。
2.根据权利要求1所述使用陶瓷散热的高功率LED灯具，其特征在于：所述绝缘介质膜（16）与阶梯结构的中间部分和下部相平行，起到隔离N型电极光穿透层ITO薄膜（191）的作用。
3.根据权利要求1至2中任何一项所述使用陶瓷散热的高功率LED灯具，其特征在于：在所述衬底（1）中形成一层凹凸面（12）。
4.根据权利要求1至2中任何一项所述使用陶瓷散热的高功率LED灯具，其特征在于：所述衬底（1）与所述缓冲层（2）通过凹凸面（12）结构过渡。
5.根据权利要求4所述使用陶瓷散热的高功率LED灯具，其特征在于：所述散热鳍片（61）为圆柱状的散热凸块。
6.根据权利要求1-5中任何一项所述使用陶瓷散热的高功率LED灯具，其特征在于：所述散热鳍片（61）为方块状的散热凸块。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210044889.4A CN102593304B (zh) | 2012-02-27 | 2012-02-27 | 一种使用陶瓷散热的高功率led灯具 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210044889.4A Division CN102593304B (zh) | 2012-02-27 | 2012-02-27 | 一种使用陶瓷散热的高功率led灯具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103943747A true CN103943747A (zh) | 2014-07-23 |
| CN103943747B CN103943747B (zh) | 2015-12-30 |
Family
ID=46481698
Family Applications (5)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210044889.4A Active CN102593304B (zh) | 2012-02-27 | 2012-02-27 | 一种使用陶瓷散热的高功率led灯具 |
| CN201410159019.0A Active CN103915557B (zh) | 2012-02-27 | 2012-02-27 | 一种使用陶瓷散热的高功率led灯具 |
| CN201410172746.0A Active CN103943747B (zh) | 2012-02-27 | 2012-02-27 | 一种使用陶瓷散热的高功率led灯具 |
| CN201410157413.0A Active CN103943769B (zh) | 2012-02-27 | 2012-02-27 | 一种使用陶瓷散热的高功率led灯具 |
| CN201410171549.7A Expired - Fee Related CN104037317B (zh) | 2012-02-27 | 2012-02-27 | 一种使用陶瓷散热的高功率led灯具 |
Family Applications Before (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210044889.4A Active CN102593304B (zh) | 2012-02-27 | 2012-02-27 | 一种使用陶瓷散热的高功率led灯具 |
| CN201410159019.0A Active CN103915557B (zh) | 2012-02-27 | 2012-02-27 | 一种使用陶瓷散热的高功率led灯具 |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410157413.0A Active CN103943769B (zh) | 2012-02-27 | 2012-02-27 | 一种使用陶瓷散热的高功率led灯具 |
| CN201410171549.7A Expired - Fee Related CN104037317B (zh) | 2012-02-27 | 2012-02-27 | 一种使用陶瓷散热的高功率led灯具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (5) | CN102593304B (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103915556B (zh) * | 2012-02-27 | 2016-06-29 | 俞国宏 | 一种使用陶瓷散热的高功率led灯具 |
| CN102593304B (zh) * | 2012-02-27 | 2014-07-30 | 合肥晶恒电子科技有限公司 | 一种使用陶瓷散热的高功率led灯具 |
| CN106711316B (zh) * | 2015-11-18 | 2020-09-04 | 晶元光电股份有限公司 | 发光元件 |
| CN108493306B (zh) * | 2018-03-27 | 2020-09-08 | 北京大学 | 一种高压高功率GaN基LED阵列芯片的制备方法 |
| CN111509097B (zh) * | 2020-06-30 | 2020-10-20 | 华引芯（武汉）科技有限公司 | 一种大功率半导体发光器件及其制备方法 |
| CN112384015B (zh) * | 2020-11-06 | 2021-07-13 | 浙江大学 | 一种儿童心理健康成长测评仪 |
| CN113363369B (zh) * | 2021-05-31 | 2022-09-20 | 华中科技大学 | 一种led量子点散热翅片、led及其制备方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101222015A (zh) * | 2008-01-19 | 2008-07-16 | 鹤山丽得电子实业有限公司 | 发光二极管、具有其的封装结构及其制造方法 |
| US20080191227A1 (en) * | 2005-04-01 | 2008-08-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface-Mount Type Optical Semiconductor Device and Method For Manufacturing Same |
| KR20090103292A (ko) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | 서울반도체 주식회사 | Ｌｅｄ 패키지 |
| CN201804904U (zh) * | 2010-03-15 | 2011-04-20 | 赖哲毅 | 一种高光高效led |
| CN103915556A (zh) * | 2012-02-27 | 2014-07-09 | 俞国宏 | 一种使用陶瓷散热的高功率led灯具 |
| CN104037317A (zh) * | 2012-02-27 | 2014-09-10 | 义乌市运拓光电科技有限公司 | 一种使用陶瓷散热的高功率led灯具 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100568297B1 (ko) * | 2004-03-30 | 2006-04-05 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| US7166483B2 (en) * | 2004-06-17 | 2007-01-23 | Tekcore Co., Ltd. | High brightness light-emitting device and manufacturing process of the light-emitting device |
| CN100386891C (zh) * | 2004-07-02 | 2008-05-07 | 北京工业大学 | 高抗静电高效发光二极管及制作方法 |
| US8680534B2 (en) * | 2005-01-11 | 2014-03-25 | Semileds Corporation | Vertical light emitting diodes (LED) having metal substrate and spin coated phosphor layer for producing white light |
| JP2006278751A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | ＧａＮ系半導体発光素子 |
| CN1897315A (zh) * | 2005-07-14 | 2007-01-17 | 桦晶科技股份有限公司 | 发光二极管（led）无打线的封装结构 |
| CN1901238A (zh) * | 2005-07-20 | 2007-01-24 | 桦晶科技股份有限公司 | 发光二极管(led)无打线的封装结构 |
| JP2008135694A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-06-12 | Hitachi Cable Ltd | Ｌｅｄモジュール |
| TWI331413B (en) * | 2007-02-16 | 2010-10-01 | Epistar Corp | Led flip chip package structure and manufacture method thereof |
| CN101488539B (zh) * | 2008-01-17 | 2010-12-08 | 晶元光电股份有限公司 | 发光元件 |
| CN201804913U (zh) * | 2010-09-30 | 2011-04-20 | 江阴长电先进封装有限公司 | 圆片级led封装结构 |
| CN102044608A (zh) * | 2010-11-17 | 2011-05-04 | 重庆大学 | 一种倒装焊led芯片结构及其制作方法 |
| CN202091861U (zh) * | 2011-06-10 | 2011-12-28 | 北京中智锦成科技有限公司 | 一种使用陶瓷散热的led发光模块 |
| CN102354721A (zh) * | 2011-11-04 | 2012-02-15 | 祝进田 | 一种倒装结构的led芯片制作方法 |
-
2012
- 2012-02-27 CN CN201210044889.4A patent/CN102593304B/zh active Active
- 2012-02-27 CN CN201410159019.0A patent/CN103915557B/zh active Active
- 2012-02-27 CN CN201410172746.0A patent/CN103943747B/zh active Active
- 2012-02-27 CN CN201410157413.0A patent/CN103943769B/zh active Active
- 2012-02-27 CN CN201410171549.7A patent/CN104037317B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080191227A1 (en) * | 2005-04-01 | 2008-08-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface-Mount Type Optical Semiconductor Device and Method For Manufacturing Same |
| CN101222015A (zh) * | 2008-01-19 | 2008-07-16 | 鹤山丽得电子实业有限公司 | 发光二极管、具有其的封装结构及其制造方法 |
| KR20090103292A (ko) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | 서울반도체 주식회사 | Ｌｅｄ 패키지 |
| CN201804904U (zh) * | 2010-03-15 | 2011-04-20 | 赖哲毅 | 一种高光高效led |
| CN103915556A (zh) * | 2012-02-27 | 2014-07-09 | 俞国宏 | 一种使用陶瓷散热的高功率led灯具 |
| CN104037317A (zh) * | 2012-02-27 | 2014-09-10 | 义乌市运拓光电科技有限公司 | 一种使用陶瓷散热的高功率led灯具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104037317B (zh) | 2016-04-06 |
| CN103943747B (zh) | 2015-12-30 |
| CN103915557A (zh) | 2014-07-09 |
| CN103943769A (zh) | 2014-07-23 |
| CN102593304A (zh) | 2012-07-18 |
| CN103943769B (zh) | 2016-04-06 |
| CN102593304B (zh) | 2014-07-30 |
| CN103915557B (zh) | 2016-04-06 |
