CN107356991A - 一种新型增透膜及其制备方法 - Google Patents

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唐纯瑞
王彬
代璐
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Abstract

本发明提供一种新型增透膜及其制备方法，新型增透膜包括：高分子层，陶瓷氧化物层，以及匹配层，匹配层位于高分子层和所述陶瓷氧化物层之间。本发明的新型增透膜及其制备方法，可使单面反射率由4.2％降到1.0％以下，整体增透效果增加3％，并解决高分子层与陶瓷氧化物层经耐候测试而造成膜层脱落及黄变的生产品质不良问题。

Description

一种新型增透膜及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种新型增透膜，本发明还涉及这种增透膜的制备方法，属于面板领域。
背景技术
科技日新月益，时代进步几乎人手一支手机，面板触碰技术衍进由电阻式进步到电容式。基板材料由强化玻璃升级到复合聚酯基板。
聚酯基板上功能抗眩光涂层，主要材料为纳米无机氧化物(例如TiO2复合粒子)、聚合物微分散在聚氨酯丙酸酯树脂、环氧丙烯酸酯树脂、丙烯酸活性单体和光敏引发剂组成的光聚合体系，透过调节聚物树脂和光引发剂控制膜层机械性质，达膜聚酯基板上具抗眩光效果。
从界面处开始崩坏脱落及黄变造成质量异常及增透效果变差，并且在生产过程中的良率也常常无法达标。以上聚酯基板表面的功能涂层与增透膜层问题，一直困扰着业界生产良率及质量，3C产品需求规格愈来愈高，良率及质量一直是业界生产中不断改善优化追求的目标。
发明内容
本发明的目的在于提供一种新型增透膜及其制备方法，以解决上述问题。
本发明采用了如下技术方案：
一种新型增透膜，其特征在于，包括：高分子层，陶瓷氧化物层，以及匹配层，匹配层位于高分子层和陶瓷氧化物层之间。
进一步，本发明的新型增透膜，还可以具有这样的特征：其中，匹配层由金属氧化物中添加占其质量比为6～10％介电氧化物镧系材料，经真空镀膜，形成在高分子层上。
进一步，本发明的新型增透膜，还可以具有这样的特征：其中，金属氧化物为Al2O3。
进一步，本发明的新型增透膜，还可以具有这样的特征：其中，介电氧化物镧系材料为La2Ti2O7。
本发明还提供一种制备如权利要求1的新型增透膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一：在金属氧化物材料中添加6～10％介电氧化物镧系材料加热，使之均匀分散；
步骤二：金属氧化物材料以定速率3～4A/S稳定沉积厚度30～50nm，在涂层高分子系形成匹配层；
步骤三：在匹配层上制备陶瓷氧化物层。
进一步，本发明的制备方法，还可以具有这样的特征：步骤一中，金属氧化物材料为Al2O3。
进一步，本发明的制备方法，还可以具有这样的特征：步骤一中，介电氧化物镧系材料为La2Ti2O7。
进一步，本发明的制备方法，还可以具有这样的特征：步骤一中，以电子束加热Al2O3和镧系材料。
进一步，本发明的制备方法，还可以具有这样的特征：步骤二中，匹配层沉积过程中加入离子源辅助轰击。
发明的有益效果
本发明的新型增透膜，可使单面反射率由4.2％降到1.0％以下，整体增透效果增加3％，并解决高分子层与陶瓷氧化物层经耐候测试而造成膜层脱落及黄变的生产品质不良问题。
附图说明
图1是氧化混合物的电子束电流条件。
图2是La2Ti2O7不同添加比例对折射率的影响。
具体实施方式
以下结合附图来说明本发明的具体实施方式。
<实施例一>
本实施方式的新型增透膜，结构如下：包括一层聚酯基板，一层陶瓷氧化物，以及夹在聚酯基板和陶瓷氧化物之间的匹配层。匹配层是由Al2O3中添加占其质量的6～10％的La2Ti2O7形成混合物，以435～475mA的电子束加热，达到混合物熔点约1850～2100℃，使之均匀分散，再将混合后氧化物材料以定速率3～4A/S的方式稳定沉积厚度30～50nm在聚酯基板上形成匹配层。
<实施例二>
新型增透膜的制备过程如下：
步骤一：在Al2O3中添加占其质量6％的La2Ti2O7材料，以435～475mA电子束加热到混合物的熔点，使之均匀分散，形成金属氧化物混合物；
步骤二：采用真空镀膜的方法，将金属氧化物混合物以定速率3～4A/S稳定沉积厚度30～50nm，在聚酯基板上形成匹配层；沉积过程中加热及加入离子源辅助轰击。镀膜过程中电子束的能量选择和加热时间如图1所示。
步骤三：在匹配层上采用常规方法制备陶瓷氧化物层。
<实施例三>
步骤一：在Al2O3中添加占其质量7％的La2Ti2O7材料，以435～475mA电子束加热，使之均匀分散，形成金属氧化物混合物；
步骤二：采用真空镀膜的方法，金属氧化物混合物以定速率3～4A/S稳定沉积厚度30～50nm，在聚酯基板上形成匹配层；沉积过程中加热及加入离子源辅助轰击。
步骤三：在匹配层上采用常规方法制备陶瓷氧化物层。
<实施例四>
步骤一：在Al2O3中添加占其质量8％的La2Ti2O7材料，以435～475mA电子束加热，使之均匀分散，形成金属氧化物混合物；
步骤二：采用真空镀膜的方法，金属氧化物混合物以定速率3～4A/S稳定沉积厚度30～50nm，在聚酯基板上形成匹配层；沉积过程中加热及加入离子源辅助轰击。
步骤三：在匹配层上采用常规方法制备陶瓷氧化物层。
<实施例五>
步骤一：在Al2O3中添加占其质量9％的La2Ti2O7材料，以435～475mA电子束加热，使之均匀分散，形成金属氧化物混合物；
步骤二：采用真空镀膜的方法，金属氧化物混合物以定速率3～4A/S稳定沉积厚度30～50nm，在聚酯基板上形成匹配层；沉积过程中加热及加入离子源辅助轰击。
步骤三：在匹配层上采用常规方法制备陶瓷氧化物层。
<实施例六>
步骤一：在Al2O3中添加占其质量10％的La2Ti2O7材料，以435～475mA电子束加热加热，使之均匀分散，形成金属氧化物混合物；
步骤二：采用真空镀膜的方法，金属氧化物混合物以定速率3～4A/S稳定沉积厚度30～50nm，在聚酯基板上形成匹配层；沉积过程中加热及加入离子源辅助轰击。
步骤三：在匹配层上采用常规方法制备陶瓷氧化物层。
在上述各实施方式中聚酯基板可以采用与现有的各种增透膜一致的基板材料，同样的，表层的陶瓷氧化物层也同样可以采用与现有的各种增透膜一致的陶瓷氧化物。
对各制备条件下制得的增透膜的性质进行测试。耐候性的结果见表1，其中包含了高温测试、高温高湿测试和太阳光照射模拟测试。
表1：聚酯板功能涂层上不同测试条件与耐候性测试结果
表1中条件1-5作为对比例，条件6-10分别对应实施例二至六。
图2是La2Ti2O7不同添加比例对折射率变化运用。图2中的条件1到10对应表1中的条件1到10。由于条件2和条件3的曲线过于接近，因此在图中粘合在了一起。
加入匹配层后，一方面由于其具有低膨胀系数，能够有效对抗聚酯基板在耐候性测试时功能涂层高分子系的变化量拉扯，另一方面La2Ti2O7光学表现佳并且与膜层键结强，二者氧化物混合当作匹配层在加上生产膜层对抗耐候性测试温度、湿度、能量变化，有效提升附着力而很少发生膜层脱落及黄变。表1，在聚酯板功能涂层上不同测试条件与耐候性测试结果，图2，La2Ti2O7不同添加比例对折射率变化运用。本发明的新型增透膜以氧化物混合当作匹配层可以有效改善现业界在聚酯基板涂层上与增透膜层耐候性质量及良率不佳的问题。
本发明的新型增透膜及其制备方法，可使增透膜的单面反射率由4.2％降到1.0％以下，整体增透效果增加3％。
本发明在聚酯基板的功能涂层上以新型增透膜制作目的改善目前业界生产中的经效后增透膜层脱落及膜层黄变，造成增透效果脱落及黄变后增透效果更差的生产质量问题。
此发明针对材料学解析发现聚酯基板上的功能涂层与业界真空镀膜使用的高折射率陶瓷氧化物之间的结合性在常温时还可以，但经耐候性测试时有温度、湿度、能量变化时，涂层高分子系与膜层陶瓷氧化物键结会被打断，意谓附力力不佳为假性附着。本发明要解决业界生产质量及良率问题，综合上列二材料间界面关系问题，需考良膨胀系数、应力关系要及二材料的键结经耐候性后依然具强力的附着力而不膜层脱落及变化。新型增透膜制程作法为在原涂层高分子系与膜层陶瓷氧化物界面处加入匹配层材料，此材料能对抗高分子温度变化时澎胀系数的变化量及膜层的应力，匹配层同时一方面与聚酯基板高分子键结力要极佳，经耐候性测试时能不断键而脱落，同时另一面需与陶瓷氧化物层键结极佳，不会脱落拨离。
经本领域内常规的检验发现，在6～10％范围内，各配比均能达到减少黄化，并且提高单面反射率由4.2％降到1.0％以下，整体增透效果增加3％这样的技术效果。

Claims (9)

1.一种新型增透膜，其特征在于，包括：
高分子层，
陶瓷氧化物层，
以及匹配层，
所述匹配层位于所述高分子层和所述陶瓷氧化物层之间。
2.如权利要求1所述的新型增透膜，其特征在于：
其中，所述匹配层由金属氧化物中添加占其质量比为6～10％的介电氧化物镧系材料，经真空镀膜，形成在所述高分子层上。
3.如权利要求2所述的新型增透膜，其特征在于：
其中，所述金属氧化物为Al2O3。
4.如权利要求2所述的新型增透膜，其特征在于：
其中，所述介电氧化物镧系材料为La2Ti2O7。
5.一种制备如权利要求1所述的新型增透膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一：在金属氧化物材料中添加占其质量比为6～10％介电氧化物镧系材料加热，使之均匀分散；
步骤二：金属氧化物材料以定速率3～4A/S稳定沉积厚度30～50nm，在涂层高分子系形成匹配层；
步骤三：在所述匹配层上制备陶瓷氧化物层。
6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于：
步骤一中，所述金属氧化物材料为Al2O3。
7.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于：
步骤一中，所述介电氧化物镧系材料为La2Ti2O7。
8.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于：
步骤一中，以电子束加热Al2O3和镧系材料。
9.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于：
步骤二中，匹配层沉积过程中加入离子源辅助轰击。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1532563A (zh) * 2002-09-09 2004-09-29 ͬ�Ϳ�ҵ��ʽ���� 光学增透膜及其镀膜方法
CN102436016A (zh) * 2010-09-29 2012-05-02 富士胶片株式会社 防反射膜及其制造方法、光学部件、以及塑料透镜

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