CN107240546B - 一种金刚线切割后的硅片清洗方法 - Google Patents

一种金刚线切割后的硅片清洗方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107240546B
CN107240546B CN201710469245.2A CN201710469245A CN107240546B CN 107240546 B CN107240546 B CN 107240546B CN 201710469245 A CN201710469245 A CN 201710469245A CN 107240546 B CN107240546 B CN 107240546B
Authority
CN
China
Prior art keywords
cleaning
silicon wafer
adopting
temperature
diamond wire
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710469245.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107240546A (zh
Inventor
刘宝华
任崇荣
谷燕铂
李东东
王立明
任欢欢
梁玲
赵强
王莹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanxi Luan Solar Energy Technology Co Ltd
Original Assignee
Shanxi Luan Solar Energy Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanxi Luan Solar Energy Technology Co Ltd filed Critical Shanxi Luan Solar Energy Technology Co Ltd
Priority to CN201710469245.2A priority Critical patent/CN107240546B/zh
Publication of CN107240546A publication Critical patent/CN107240546A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107240546B publication Critical patent/CN107240546B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only

Abstract

本发明涉及硅片清洗领域,特别是涉及金刚线切割后的硅片领域。一种金刚线切割后的硅片清洗方法,按照如下的步骤进行,步骤一、将金刚线切割过的硅片在柠檬酸水溶液中清洗的步骤;步骤二、硅片在碱性清洗剂中清洗的步骤;步骤三、硅片在双氧水中清洗的步骤。通过碱洗前增加弱酸活化工艺,使得其硅片表面残留的金属离子更少,碱洗后增加双氧水清洗工艺祛除表面残留碱液、有机物、金属离子,同时使表面损伤层去除更大。硅片在后续电池制绒过程金字塔绒面的覆盖率更高,绒面更均一。

Description

一种金刚线切割后的硅片清洗方法
技术领域
本发明涉及硅片清洗领域,特别是涉及金刚线切割后的硅片领域。
背景技术
目前对金刚线切割后的硅片一般都是直接通过碱性清洗剂进行清洗,这样使得硅片表面残留的金属离子、有机物、碱性清洗液不能根除,硅片在后续电池碱洗制绒过程,往往会出现表面制绒不均匀,呈现花斑现象。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:如何避免由于金刚线切割后的硅片没有清理干净造成的硅片在后续电池碱洗制绒过程出现表面制绒不均匀的问题。
本发明所采用的技术方案是:发现硅片在后续电池碱洗制绒过程出现表面制绒不均匀的问题有部分原因是因为金刚线切割后的硅片没有清理干净造成的,并采用以下步骤对金刚线切割后的硅片进行彻底清理,一种金刚线切割后的硅片清洗方法,按照如下的步骤进行
步骤一、将金刚线切割过的硅片在柠檬酸水溶液中清洗的步骤;
步骤二、硅片在碱性清洗剂中清洗的步骤;
步骤三、硅片在双氧水中清洗的步骤。
作为一种优选方式:步骤一中,柠檬酸水溶液的质量百分比浓度为3%-5%,温度为40-50℃,清洗过程使用超声波。柠檬酸与硅片表面无机物反应,生成弱酸盐,去除表面金属等杂质。
作为一种优选方式:步骤二中,碱性清洗剂的质量百分比浓度为5%-8%,温度为45-55℃,pH=11~13,清洗过程使用超声波。
作为一种优选方式:步骤三中,双氧水的质量百分比浓度为4%-8%,温度为40-45℃,清洗过程使用超声波。深层次的祛除硅片表面残留的碱液、有机物和金属离子,使硅片表面损伤层祛除更洁净。
作为一种优选方式:步骤一中,将金刚线切割过的硅片使用纯水+溢流+超声后再在柠檬酸水溶液中清洗。避免直接使用柠檬酸水溶液造成柠檬酸的浪费。
作为一种优选方式:在步骤一和步骤二之间使用纯水+溢流+超声进行清洗。避免硅片上粘接的柠檬酸破坏碱性清洗剂,造成碱性清洗剂浪费,同时可以把硅片上聚集的溶解的有机物和金属离子洗掉,使得后续的碱性清洗剂清洗效果更佳。
作为一种优选方式:在步骤三之后使用纯水+溢流+超声进行清洗。避免步骤三清理过程中在硅片表面形成的可溶的有机物和金属离子不能被清理干净,造成后续烘干中粘接在硅片表面。
本发明的有益效果是:通过碱洗前增加弱酸活化工艺,使得其硅片表面残留的金属离子更少,碱洗后增加双氧水清洗工艺祛除表面残留碱液、有机物、金属离子,同时使表面损伤层去除更大。硅片在后续电池制绒过程金字塔绒面的覆盖率更高,绒面更均一。
附图说明
图1是经过本发明清洗后的制绒绒面图;
图2是未经过本发明清洗后的制绒绒面图。
具体实施方式
实施例1
一种金刚线切割后的硅片清洗方法,按照如下的步骤进行:
配置质量百分比浓度为3%的柠檬酸水溶液,质量百分比浓度为5%的氢氧化钠溶液(水溶液),配置量百分比浓度为4%的双氧水溶液(水溶液)。
把金刚线切割后的硅片依次在以下槽体中清洗
1#槽体:采用纯水+溢流+超声方式清洗,清洗温度40-50℃,清洗时间200s;目的是清除金刚线切割后的硅片表面残留的大颗粒杂质。
2#槽体:采用百分比浓度为3%的柠檬酸水溶液+超声方式清洗,清洗温度40-50℃,清洗时间180s;目的是清除硅片表面残留的有机物、金属离子。
3#槽体:采用纯水+溢流+超声方式清洗,清洗温度45-50℃,清洗时间220s;避免硅片上粘接的柠檬酸破坏碱性清洗剂,造成碱性清洗剂浪费,同时可以把硅片上聚集的溶解的有机物和金属离子洗掉,使得后续的碱性清洗剂清洗效果更佳。
4#槽体:采用百分比浓度为5%的氢氧化钠溶液+超声方式清洗,清洗温度45-55℃,清洗时间240s。
5#槽体:采用百分比浓度为5%的氢氧化钠溶液+超声方式清洗,清洗温度45-55℃,清洗时间240s,采用阶段性氢氧化钠溶液+超声方式清洗,能够在消耗氢氧化钠溶液更少的情况下,提高清洗效果。
6#槽体:采用百分比浓度为4%的双氧水溶液+超声方式清洗,清洗温度45-55℃,清洗时间150s。
7#槽体:采用纯水+溢流+超声方式清洗,清洗温度55-60℃,清洗时间240s。
8#槽体:采用纯水+溢流+超声方式清洗,清洗温度60-65℃,清洗时间240s。
9#槽体:采用纯水+溢流+超声方式清洗,清洗温度65-70℃,清洗时间240s,通过阶段性纯水+溢流+超声方式清洗,不仅减少了对存水的消耗,而且提高了清洗效果,节省清洗时间。
10#槽体:采用加热烘干,烘干温度80℃,烘干时间240s。
图1是经过本发明清洗后的制绒绒面图;图2是未经过本发明清洗后的制绒绒面图。可以明显看出,经过本发明清洗后,制绒绒面表面更均一。
具体实施例2
与具体实施例1不同之处在于:柠檬酸水溶液的质量百分比浓度为5%,氢氧化钠溶液(水溶液)质量百分比浓度为8%,双氧水溶液(水溶液)百分比浓度为8%。
具体实施例3
与具体实施例1不同之处在于:柠檬酸水溶液的质量百分比浓度为4%,氢氧化钠溶液(水溶液)质量百分比浓度为6%,双氧水溶液(水溶液)百分比浓度为6%。

Claims (1)

