CN205789976U - 一种led芯片 - Google Patents
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Abstract
一种LED芯片，具有第一通孔，且在第一通孔侧壁具有高反射性能的DBR层，这样能较好的把芯片侧面的光反射回芯片内部，减少芯片侧面出光而导致的漏蓝问题，同时，把芯片侧面的光反射回内部能增加芯片轴相出光，提高芯片的亮度和改善芯片的光型分布。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体光电器件以及半导体照明制造领域，尤其是涉及一种LED芯片。
背景技术
LED作为新一代的固体冷光源，具有低能耗、寿命长、易控制、安全环保等特点，是理想的节能环保产品，适用各种照明场所。
现有封装过程中，直接在LED芯片上喷涂一层荧光粉，然后用模具进行透镜封装。传统的LED芯片具有五面出光的特点，因此除了正面喷涂荧光粉能正常出光外，其他四面侧壁容易出现漏蓝、发黄等的问题，存在较严重不同角度颜色差异。
发明内容
有鉴于此，本实用新型提供了一种LED芯片， 以解决现有技术中LED芯片漏蓝、发黄等的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
一种LED芯片，包括：
衬底；
发光结构，所述发光结构位于所述衬底表面包括：位于所述衬底表面的N型氮化镓层，位于所述N型氮化镓层背离所述衬底一侧的有源层，位于所述有源层背离所述N型氮化镓层一侧的P型氮化镓层；
第一通孔，所述第一通孔完全贯穿所述发光结构，延伸至所述衬底表面；
第二通孔，所述第二通孔位于所述发光结构内，完全贯穿所述P型氮化镓层和所述有源层，延伸至所述N型氮化镓层表面；
DBR层，所述DBR层位于所述第一通孔和第二通孔的侧壁及所述P型氮化镓层表面，其中，位于所述P型氮化镓层表面的DBR层具有图形化；
欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述P型氮化镓层和所述DBR层表面；
电极结构，所述电极结构包括：位于所述欧姆接触层表面的P型电极和位于所述N型氮化镓层表面且完全填充所述第二通孔的N型电极。
优选的，所述P型电极在所述P型氮化镓层上的DBR层的垂直投影上。
优选的，所述P型电极的面积小于等于所述P型氮化镓层上的DBR层的面积。
优选的，所述P型电极和N型电极的材料为Ag、Al、Pd、Pt、Au、W、Ni、Ti中的一种或几种合金。
与现有技术相比，本实用新型所提供的技术方案具有以下优点：
本实用新型提供的一种LED芯片，具有第一通孔，把LED晶圆分成多个LED芯片，并且，第一通孔侧壁具有高反射性能的DBR层，这样能较好的把芯片侧面的光反射回芯片内部，减少芯片侧面出光而导致的漏蓝问题，同时，把芯片侧面的光反射回内部能增加芯片轴相出光，提高芯片的亮度和改善芯片的光型分布。
此外，在P型氮化镓层表面形成DBR层，可作为LED芯片的电流阻挡层，一方面能够抑制芯片在垂直方向的电流注入，增加芯片的电流扩展性能；另一方面，该DBR层能把P型电极遮挡的光线反射出去，从而增加芯片的出光效率。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例提供的一种LED芯片的结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述，现有技术中的LED芯片在封装过程中容易出现漏蓝等的问题。
基于此，本实用新型提供了一种LED芯片，以克服现有技术存在的上述问题，包括：
衬底；
发光结构，所述发光结构位于所述衬底表面包括：位于所述衬底表面的N型氮化镓层，位于所述N型氮化镓层背离所述衬底一侧的有源层，位于所述有源层背离所述N型氮化镓层一侧的P型氮化镓层；
第一通孔，所述第一通孔完全贯穿所述发光结构，延伸至所述衬底表面；
第二通孔，所述第二通孔位于所述发光结构内，完全贯穿所述P型氮化镓层和所述有源层，延伸至所述N型氮化镓层表面；
DBR层，所述DBR层位于所述第一通孔和第二通孔的侧壁及所述P型氮化镓层表面，其中，位于所述P型氮化镓层表面的DBR层具有图形化；
欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述P型氮化镓层和所述DBR层表面；
电极结构，所述电极结构包括：位于所述欧姆接触层表面的P型电极和位于所述N型氮化镓层表面且完全填充所述第二通孔的N型电极。
与现有技术相比，本实用新型所提供的技术方案具有以下优点：
本实用新型提供的一种LED芯片，具有第一通孔，把LED晶圆分成多个LED芯片，并且，第一通孔侧壁具有高反射性能的DBR层，这样能较好的把芯片侧面的光反射回芯片内部，减少芯片侧面出光而导致的漏蓝问题，同时，把芯片侧面的光反射回内部能增加芯片轴相出光，提高芯片的亮度和改善芯片的光型分布。
此外，在P型氮化镓层表面形成DBR层，可作为LED芯片的电流阻挡层，一方面能够抑制芯片在垂直方向的电流注入，增加芯片的电流扩展性能；另一方面，该DBR层能把P型电极遮挡的光线反射出去，从而增加芯片的出光效率。
以上是本实用新型的核心思想，为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型，但是本实用新型还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似推广，因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。
其次，本实用新型结合示意图进行详细描述，在详述本实用新型实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本实用新型保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
下面通过具体实施例详细描述。
实施例一
本实施例提供了一种LED芯片，如图1所示，包括：
衬底10；
发光结构20，发光结构20位于衬底10表面包括：位于衬底10表面的N型氮化镓层21，位于N型氮化镓层21背离衬底10一侧的有源层22，位于有源层22背离N型氮化镓层21一侧的P型氮化镓层23；
第一通孔31，第一通孔31完全贯穿发光结构20，并延伸至衬底10表面；
第二通孔32，第二通孔32位于发光结构20内，完全贯穿P型氮化镓层23和有源层22，并延伸至N型氮化镓层21表面；
DBR层40，DBR层40位于第一通孔31和第二通孔32的侧壁及P型氮化镓层23表面，其中，位于P型氮化镓层23表面的DBR层40具有图形化，图形化为漏出芯片的发光区域；
欧姆接触层50，欧姆接触层50位于P型氮化镓层23和DBR层表面40；
电极结构，电极结构包括：位于欧姆接触层50表面的P型电极61和位于N型氮化镓层21表面且完全填充第二通孔32的N型电极62。
其中，本实施例中的衬底10可以为本领域技术人员常用的衬底，如，衬底10可以为蓝宝石衬底、氮化镓衬底、碳化硅衬底、硅衬底等，优选采用蓝宝石衬底。
本实施例中的P型电极61和N型电极62可以采用本领域熟知的电极材料，例如Ag、Al、Pd、Pt、Au、W、Ni、Ti中的一种或几种合金。
进一步地，本实施例中P型电极61在P型氮化镓层23上的DBR层40的垂直投影上，这样有利于该DBR层40把P型电极61遮挡的光线反射出去，从而增加芯片的出光效率。在本实施例中，P型电极的面积小于等于P型氮化镓层上的DBR层的面积。
本实施例提供的一种LED芯片，具有第一通孔，把LED晶圆分成多个LED芯片，并且，第一通孔侧壁具有高反射性能的DBR层，这样能较好的把芯片侧面的光反射回芯片内部，减少芯片侧面出光而导致的漏蓝问题，同时，把芯片侧面的光反射回内部能增加芯片轴相出光，提高芯片的亮度和改善芯片的光型分布。
此外，在P型氮化镓层表面形成DBR层，可作为LED芯片的电流阻挡层，一方面能够抑制芯片在垂直方向的电流注入，增加芯片的电流扩展性能；另一方面，该DBR层能把P型电极遮挡的光线反射出去，从而增加芯片的出光效率。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (3)
1.一种LED芯片，包括：
衬底；
发光结构，所述发光结构位于所述衬底表面包括：位于所述衬底表面的N型氮化镓层，位于所述N型氮化镓层背离所述衬底一侧的有源层，位于所述有源层背离所述N型氮化镓层一侧的P型氮化镓层；
第一通孔，所述第一通孔完全贯穿所述发光结构，延伸至所述衬底表面；
第二通孔，所述第二通孔位于所述发光结构内，完全贯穿所述P型氮化镓层和所述有源层，延伸至所述N型氮化镓层表面；
DBR层，所述DBR层位于所述第一通孔和第二通孔的侧壁及所述P型氮化镓层表面，其中，位于所述P型氮化镓层表面的DBR层具有图形化；
欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述P型氮化镓层和所述DBR层表面；
电极结构，所述电极结构包括：位于所述欧姆接触层表面的P型电极和位于所述N型氮化镓层表面且完全填充所述第二通孔的N型电极。
2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述P型电极在所述P型氮化镓层上的DBR层的垂直投影上。
3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述P型电极的面积小于等于所述P型氮化镓层上的DBR层的面积。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN201620569013.5U CN205789976U (zh) | 2016-06-15 | 2016-06-15 | 一种led芯片 |
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| CN201620569013.5U CN205789976U (zh) | 2016-06-15 | 2016-06-15 | 一种led芯片 |
Publications (1)
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ID=58134452
Family Applications (1)
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| CN201620569013.5U Active CN205789976U (zh) | 2016-06-15 | 2016-06-15 | 一种led芯片 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106409857A (zh) * | 2016-06-15 | 2017-02-15 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种led芯片 |
| CN107731968A (zh) * | 2017-10-10 | 2018-02-23 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种led芯片及其制备方法 |
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2016
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