| CN104037317A (zh) | 2014-09-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102593304B (zh) | 一种使用陶瓷散热的高功率led灯具 | |
| CN102214649B (zh) | 一种led封装结构及其制备方法 | |
| CN106981550B (zh) | 一种易封装易散热倒装高压led芯片 | |
| CN107146840A (zh) | 一种倒装led芯片阵列结构及其制备方法 | |
| CN102231378B (zh) | 一种led封装结构及其制备方法 | |
| TWI447975B (zh) | 發光二極體晶片之結構、發光二極體封裝基板之結構、發光二極體封裝結構及其製法 | |
| CN102544266B (zh) | 一种高光效白光led倒装芯片的制作方法 | |
| CN102214746B (zh) | 一种氮化镓基功率型led芯片制作方法 | |
| CN102214652B (zh) | 一种led封装结构及其制备方法 | |
| CN206864498U (zh) | 一种倒装led芯片阵列结构 | |
| CN102226995B (zh) | 一种led封装结构及其制备方法 | |
| CN202405306U (zh) | 一种高光效、低光衰以及高封装良率led芯片 | |
| CN103915556A (zh) | 一种使用陶瓷散热的高功率led灯具 | |
| CN103943745A (zh) | 一种使用陶瓷散热的高功率led灯具 | |
| CN102544295B (zh) | 一种高光效白光led倒装芯片 | |
| CN104332547B (zh) | 一种led芯片 | |
| CN103050610B (zh) | 一种高光效白光led倒装芯片 | |
| TWI479695B (zh) | A light emitting diode chip and a light emitting element | |
| CN103050611B (zh) | 一种高光效白光led倒装芯片 | |
| TWI590487B (zh) | Thin-film light-emitting diode manufacturing method and film-type light-emitting Diode | |
| WO2017054248A1 (zh) | 倒装led模组 | |
| WO2014086081A1 (zh) | 水平结构的led芯片 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20181101 Address after: 311115 7th floor, No. 966 Bottle Avenue, Bottle Yao Town, Yuhang District, Hangzhou City, Zhejiang Province Patentee after: China (Hangzhou) Intellectual Property Operation Co., Ltd. Address before: 322023 Yiwu, Zhejiang province Jiangdong Street, Zhu Zhu Village A District 1 Building 2 unit two floor. Patentee before: Yiwu Yuntuo Optoelectronic Technology Co., Ltd. |
|
| CP02 | Change in the address of a patent holder |
Address after: Room 402, 179 Mingzhu Avenue, yong'anzhou Town, Gaogang District, Taizhou City, Jiangsu Province Patentee after: Zhongzhong (Hangzhou) Intellectual Property Operations Co., Ltd. Address before: 311115 7th floor, No. 966 Bottle Avenue, Bottle Yao Town, Yuhang District, Hangzhou City, Zhejiang Province Patentee before: Zhongzhong (Hangzhou) Intellectual Property Operations Co., Ltd. |
|
| CP02 | Change in the address of a patent holder | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20200914 Address after: 425000 No. 88 Huancheng East Road, Baiya Town Industrial Zone, Dongan County, Yongzhou City, Hunan Province Patentee after: YONGZHOU FEISITE ELECTRONIC TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: 311115 7th floor, No. 966 Bottle Avenue, Bottle Yao Town, Yuhang District, Hangzhou City, Zhejiang Province Patentee before: Zhongzhong (Hangzhou) Intellectual Property Operations Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: A high power LED lamp with ceramic heat dissipation Effective date of registration: 20201112 Granted publication date: 20151230 Pledgee: Agricultural Bank of China, Dongan County branch, Limited by Share Ltd. Pledgor: YONGZHOU FEISITE ELECTRONIC TECHNOLOGY Co.,Ltd. Registration number: Y2020990001340 |
|
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |