CN107516702A - 一种防顶伤倒装led芯片 - Google Patents
一种防顶伤倒装led芯片 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107516702A CN107516702A CN201610425828.0A CN201610425828A CN107516702A CN 107516702 A CN107516702 A CN 107516702A CN 201610425828 A CN201610425828 A CN 201610425828A CN 107516702 A CN107516702 A CN 107516702A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- insulating barrier
- type electrode
- gallium nitride
- nitride layer
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 7
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 38
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 5
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/382—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
一种防顶伤倒装LED芯片，包括：衬底、发光结构、第一绝缘层，第一N型电极、第二绝缘层、第二N型电极和P型电极，其中，第一N型电极位置错开了芯片在封装时第一N型电极与顶针接触的位置，第一N型电极具有图形化隔离，防止在封装过程中顶针将绝缘层顶穿而导致的P、N电极导通造成的短路，提高芯片在封装时的可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体光电器件以及半导体照明制造领域，尤其是涉及一种倒装LED芯片。
背景技术
LED作为新一代的固体冷光源，具有低能耗、寿命长、易控制、安全环保等特点，是理想的节能环保产品，适用各种照明场所。
传统LED芯片一般为蓝宝石衬底，散热性能较差，容易使发生漏电、光衰严重、电压高等问题，严重影响LED芯片的可靠性能。
倒装LED芯片和传统LED芯片相比，具有电流分布均匀、散热好、电压降低、效率高等优点。倒装LED芯片在封装使用过程中，芯片的正面需翻转朝下，通过顶针直接作用在倒装LED芯片的金属电极上，因此，如图1所示，顶针容易把金属电极和绝缘层顶伤，造成倒装LED芯片短路和漏电等问题。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种防顶伤倒装LED芯片， 以解决现有技术中顶针顶伤倒装LED芯片的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种防顶伤倒装LED芯片，包括：
衬底；
发光结构，所述发光结构位于所述衬底表面包括：位于所述衬底表面的N型氮化镓层，位于所述N型氮化镓层背离所述衬底一侧的有源层，位于所述有源层背离所述N型氮化镓层一侧的P型氮化镓层，位于所述P型氮化镓层背离所述N型氮化镓层一侧的金属反射层；
第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述金属反射层背离所述P型氮化镓层一侧；
第一N型电极，所述第一N型电极位于所述第一绝缘层背离所述金属反射层一侧，并贯穿所述第一绝缘层和所述发光结构并延伸至所述N型氮化镓层表面，且所述第一N型电极不在芯片封装时与顶针接触的位置上；
第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述N型电极及所述第一绝缘层背离所述金属反射层一侧；
第二N型电极，所述第二N型电极位于所述第二绝缘层背离所述第一绝缘层一侧，贯穿所述第二绝缘层并延伸至所述第一N型电极表面；
P型电极，所述P型电极位于所述第二绝缘层背离所述第一绝缘层一侧，贯穿所述第二绝缘层、第一绝缘层和发光结构并延伸至所述P型氮化镓层表面。
优选的，所述第一N型电极的数量大于等于2。
优选的，所述第二N型电极的数量少于等于所述第一N型电极的数量。
优选的，所述第一N型电极具有图形化隔离。
与现有技术相比，本发明所提供的技术方案具有以下优点：
本发明提供的一种防顶伤倒装LED芯片，第一N型电极位置错开了芯片在封装时第一N型电极与顶针接触的位置，第一N型电极具有图形化隔离，防止在封装过程中顶针将绝缘层顶穿而导致的P、N电极导通造成的短路，提高芯片在封装时的可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中倒装LED芯片的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种防顶伤倒装LED芯片的结构示意图。
具体实施例
正如背景技术所述，现有技术中的倒装LED芯片在封装过程中顶针容易把金属电极和绝缘层顶伤，造成倒装LED芯片短路和漏电等问题。
基于此，本发明提供了一种防顶伤倒装LED芯片，以克服现有技术存在的上述问题，包括：
衬底；发光结构，所述发光结构位于所述衬底表面包括：位于所述衬底表面的N型氮化镓层，位于所述N型氮化镓层背离所述衬底一侧的有源层，位于所述有源层背离所述N型氮化镓层一侧的P型氮化镓层，位于所述P型氮化镓层背离所述N型氮化镓层一侧的金属反射层；第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述金属反射层背离所述P型氮化镓层一侧；第一N型电极，所述第一N型电极位于所述第一绝缘层背离所述金属反射层一侧，并贯穿所述第一绝缘层和所述发光结构并延伸至所述N型氮化镓层表面，且所述第一N型电极不在芯片封装时与顶针接触的位置上；第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述N型电极及所述第一绝缘层背离所述金属反射层一侧；第二N型电极，所述第二N型电极位于所述第二绝缘层背离所述第一绝缘层一侧，贯穿所述第二绝缘层并延伸至所述第一N型电极表面；P型电极，所述P型电极位于所述第二绝缘层背离所述第一绝缘层一侧，贯穿所述第二绝缘层、第一绝缘层和发光结构并延伸至所述P型氮化镓层表面。
本发明提供的一种防顶伤倒装LED芯片，第一N型电极位置错开了芯片在封装时第一N型电极与顶针接触的位置，第一N型电极具有图形化隔离，防止在封装过程中顶针将绝缘层顶穿而导致的P、N电极导通造成的短路，提高芯片在封装时的可靠性。
以上是本发明的核心思想，为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
其次，本发明结合示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
下面通过具体实施例详细描述。
本实施例提供了一种防顶伤倒装LED芯片，如图2所示，包括：
衬底10；
发光结构20，发光结构20位于衬底10表面包括：位于衬底10表面的N型氮化镓层21，位于N型氮化镓层21背离衬底10一侧的有源层22，位于有源层22背离N型氮化镓层21一侧的P型氮化镓层23，位于P型氮化镓层23背离N型氮化镓层21一侧的金属反射层23；
第一绝缘层30，第一绝缘层30位于金属反射层24背离P型氮化镓层23一侧；
第一N型电极40，第一N型电极40位于第一绝缘层30背离所述金属反射层24一侧，并贯穿第一绝缘层30和发光结构20并延伸至N型氮化镓层21表面，且第一N型电极40不在芯片封装时与顶针接触的位置上；
第二绝缘层50，第二绝缘层50位于第一N型电极40及第一绝缘层30背离金属反射层24一侧；
第二N型电极61，第二N型电极61位于第二绝缘层50背离第一绝缘层30一侧，贯穿第二绝缘层50并延伸至第一N型电极40表面；
P型电极62，P型电极62位于第二绝缘层50背离第一绝缘层30一侧，贯穿第二绝缘层50、第一绝缘层30和发光结构20并延伸至P型氮化镓层23表面。
本实施例中的第一N型电极40的数量大于等于2。其中，第二N型电极61的数量少于等于第一N型电极40的数量。
进一步地，第一N型电极40具有图形化隔离。
本实施例提供的一种防顶伤倒装LED芯片，第一N型电极位置错开了芯片在封装时第一N型电极与顶针接触的位置，第一N型电极具有图形化隔离，防止在封装过程中顶针将绝缘层顶穿而导致的P、N电极导通造成的短路，提高芯片在封装时的可靠性。其中，所述发光结构包括依次形成的N型氮化镓层、有源层、P型氮化镓层和金属反射层。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (4)
1.一种防顶伤倒装LED芯片，包括：
衬底；
发光结构，所述发光结构位于所述衬底表面包括：位于所述衬底表面的N型氮化镓层，位于所述N型氮化镓层背离所述衬底一侧的有源层，位于所述有源层背离所述N型氮化镓层一侧的P型氮化镓层，位于所述P型氮化镓层背离所述N型氮化镓层一侧的金属反射层；
第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述金属反射层背离所述P型氮化镓层一侧；
第一N型电极，所述第一N型电极位于所述第一绝缘层背离所述金属反射层一侧，并贯穿所述第一绝缘层和所述发光结构并延伸至所述N型氮化镓层表面，且所述第一N型电极不在芯片封装时与顶针接触的位置上；
第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述N型电极及所述第一绝缘层背离所述金属反射层一侧；
第二N型电极，所述第二N型电极位于所述第二绝缘层背离所述第一绝缘层一侧，贯穿所述第二绝缘层并延伸至所述第一N型电极表面；
P型电极，所述P型电极位于所述第二绝缘层背离所述第一绝缘层一侧，贯穿所述第二绝缘层、第一绝缘层和发光结构并延伸至所述P型氮化镓层表面。
2.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一N型电极的数量大于等于2。
3.根据权利要求2所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第二N型电极的数量少于等于所述第一N型电极的数量。
4.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一N型电极具有图形化隔离。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610425828.0A CN107516702A (zh) | 2016-06-16 | 2016-06-16 | 一种防顶伤倒装led芯片 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610425828.0A CN107516702A (zh) | 2016-06-16 | 2016-06-16 | 一种防顶伤倒装led芯片 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107516702A true CN107516702A (zh) | 2017-12-26 |
Family
ID=60719961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610425828.0A Pending CN107516702A (zh) | 2016-06-16 | 2016-06-16 | 一种防顶伤倒装led芯片 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107516702A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109216515A (zh) * | 2018-07-26 | 2019-01-15 | 华灿光电股份有限公司 | 一种倒装led芯片及其制作方法 |
| CN109860366A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-06-07 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 倒装led芯片 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100127294A1 (en) * | 2008-11-25 | 2010-05-27 | Chi Mei Lighting Technology Corp. | Side view type light-emitting diode package structure, and manufacturing method and application thereof |
| CN103779473A (zh) * | 2014-02-18 | 2014-05-07 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | Led芯片及其制作方法、led发光器件 |
| CN104681704A (zh) * | 2015-01-30 | 2015-06-03 | 大连德豪光电科技有限公司 | 倒装led芯片及其制备方法 |
| CN105932143A (zh) * | 2016-06-16 | 2016-09-07 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种倒装led芯片的制造方法 |
| CN205723602U (zh) * | 2016-06-16 | 2016-11-23 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种防顶伤倒装led芯片 |
-
2016
- 2016-06-16 CN CN201610425828.0A patent/CN107516702A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100127294A1 (en) * | 2008-11-25 | 2010-05-27 | Chi Mei Lighting Technology Corp. | Side view type light-emitting diode package structure, and manufacturing method and application thereof |
| CN103779473A (zh) * | 2014-02-18 | 2014-05-07 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | Led芯片及其制作方法、led发光器件 |
| CN104681704A (zh) * | 2015-01-30 | 2015-06-03 | 大连德豪光电科技有限公司 | 倒装led芯片及其制备方法 |
| CN105932143A (zh) * | 2016-06-16 | 2016-09-07 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种倒装led芯片的制造方法 |
| CN205723602U (zh) * | 2016-06-16 | 2016-11-23 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种防顶伤倒装led芯片 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109216515A (zh) * | 2018-07-26 | 2019-01-15 | 华灿光电股份有限公司 | 一种倒装led芯片及其制作方法 |
| CN109860366A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-06-07 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 倒装led芯片 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20150108492A1 (en) | Light-emitting diode | |
| CN108352429A (zh) | 发光器件和包括发光器件的发光器件封装 | |
| CN102447030B (zh) | 发光器件和照明系统 | |
| CN103346218B (zh) | 一种led芯片及其制作方法 | |
| US10490701B2 (en) | Light emitting diode chip | |
| CN106981550B (zh) | 一种易封装易散热倒装高压led芯片 | |
| TW201336116A (zh) | 發光二極體元件及覆晶式發光二極體封裝元件 | |
| CN203521451U (zh) | 一种倒装led芯片的焊接保护结构及倒装led芯片 | |
| CN107516702A (zh) | 一种防顶伤倒装led芯片 | |
| CN103715327A (zh) | 发光二极管芯片 | |
| CN202855792U (zh) | 覆晶式的发光二极管 | |
| CN203521455U (zh) | 一种led芯片 | |
| CN205723602U (zh) | 一种防顶伤倒装led芯片 | |
| EP2439794B1 (en) | Light emitting device | |
| CN205789976U (zh) | 一种led芯片 | |
| CN204577455U (zh) | 一种倒装led芯片 | |
| CN204538077U (zh) | Led芯片及使用该led芯片的发光装置 | |
| CN204216067U (zh) | 具有电流阻挡结构的垂直发光二极管 | |
| CN110752278A (zh) | 一种发光二极管及其制作方法 | |
| CN106206883A (zh) | 一种倒装高压led芯片 | |
| CN103594591B (zh) | 具有透明电极的倒装发光二极管的制造方法 | |
| CN210866229U (zh) | 一种发光二极管 | |
| CN203434197U (zh) | 一种多基色led共晶晶片 | |
| CN202034407U (zh) | Led芯片结构 | |
| CN204118108U (zh) | 一种led芯片 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |