CN107359282A - 显示面板及其制备方法、显示器 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示面板及制备方法、显示器,所述方法包括:提供一衬底基板;在衬底基板的边缘处进行图形化处理,以形成具有凹陷结构的衬底基板;在图案化后的衬底基板上依次沉积一层柔性衬底及层叠结构;剥离衬底基板封装形成显示面板。通过上述方式,本发明能够弥补柔性衬底边缘的翘曲部分,使得柔性衬底的远离衬底基板的表面更加平坦,改善柔性衬底的成膜均匀性,从而提高柔性显示器件的稳定性和良率。

Description

显示面板及其制备方法、显示器
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示面板及其制备方法、显示器。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示面板因其具有自发光、结构简单、成本低、广视角、色饱和度高、反应速度快、轻薄及柔性高等优点被越来越多的智能产品所运用,如智能手机,可穿戴器件等。随着OLED面板的大规模的商业应用,人们对OLED的性能要求更高,如低电压、高亮度、高效率、低能耗、长寿命、高稳定性等。基于上述对OLED的要求,提高OLED器件的效率和稳定性成为人们关注的热点。
为了提高OLED的稳定性,研究工作者对各层结构优化改善显得尤为重要。目前,柔性的主动矩阵有机发光二极管(Active-matrix organic light emitting diode,AMOLED)采用的是聚酰亚胺(Polyimide,PI)基板,PI基板涂覆之后,边缘可能存在的形态对后期TFT膜层结构会造成影响,最终影响TFT电学性能。且目前也有研究工作者采用双层PI的模式达到平坦化PI柔性基板的目的,但此方法需要涂覆双层PI,工艺复杂,成本高。
发明内容
本发明提供一种显示面板及其制备方法、显示器,能够弥补柔性衬底边缘的翘曲部分,使得柔性衬底的远离衬底基板的表面更加平坦,改善柔性衬底的成膜均匀性,从而提高柔性显示器件的稳定性和良率。
为解决上述技术问题,本发明采用的另一个技术方案是:提供一种显示面板的制备方法,所述制备方法包括:提供一衬底基板;在所述衬底基板的边缘处进行图形化处理,以形成具有凹陷结构的衬底基板;在所述图案化后的衬底基板上依次沉积一层柔性衬底及层叠结构;剥离所述衬底基板封装形成所述显示面板。
为解决上述技术问题,本发明采用的另一个技术方案是:提供一种显示面板,所述柔性显示面板包括:柔性衬底,所述柔性衬底的边缘处具有向下的凸起结构;层叠结构,形成于所述柔性衬底上,封装层,形成于所述层叠结构上。
为解决上述技术问题,本发明采用的又一个技术方案是:提供一种显示器,包括上述任一所述的显示面板。
本发明的有益效果是:提供一种显示面板及其制备方法、显示器,通过在衬底基板边缘处上制备凹陷结构,凹陷结构能够弥补柔性衬底边缘的翘曲部分,使得柔性衬底的远离衬底基板的表面更加平坦,改善柔性衬底的成膜均匀性,从而提高柔性显示器件的稳定性和良率,且较双层PI膜层结构相比,减少一道PI膜层的涂覆,该制备方法工艺简单。
附图说明
图1是本发明显示面板制备方法一实施方式的流程示意图;
图2是本发明图形化后的衬底基板一实施方式的正视示意图;
图3是本发明图形化后的衬底基板一实施方式的俯视示意图;
图4是本发明图形化后的衬底基板另一实施方式的俯视示意图;
图5是本发明显示面板一实施方式的结构示意图;
图6是本发明显示器一实施方式的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请一并参阅图1、图2、图3及图4,图1为本发明显示面板制备方法一实施方式的流程示意图,图2为本发明图形化后的衬底基板一实施方式的正视示意图,图3为本发明图形化后的衬底基板一实施方式的俯视示意图,图4为本发明图形化后的衬底基板另一实施方式的俯视示意图。
S1,提供一衬底基板。
其中,衬底基板可以为透明材质,具体可以是玻璃、陶瓷基板或者透明塑料等任意形式的基板,此处本发明不做具体限定,且在本实施例中,所采用的的衬底基板为玻璃基板。
S2,在衬底基板的边缘处进行图形化处理,以形成具有凹陷结构的衬底基板。
在本实施例中,采用激光刻蚀的方法对玻璃基板的边缘处进行图形化处理,以使得该衬底基板的边缘处具有凹陷结构,详见图2。进一步,激光刻蚀的凹陷结构可以为连通的沟道,详见图3,在本实施例中该连通沟道的形状为方形,在其它实施例中也可以为圆形、椭圆、菱形等多边形,且具体形状本发明不做进一步限定。且该连通的沟道的宽窄可以进行调节,以适应后续柔性衬底的凸起部分。具体来说,若柔性衬底的凸起部分面积较大,则相应的调整该连通沟道宽一些,以使得柔性衬底平坦。若柔性衬底的凸起部分面积较小,则相应的调整该连通沟道窄一些,以使得柔性衬底平坦。
在本发明另一实施例中,该凹陷结构还可以设置为多个间隔设置的孔,具体参见图4。在本实施例中,该凹陷结构可以为间隔设置的圆孔,当然在其它实施例中也可以是方形孔、椭圆形孔等等、本发明不做具体限定。其中,该相邻圆孔间的间距以及圆孔的大小均可调,以适应后续柔性衬底的凸起部分。具体来说,若柔性衬底的凸起部分面积较大,则相应的调整圆孔间的间距使其分布密集,以此来改善柔性衬底平坦性,或则调整圆孔的大小使得相邻间圆孔变大,来改善柔性衬底平坦性。反之,若柔性衬底的凸起部分面积较小,则对应调整圆孔间的距离较大或者调整圆孔变小来改善柔性衬底平坦性。且该多个间距设置的孔的具体的调整本发明不做具体限定,只要能够提高后续膜层的平坦性的调整方法均在本发明的保护范围内。
当然在其它实施例中,该凹陷结构还可以是上述的连通沟道和多个间隔设置的孔交替设置,也可以是一半连通沟道,一半多个间隔设置的孔,本发明不做进一步的限定。
此外,除了采用激光刻蚀的方法对该衬底基板进行刻蚀外,在本发明其它实施例中,还可以采用湿法刻蚀的方法对衬底基板进行图形化处理,以形成具有凹陷结构的衬底基板,且具体的操作方法和上述激光刻蚀的方法类似,此处不再赘述。
S3,在图案化后的衬底基板上依次沉积一层柔性衬底及层叠结构。
在上述的图形化后的衬底基板上,沉积一层柔性衬底,该柔性衬底可以为聚酰亚胺(Polyimide,PI)及聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene terephthalate,PET)的一种,本实施例中采用的柔性衬底为PI。其中,因上述步骤中对衬底基板进行了图形化处理,故该PI沉积在上面时,其边缘处不会发生翘曲现象,且相对于双层的PI膜层结构来说,达到的效果都是将PI膜层平坦化,但是却减少一道PI膜层的涂覆,制备工艺更加简单,有效地提高了器件的性能和稳定性。
进一步,在上述柔性衬底上沉积层叠结构。其中,该层叠结构可以包括现有的任意一种显示结构,例如LED、OLED,LCD,EL等。在本发明一具体实施例中,该层叠结构可以包括主动阵列层和有机发光层。
其中,主动阵列层的可以通过业界熟知各种制备方式制得,简单的制作工艺描述如下:在柔性衬底上依次沉积阻挡层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、介电层以及钝化层,从而形成主动阵列层。其中,阻挡层及缓冲层所采用的材料至少为氮化硅(SiNx)及二氧化硅中(SiO2)的一种。当然也可以采用其它材料,本发明不做具体限定。
本实施例中采用的有机发光层为OLED显示介质,且其大致包括:平坦化层、像素定义层以及OIED像素。
S4,剥离衬底基板封装形成显示面板。
沉积完上述的层叠结构后,剥离衬底基板并进行封装以形成显示面板。其中,进一步包括,封装完后在封装层上制备一保护膜层。最后将上述封装完后的显示面板进行弯折(bending)处理及测试。
上述实施方式中,通过在衬底基板边缘处上制备凹陷结构,凹陷结构能够弥补柔性衬底边缘的翘曲部分,使得柔性衬底的远离衬底基板的表面更加平坦,改善柔性衬底的成膜均匀性,从而提高柔性显示器件的稳定性和良率,且较双层PI膜层结构相比,减少一道PI膜层的涂覆,该制备方法工艺简单。
请参阅图5,图5为本发明显示面板一实施方式的结构示意图。如图5所述该显示面板10包括:柔性衬底12、层叠结构13以及封装层14。
柔性衬底12的边缘处具有向下的凸起结构A,且该凸起结构A可以为连通的凸起结构,也可以是间隔设置的,且该凸起结构A是与本发明显示面板制备工艺中的凹陷结构相配合。其中,该柔性衬底12可以为聚酰亚胺(Polyimide,PI)及聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene terephthalate,PET)的一种,本实施例中采用的柔性衬底为PI。
层叠结构13形成于柔性衬底12上,进一步包括:主动阵列层131及有机发光层。
其中,主动阵列层131进一步包括:阻挡层1311、缓冲层1312、栅极绝缘层1313、1314、层间绝缘层1315以及平坦化层1316。其中,阻挡层1311及缓冲层1312所采用的材料至少为氮化硅(SiNx)及二氧化硅中(SiO2)的一种。当然也可以采用其它材料,本发明不做具体限定。
有机发光层进一步包括:像素定义层1322以及OIED像素(图未示)等。
封装层14形成于层叠结构13上,且进一步包括一保护膜141。
该实施例中的所有结构的制备或原理请详见上述制备方法中的描述,此处不再赘述。
请参见图6,图6为本发明显示器一实施方式的结构示意图。该显示器20包括上述任一所述的显示面板B,且该显示面板B的具体制备过程和结构详见上文描述,此处不再赘述。
上述实施方式中,通过在衬底基板边缘处上制备凹陷结构,凹陷结构能够弥补柔性衬底边缘的翘曲部分,使得柔性衬底的远离衬底基板的表面更加平坦,改善柔性衬底的成膜均匀性,从而提高柔性显示器件的稳定性和良率,且较双层PI膜层结构相比,减少一道PI膜层的涂覆,该制备方法工艺简单。
综上所述,本领域技术人员容易理解,本发明提供一种显示面板及制备方法、显示器,通过在衬底基板边缘处上制备凹陷结构,凹陷结构能够弥补柔性衬底边缘的翘曲部分,使得柔性衬底的远离衬底基板的表面更加平坦,改善柔性衬底的成膜均匀性,从而提高柔性显示器件的稳定性和良率,且较双层PI膜层结构相比,减少一道PI膜层的涂覆,该制备方法工艺简单。
以上所述仅为本发明的实施方式,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板的边缘处进行图形化处理,以形成具有凹陷结构的衬底基板;
在所述图案化后的衬底基板上依次沉积一层柔性衬底及层叠结构;
剥离所述衬底基板封装形成所述显示面板。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述凹陷结构包括连通沟道及多个间隔设置的孔中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述连通沟道的宽窄可调。
4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述孔的数量和间距可调。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述柔性衬底为聚酰亚胺及聚对苯二甲酸乙二醇酯的一种。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述对所述衬底基板的边缘处进行图案化处理采用激光刻蚀及湿法刻蚀的一种。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述层叠结构包括依次沉积于所述柔性衬底上主动阵列层及有机发光层。
8.一种显示面板,其特征在于,所述柔性显示面板包括:
柔性衬底,所述柔性衬底的边缘处具有向下的凸起结构;
层叠结构,形成于所述柔性衬底上;
封装层,形成于所述层叠结构上。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述凹陷结构为连通沟道及多个间隔设置的孔中的一种。
10.一种显示器,其特征在于,包括权利要求8-9任一所述的显示面板。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110034163A (zh) * 2017-12-29 2019-07-19 乐金显示有限公司 显示设备
CN110911354A (zh) * 2019-11-06 2020-03-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 柔性衬底基板及其制备方法、柔性面板的制备方法
CN112068343A (zh) * 2020-09-11 2020-12-11 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 液晶显示屏单元及其制造方法、以及液晶显示屏幕墙

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110518118B (zh) * 2019-08-08 2021-05-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104409408A (zh) * 2014-12-02 2015-03-11 昆山国显光电有限公司 一种刚性基板及柔性显示器的制作方法
CN104752443A (zh) * 2015-04-20 2015-07-01 京东方科技集团股份有限公司 衬底载板、柔性显示面板及相应的制作方法、柔性显示装置
CN106057864A (zh) * 2016-08-23 2016-10-26 武汉华星光电技术有限公司 一种柔性显示面板及其制备方法
CN106206978A (zh) * 2015-03-06 2016-12-07 环球展览公司 用于高效oled装置的新颖衬底和方法
CN106229421A (zh) * 2016-08-24 2016-12-14 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性基板制作方法和柔性基板
US20170168203A1 (en) * 2015-12-15 2017-06-15 Samsung Display Co., Ltd. Flexible color filter and method of manufacturing the same

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103969861A (zh) * 2013-01-30 2014-08-06 索威斯胶带(上海)有限公司 显示装置及装配方法
KR102136392B1 (ko) * 2013-09-05 2020-07-22 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치 및 터치 스크린 패널의 제조 방법
CN106129269B (zh) * 2016-06-24 2019-01-29 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示基板的制备方法
CN106784412B (zh) * 2017-03-30 2019-02-26 武汉华星光电技术有限公司 柔性有机发光二极管显示器及其制作方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104409408A (zh) * 2014-12-02 2015-03-11 昆山国显光电有限公司 一种刚性基板及柔性显示器的制作方法
CN106206978A (zh) * 2015-03-06 2016-12-07 环球展览公司 用于高效oled装置的新颖衬底和方法
CN104752443A (zh) * 2015-04-20 2015-07-01 京东方科技集团股份有限公司 衬底载板、柔性显示面板及相应的制作方法、柔性显示装置
US20170168203A1 (en) * 2015-12-15 2017-06-15 Samsung Display Co., Ltd. Flexible color filter and method of manufacturing the same
CN106057864A (zh) * 2016-08-23 2016-10-26 武汉华星光电技术有限公司 一种柔性显示面板及其制备方法
CN106229421A (zh) * 2016-08-24 2016-12-14 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性基板制作方法和柔性基板

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110034163A (zh) * 2017-12-29 2019-07-19 乐金显示有限公司 显示设备
CN110911354A (zh) * 2019-11-06 2020-03-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 柔性衬底基板及其制备方法、柔性面板的制备方法
CN112068343A (zh) * 2020-09-11 2020-12-11 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 液晶显示屏单元及其制造方法、以及液晶显示屏幕墙
CN112068343B (zh) * 2020-09-11 2022-12-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 液晶显示屏单元及其制造方法、以及液晶显示屏幕墙

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