CN107256899A - 基于石墨烯‑硅异质结的无源位置灵敏探测器 - Google Patents
基于石墨烯‑硅异质结的无源位置灵敏探测器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107256899A CN107256899A CN201710504755.9A CN201710504755A CN107256899A CN 107256899 A CN107256899 A CN 107256899A CN 201710504755 A CN201710504755 A CN 201710504755A CN 107256899 A CN107256899 A CN 107256899A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- graphene
- sensitive detector
- metal electrode
- substrate
- passive site
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 45
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 45
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 11
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 abstract description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 7
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000008358 core component Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012761 high-performance material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 231100000289 photo-effect Toxicity 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/109—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN heterojunction type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
本发明提供了一种基于石墨烯‑硅（Si）异质结的无源位置灵敏探测器，所述的探测器器包括Si衬底、设在Si衬底上的石墨烯，设在石墨烯上的金属电极和设在Si衬底背面的金属电极；所述的Si是轻掺杂Si衬底，电阻率为1‑10Ωcm；所述的石墨烯是单层、双层或3‑10层的少层石墨烯；所述的石墨烯上金属电极为金、镍或铂；所述的Si衬底背面的金属电极为铝。本发明的有益效果如下：基于本发明所获得的基于石墨烯‑硅异质结的无源位置灵敏探测器，不仅实现了无功耗，还可以大幅提升现有硅基位置灵敏探测器的最低极限探测功率和工作波长等性能指标。
Description
技术领域
本发明涉及一种基于石墨烯-硅异质结的无源位置灵敏探测器，本发明属光电子器件领域。
背景技术
位置灵敏探测器是基于横向光电效应的一种位置探测器，目前已广泛应用于距离，位移，角度的测量。极限探测功率是位置灵敏探测器一个重要的参数，现有基于Si的位置灵敏探测器由于响应度低，导致其探测的光强通常在微瓦级别，严重限制其应用范围。比如在激光制导中，核心部件位置灵敏探测组件的最小探测功率Pmin直接决定了工作距离。Si基位置灵敏探测器通常需要加比较大的偏压来保障其探测性能。此外，由于Si基位置灵敏探测器光敏材料只有Si，限制了其工作波长。 因此，亟需一种宽波段响应的高灵敏无源位置灵敏探测器。
为了实现上述高性能位置灵敏探测器，在Si上复合其他高性能材料是一种不错的选择，这样既可以保留Si基位置灵敏探测器的现有性能，又能弥补其现有的不足。新型二维半导体材料石墨烯(graphene)由于其高迁移率和宽带吸收使之成为光电应用领域最有潜力的候选者。石墨烯作为光敏材料可以吸收从可见到太赫兹的光，结合自身的高迁移率可使载流子在其中扩散很远的距离，这为高性能位置灵敏探测器提供了新的机遇。
基于上述背景，本发明提出一种基于石墨烯-硅异质结的无源位置灵敏探测器。
发明内容
本发明提出一种基于石墨烯-硅异质结的无源位置灵敏探测器。以解决现有位置灵敏探测器多项问题，包括功耗（有源），最低极限探测功率，工作波长限制等。
本发明的技术方案如下：
一种基于石墨烯-硅异质结的无源位置灵敏探测器，所述的探测器包括Si衬底、设在Si衬底上的石墨烯，设在石墨烯上的金属电极和设在Si背面的金属电极；
所述的Si是轻掺杂Si衬底，电阻率为1-10 Ω cm；
所述的石墨烯是单层、双层或3-10层的少层石墨烯；
所述的石墨烯上金属电极为金、镍或铂；
所述的Si衬底背面的金属电极为铝。
所述的基于石墨烯-硅异质结的无源位置灵敏探测器的制备方法，包括如下步骤：
1）将化学气相沉积法（CVD）制备的石墨烯转移在Si衬底上；
2）通过掩膜法和金属薄膜沉积技术在石墨烯四周沉积四个对称金属电极；
3）通过掩膜法和金属薄膜沉积技术在Si衬底的背面中心位置沉积一个铝电极。
所述的基于石墨烯-硅异质结的探测器作为无源位置灵敏探测器的应用。
本发明的基于石墨烯-硅异质结的无源位置灵敏探测器的测量方法：同时测量石墨烯上金属电极与Si衬底背面铝电极的电势差。
本发明涉及一种基于石墨烯-硅异质结的无源位置灵敏探测器，其工作原理是：光照在G-Si上，石墨烯和Si中都产生光致电子空穴对，并在内建电场的作用下分离分别进入石墨烯和Si中。在浓度梯度的作用下分离的载流子向四周扩散，被四周石墨烯上的电极所收集，使电极处与Si之间存在一个电势差。而这个电势差与光斑距电极的距离有关，越近产生的电势差越大，反之越小。由于载流子可以在石墨烯中自由扩散，无需外部电源驱动，所以该探测器没有功耗。为了消除光照强度不同引起的电势差不同，同方向上两个电极的输出之差和输出之和的比值用来表示与距离的依赖关系。由于石墨烯具有超高的迁移率，载流子在其中的扩散距离很长，因此不仅可以对弱光进行位置探测，还可以实现大尺寸位置探测。而且石墨烯的宽带吸收使得该结构表现出对红外光的位置灵敏性。此外，两电极输出之和与光照位置无关，只与入射光强有关，因此可以用来探测入射光强。
有益效果：基于本发明所获得的基于石墨烯-硅异质结的无源位置灵敏探测器，不仅实现无功耗，还可以解决现有位置灵敏探测器探测弱光，红外光探测受限的问题。
附图说明
图1是本发明的原理示意图；
图2为实施例1中XY两个方向对可见光（532纳米）的位置灵敏特性曲线；
图3为实施例2中弱光下（633纳米）的位置灵敏特性曲线；
图4为实施例3中红外光（1319纳米）的位置灵敏特性曲线。
具体实施方式
实施例1
本实施例的基于石墨烯-硅异质结的无源位置灵敏探测器，制备过程如下：
1）通过湿法转移技术将CVD生长的11 mm* 11 mm的单层石墨烯转移至13 mm* 13 mm的Si衬底上，Si衬底电阻率为10 Ω cm。
2）通过掩膜法和金属薄膜沉积技术在石墨烯上四周沉积四个对称的长6 mm， 宽1mm，厚50 nm的金电极，同一个方向上相对的两个电极间距为8 mm。
3）通过掩膜法和金属薄膜沉积技术在Si衬底背面中心沉积一个长3 mm， 宽3 mm，厚100 nm的铝电极。
4）用532 nm波长的激光照射在电极之间石墨烯区域内，同时测量石墨烯上电极与Si衬底背面铝电极之间的电势差，得到同一方向上两电极的输出之差与输出之和的比值，对比该比值的大小，得到光斑的位置信息（图2）。
图2 表示的在可见光532 nm下10 μW的光照下两个方向上的位置灵敏特性曲线，两个方向的比值都和距离呈现出线性关系，因此我们可以根据测量得到的电势差算出入射点与电极的距离，实现光斑位置的探测。
实施例2
本实施例的基于石墨烯-硅异质结的无源位置灵敏探测器，制备过程如下：
1）通过湿法转移技术将CVD生长的11 mm* 11 mm的单层石墨烯转移至13 mm* 13 mm的Si衬底上，Si衬底电阻率为10 Ω cm。
2）重复1）的转移得到双层石墨烯在Si衬底上
3）通过掩膜法和金属薄膜沉积技术在石墨烯上四周沉积四个对称的长6 mm， 宽1 mm，厚50 nm的金电极，同一个方向上相对的两个电极间距为8 mm。
4）通过掩膜法和金属薄膜沉积技术在Si衬底背面中心沉积一个长3 mm， 宽3 mm，厚100 nm的铝电极。
5）用633 nm波长的激光照射在电极之间石墨烯区域内，同时测量石墨烯上电极与Si衬底背面铝电极之间的电势差，得到同一方向上两电极的输出之差与输出之和的比值，对比该比值的大小，得到光斑的位置信息（图3）。
图3 表示的在可见光633 nm下17 nW的光照下的位置灵敏特性曲线，在如此弱的光照下依然得到线性的位置灵敏特性曲线，说明了该探测器可以实现nW级弱光的位置灵敏探测。
实施例3
本实施例的基于石墨烯-硅异质结的无源位置灵敏探测器，制备过程如下：
1）通过湿法转移技术将CVD生长的11 mm* 11 mm的单层石墨烯转移至13 mm* 13 mm的Si衬底上，Si衬底电阻率为10 Ω cm。
2）通过掩膜法和金属薄膜沉积技术在石墨烯上四周沉积四个对称的长6 mm， 宽1mm，厚50 nm的金电极，同一个方向上相对的两个电极间距为8 mm。
3）通过掩膜法和金属薄膜沉积技术在Si衬底背面中心沉积一个长3 mm， 宽3 mm，厚100 nm的铝电极。
4）用1319 nm波长的激光照射在电极之间石墨烯区域内，同时测量石墨烯上电极与Si衬底背面铝电极之间的电势差，得到同一方向上两电极的输出之差与输出之和的比值，对比该比值的大小，得到光斑的位置信息（图4）。
图4 表示的在可见光1319 nm下10 μW的光照下的位置灵敏特性曲线，线性的特性曲线说明了该探测器可以在红外光下工作。
Claims (4)
1.一种基于石墨烯-硅异质结的无源位置灵敏探测器，其特征在于，所述的探测器包括Si衬底、设在Si衬底上的石墨烯，设在石墨烯上的金属电极和设在Si背面的金属电极；
所述的Si是轻掺杂Si衬底，电阻率为1-10 Ω cm；
所述的石墨烯是单层、双层或3-10层的少层石墨烯；
所述的石墨烯上金属电极为金、镍或铂；
所述的Si衬底背面的金属电极为铝。
2.如权利要求1所述的基于石墨烯-硅异质结的无源位置灵敏探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
1）将化学气相沉积法（CVD）制备的石墨烯转移在Si衬底上；
2）通过掩膜法和金属薄膜沉积技术在石墨烯四周沉积四个对称金属电极；
3）通过掩膜法和金属薄膜沉积技术在Si衬底的背面中心位置沉积一个铝电极。
3.如权利要求1所述的基于石墨烯-硅异质结的探测器作为无源位置灵敏探测器的应用。
4.如权利要求1所述的基于石墨烯-硅异质结的无源位置灵敏探测器的测量方法，其特征在于，同时测量石墨烯上金属电极与Si衬底背面铝电极的电势差。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710504755.9A CN107256899B (zh) | 2017-06-28 | 2017-06-28 | 无源位置灵敏探测器、其制备方法及其测量方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710504755.9A CN107256899B (zh) | 2017-06-28 | 2017-06-28 | 无源位置灵敏探测器、其制备方法及其测量方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107256899A true CN107256899A (zh) | 2017-10-17 |
| CN107256899B CN107256899B (zh) | 2019-03-08 |
Family
ID=60023343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710504755.9A Active CN107256899B (zh) | 2017-06-28 | 2017-06-28 | 无源位置灵敏探测器、其制备方法及其测量方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107256899B (zh) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108281443A (zh) * | 2018-01-29 | 2018-07-13 | 杭州紫元科技有限公司 | 一种基于soi衬底的石墨烯/硅异质结ccd像素阵列及其制备方法 |
| CN109001791A (zh) * | 2018-06-07 | 2018-12-14 | 哈尔滨工业大学 | 金刚石位置灵敏探测器的束流位置定位方法 |
| CN109103271A (zh) * | 2018-07-16 | 2018-12-28 | 中国空间技术研究院 | 一种基于纳米碳材料/硅异质结的x射线探测器及其制备方法 |
| CN109256436A (zh) * | 2018-09-03 | 2019-01-22 | 中国电子科技集团公司第十研究所 | 一种石墨烯红外探测单元及其制备方法 |
| CN109768114A (zh) * | 2018-12-04 | 2019-05-17 | 东南大学 | 一种基于石墨烯-半导体异质结的位敏感光电探测器 |
| CN110379859A (zh) * | 2019-07-23 | 2019-10-25 | 宁波石墨烯创新中心有限公司 | 一种薄膜晶体管、其制备方法及电子器件 |
| CN110808297A (zh) * | 2019-10-25 | 2020-02-18 | 深圳第三代半导体研究院 | 一种基于AlGaN/GaN异质结的位置传感器、制备方法及检测方法 |
| CN112054087A (zh) * | 2020-08-24 | 2020-12-08 | 重庆中易智芯科技有限责任公司 | 一种石墨烯半导体辐射探测器件及其制备方法 |
| US11308901B2 (en) | 2018-11-20 | 2022-04-19 | HKC Corporation Limited | Pixel driving method, pixel driving apparatus and computer device |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101771092A (zh) * | 2009-12-16 | 2010-07-07 | 清华大学 | 一种基于石墨烯/硅肖特基结的光伏电池及其制备方法 |
| CN104022130A (zh) * | 2014-06-20 | 2014-09-03 | 北京师范大学 | 硅光电倍增探测器 |
| CN104600131A (zh) * | 2015-01-16 | 2015-05-06 | 浙江大学 | 一种界面钝化的石墨烯/硅光电探测器及其制备方法 |
| CN104835872A (zh) * | 2015-04-21 | 2015-08-12 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 | 柔性异质结薄膜太阳能电池及其制备方法 |
| CN106803528A (zh) * | 2016-12-28 | 2017-06-06 | 泰州巨纳新能源有限公司 | 基于石墨烯的位置灵敏光探测器 |
-
2017
- 2017-06-28 CN CN201710504755.9A patent/CN107256899B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101771092A (zh) * | 2009-12-16 | 2010-07-07 | 清华大学 | 一种基于石墨烯/硅肖特基结的光伏电池及其制备方法 |
| CN104022130A (zh) * | 2014-06-20 | 2014-09-03 | 北京师范大学 | 硅光电倍增探测器 |
| CN104600131A (zh) * | 2015-01-16 | 2015-05-06 | 浙江大学 | 一种界面钝化的石墨烯/硅光电探测器及其制备方法 |
| CN104835872A (zh) * | 2015-04-21 | 2015-08-12 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 | 柔性异质结薄膜太阳能电池及其制备方法 |
| CN106803528A (zh) * | 2016-12-28 | 2017-06-06 | 泰州巨纳新能源有限公司 | 基于石墨烯的位置灵敏光探测器 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108281443A (zh) * | 2018-01-29 | 2018-07-13 | 杭州紫元科技有限公司 | 一种基于soi衬底的石墨烯/硅异质结ccd像素阵列及其制备方法 |
| CN109001791A (zh) * | 2018-06-07 | 2018-12-14 | 哈尔滨工业大学 | 金刚石位置灵敏探测器的束流位置定位方法 |
| CN109103271A (zh) * | 2018-07-16 | 2018-12-28 | 中国空间技术研究院 | 一种基于纳米碳材料/硅异质结的x射线探测器及其制备方法 |
| CN109256436A (zh) * | 2018-09-03 | 2019-01-22 | 中国电子科技集团公司第十研究所 | 一种石墨烯红外探测单元及其制备方法 |
| US11308901B2 (en) | 2018-11-20 | 2022-04-19 | HKC Corporation Limited | Pixel driving method, pixel driving apparatus and computer device |
| CN109768114A (zh) * | 2018-12-04 | 2019-05-17 | 东南大学 | 一种基于石墨烯-半导体异质结的位敏感光电探测器 |
| CN110379859A (zh) * | 2019-07-23 | 2019-10-25 | 宁波石墨烯创新中心有限公司 | 一种薄膜晶体管、其制备方法及电子器件 |
| CN110379859B (zh) * | 2019-07-23 | 2022-08-16 | 宁波石墨烯创新中心有限公司 | 一种薄膜晶体管、其制备方法及电子器件 |
| CN110808297A (zh) * | 2019-10-25 | 2020-02-18 | 深圳第三代半导体研究院 | 一种基于AlGaN/GaN异质结的位置传感器、制备方法及检测方法 |
| CN110808297B (zh) * | 2019-10-25 | 2021-04-06 | 深圳第三代半导体研究院 | 一种基于AlGaN/GaN异质结的位置传感器、制备方法及检测方法 |
| CN112054087A (zh) * | 2020-08-24 | 2020-12-08 | 重庆中易智芯科技有限责任公司 | 一种石墨烯半导体辐射探测器件及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107256899B (zh) | 2019-03-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107256899A (zh) | 基于石墨烯‑硅异质结的无源位置灵敏探测器 | |
| CN105489693B (zh) | 基于二维层状薄膜材料p‑g‑n异质结光电子器件 | |
| CN104956496B (zh) | 光检测元件 | |
| CN102292654B (zh) | 表面污染监测器 | |
| US9709536B2 (en) | Thermal flow sensor, gas sensor comprising at least one such sensor and Pirani gauge comprising at least one such sensor | |
| Javadi et al. | Hybrid organic/inorganic position-sensitive detectors based on PEDOT: PSS/n-Si | |
| CN105702776B (zh) | 一种自驱动光探测器及其制作方法 | |
| CN101675522A (zh) | 光敏器件以及制造光敏器件的方法 | |
| JP2009175124A (ja) | プラズモン共鳴検出器 | |
| CN109768114A (zh) | 一种基于石墨烯-半导体异质结的位敏感光电探测器 | |
| US7804294B1 (en) | Non contact method and apparatus for measurement of sheet resistance of P-N junctions | |
| JPH04395B2 (zh) | ||
| CN105403528B (zh) | 石墨烯等离激元增强红外光谱探测的电学原位扣背景方法 | |
| CN106803528A (zh) | 基于石墨烯的位置灵敏光探测器 | |
| CN114324537B (zh) | 一种光电集成生物传感器及生物分子检测设备 | |
| US20190086458A1 (en) | System and method for non-contact measurement of optoelectronic properties of thin film | |
| CN106356420A (zh) | 一种异质结型光电探测器及其制备方法 | |
| US9103659B1 (en) | Method and system for junction depth identification for ultra shallow junctions | |
| RU2517802C1 (ru) | Детектор излучения | |
| JP2001221689A (ja) | 赤外線光源及び赤外線ガス分析計 | |
| JPH0546709B2 (zh) | ||
| RU2501116C1 (ru) | Способ измерения диффузионной длины неосновных носителей заряда в полупроводниках и тестовая структура для его осуществления | |
| RU2178558C1 (ru) | Газовый датчик | |
| JPS6057716B2 (ja) | 半導体光位置検出器 | |
| CN109001791A (zh) | 金刚石位置灵敏探测器的束流位置定位方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |