CN103346218B - 一种led芯片及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，包括：衬底；位于所述衬底表面下的第一半导体层；位于所述第一半导体层背离所述衬底一侧表面的第一电极和有源层，所述第一电极围绕所述有源层，且所述第一电极与所述有源层之间相互绝缘；位于所述有源层背离所述衬底一侧，且仅覆盖所述有源层背离所述衬底一侧表面的第二半导体层；位于所述第二半导体层背离所述衬底一侧表面的第二电极；其中，所述第一半导体层与所述第二半导体层的导电类型相反，所述第一电极与所述第二电极的极性相反。第一电极围绕第二电极，在对该LED芯片施加电压时，第一电极和第二电极之间的电流流向分散，使注入有源层的电流的密度分布均匀，提高了LED芯片的发光性能。

Description

一种LED芯片及其制作方法

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，更具体地说，涉及一种LED芯片及其制作方法。

背景技术

LED（LightEmittingDiode，发光二极）芯片是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。目前，LED芯片的结构分为垂直结构、正装结构和倒装结构。由于倒装结构的LED芯片具有良好的散热性能，因此受到了技术人员的重点关注。

如图1为现有的倒装结构的LED芯片结构示意图，该LED芯片结构包括衬底1、N型半导体层2、有源层3、P型半导体层4、P型电极5和N型电极6。其中，N型半导体层2位于衬底1下方，N型半导体层2分为第一区域和第二区域，在衬底到N型半导体方向上，有源层3位于第一区域下方，P型半导体层4位于有源层3下方，P型电极5位于P型半导体下方，N型电极6位于N型半导体2的第二区域下方。现有技术中的LED芯片工作时，有源层3内的电流密度分布不均匀，进而影响LED芯片的发光性能。

发明内容

有鉴于此，为了解决LED芯片的有源层内的电流分布不均匀的问题，本发明提供一种LED芯片及其制作方法。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种LED芯片，包括：

衬底；

位于所述衬底表面下的第一半导体层；

位于所述第一半导体层背离所述衬底一侧表面的第一电极和有源层，所述第一电极围绕所述有源层，且所述第一电极与所述有源层之间相互绝缘；

位于所述有源层背离所述衬底一侧，且仅覆盖所述有源层背离所述衬底一侧表面的第二半导体层；

位于所述第二半导体层背离所述衬底一侧表面的第二电极；

其中，所述第一半导体层与所述第二半导体层的导电类型相反，所述第一电极与所述第二电极的极性相反。

优选的，所述第一电极为闭合曲线电极或非闭合曲线电极。

优选的，所述第一电极为环形电极。

优选的，所述有源层内具有凹槽，在所述衬底至所述有源层方向上，所述凹槽完全贯穿所述有源层。

优选的，所述LED芯片还包括：

位于所述第一半导体层背离所述衬底一侧表面的第三电极，所述第三电极位于所述凹槽内，所述第三电极与所述有源层之间相互绝缘，所述第三电极与所述第一电极的极性相同。

优选的，所述凹槽为矩形凹槽，且位于所述有源层中央区域，所述第三电极为矩形电极。

优选的，所述LED芯片还包括：

位于所述第二半导体层与所述第二电极之间的第一金属层。

优选的，所述LED芯片还包括：

覆盖所述第二电极背离所述衬底一侧表面的第二金属层；

覆盖所述第一电极背离所述衬底一侧表面的第三金属层；

覆盖所述第一半导体层、所述有源层、所述第二半导体层、所述第一金属层、所述第一电极和所述第二电极所有裸露面的绝缘层；

其中，所述第三金属层分别与所述第一金属层和第二金属层之间相互绝缘。

优选的，所述第一金属层为银层，所述绝缘层为二氧化硅层。

优选的，所述第一半导体层为N型半导体层，所述第二半导体层为P型半导体层，所述第一电极为N型电极，所述第二电极为P型电极。

一种LED芯片的制作方法，包括步骤：

提供外延片，所述外延片依次包括衬底、第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层的导电类型相反；

对所述外延片进行刻蚀，直至在所述第一半导体层背离所述衬底一侧表面形成第一裸露区，其中，第一裸露区包围所述第一半导体层背离所述衬底一侧表面的未裸露区；

在所述第一裸露区制作第一电极；

在所述第二半导体层背离所述衬底一侧表面制作第二电极，所述第一电极围绕所述有源层，且所述第一电极与所述有源层之间相互绝缘，所述第一电极与所述第二电极的极性相反。

优选的，还包括：

对所述外延片进行刻蚀，直至在所述未裸露区形成第二裸露区，所述第二裸露区与所述第一裸露区不连通。

优选的，所述第二裸露区位于所述未裸露区的中央区域。

优选的，在对所述外延片进行刻蚀前还包括：

在所述第二半导体背离所述衬底一侧表面制作第一金属层。

优选的，在对外延片进行刻蚀后，在所述第一裸露区制作第一电极前还包括：

在所述第一金属层背离所述衬底一侧制作绝缘层，所述绝缘层完全覆盖所述第一半导体层、所述有源层、所述第二半导体层和所述第一金属层；

刻蚀所述绝缘层，去除待形成第一电极和第二电极处的绝缘层。

优选的，在所述第一裸露区制作第一电极后包括：

在所述第二电极背离所述衬底一侧表面制作第二金属层，在所述第一电极背离所述衬底一侧表面制作第三金属层，且所述第三金属层分别与所述第一金属层和所述第二金属层之间相互绝缘。

与现有技术相比，本发明所提供的技术方案具有以下优点：

本发明所提供的LED芯片及其制作方法，其中第一电极围绕第二电极，在对该LED芯片施加电压时，第一电极和第二电极之间的电流流向分散，避免了现有技术中电极之间电流流向过于集中，而导致注入有源层内的电流密度分布差异大的情况。本发明提供的LED芯片，注入有源层的电流的密度分布均匀，提高了LED芯片的发光性能。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中LED芯片的结构示意图；

图2a为实施例一提供的一种LED芯片的结构仰视图；

图2b为实施例一提供的一种LED芯片的结构剖面图；

图2c为实施例二提供的一种LED芯片的结构仰视图；

图2d为实施例二提供的一种LED芯片的结构剖面图；

图3a为实施例三提供的一种LED芯片的结构仰视图；

图3b为实施例三提供的一种LED芯片的结构剖面图；

图4为实施例四提供的一种LED芯片的制作方法流程图。

具体实施方式

正如背景技术所述，现有的LED芯片工作时，注入有源层内的电流密度分布不均匀，影响LED芯片的发光性能。

发明人研究发现，造成这种缺陷的原因主要有N型电极过于集中，使得在LED芯片工作时电流由P型电极流向N型电极过于集中，造成有源层内部分区域的电流密度大，部分区域的电流密度小，分布不均匀，从而影响LED芯片的发光性能。

基于此，本发明提供了一种LED芯片，以克服现有技术存在的上述问题，包括：

衬底；

位于所述衬底表面下的第一半导体层；

位于所述第一半导体层背离所述衬底一侧表面的第一电极和有源层，所述第一电极围绕所述有源层，且所述第一电极与所述有源层之间相互绝缘；

位于所述有源层背离所述衬底一侧，且仅覆盖所述有源层背离所述衬底一侧表面的第二半导体层；

位于所述第二半导体层背离所述衬底一侧表面的第二电极；

其中，所述第一半导体层所述第二半导体层的导电类型相反，所述第一电极与所述第二电极的极性相反。

本发明还提供了一种LED芯片的制作方法，包括步骤：

提供外延片，所述外延片依次包括衬底、第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层的导电类型相反；

对所述外延片进行刻蚀，直至在所述第一半导体层背离所述衬底一侧表面形成第一裸露区，其中，第一裸露区包围所述第一半导体层背离所述衬底一侧表面的未裸露区；

在所述第一裸露区制作第一电极；

在所述第二半导体层背离所述衬底一侧表面制作第二电极，所述第一电极围绕所述有源层，且所述第一电极与所述有源层之间相互绝缘，所述第一电极与所述第二电极的极性相反。

采用本发明提供的LED芯片及其制作方法，其中第一电极围绕第二电极，在对该LED芯片施加电压时，第一电极和第二电极之间的电流流向分散，避免了现有技术中电流流向过于集中，而导致注入有源层内的电流密度分布差异大的情况。本发明提供的LED芯片，注入有源层的电流的密度分布均匀，提高了LED芯片的发光性能。

以上是本发明的核心思想，为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

其次，本发明结合示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

实施例一

本实施例提供了一种LED芯片，包括：衬底；位于所述衬底表面下的第一半导体层；位于所述第一半导体层背离所述衬底一侧表面的第一电极和有源层，所述第一电极围绕所述有源层，且所述第一电极与所述有源层之间相互绝缘；位于所述有源层背离所述衬底一侧，且仅覆盖所述有源层背离所述衬底一侧表面的第二半导体层；位于所述第二半导体层背离所述衬底一侧表面的第二电极；其中，所述第一半导体层所述第二半导体层的导电类型相反，所述第一电极与所述第二电极极性相反。

其中，所述第一电极为闭合曲线电极或非闭合曲线电极，优选的所述第一电极为环形电极。

本实施例中所述第一半导体层为N型半导体层，所述第二半导体层为P型半导体层，所述第一电极为N型电极，所述第二电极为P型电极。

具体的，结合图2a与2b来说明本实施例提供的LED芯片的结构示意图。图2a为本实施例提供的LED芯片的结构仰视图；图2b为图2a提供的LED芯片的结构仰视图中沿A-A’方向的结构剖面图。

本实施例提供的LED芯片包括：衬底11，其中，衬底11可以由现有技术中制备LED芯片的常规衬底材料制备而成。如采用导热导电材质，例如掺杂的氮化镓、掺杂的碳化硅、掺杂的硅、金属或者合金中的一种或者几种，也可以采用蓝宝石衬底。

位于所述衬底11表面下的N型半导体层12；

位于所述N型半导体层12背离所述衬底11一侧表面的N型电极14和有源层13，所述N型电极14围绕所述有源层13，且所述N型电极与所述有源层13之间相互绝缘，防止LED芯片内部发生短路。其中，N型电极可以为闭合曲线电极或非闭合曲线电极，例如框型电极，或者框型电极的四个角不连通形状的电极等等，本实施例中，所述N型电极为环形电极。

位于所述有源层13背离所述衬底11一侧，且仅覆盖所述有源层13背离所述衬底11一侧表面的P型半导体层15；

位于所述P型半导体层15背离所述衬底11一侧表面的P型电极16；

另外，在N型半导体层12和有源层13之间还包括N型分别限制层18，有源层13和P型半导体层15之间还包括P型分别限制层19。进一步地，为了提高芯片的性能，该LED芯片还包括位于衬底11和N型半导体层之间的缓冲层17。

相较于现有技术中LED芯片工作时电流的流向集中，本实施例所提供的LED芯片在工作时，电流由P型电极流向N型电极，由于N型电极围绕P型电极，所以电流向四周分散，因此注入有源层的电流比较均匀，LED芯片的发光性能优良。

由于正装结构的LED和倒装结构的LED的结构大体相似，且倒装结构的LED相较于正装结构的LED具有很多优点，因此，本发明上述实施例以倒装结构的LED为例进行说明。本领域技术人员根据倒装结构的详细描述可以很容易地获得正装结构的LED。

实施例二

另外，相较于实施例一，本实施例提供的LED芯片为在实施例一提供的LED芯片基础上进行优化。结合图2c和2d，为本实施例提供的LED芯片的结构示意图，图2c为本实施例提供的LED芯片的结构仰视图，图2d为图2c提供的LED芯片的结构仰视图中沿A-A’方向的结构剖面图。

为了提高LED芯片的发光性能，所述LED芯片还包括：位于所述第二半导体层与所述第二电极之间的第一金属层。本实施例中所述第一半导体层为N型半导体层，所述第二半导体层为P型半导体层，所述第一电极为N型电极，所述第二电极为P型电极。

具体的，在P型电极16和与P型半导体层15之间还可以包括第一金属层20，第一金属层20覆盖P型半导体层15背离衬底11一侧表面。其中，第一金属层20优选为银层，由于银层具有非常好的导电性能，可以作为P型欧姆接触层，同时，银层还可以提高LED芯片的反射率，提高LED芯片的发光性能。

为了与电路板上的焊点形成良好的电连接，所述LED芯片还包括：覆盖所述第二电极背离所述衬底一侧表面的第二金属层；覆盖所述第一电极背离所述衬底一侧表面的第三金属层；覆盖所述第一半导体层、所述有源层、所述第二半导体层、所述第一金属层、所述第一电极和所述第二电极所有裸露面的绝缘层；其中，所述第三金属层分别与所述第一金属层和所述第二金属层之间相互绝缘，第二金属层覆盖的面积大于第二电极，第三金属层覆盖的面积大于第一电极。优选的所述第一金属层为银层，所述绝缘层为二氧化硅层。

具体的，该LED芯片还可以包括覆盖所述P型电极16背离衬底11一侧表面的第二金属层22；覆盖所述N型电极14背离衬底11一侧表面的第三金属层23；以及覆盖所述N型半导体层12、N型分别限制层18、所述有源层13、P型分别限制层19、所述P型半导体层14、所述第一金属层20、所述N型电极14和所述P型电极16所有裸露面的绝缘层21，所述第三金属层23与所述第一金属层20之间相互绝缘，所述第三金属层23与所述第二金属层22之间相互绝缘。其中，增加的第二金属层22和第三金属层23分别可作为P型电极和N型电极，增大了N型电极和P型电极的面积，解决了现有的N型电极和P型电极面积过小，造成的虚焊、脱焊等问题，提高了LED芯片封装良率和LED芯片的可靠性。

实施例三

本实施例的LED芯片结构是在实施例一的基础上进行的改进，与实施例一LED芯片有诸多相似之处，为了简要起见，本实施例只对与实施例一的不同之处进行详细说明，其相同之处请参阅实施例一。

相较于实施例一所述LED芯片，本实施例提供的LED芯片中所述有源层内具有凹槽，在所述衬底至所述有源层方向上，所述凹槽完全贯穿所述有源层。本实施例提供的LED芯片还包括：位于所述第一半导体层背离所述衬底一侧表面的第三电极，所述第三电极位于所述凹槽内，所述第三电极与所述有源层之间相互绝缘，所述第三电极与所述第一电极极性相同。本实施例优选的，所述凹槽为矩形凹槽，且位于所述有源层中央区域，所述第三电极为矩形电极。

需要说明的是，本实施例提供的第一半导体层为N型半导体层，第二半导体层为P型半导体层，第二电极为P型电极；第一电极和第三电极的极性相同，均为N型，为便于区分和描述，本实施例第一电极为N型电极，第三电极为矩形N型电极。

具体的，结合图3a和3b说明本实施例提供的LED芯片结构。图3a为本实施例提供的LED芯片结构仰视图；图3b为图3a提供的LED芯片的结构仰视图中沿A-A’方向的结构剖面图。

本实施例提供的LED芯片中的有源层13内具有凹槽，在所述衬底11至所述有源层13方向上，所述凹槽完全贯穿所述有源层13，使该区域的N型半导体层12裸露。本实施例提供的LED芯片还包括位于所述N半导体层12背离所述衬底11一侧表面的矩形N型电极14’，所述矩形N型电极14’位于所述凹槽内，且所述矩形N型电极14’与所述有源层13之间相互绝缘。

相较于实施例一，本实施例在N型半导体12的中央区域形成矩形N型电极14’，当LED芯片通电时，电流由P型电极16分别流向N型电极14和矩形N型电极14’，电流不仅向四周流动，同时还向中间区域流动，使的注入有源层13的电流密度分布更加均匀，进一步提高了LED芯片的发光性能。

同样的，为了优化本实施例提供的LED芯片，本实施例提供的LED芯片还可以包括：位于P型半导体层15和P型电极16之间的第一金属层20，第一金属层20覆盖P型半导体层15背离衬底11一侧表面；以及还可以包括：覆盖所述P型电极16背离衬底11一侧表面的第二金属层22；以及覆盖所述N型电极14背离衬底11一侧表面和所述矩形N型电极14’背离所述衬底11一侧表面的第三金属层23，其中，第三金属层23将N型电极14和矩形N型电极14’连通；覆盖所述N型半导体层12、N型分别限制层18、所述有源层13、P型分别限制层19、所述P型半导体层14、所述第一金属层20、所述N型电极14、矩形N型电极14’和所述P型电极16所有裸露面的绝缘层21；所述第三金属层23分别与所述第一金属层20和所述第二金属层22之间相互绝缘。其中，所述第一金属层优选为银层，所述绝缘层为二氧化硅层，本实施例提供的LED芯片不仅提高了光的反射率，提高了LED芯片的发光性能，同时，提高了LED芯片的封装良率和可靠性。

实施例四

根据上述实施例提供的LED芯片，本实施例提供一种LED芯片的制作方法，如图4为本实施例提供的LED芯片制作方法流程图，包括步骤：

S1、提供外延片，所述外延片依次包括衬底、第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层导电类型相反。

本实施例所提供的外延片为现有的常规结构的外延片，其结构从上到下依次为：衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，在衬底和N型半导体层之间还包括缓冲层，在N型半导体层和有源层之间还包括N型分别限制层，在有源层和P型半导体之间还包括P型分别限制层。

S2、对所述外延片进行刻蚀，直至在所述第一半导体层背离所述衬底一侧表面形成第一裸露区，其中，第一裸露区包围所述第一半导体层背离所述衬底一侧表面的未裸露区。

其中，采用光刻和ICP（InductiveCoupledPlasma，感应耦合等离子）刻蚀方法将外延片四周均刻蚀成台阶状，直至在N型半导体层背离所述衬底一侧表面形成第一裸露区，且第一裸露区包围N型半导体层背离所述衬底一侧表面的未裸露区。

其中，对所述外延片进行刻蚀还包括：在所述未裸露区形成第二裸露区，所述第二裸露区与所述第一裸露区不连通。第一裸露区和第二裸露区可以同时刻蚀得到，也可以分别刻蚀得到，所述第二裸露区用于制作与第一电极极性相同的第三电极，进一步优化LED芯片的发光性能。优选的，所述第二裸露区位于所述未裸露区中央区域。

S3、在所述第一裸露区制作第一电极；

S4、在所述第二半导体层背离所述衬底一侧表面制作第二电极，所述第一电极围绕所述有源层，且所述第一电极与所述有源层之间相互绝缘，所述第一电极与所述第二电极的极性相反。

其中，在N型半导体层的第一裸露区制作N型电极，在P型半导体层背离所述衬底一侧表面制作P型电极，采用本领域常规技术手段制作N型电极和P型电极，此处不再赘述。

为了提高LED芯片的发光性能，以及减少封装过程中虚焊、脱焊等问题，本实施优选的：

在步骤S2前还包括：在所述第二半导体背离所述衬底一侧表面制作第一金属层。

采用电子束蒸镀的方法在P型半导体背离所述衬底一侧表面镀第一金属层，其中第一金属层优选为银层，用以提高LED芯片的光的反射率。此外，由于金属具有良好的导电性能，还能够作为P型欧姆接触层，实现LED芯片内部良好的电连接。

在步骤S2后，在步骤S3前还包括：在所述第一金属层背离所述衬底一侧制作绝缘层，所述绝缘层完全覆盖所述第一半导体层、所述有源层、所述第二半导体层和所述第一金属层；刻蚀所述绝缘层，去除待形成第一电极和第二电极处的绝缘层。

其中，绝缘层覆盖所述N型半导体层、N型分别限制层、所述有源层、P型分别限制层、所述P型半导体层和所述第一金属层所有裸露面。

本实施例采用电子束蒸镀方法镀绝缘层。本实施例优选的，绝缘层为二氧化硅层。而后采用光刻和RIE（ReactiveIonEtching，反应离子刻蚀）方法对绝缘层进行部分刻蚀，便于后续制作电极。

在步骤S4后包括：在所述第二电极背离所述衬底一侧表面制作第二金属层，在所述第一电极背离所述衬底一侧表面制作第三金属层，第二金属层与第三金属层分别与第二电极和第一电极电连接，且所述第三金属层分别与所述第一金属层和所述第二金属层之间相互绝缘。

本实施例制作的第二金属层的覆盖面积大于P型电极，第三金属层的覆盖面积大于N型电极，第二金属层和第三金属层分别可以作为P型电极和N型电极，增大了电极的面积，避免了传统的LED芯片由于电极面积过小而造成的虚焊、脱焊等问题，提高了LED芯片的封装良率和LED芯片的可靠性。

需要说明的是，对于本实施例提供的方案还包括第三电极，制作覆盖第一电极和第三电极的第三金属层时采用的方法与上述方法相同，故此不在赘述。

采用本实施例提供的方法制作出的LED芯片，在LED芯片工作时，电流由P型电极流向N型电极，由于N型电极环绕P型电极，电流向四周流动，使得注入有源层各区域的电流密度分布均匀，提高了LED芯片的发光性能。

进一步的，本实施例提供的LED芯片的N型电极不仅包括围绕P型电极的部分，在中央区域还包括一部分N型电极。在LED芯片工作时，电流不仅能够向四周流动，同时还向中间流动，进一步的提高了电流密度分布均匀度，进一步提高了LED芯片的发光性能。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (12)

1.一种LED芯片，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底表面下的第一半导体层；

位于所述第一半导体层背离所述衬底一侧表面的第一电极和有源层，所述第一电极围绕所述有源层，且所述第一电极与所述有源层之间相互绝缘；

位于所述有源层背离所述衬底一侧，且仅覆盖所述有源层背离所述衬底一侧表面的第二半导体层；

位于所述第二半导体层背离所述衬底一侧表面的第二电极；

其中，所述第一半导体层与所述第二半导体层的导电类型相反，所述第一电极与所述第二电极的极性相反；

所述有源层内具有凹槽，在所述衬底至所述有源层方向上，所述凹槽完全贯穿所述有源层；

位于所述第一半导体层背离所述衬底一侧表面的第三电极，所述第三电极位于所述凹槽内，所述第三电极与所述有源层之间相互绝缘，所述第三电极与所述第一电极的极性相同。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一电极为闭合曲线电极或非闭合曲线电极。

3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述第一电极为环形电极。

4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述凹槽为矩形凹槽，且位于所述有源层中央区域，所述第三电极为矩形电极。

5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括：

位于所述第二半导体层与所述第二电极之间的第一金属层。

6.根据权利要求5所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括：

覆盖所述第二电极背离所述衬底一侧表面的第二金属层；

覆盖所述第一电极背离所述衬底一侧表面的第三金属层；

覆盖所述第一半导体层、所述有源层、所述第二半导体层、所述第一金属层、所述第一电极和所述第二电极所有裸露面的绝缘层；

其中，所述第三金属层分别与所述第一金属层和所述第二金属层之间相互绝缘。

7.根据权利要求6所述的LED芯片，其特征在于，所述第一金属层为银层，所述绝缘层为二氧化硅层。

8.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一半导体层为N型半导体层，所述第二半导体层为P型半导体层，所述第一电极为N型电极，所述第二电极为P型电极。

9.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，包括步骤：

提供外延片，所述外延片依次包括衬底、第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层的导电类型相反；

对所述外延片进行刻蚀，直至在所述第一半导体层背离所述衬底一侧表面形成第一裸露区，其中，第一裸露区包围所述第一半导体层背离所述衬底一侧表面的未裸露区；

在所述第一裸露区制作第一电极；

在所述第二半导体层背离所述衬底一侧表面制作第二电极，所述第一电极围绕所述有源层，且所述第一电极与所述有源层之间相互绝缘，所述第一电极与所述第二电极的极性相反；

对所述外延片进行刻蚀，在所述未裸露区形成第二裸露区，所述第二裸露区与所述第一裸露区不连通；

所述第二裸露区位于所述未裸露区的中央区域，所述第二裸露区用于制作与所述第一电极极性相同的第三电极。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，在对所述外延片进行刻蚀前还包括：

在所述第二半导体背离所述衬底一侧表面制作第一金属层。

11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，在对外延片进行刻蚀后，在所述第一裸露区制作第一电极前还包括：

在所述第一金属层背离所述衬底一侧制作绝缘层，所述绝缘层完全覆盖所述第一半导体层、所述有源层、所述第二半导体层和所述第一金属层；

刻蚀所述绝缘层，去除待形成第一电极和第二电极处的绝缘层。

12.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，在所述第一裸露区制作第一电极后包括：

在所述第二电极背离所述衬底一侧表面制作第二金属层，在所述第一电极背离所述衬底一侧表面制作第三金属层，且所述第三金属层分别与所述第一金属层和第二金属层之间相互绝缘。