CN107301953B - 一种平面功率转换器件中使栅极自对准源极和漏极的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种平面功率转换器件中使栅极自对准源极和漏极的方法，包括在衬底上涂负性光刻胶，对负性光刻胶光刻显影，形成栅/源/漏极区；在负性光刻胶上、栅/源/漏极区内形成第一金属层；在第一金属层上涂正性光刻胶，对正性光刻胶光刻显影，在栅极区内、两侧的第一金属层上形成正性光刻胶填充；去除暴露的第一金属层；在负/正性光刻胶填充上、源/漏极区内形成第二金属层；去除位于负/正性光刻胶填充上的第二金属层，去除涂覆的负/正性光刻胶填充，栅极区内第一金属层为栅极金属层，源极、漏极内第二金属层为源极金属层以及漏极金属层。本发明消除栅极和源/漏极之间的不对准；改善了小型几何器件的加工余量；提高大直径晶圆器件的产量。
Description
技术领域
本发明涉及一种平面功率转换器件中使栅极自对准源极和漏极的方法。
背景技术
在平面功率转换器件中，栅极用于肖特基接触或金属绝缘体半导体MIS接触，源极和漏极则用于欧姆接触，在器件中栅极、源极和漏极都形成在固定的位置，即栅极和源极、漏极之间需要形成对准，现有方法在形成栅极、源极和漏极时使用需要与源极/漏极掩模版进行对准单独的栅极掩模版，然而，根据照相工具的能力，这种常规方法将总是导致栅极和源极/漏极之间的不对准，或达不到对准的要求。
发明内容
本发明的目的是提供一种平面功率转换器件中使栅极自对准源极和漏极的方法。
为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：
一种平面功率转换器件中使栅极自对准源极和漏极的方法，包括步骤：
（1）、在衬底上涂覆负性光刻胶，通过栅极、源极以及漏极掩膜版对所述负性光刻胶进行光刻显影，在所述负性光刻胶上形成栅极区、源极区以及漏极区；
（2）、在所述负性光刻胶上、栅极区、源极区以及漏极区内形成第一金属层；
（3）、在所述第一金属层上涂覆正性光刻胶，通过栅极保护掩膜版对所述正性光刻胶进行光刻显影，在所述栅极区内、栅极区两侧所述第一金属层上形成正性光刻胶填充；
（4）、去除（2）中形成并暴露的第一金属层；
（5）、在所述负性光刻胶上、正性光刻胶填充上、源极区以及漏极区内形成第二金属层；
（6）、去除（5）中位于所述负性光刻胶上、正性光刻胶填充上的第二金属层，去除涂覆的所述负性光刻胶、正性光刻胶填充，所述栅极区内所述第一金属层为栅极金属层，所述源极、漏极内所述第二金属层为源极金属层以及漏极金属层。
优选地，在（1）中，在所述衬底上形成栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上再涂覆所述负性光刻胶，所述栅极金属层、源极金属层以及漏极金属层形成在所述栅极绝缘层上。
优选地，在（4）中，采用湿法清洗的方式去除所述第一金属层。
优选地，在（6）中，采用liftoff工艺去除所述第二金属层。
由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点和效果：
1、有效消除栅极和源极/漏极之间的不对准；
2、改善了小型几何器件的加工余量；
3、有效提高大直径晶圆器件的产量。
附图说明
附图1-7为本实施例的步骤图。
其中：1、衬底；2、栅极绝缘层；3、负性光刻胶；3a、栅极区；3b、源极区；3c、漏极区；4、第一金属层；4a、栅极金属层；5、正性光刻胶填充；6、第二金属层；6b、源极金属层；6c、漏极金属层。
具体实施方式
下面结合附图及实施案例对本发明作进一步描述：
一种平面功率转换器件中使栅极自对准源极和漏极的方法，具体包括以下步骤：
（1）、在衬底1上形成栅极绝缘层2，如图1所示；
（2）、在栅极绝缘层2上涂覆负性光刻胶3，通过栅极、源极以及漏极掩膜版（Gate/Source/Drain mask）对负性光刻胶3进行光刻显影，在负性光刻胶3上形成栅极区3a、源极区3b以及漏极区3c，如图2所示；
（3）、在负性光刻胶3上、栅极区3a、源极区3b以及漏极区3c内形成第一金属层4，如图3所示；
（4）、在第一金属层4上涂覆正性光刻胶，通过栅极保护掩膜版（Gate protectmask）对正性光刻胶进行光刻显影，在栅极区3a内、栅极区3a两侧的第一金属层4上形成正性光刻胶填充5，如图4所示；
（5）、去除（3）中形成并暴露的第一金属层4，位于负性光刻胶3与正性光刻胶填充5之间为非暴露的第一金属层4，并未被去除，如图5所示，去除的方式可以采用湿法清洗；
（6）、在负性光刻胶3上、正性光刻胶填充5上、源极区3b以及漏极区3c内形成第二金属层6，如图6所示；
（7）、去除（6）中位于负性光刻胶3上、正性光刻胶填充5上的第二金属层7，去除涂覆的负性光刻胶3、正性光刻胶填充5，第二金属层7的去除方式可以采用liftoff工艺，最终：栅极区3a内第一金属层4为栅极金属层4a，源极区3b、漏极区3c内第二金属层6为源极金属层6b以及漏极金属层6c，形成如图7所示的产品。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种平面功率转换器件中使栅极自对准源极和漏极的方法，其特征在于：由以下步骤组成：
（1）、在衬底上涂覆负性光刻胶，通过栅极、源极以及漏极掩膜版对所述负性光刻胶进行光刻显影，在所述负性光刻胶上形成栅极区、源极区以及漏极区，具体为在所述衬底上形成栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上再涂覆所述负性光刻胶，所述栅极金属层、源极金属层以及漏极金属层形成在所述栅极绝缘层上；
（2）、在所述负性光刻胶上、栅极区、源极区以及漏极区内形成第一金属层；
（3）、在所述第一金属层上涂覆正性光刻胶，通过栅极保护掩膜版对所述正性光刻胶进行光刻显影，在所述栅极区内、栅极区两侧所述第一金属层上形成正性光刻胶填充；
（4）、去除（2）中形成并暴露的第一金属层；
（5）、在所述负性光刻胶上、正性光刻胶填充上、源极区以及漏极区内形成第二金属层；
（6）、去除（5）中位于所述负性光刻胶上、正性光刻胶填充上的第二金属层，去除涂覆的所述负性光刻胶、正性光刻胶填充，所述栅极区内所述第一金属层为栅极金属层，所述源极、漏极内所述第二金属层为源极金属层以及漏极金属层。
2.根据权利要求1所述的一种平面功率转换器件中使栅极自对准源极和漏极的方法，其特征在于：在（4）中，采用湿法清洗的方式去除所述第一金属层。
3.根据权利要求1所述的一种平面功率转换器件中使栅极自对准源极和漏极的方法，其特征在于：在（6）中，采用liftoff工艺去除所述第二金属层。
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