1.一种金刚线切割后的硅片清洗方法,其特征在于:按照如下的步骤进行
把金刚线切割后的硅片依次在以下槽体中清洗
1#槽体:采用纯水+溢流+超声方式清洗,清洗温度40-50℃,清洗时间200s;目的是清除金刚线切割后的硅片表面残留的大颗粒杂质;
2#槽体:采用百分比浓度为3%的柠檬酸水溶液+超声方式清洗,清洗温度40-50℃,清洗时间180s;目的是清除硅片表面残留的有机物、金属离子;
3#槽体:采用纯水+溢流+超声方式清洗,清洗温度45-50℃,清洗时间220s;避免硅片上粘接的柠檬酸破坏碱性清洗剂,造成碱性清洗剂浪费,同时可以把硅片上聚集的溶解的有机物和金属离子洗掉,使得后续的碱性清洗剂清洗效果更佳;
4#槽体:采用百分比浓度为5%的氢氧化钠溶液+超声方式清洗,清洗温度45-55℃,清洗时间240s;
5#槽体:采用百分比浓度为5%的氢氧化钠溶液+超声方式清洗,清洗温度45-55℃,清洗时间240s;
6#槽体:采用百分比浓度为4%的双氧水溶液+超声方式清洗,清洗温度45-55℃,清洗时间150s;
7#槽体:采用纯水+溢流+超声方式清洗,清洗温度55-60℃,清洗时间240s;
8#槽体:采用纯水+溢流+超声方式清洗,清洗温度60-65℃,清洗时间240s;
9#槽体:采用纯水+溢流+超声方式清洗,清洗温度65-70℃,清洗时间240s;
10#槽体:采用加热烘干,烘干温度80℃,烘干时间240s。
CN201710469245.2A 2017-06-20 2017-06-20 一种金刚线切割后的硅片清洗方法 Active CN107240546B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710469245.2A CN107240546B (zh) 2017-06-20 2017-06-20 一种金刚线切割后的硅片清洗方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710469245.2A CN107240546B (zh) 2017-06-20 2017-06-20 一种金刚线切割后的硅片清洗方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107240546A CN107240546A (zh) 2017-10-10
CN107240546B true CN107240546B (zh) 2020-02-21

Family

ID=59986473

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710469245.2A Active CN107240546B (zh) 2017-06-20 2017-06-20 一种金刚线切割后的硅片清洗方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107240546B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109647783A (zh) * 2018-12-25 2019-04-19 北京无线电计量测试研究所 一种石英晶片的清洗方法及自动清洗装置
CN109979804A (zh) * 2019-03-29 2019-07-05 山西潞安太阳能科技有限责任公司 一种提高单晶硅片洁净度的清洗工艺
CN113322515B (zh) * 2021-06-02 2022-09-20 内蒙古和光新能源有限公司 一种硅芯圆棒的生产方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106733876A (zh) * 2016-12-23 2017-05-31 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种金刚线切割的晶体硅的清洗方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07153728A (ja) * 1993-11-30 1995-06-16 Sumitomo Sitix Corp 温純水洗浄によるシリコンウエーハの表面処理方法
CN103658096B (zh) * 2012-08-31 2015-10-21 浙江昱辉阳光能源有限公司 一种金刚线切割硅片的清洗方法
CN105655239B (zh) * 2016-03-31 2018-05-25 苏州晶樱光电科技有限公司 硅晶片清洗工艺

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106733876A (zh) * 2016-12-23 2017-05-31 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种金刚线切割的晶体硅的清洗方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN107240546A (zh) 2017-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107240546B (zh) 一种金刚线切割后的硅片清洗方法
CN105280477B (zh) 一种蓝宝石晶片的清洗工艺
CN102097526B (zh) 一种晶体硅rie制绒的表面损伤层清洗工艺
CN102225406B (zh) 一种金刚线切割硅片的清洗方法
CN103464415A (zh) 太阳能单晶硅片清洗液及清洗方法
CN103449731A (zh) 一种提升熔石英光学元件损伤阈值的方法
CN101709476A (zh) 铝工件连续碱洗去除毛刺的生产方法及设备
CN107686776A (zh) 太阳能级硅切片清洗剂及其制备方法
CN113793801B (zh) 一种磷化铟衬底晶片的清洗方法
CN101817006A (zh) 一种太阳能硅片的表面清洗方法
CN105032834A (zh) 金刚石硅片专用碱洗液及金刚石硅片清洗工艺
CN105405746A (zh) 一种锑化镓单晶抛光片的清洗方法
CN110586568A (zh) 一种用于蓝宝石衬底片碳化硼研磨后的清洗方法
CN110373720A (zh) 一种砷化镓背侵的去除方法
CN111105995B (zh) 一种单晶硅片的清洗及制绒方法
JP2022533057A (ja) テクスチャリングされたソーラーウェハの製造方法
CN103170467B (zh) 铸锭循环料清洁处理方法
CN104831358B (zh) 一种液相外延用钆镓石榴石单晶衬底的清洗方法
CN102364697B (zh) 一种去除rie制绒后晶体硅表面的微损伤层的方法
CN102723403A (zh) 籽晶脱胶工艺
CN114156163A (zh) 一种新型单晶硅片高效清洗方法
CN102698983A (zh) 一种太阳能级硅片的清洗方法
TW201409540A (zh) 藍寶石基板之再生方法
CN211265420U (zh) 一种提高边抛大直径硅片表面洁净度的清洗系统
CN106733876B (zh) 一种金刚线切割的晶体硅片的清洗方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant