CN107230746A - 有机发光显示装置 - Google Patents

有机发光显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107230746A
CN107230746A CN201611071351.7A CN201611071351A CN107230746A CN 107230746 A CN107230746 A CN 107230746A CN 201611071351 A CN201611071351 A CN 201611071351A CN 107230746 A CN107230746 A CN 107230746A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
reflection graphic
graphic patterns
display device
organic light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201611071351.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107230746B (zh
Inventor
金武谦
金旻首
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN107230746A publication Critical patent/CN107230746A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107230746B publication Critical patent/CN107230746B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/50—OLEDs integrated with light modulating elements, e.g. with electrochromic elements, photochromic elements or liquid crystal elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features

Abstract

本公开提供有机发光显示(OLED)装置。OLED装置包括基底、反射结构和子像素结构。基底包括多个子像素区域和围绕所述多个子像素区域的反射区域。反射结构在反射区域中设置在基底上并具有暴露子像素区域的多个开口。反射结构包括第一反射图案、第二反射图案和连接图案。第一反射图案沿与基底的上表面平行的第一方向延伸，并且沿与第一方向垂直的第二方向彼此间隔开。第二反射图案在第一反射图案中的两个相邻的第一反射图案之间沿第一方向彼此间隔开。连接图案将在第二方向上的两个相邻的第二反射图案电连接。子像素结构在子像素区域中设置在基底上。

Description

有机发光显示装置
技术领域
本公开的示例实施例总体上涉及有机发光显示(OLED)装置，更具体地，涉及包括反射区域的OLED装置。
背景技术
与阴极射线管(CRT)显示装置相比，平板显示(FPD)装置由于其重量轻并且纤薄而被广泛地用作电子设备的显示装置。FPD装置的典型示例为液晶显示(LCD)装置和有机发光显示(OLED)装置。与LCD装置相比，OLED装置具有诸如更高亮度和更宽视角的多项优势。另外，因为OLED装置不需要背光，所以OLED装置可以制造得更纤薄。在OLED装置中，电子和空穴通过阴极和阳极注入有机薄层中，然后在有机薄层中复合以产生激子，从而发射特定波长的光。
近来，已经研制出了包括像素区域和反射区域的镜面OLED装置。镜面OLED装置能够通过反射区域反射位于该OLED装置前面的物体(或目标)的图像。
发明内容
本公开的一些示例实施例提供了一种能够反射位于OLED装置前面的物体的图像的有机发光显示(OLED)装置。
根据示例实施例的一些方面，OLED装置包括基底、反射结构和子像素结构。基底包括多个子像素区域和围绕所述多个子像素区域的反射区域。反射结构在反射区域中设置在基底上并具有暴露所述多个子像素区域的多个开口。反射结构包括第一反射图案、第二反射图案和连接图案。第一反射图案沿与基底的上表面平行的第一方向延伸，并且沿与第一方向垂直的第二方向彼此间隔开。第二反射图案在第一反射图案中的两个相邻的第一反射图案之间沿第一方向彼此间隔开。连接图案将第二反射图案中在第二方向上的两个相邻的第二反射图案电连接。子像素结构在所述多个子像素区域中的每个中设置在基底上。
在示例实施例中，反射结构设置在基底与子像素结构之间。
在示例实施例中，第一反射图案可以被构造为从外部装置接收第一触摸感测电压，第二反射图案可以被构造为从外部装置接收第二触摸感测电压。外部装置可以检测第一反射图案与第二反射图案之间电容的变化。
在示例实施例中，第一反射图案中的每个可以具有平面的条形形状，并可以沿第二方向规则地布置。第二反射图案中的每个可以具有岛形状，并可以沿第一方向规则地布置。第一反射图案和第二反射图案可以彼此间隔开。
在示例实施例中，第一反射图案和第二反射图案中的每个可以具有包括所述多个开口的网格结构。
在示例实施例中，至少一个沟槽可以形成在第一反射图案和第二反射图案的边界中。
在示例实施例中，OLED装置还可以包括设置在子像素结构上的薄膜包封结构。基底和薄膜包封结构中的每者可以具有至少一个有机层和至少一个无机层交替堆叠的堆叠结构，堆叠结构可以是柔性的。反射结构可以与基底的至少一个无机层接触，子像素结构可以与薄膜包封结构的至少一个无机层接触。
在示例实施例中，OLED装置还可以包括包封基底和密封件。包封基底可以设置在子像素结构上。密封件可以设置在基底与包封基底之间，并且可以设置在基底和包封基底的外区域内。基底和包封基底中的每者可以包括刚性材料，密封件可以包括熔料。基底和包封基底可以被密封件结合。
在示例实施例中，子像素结构可以包括下电极、发光层和上电极。下电极可以设置在基底上，并可以透射光。发光层可以设置在下电极上。上电极可以设置在发光层上，并且可以对从发光层发射的光进行反射。上电极的反射率可以大于下电极的反射率，上电极可以在子像素区域和反射区域中设置在基底上。
在示例实施例中，反射结构可以反射位于OLED装置的第一表面前面的物体的图像，上电极可以反射位于OLED装置的第二表面前面的物体的图像。第二表面可以与第一表面相对，OLED装置可以通过所述多个开口在第一表面中显示显示的图像。
在示例实施例中，OLED装置还可以包括半导体元件和缓冲层。半导体元件可以在反射区域中设置在基底上。缓冲层可以设置在基底上在反射结构与半导体元件之间。半导体元件包括：有源层，在反射区域中设置在缓冲层上；栅电极，设置在有源层上；源电极和漏电极，设置在栅电极上。
在示例实施例中，连接图案和栅电极可以使用相同的材料同时形成。
在示例实施例中，OLED装置还可以包括设置在基底与反射结构之间的介电镜面结构。
在示例实施例中，介电镜面结构可以包括一个或更多个第一介电层以及一个或更多个第二介电层。所述一个或更多个第一介电层可以具有第一折射率，所述一个或更多个第二介电层可以设置在所述一个或更多个第一介电层上。所述一个或更多个第二介电层可以具有与第一折射率不同的第二折射率。所述一个或更多个第一介电层以及所述一个或更多个第二介电层可以交替地堆叠。
根据示例实施例的一些方面，OLED装置包括基底、反射结构和子像素结构。基底包括多个子像素区域和围绕所述多个子像素区域的反射区域。子像素结构可以在所述多个子像素区域中的每个中设置在基底上。反射结构在反射区域中设置在基底上并具有多个开口，所述多个子像素区域可以通过所述多个开口暴露。反射结构包括第一反射图案和第二反射图案。第一反射图案可以沿第一方向布置，第二反射图案可以沿与第一方向垂直的第二方向布置。
在示例实施例中，反射结构可以设置在基底与子像素结构之间。
在示例实施例中，第一反射图案可以被构造为从外部装置接收第一触摸感测电压，第二反射图案可以被构造为从外部装置接收第二触摸感测电压。外部装置可以检测第一反射图案与第二反射图案之间电容的变化。
在示例实施例中，第一反射图案和第二反射图案中的每个可以具有平面的条形形状并且可以彼此规则地布置。第一反射图案和第二反射图案中的每个可以具有包括所述多个开口的网格结构。
在示例实施例中，第一反射图案和第二反射图案可以在交叉区域交叉，位于交叉区域的第一反射图案的所述多个开口中的第一组和第二反射图案的所述多个开口中的第二组可以彼此叠置。
在示例实施例中，OLED装置还可以包括设置在子像素结构上的薄膜包封结构。基底和薄膜包封结构中的每者可以具有至少一个有机层和至少一个无机层交替堆叠的堆叠结构，堆叠结构可以是柔性的。反射结构可以与基底的至少一个无机层接触，子像素结构可以与薄膜包封结构的至少一个无机层接触。
在示例实施例中，OLED装置还可以包括半导体元件和缓冲层。半导体元件可以在反射区域中设置在基底上。缓冲层可以设置在基底上在第一反射图案与半导体元件之间。半导体元件可以包括：有源层，在反射区域中设置在缓冲层上；栅电极，设置在有源层上；源电极和漏电极，设置在栅电极上。第二反射图案和栅电极可以使用相同的材料同时形成。
在示例实施例中，OLED装置还可以包括辅助布线。辅助布线可以设置在第二反射图案上，并且可以电连接到第二反射图案。辅助布线可以与源电极和漏电极使用相同的材料同时形成。
在示例实施例中，OLED装置还可以包括设置在基底与反射结构之间的介电镜面结构。介电镜面结构可以包括一个或更多个第一介电层以及一个或更多个第二介电层。所述一个或更多个第一介电层可以具有第一折射率。所述一个或更多个第二介电层可以设置在所述一个或更多个第一介电层上，并且可以具有与第一折射率不同的第二折射率。所述一个或更多个第一介电层以及所述一个或更多个第二介电层可以交替地堆叠。
根据示例实施例，OLED装置包括基底、子像素结构和感测结构。基底可以包括多个子像素区域和围绕所述多个子像素区域的反射区域。子像素结构可以在所述多个子像素区域中的每个中设置在基底上。感测结构可以在反射区域中设置在基底上并可以具有多个开口。所述多个子像素区域可以通过所述多个开口暴露。感测结构可以包括第一感测图案和与第一感测图案绝缘的第二感测图案。感测结构可以设置在基底与子像素结构之间。
在示例实施例中，感测结构还可以包括将第二感测图案中在第二方向上的两个相邻的第二感测图案电连接的连接图案。第一感测图案可以沿与第二方向垂直的第一方向延伸，并可以沿第二方向彼此间隔开。第二感测图案可以沿第一方向和第二方向彼此间隔开。
在示例实施例中，第一感测图案可以沿第一方向布置，第二感测图案可以沿与第一方向垂直的第二方向布置。
在示例实施例中，第一感测图案和第二感测图案中的每个可以对通过基底进入的光进行反射。
在示例实施例中，第一感测图案可以施加有第一电压，第二感测图案可以施加有第二电压。可以检测第一感测图案与第二感测图案之间电容的变化来确定触摸的位置。
在示例实施例中，第一电压可以是感测输入信号，第二电压可以是感测输出信号。
在示例实施例中，第一感测图案与第二感测图案之间电容的变化可以度量触摸的压力。
在示例实施例中，OLED装置还可以包括被构造为产生第一电压和第二电压的电路。
根据示例实施例的OLED装置包括反射结构，所述反射结构具有可以用作触摸传感器电极的第一反射图案和第二反射图案。反射结构可以反射位于OLED装置前面的物体的图像。因此，OLED装置可以用作因为OLED装置不包括触摸屏面板而具有相对薄的厚度的底发射结构的镜面OLED装置。另外，因为OLED装置包括柔性基底和包封基底，所以OLED装置可以具有弯曲的形状。此外，位于OLED装置的背面的面前的物体的图像可以被上电极反射。
附图说明
通过下面结合附图的描述，示例实施例能被更详细地理解，在附图中：
图1是示出根据示例实施例的有机发光显示(OLED)装置的剖视图；
图2是描绘图1的OLED装置中包括的反射结构的平面图；
图3是对应于图2的区域“A”的放大平面图；
图4是用于描绘电连接到图1的OLED装置中包括的反射结构的外部装置的框图；
图5、图6、图7、图8、图9和图10是示出根据示例实施例的制造OLED装置的方法的剖视图；
图11是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图；
图12是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图；
图13是描绘图12的OLED装置中包括的反射结构的平面图；
图14是对应于图13的区域“B”的放大平面图；
图15是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图；
图16是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图；
图17是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图；
图18是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图；
图19是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图；
图20是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图；以及
图21是描绘图20的OLED装置中包括的密封件的剖视图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细地解释本公开的实施例。
图1是示出根据示例实施例的有机发光显示(OLED)装置的剖视图，图2是描绘图1的OLED装置中包括的反射结构的平面图。图3是对应于图2的区域“A”的放大平面图，图4是用于描绘电连接到图1的OLED装置中包括的反射结构的外部装置的框图。图1可以对应于沿着图2的线I-I'截取的剖视图。
参照图1、图2、图3和图4，OLED装置100可以包括基底110、反射结构380、缓冲层115、半导体元件250、平坦化层270、子像素结构300、像素限定层310和薄膜包封(TFE)结构450。这里，半导体元件250可以包括有源层130、栅极绝缘层150、栅电极170、层间绝缘层190、源电极210和漏电极230。子像素结构300可以包括下电极290、发光层330和上电极340。另外，反射结构380可以包括多个第一反射图案382、多个第二反射图案384和多个连接图案180。如图2和图3所示，每个第一反射图案382可以沿与基底110的上表面平行的第一方向D1延伸，并且可以沿与第一方向D1基本垂直的第二方向D2彼此间隔开。每个第二反射图案384可以在多个第一反射图案382中的相邻的两个第一反射图案382之间沿第一方向D1彼此间隔开。连接图案180可以将多个第二反射图案384中沿第二方向D2相邻的两个第二反射图案384电连接。另外，触摸感测电压可以施加到反射结构380，OLED装置100可以利用由检测电容变化得到的变化的信号来感测用户在OLED装置100的表面上的触摸。
OLED装置100可以包括子像素区域10和反射区域20。子像素区域10可以位于反射区域20之间。子像素结构300可以设置在子像素区域10中，显示的图像可以沿第三方向D3(即，与第一方向D1和第二方向D2垂直的方向)从TFE结构450向基底110显示。另外，反射结构380和半导体元件250可以设置在反射区域20中，位于OLED装置100的前面(即，基底110的第一(下)表面)的物体的图像可以在第三方向D3上显示在反射结构380上。因为OLED装置100包括能够反射位于OLED装置100的前面的物体的图像并且用作触摸感测电极的反射结构380，所以OLED装置100可以用作能够感测用户的触摸输入的底发射结构的镜面OLED装置。
再次参照图1，基底110可以由透明材料形成。在示例实施例中，基底110可以由诸如柔性透明树脂基底(例如，聚酰亚胺基底)的柔性透明材料来形成。聚酰亚胺基底可以包括至少一个聚酰亚胺层和至少一个阻挡层。因为聚酰亚胺基底相对薄且是柔性的，所以聚酰亚胺基底可以设置在刚性玻璃基底上以帮助支撑上面的结构(例如，反射结构380、半导体元件250和子像素结构300)的形成。基底110可以具有一个或更多个聚酰亚胺层和一个或更多个阻挡层交替地堆叠在刚性玻璃基底上的结构。在制造OLED装置100中，在将缓冲层115设置在聚酰亚胺基底的阻挡层上之后，可以在缓冲层115上设置所述上面的结构。在缓冲层115上形成所述上面的结构之后，可以去除其下方设有聚酰亚胺基底的刚性玻璃基底。因为聚酰亚胺基底相对薄且是柔性的，所以可能难以在聚酰亚胺基底上直接形成所述上面的结构。因此，在聚酰亚胺基底和刚性玻璃基底上形成所述上面的结构，然后在去除刚性玻璃基底之后，聚酰亚胺基底可以用作OLED装置100的基底110。因为OLED装置100包括子像素区域10和反射区域20，所以基底110也可以包括子像素区域10和反射区域20。
聚酰亚胺层可以包括无规共聚物或嵌段共聚物。聚酰亚胺层可以具有高透明度、低热膨胀系数和高玻璃化转变温度。因为聚酰亚胺层包括酰亚胺自由基，所以聚酰亚胺层可以具有优异的耐热性、耐化学性、耐磨性和电特性。
阻挡层可以包括有机材料或无机材料。有机材料的示例包括但不限于光致抗蚀剂、聚丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂、丙烯酸类树脂和环氧类树脂。无机材料的示例包括但不限于硅化合物和金属氧化物。例如，阻挡层可以包括但不限于氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、碳氧化硅(SiOxCy)、氮碳化硅(SiCxNy)、氧化铝(AlOx)、氮化铝(AlNx)、氧化钽(TaOx)、氧化铪(HfOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化钛(TiOx)。在示例实施例中，阻挡层可以主要包括无机材料。阻挡层可以阻挡水或潮气经由聚酰亚胺层渗入子像素结构300中。即，阻挡层和TFE结构450可以保护子像素结构300。可选择地，基底110可以包括石英基底、人造石英基底、氟化钙基底、掺氟石英基底、钠钙玻璃基底、无碱玻璃基底等。
参照图1、图2、图3和图4，反射结构380可以在反射区域20中设置基底110上。反射结构380可以包括多个第一反射图案382和多个第二反射图案384。第一反射图案382和第二反射图案384可以设置在基底110的阻挡层上，阻挡层可以是无机层。每个第一反射图案382可以沿第一方向D1延伸。另外，每个第一反射图案382可以沿第二方向D2彼此间隔开，并且可以规则地布置。此外，每个第一反射图案382可以具有包括多个突出部分的基本平坦的条形形状。第二反射图案384可以在所述多个第一反射图案382中的相邻的第一反射图案382之间沿第一方向D1规则地布置，并且可以具有岛形状。例如，第二反射图案384的岛形状可以是平面的正方形，并且可以设置在相邻的第一反射图案382的突出部分之间。连接图案180可以接触并电连接到所述多个第二反射图案384中在第二方向D2上相邻的两个第二反射图案384。第一反射图案382和第二反射图案384可以彼此间隔开，并且可以位于基底110上的同一水平处。然而，连接图案180可以与第一反射图案382和第二反射图案384位于不同水平处。例如，连接图案180可以设置在第一反射图案382和第二反射图案384上。如上面描述的，因为OLED装置100包括反射结构380，所以可以沿第三方向D3反射位于OLED装置100的第一表面S1前面的物体的图像。
在示例实施例中，如图2和图3所示，第一反射图案382和第二反射图案384中的每个可以具有包括多个开口383的网格结构。子像素区域10可以对应于每个开口383，子像素结构300可以设置在对应于每个开口383的区域中。即，第一组子像素区域10可以位于第一反射图案382中包括的开口383中，第二组子像素区域10可以位于第二反射图案384中包括的开口383中。如上面描述的，因为OLED装置100包括反射结构380的开口383，所以从子像素结构300发射的光可以沿第三方向D3经由开口383射出。在示例实施例中，如图3所示，沟槽386和387可以形成在第一反射图案382和第二反射图案384的边界或边缘中，开口383的至少一个侧部在所述位置处是敞开的。沟槽386和387可以形成为暴露对应的子像素区域10。
在示例实施例中，如图4所示，OLED装置100可以将第一反射图案382和第二反射图案384与外部装置105通过触摸传感器布线(未示出)电连接，并且可以将由外部装置105产生的第一触摸感测电压和第二触摸感测电压分别提供到第一反射图案382和第二反射图案384。外部装置105可以检测第一反射图案382与第二反射图案384之间电容的变化。外部装置105可以将作为感测输入信号的第一触摸感测电压提供至第一反射图案382，并可以通过第二反射图案384接收作为感测输出信号的第二触摸感测电压。这里，第一触摸感测电压可以具有周期性变化的电压电平(或者周期性可变电压电平)，第二触摸感测电压可以具有直流电压电平。例如，当OLED装置100的用户接触第一表面S1(例如，用户手指、用户身体的一部分、触笔的接触)时，对应于(或邻近)接触表面的第一反射图案382与第二反射图案384之间的电容会变化。换句话说，会在身体接触第一表面S1的部分与第一反射图案382和第二反射图案384之间产生电容的变化，外部装置105可以通过触摸传感器布线来接收被变化的电容改变的感测输出信号。因此，外部装置105可以检测被改变的感测输出信号。即，外部装置105和OLED装置100可以利用第一触摸感测电压和第二触摸感测电压来感测用户触摸的接触位置。第一反射图案382和第二反射图案384中的每个可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料中的一种或更多种。例如，第一反射图案382和第二反射图案384中的每个可以由金(Au)、铝(Al)、铝合金、氮化铝(AlNx)、银(Ag)、银合金、钨(W)、氮化钨(WNx)、铜(Cu)、铜合金、镍(Ni)、钯(Pd)、镁(Mg)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、氮化铬(CrNx)、钼(Mo)、钼合金、钛(Ti)、氮化钛(TiNx)、铂(Pt)、钽(Ta)、氮化钽(TaNx)、钕(Nd)、钪(Sc)、氧化锶钌(SRO)、氧化锌(ZnOx)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)、氧化铟镓(ITO)或氧化铟锌(IZO)来形成。可以单独使用或者以其适当的组合来使用这些材料。可选择地，第一反射图案382和第二反射图案384中的每个可以具有多层结构。
因此，虽然设置了具有各个厚度的第一反射图案382和第二反射图案384，但是OLED装置100可以沿第三方向D3经由开口383显示显示的图像。第一反射图案382和第二反射图案384的厚度确定为足够厚以反射光，使得OLED装置100可以沿第三方向D3反射位于OLED装置100的第一表面S1前面的物体的图像。另外，OLED装置100可以通过反射结构380和外部装置105来检测用户的接触位置。
在图4中，外部装置105设置在OLED装置100的外部，但是本公开不限于此。在一些示例实施例中，外部装置105可以设置在OLED装置100的内部或者集成进OLED装置100内。
另外，OLED装置100可以采用互电容感测方法，但是本公开不限于此。在一些示例实施例中，OLED装置100可以使用自电容感测方法。
再次参照图1，缓冲层115可以设置在基底110和反射结构380上。缓冲层115可以设置在整个基底110上，在基底110上覆盖反射区域20中的第一反射图案382和第二反射图案384。例如，缓冲层115可以覆盖第一反射图案382和第二反射图案384，以提供基本平坦的表面而没有围绕第一反射图案382和第二反射图案384的台阶。可选择地，缓冲层115可以覆盖第一反射图案382和第二反射图案384，并且可以沿着第一反射图案382和第二反射图案384的轮廓设置有基本均匀的厚度。缓冲层115可以防止金属原子和/或杂质从基底110扩散进半导体元件250中。另外，缓冲层115可以控制在用于形成有源层130的结晶工艺中的传热速率，从而获得基本均匀的有源层。此外，在基底110的表面相对不平坦时，缓冲层115可以改善基底110的表面平整度。根据基底110的类型，可以在基底110上设置至少两个缓冲层115，或者可以不设置缓冲层115。在一些示例实施例中，缓冲层115可以包括SiOx、SiNx和SiOxNy中的一种或更多种。
有源层130可以在反射区域20中设置在缓冲层115上。例如，有源层130可以包括氧化物半导体、无机半导体(例如，非晶硅和多晶硅)以及有机半导体中的一种或更多种。
栅极绝缘层150可以设置在缓冲层115和有源层130上。栅极绝缘层150可以在缓冲层115上覆盖在反射区域20中的有源层130，并且可以设置在整个基底110上。例如，栅极绝缘层150可以覆盖有源层130，以提供基本平坦的表面而没有围绕有源层130的台阶。可选择地，栅极绝缘层150可以覆盖有源层130，并且可以沿着有源层130的轮廓设置有基本均匀的厚度。栅极绝缘层150可以包括硅化合物和金属氧化物中的一种或更多种。
栅电极170和连接图案180可以设置在栅极绝缘层150上。栅电极170可以在反射区域20中设置在栅极绝缘层150的一部分上，以在平面图中与有源层130叠置。栅电极170可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料中的一种或更多种。可以单独使用或者以其适当的组合来使用这些材料。可选择地，栅电极170可以具有多层结构。
连接图案180可以在反射区域20中设置在栅极绝缘层150的一部分上，以在平面图中与第二反射图案384叠置。连接图案180可以经由通过部分地去除栅极绝缘层150和缓冲层115形成的接触孔与第二反射图案384接触。如图2所示，连接图案180可以将多个第二反射图案384中的相邻的两个第二反射图案384电连接。连接图案180可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料中的一种或更多种。可以单独使用或者以其适当的组合来使用这些材料。可选择地，连接图案180可以具有多层结构。在示例实施例中，连接图案180和栅电极170可以使用相同的材料同时形成。
层间绝缘层190可以设置在栅极绝缘层150、栅电极170和连接图案180上。层间绝缘层190可以覆盖反射区域20中的栅电极170和连接图案180，并且可以设置在整个基底110上。例如，层间绝缘层190可以覆盖栅电极170和连接图案180，以提供基本平坦的表面而没有围绕栅电极170和连接图案180的台阶。可选择地，层间绝缘层190可以覆盖栅电极170和连接图案180，并且可以沿着栅电极170和连接图案180的轮廓设置有基本均匀的厚度。层间绝缘层190可以包括硅化合物和金属氧化物中的一种或更多种。
源电极210和漏电极230可以在反射区域20中设置在层间绝缘层190上。源电极210可以经由通过去除栅极绝缘层150和层间绝缘层190的部分形成的第一接触孔与有源层130的第一侧接触。漏电极230可以经由通过去除栅极绝缘层150和层间绝缘层190的部分形成的第二接触孔与有源层130的第二侧接触。源电极210和漏电极230中的每个可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料中的一种或更多种。可以单独使用或者以其适当的组合来使用这些材料。可选择地，源电极210和漏电极230中的每个可以具有多层结构。因此，包括有源层130、栅极绝缘层150、栅电极170、层间绝缘层190、源电极210和漏电极230的半导体元件250可被设置。
在示例实施例中，OLED装置100的半导体元件250具有顶栅结构，但是本公开不限于此。在一些示例实施例中，半导体元件250可以具有底栅结构。
平坦化层270可以设置在层间绝缘层190以及源电极210和漏电极230上。例如，平坦化层270可以设置有相对大的厚度，以覆盖层间绝缘层190以及源电极210和漏电极230。在这种情况下，平坦化层270可以具有基本平坦的上表面，还可以对平坦化层270执行平坦化工艺以实现平坦化层270的平坦的上表面。平坦化层270可以包括有机材料和无机材料中的一种或更多种。
下电极290可以在子像素区域10中以及在反射区域20的一部分中设置在平坦化层270上。例如，下电极290的厚度可以小于上电极340的厚度，使得从发光层330发射的光沿第三方向D3透射。下电极290可以经由通过去除平坦化层270的一部分形成的接触孔与漏电极230接触。另外，下电极290可以电连接到半导体元件250。下电极290可以基本透明。例如，下电极290可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料中的一种或更多种。在一些示例实施例中，下电极290可以具有多层结构。
像素限定层310可以设置在下电极290的一部分和平坦化层270上。例如，像素限定层310可以覆盖下电极290的两个侧部从而暴露下电极290的上表面的一部分。像素限定层310可以包括有机材料或无机材料。
发光层330可以在被像素限定层310暴露的部分处设置在下电极290上。发光层330可以具有包括发射层(EL)、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的一层或更多层的多层结构。HIL、HTL、EL、ETL和EIL可以顺序地设置在下电极290与上电极340之间。发光层330的EL可以使用能够产生不同颜色光(例如，红色光、蓝色光和绿色光)的发光材料中的至少一种来形成。可选择地，发光层330的EL可以通过堆叠能够产生不同颜色光(诸如，红色光、绿色光和蓝色光)的多种发光材料总体上产生白色光。在这种情况下，滤色器可以设置在发光层330下面以在层间绝缘层190上与发光层330叠置。滤色器可以包括从红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中选择的至少一种。可选择地，滤色器可以包括黄色滤色器、青色滤色器和品红色滤色器。滤色器可以包括感光树脂或彩色光致抗蚀剂。
上电极340可以在子像素区域10和反射区域20中设置在像素限定层310和发光层330上。上电极340可以整体设置在像素限定层310和发光层330上。OLED装置100可以在子像素区域10中朝向第三方向D3显示显示的图像(例如，底发射结构)。因此，上电极340的反射率可以大于下电极290的反射率，使得从发光层330发射的光沿第三方向D3被上电极340反射。上电极340和下电极290的反射率可以通过改变材料性质和/或上电极340和下电极290的厚度而变化。在示例实施例中，上电极340可以反射位于OLED装置100的第二表面S2前面的物体的图像，OLED装置100的第二表面S2可以与OLED装置100的第一表面S1相对。例如，当TFE结构450透明时，位于与第三方向D3相反的方向-D3处的物体的图像可以显示在上电极340上。即，OLED装置100可以反射在两个方向(例如，D3和-D3)上或在两个表面(例如，第一表面S1和第二表面S2)上的物体的图像。在一些示例实施例中，当上电极340透射一部分光并反射剩余部分的光时，OLED装置100可以在两个表面上显示显示的图像。在这种情况下，OLED装置100可以反射在两个表面的物体的图像，并且可以在两个表面上显示显示的图像。上电极340可以包括金属、金属合金、金属氮化物和导电金属氧化物中的一种或更多种。例如，上电极340可以由Au、Ag、Al、Pt、Ni、Ti、Pd、Mg、Ca、Li、Cr、Ta、W、Cu、Mo、Sc、Nd、铱(Ir)、铝合金、AlNx、银合金、WNx、铜合金、CrNx、钼合金、TiNx、TaNx、SRO等形成。可以单独使用或者以其适当的组合来使用这些材料。可选择地，上电极340可以具有多层结构。
TFE结构450可以设置在上电极340上。例如，第一包封层451可以设置在子像素结构300上。TFE结构450可以包括至少一层第一包封层和至少一层第二包封层。例如，第二包封层452可以设置在第一包封层451上。第一包封层451、453和455以及第二包封层452和454可以交替并重复地布置。第一包封层451可以覆盖上电极340，并且可以沿着上电极340的轮廓设置有基本均匀的厚度。第一包封层451可以防止子像素结构300受潮气、水、氧等的渗入而劣化。另外，第一包封层451可以保护子像素结构300免受外部冲击。第一包封层451可以包括无机材料。
第二包封层452可以设置在第一包封层451上。第二包封层452可以改善OLED装置100的表面平整度，并且可以保护设置在子像素区域10中的子像素结构300。第二包封层452可以包括有机材料。
第一包封层453可以设置在第二包封层452上。第一包封层453可以覆盖第二包封层452，并且可以沿着第二包封层452的轮廓设置有基本均匀的厚度。第一包封层453与第一包封层451和第二包封层452一起可以防止子像素结构300受潮气、水、氧等的渗入而劣化。另外，第一包封层453与第一包封层451和第二包封层452一起可以保护子像素结构免受外部冲击。第一包封层453可以包括无机材料。
第二包封层454可以设置在第一包封层453上。第二包封层454可以执行与第二包封层452的功能基本相同或相似的功能，第二包封层454可以包括与第二包封层452的材料基本相同或相似的材料。第一包封层455可以设置在第二包封层454上。第一包封层455可以执行与第一包封层451、453的功能基本相同或相似的功能，第一包封层455可以包括与第一包封层451、453的材料基本相同或相似的材料。如上面描述的，OLED装置100包括柔性基底110和TFE结构450，并且可以具有弯曲的形状。因为具有足够厚以反射光的厚度的反射结构380设置在反射区域20中，所以反射区域20不会容易弯曲。然而，反射结构380的设置在子像素区域10中的开口383使得子像素区域10能够弯曲。因此，OLED装置100可以具有基本弯曲的形状。
在一些示例实施例中，TFE结构450可以具有有着第一包封层451、第二包封层452和第一包封层453的三层结构。在其他示例实施例中，TFE结构450可以具有包括第一包封层451、第二包封层452、第一包封层453、第二包封层454、第一包封层455、额外的第一包封层和额外的第二包封层的七层结构。可选择地，当基底110形成为刚性基底时，TFE结构450可以包括石英基底、人造石英基底、氟化钙基底、掺氟石英基底、钠钙玻璃基底和无碱玻璃基底中的一种或更多种。
根据示例实施例的OLED装置100包括反射结构380和上电极340。显示的图像可以经由开口383显示，位于OLED装置100的第一表面S1的前面的物体的图像可以通过反射结构380反射。在一些示例实施例中，包括在反射结构380中的第一反射图案382、第二反射图案384和连接图案180可以用作触摸感测电极，以检测用户在OLED装置100上的触摸的接触位置。此外，位于OLED装置100的第二表面S2的前面的物体的图像可以通过上电极340反射。因此，因为OLED装置100不包括触摸屏面板，所以OLED装置100可以用作具有相对薄的厚度的底发射结构的镜面OLED装置。另外，包括柔性基底110和TFE结构450的OLED装置100可以制作为具有弯曲形状。
图5、图6、图7、图8、图9和图10是示出根据示例实施例的制造OLED装置的方法的剖视图。
参照图5，可以提供包括子像素区域10和反射区域20的基底510。可以由透明材料形成基底510。可以使用诸如柔性透明树脂基底(例如，聚酰亚胺基底)的柔性透明材料来形成基底510。在这种情况下，聚酰亚胺基底可以包括至少一个聚酰亚胺层和至少一个阻挡层。
可以使用无规共聚物或嵌段共聚物形成聚酰亚胺层。聚酰亚胺层可以具有高透明度、低热膨胀系数和高玻璃化转变温度。因为聚酰亚胺层包括酰亚胺自由基，所以聚酰亚胺层可以具有优异的耐热性、耐化学性、耐磨性和电特性。
可以使用有机材料或无机材料形成阻挡层。有机材料的示例可以包括但不限于光致抗蚀剂、聚丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂、丙烯酸类树脂和环氧类树脂。无机材料的示例可以包括但不限于硅化合物、金属氧化物。例如，阻挡层可以包括SiOx、SiNx、SiOxNy、SiOxCy、SiCxNy、AlOx、AlNx、TaOx、HfOx、ZrOx、TiOx等。在示例实施例中，阻挡层可以主要包括无机材料。阻挡层可以阻挡水或潮气经由聚酰亚胺层渗入。可选择地，可以由石英基底、人造石英基底、氟化钙基底、掺氟石英基底、钠钙玻璃基底或无碱玻璃基底来形成基底510。
可以在反射区域20中在基底510上形成第一反射图案782和第二反射图案784。每个第一反射图案782可以沿第一方向D1延伸。另外，每个第一反射图案782可以沿第二方向D2彼此间隔开，并且可以规则地布置。此外，每个第一反射图案782可以具有包括多个突出部分的基本平坦的条形形状。第二反射图案784可以在所述多个第一反射图案782中的相邻的第一反射图案782之间沿第一方向D1规则地布置，并且可以具有岛形状。第一反射图案782和第二反射图案784可以彼此间隔开，并且可以位于同一水平处。第一反射图案782和第二反射图案784可以反射位于OLED装置的第一表面S1(例如，基底510的下表面)前面的物体的图像。
第一反射图案782和第二反射图案784中的每个可以包括与图3的所述多个开口383相似的多个开口783。这里，子像素区域10可以对应于开口783。例如，可以在开口783中分别形成子像素结构。即，第一组子像素区域10可以位于第一反射图案782中包括的开口783中，第二组子像素区域10可以位于第二反射图案784中包括的开口783中。在示例实施例中，可以在第一反射图案782和第二反射图案784的边界(或边缘)中形成沟槽，在所述位置处开口783的至少一个侧部是敞开的。可以将沟槽形成为暴露对应的子像素区域10。
在示例实施例中，OLED装置可以将第一反射图案782和第二反射图案784与外部装置(例如，图4的外部装置105)通过触摸传感器布线(未示出)电连接，并且可以将由外部装置产生的第一触摸感测电压和第二触摸感测电压分别提供到第一反射图案782和第二反射图案784。另外，外部装置可以检测第一反射图案782与第二反射图案784之间电容的变化。例如，外部装置可以将作为感测输入信号的第一触摸感测电压提供至第一反射图案782，并可以通过第二反射图案784接收作为感测输出信号的第二触摸感测电压。这里，第一触摸感测电压可以具有周期性变化的电压电平，第二触摸感测电压可以具有直流电压电平。
可以使用金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料中的一种或更多种来形成第一反射图案782和第二反射图案784中的每个。例如，可以由Au、Al、铝合金、AlNx、Ag、银合金、W、WNx、Cu、铜合金、Ni、Pd、Mg、Ca、Li、Cr、CrNx、Mo、钼合金、Ti、TiNx、Pt、Ta、TaNx、Nd、Sc、SRO、ZnOx、SnOx、InOx、GaOx、ITO或IZO来形成第一反射图案782和第二反射图案784中的每个。可以单独使用或者以其适当的组合来使用这些材料。可选择地，第一反射图案782和第二反射图案784中的每个可以具有多层结构。
参照图6，可以在基底510、第一反射图案782和第二反射图案784上形成缓冲层515。缓冲层515可以设置在基底510上，在基底510上覆盖反射区域20中的第一反射图案782和第二反射图案784。例如，缓冲层515可以覆盖第一反射图案782和第二反射图案784，以提供基本平坦的表面而没有围绕第一反射图案782和第二反射图案784的台阶。可选择地，缓冲层515可以覆盖第一反射图案782和第二反射图案784，并且可以沿着第一反射图案782和第二反射图案784的轮廓形成有基本均匀的厚度。缓冲层515可以防止金属原子和/或杂质扩散进基底510中。另外，缓冲层515可以控制在用于形成有源层的结晶工艺中的传热速率，从而获得基本均匀的有源层。此外，在基底510的表面相对不平坦时，缓冲层515可以改善基底510的表面平整度。根据基底510的类型，可以在基底510上设置至少两个缓冲层515，或者可以不设置缓冲层515。在一些示例实施例中，可以由SiOx、SiNx和SiOxNy来形成缓冲层515。
可以在反射区域20中在缓冲层515上设置有源层530。例如，可以由氧化物半导体、无机半导体或有机半导体形成有源层530。
可以在缓冲层515和有源层530上形成栅极绝缘层550。栅极绝缘层550可以在缓冲层515上覆盖反射区域20中的有源层530，并且可以形成在整个基底510上。例如，栅极绝缘层550可以覆盖有源层530，以提供基本平坦的表面而没有围绕有源层530的台阶。可选择地，栅极绝缘层550可以覆盖有源层530，并且可以沿着有源层530的轮廓形成有基本均匀的厚度。可以由硅化合物或金属氧化物来形成栅极绝缘层550。
可以在栅极绝缘层550上形成栅电极570和连接图案580。例如，在具有暴露第二反射图案784的一部分的开口(或接触孔)的栅极绝缘层550上形成预备电极之后，可以通过部分地去除预备电极来形成栅电极570和连接图案580。即，可以使用相同的材料同时形成连接图案580和栅电极570。
可以在反射区域20中在栅极绝缘层550的一部分上形成栅电极570，以在平面图中与有源层530叠置。可以在反射区域20中在栅极绝缘层550的一部分上形成连接图案580，以在平面图中与第二反射图案784叠置。连接图案580可以将多个第二反射图案784中的相邻的两个第二反射图案784电连接。可以使用金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料中的一种或更多种来形成栅电极570和连接图案580中的每个。可以单独使用或者以其适当的组合来使用这些材料。可选择地，栅电极570和连接图案580中的每个可以具有多层结构。因此，可以形成包括第一反射图案782、第二反射图案784和连接图案580的反射结构780。
参照图7，可以在栅极绝缘层550、栅电极570和连接图案580上形成层间绝缘层590。层间绝缘层590可以覆盖反射区域20中的栅电极570和连接图案580，并且可以形成在整个基底510上。例如，层间绝缘层590可以覆盖栅电极570和连接图案580，以提供基本平坦的表面而没有围绕栅电极570和连接图案580的台阶。可选择地，层间绝缘层590可以覆盖栅电极570和连接图案580，并且可以沿着栅电极570和连接图案580的轮廓形成有基本均匀的厚度。可以由硅化合物或金属氧化物形成层间绝缘层590。
可以在反射区域20中在层间绝缘层590上形成源电极610和漏电极630。源电极610可以经由通过去除栅极绝缘层550和层间绝缘层590的部分形成的第一接触孔与有源层530的第一侧接触。漏电极630可以经由通过去除栅极绝缘层550和层间绝缘层590的部分形成的第二接触孔与有源层530的第二侧接触。可以使用金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料中的一种或更多种来形成源电极610和漏电极630中的每个。可以单独使用或者以其适当的组合来使用这些材料。可选择地，源电极610和漏电极630中的每个可以具有多层结构。因此，可以形成包括有源层530、栅极绝缘层550、栅电极570、层间绝缘层590、源电极610和漏电极630的半导体元件650。
参照图8，可以在层间绝缘层590以及源电极610和漏电极630上形成平坦化层670。例如，平坦化层670可以设置有相对大的厚度，以覆盖层间绝缘层590以及源电极610和漏电极630。在这种情况下，平坦化层670可以具有基本平坦的上表面，还可以对平坦化层670执行平坦化工艺以实现平坦化层670的平坦的上表面。可以使用有机材料或无机材料来形成平坦化层670。
可以在子像素区域10中以及在反射区域20的一部分中在平坦化层670上形成下电极690。例如，下电极690的反射率可以小于上电极的反射率，使得从发光层发射的光沿与第一方向D1和第二方向D2垂直的第三方向D3透射。下电极690可以经由通过去除平坦化层670的一部分形成的接触孔与漏电极630接触。另外，下电极690可以电连接到半导体元件650。下电极690可以基本透明。例如，可以由金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料来形成下电极690。在一些示例实施例中，下电极690可以具有多层结构。
参照图9，可以在下电极690的一部分和平坦化层670上形成像素限定层710。例如，像素限定层710可以覆盖下电极690的两个侧部，从而暴露下电极690的上表面的一部分。可以使用有机材料或无机材料来形成像素限定层710。
可以在下电极690上在被像素限定层710暴露的部分处形成发光层730。发光层730可以具有包括EL、HIL、HTL、ETL和EIL中的一层或更多层的多层结构。可以顺序地在下电极690与上电极740之间形成HIL、HTL、EL、ETL和EIL。可以使用能够产生不同颜色光(例如，红色光、蓝色光和绿色光)的发光材料中的至少一种来形成发光层730的EL。可选择地，发光层730的EL可以通过堆叠能够产生不同颜色光(诸如，红色光、绿色光和蓝色光)的多种发光材料总体上产生白色光。在这种情况下，可以在发光层730下面形成滤色器，以在层间绝缘层590上与发光层730叠置。滤色器可以包括从红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中选择的至少一种。可选择地，滤色器可以包括黄色滤色器、青色滤色器和品红色滤色器。可以使用感光树脂或彩色光致抗蚀剂来形成滤色器。
可以在子像素区域10和反射区域20中在像素限定层710和发光层730上形成上电极740。可以在像素限定层710和发光层730上整体地形成上电极740。OLED装置可以在子像素区域10中朝向第三方向D3显示显示的图像。因此，上电极740的反射率可以大于下电极690的反射率，使得从发光层730发射的光沿第三方向D3被上电极740反射。在示例实施例中，上电极740可以反射位于OLED装置的第二表面S2前面的物体的图像，OLED装置的第二表面S2可以与OLED装置的第一表面S1相对。可以由金属、金属合金、金属氮化物或导电金属氧化物来形成上电极740。可以单独使用或者以其适当的组合来使用这些材料。可选择地，上电极740可以具有多层结构。因此，可以形成包括下电极690、发光层730和上电极740的子像素结构700。
参照图10，可以在上电极740上形成TFE结构850。TFE结构850可以包括至少一层第一包封层和至少一层第二包封层。例如，可以在第一包封层851上设置第二包封层852。可以交替并重复地布置第一包封层851、853和855以及第二包封层852和854。第一包封层851可以覆盖上电极740，并且可以沿着上电极740的轮廓形成有基本均匀的厚度。第一包封层851可以防止子像素结构700受潮气、水、氧等的渗入而劣化。另外，第一包封层851可以保护子像素结构700免受外部冲击。可以由无机材料形成第一包封层851。
可以在第一包封层851上形成第二包封层852。第二包封层852可以改善OLED装置的表面平整度，并且可以保护形成在子像素区域10中的子像素结构700。可以由有机材料形成第二包封层852。
可以在第二包封层852上形成第一包封层853。第一包封层853可以覆盖第二包封层852，并且可以沿着第二包封层852的轮廓形成有基本均匀的厚度。第一包封层853与第一包封层851和第二包封层852一起可以防止子像素结构700受潮气、水、氧等的渗入而劣化。另外，第一包封层853与第一包封层851和第二包封层852一起可以保护子像素结构免受外部冲击。可以由无机材料形成第一包封层853。
可以在第一包封层853上形成第二包封层854。第二包封层854可以执行与第二包封层852的功能基本相同或相似的功能，可以使用与第二包封层852的材料基本相同或相似的材料来形成第二包封层854。可以在第二包封层854上形成第一包封层855。第一包封层855可以执行与第一包封层851、853的功能基本相同或相似的功能，可以使用与第一包封层851、853的材料基本相同或相似的材料来形成第一包封层855。如上面描述的，OLED装置包括柔性基底510和TFE结构850，并且可以具有弯曲的形状。
在一些示例实施例中，TFE结构850可以具有有着第一包封层851、第二包封层852和第一包封层853的三层结构。在其他示例实施例中，TFE结构850可以具有包括第一包封层851、第二包封层852、第一包封层853、第二包封层854、第一包封层855、额外的第一包封层和额外的第二包封层的七层结构。可选择地，当将基底510形成为刚性基底时，TFE结构850可以包括石英基底、人造石英基底、氟化钙基底、掺氟石英基底、钠钙玻璃基底和无碱玻璃基底中的一种或更多种。因此，可以制造图1中示出的OLED装置100。
图11是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图。除了介电镜面结构200之外，图11中示出的OLED装置可以具有与参照图1、图2、图3和图4描述的OLED装置100的构造基本相同或相似的构造。在图11中，可以不再重复对与参照图1、图2、图3和图4描述的元件基本相同或相似的元件的详细描述。
参照图1、图2、图3、图4和图11，OLED装置可以包括基底110、介电镜面结构200、反射结构380、缓冲层115、半导体元件250、平坦化层270、子像素结构300、像素限定层310和TFE结构450。这里，半导体元件250可以包括有源层130、栅极绝缘层150、栅电极170、层间绝缘层190、源电极210和漏电极230。子像素结构300可以包括下电极290、发光层330和上电极340。另外，反射结构380可以包括多个第一反射图案382、多个第二反射图案384和多个连接图案180。此外，介电镜面结构200可以包括第一介电层111、第二介电层112和第三介电层113。
第一介电层111可以设置在基底110上，覆盖整个基底110。在示例实施例中，第一介电层111可以具有第一折射率。例如，第一介电层111可以通过控制第一介电层111中包括的材料的重量比，或通过控制第一介电层111的厚度来具有第一折射率。第一介电层111也可以用作附加的阻挡层或附加的缓冲层。例如，第一介电层111可以包括硅化合物和金属氧化物中的一种或更多种。例如，第一介电层111可以由SiOx、SiNx、SiOxNy、SiOxCy、SiCxNy、AlOx、AlNx、TaOx、HfOx、ZrOx或TiOx来形成。
第二介电层112可以设置在第一介电层111上，覆盖整个第一介电层111。在示例实施例中，第二介电层112可以具有与第一折射率不同的第二折射率。第二介电层112可以通过控制第二介电层112中包括的材料的重量比，或通过控制第二介电层112的厚度来具有第二折射率。例如，第一折射率可以是高折射率，第二折射率可以是低折射率。可选择地，第一折射率可以是低折射率，第二折射率可以是高折射率。第二介电层112也可以用作附加的阻挡层或附加的缓冲层。第二介电层112可以包括硅化合物、金属氧化物等。例如，第二介电层112可以由SiOx、SiNx、SiOxNy、SiOxCy、SiCxNy、AlOx、AlNx、TaOx、HfOx、ZrOx或TiOx来形成。
第三介电层113可以设置在第二介电层112上，覆盖整个第二介电层112。在示例实施例中，第三介电层113可以具有第一折射率。例如，第三介电层113和第一介电层111可以基本相同。第三介电层113也可以用作附加的阻挡层或附加的缓冲层。第三介电层113可以包括硅化合物或金属氧化物。因此，包括第一介电层111、第二介电层112和第三介电层113的介电镜面结构200可被设置。可选择地，附加的介电层可以设置在第三介电层113上。例如，所述附加的介电层和第二介电层112可以具有相同的折射率。
如上面描述的，介电镜面结构200可以具有高折射率层和低折射率层交替堆叠的堆叠结构。例如，外部光可以沿与第三方向D3相反的方向-D3(例如，从基底110至TFE结构450的方向)穿过基底110。穿过基底110的外部光的一部分可以通过第一介电层111、第二介电层112与第三介电层113之间的界面的光干涉被反射为预定的颜色。具体来说，介电镜面结构200可以在从外面入射的外部光中选择性地反射与产生相长光干涉或相消光干涉的波长对应的光。另外，穿过基底110的外部光的剩余部分可以在反射区域20中被反射图案382和384朝向第三方向D3反射。因此，位于OLED装置前面的物体的图像可以被反射为预定的反射颜色。例如，第一介电层111通过使用TiOx形成有大约50埃的厚度，第二介电层112通过使用SiOx形成有大约300埃的厚度。另外，第三介电层113通过使用TiOx形成有大约350埃的厚度。在这种情况下，OLED装置的前面可以示出为基本上蓝色。可选择地，第一介电层111通过使用TiOx形成有大约100埃的厚度，第二介电层112通过使用SiOx形成有大约300埃的厚度。另外，第三介电层113通过使用TiOx形成有大约1000埃的厚度。在这种情况下，OLED装置的前面可以示出为基本上棕色。在一些示例实施例中，第一介电层111通过使用TiOx形成有大约200埃的厚度，第二介电层112通过使用SiOx形成有大约400埃的厚度。另外，第三介电层113通过使用TiOx形成有大约100埃的厚度。在这种情况下，OLED装置的前面可以示出为基本上银色。
在示例实施例中，当未激活半导体元件250时，发光层330不会发光(例如，OLED装置的关闭状态)。在这种情况下，外部光可以沿与第三方向D3相反的方向-D3穿过基底110。穿过基底110的外部光的一部分可以通过第一介电层111、第二介电层112与第三介电层113的界面的光干涉被反射为预定的颜色。具体来说，介电镜面结构200可以在从外面入射的外部光中选择性地反射与产生相长光干涉或相消光干涉的波长对应的光。另外，穿过基底110的外部光的剩余部分可以在子像素区域10中被上电极340朝向第一方向D1反射。因此，位于OLED装置前面的物体的图像可以被反射为预定的反射颜色。
图12是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图，图13是描绘图12的OLED装置中包括的反射结构的平面图。图14是对应于图13的区域“B”的放大平面图。除了反射结构1380之外，图12、图13和图14中示出的OLED装置1000可以具有与参照图1、图2、图3和图4描述的OLED装置100的构造基本相同或相似的构造。在图12、图13和图14中，可以不再重复对与参照图1、图2、图3和图4描述的元件基本相同或相似的元件的详细描述。图12可以对应于沿着图13的线II-II'截取的剖视图。
参照图1、图2、图3和图4，OLED装置1000可以包括基底110、反射结构1380、缓冲层115、半导体元件250、平坦化层270、子像素结构300、像素限定层310和TFE结构450。这里，半导体元件250可以包括有源层130、栅极绝缘层150、栅电极170、层间绝缘层190、源电极210和漏电极230。子像素结构300可以包括下电极290、发光层330和上电极340。另外，反射结构1380可以包括多个第一反射图案1382和多个第二反射图案1384。
如图13和图14所示，每个第一反射图案1382可以沿与基底110的上表面平行的第一方向D1延伸，并且可以在基本上垂直于第一方向D1的第二方向D2上彼此间隔开。每个第二反射图案1384可以在第一反射图案1382上沿第二方向D2延伸，并且可以在第一方向D1上彼此间隔开。另外，触摸感测电压可以施加到反射结构1380，OLED装置1000可以通过检测电容的变化感测用户在OLED装置1000的表面上的触摸。
第一反射图案1382和第二反射图案1384中的每个可以具有平面的条形形状，可以彼此交叉或相交，并可以规则地布置。另外，第一反射图案1382可以在基底110上与第二反射图案1384位于不同水平处。例如，第二反射图案1384可以设置在第一反射图案1382上。如上面描述的，因为OLED装置1000包括反射结构1380，所以可以沿第三方向D3反射位于OLED装置1000的第一表面S1前面的物体的图像。
在示例实施例中，如图13和图14所示，第一反射图案1382和第二反射图案1384中的每个可以具有包括多个开口1383的网格结构。子像素区域10可以对应于每个开口1383，子像素结构300可以设置在对应于每个开口1383的区域中。即，第一组子像素区域10可以位于第一反射图案1382中包括的开口1383中，第二组子像素区域10可以位于第二反射图案1384中包括的开口1383中。如上面描述的，因为OLED装置1000包括反射结构1380的开口1383，所以从子像素结构300发射的光可以沿第三方向D3经由开口1383射出。在示例实施例中，如图14所示，位于第一反射图案1382和第二反射图案1384交叉的部分中的开口1383可以彼此叠置，从而暴露子像素区域10。可选择地，位于第一反射图案1382和第二反射图案1384交叉的部分中的每个开口1383的尺寸可以彼此不同。
在示例实施例中，OLED装置1000可以将第一反射图案1382和第二反射图案1384与外部装置(例如，图4的外部装置105)通过触摸传感器布线(未示出)电连接，并且可以将由外部装置产生的第一触摸感测电压和第二触摸感测电压分别提供到第一反射图案1382和第二反射图案1384。外部装置可以检测第一反射图案1382与第二反射图案1384之间电容的变化。外部装置可以将作为感测输入信号的第一触摸感测电压提供至第一反射图案1382，并可以通过第二反射图案1384接收作为感测输出信号的第二触摸感测电压。这里，第一触摸感测电压可以具有周期性变化的电压电平，第二触摸感测电压可以具有直流电压电平。例如，当OLED装置1000的用户接触第一表面S1时，对应于接触表面的第一反射图案1382与第二反射图案1384之间的电容会变化。换句话说，会在身体接触第一表面S1的部分与第一反射图案1382和第二反射图案1384之间产生电容的变化，外部装置可以通过触摸传感器布线来接收被变化的电容改变的感测输出信号。因此，外部装置可以检测被改变的感测输出信号。即，外部装置和OLED装置1000可以利用第一触摸感测电压和第二触摸感测电压来感测用户触摸的接触位置。在用户与OLED装置1000的接触结束(例如，用户与OLED装置1000电分离)之后，外部装置可以将第一触摸感测电压和第二触摸感测电压分别提供到第一反射图案1382和第二反射图案1384。第一反射图案1382和第二反射图案1384中的每个可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料中的一种或更多种。例如，第一反射图案1382和第二反射图案1384中的每个可以由Au、Ag、Al、Pt、Ni、Ti、Pd、Mg、Ca、Li、Cr、Ta、W、Cu、Mo、Sc、Nd、Ir、铝合金、AlNx、银合金、WNx、铜合金、CrNx、钼合金、TiNx、TaNx或SRO来形成。可以单独使用或者以其适当的组合来使用这些材料。可选择地，第一反射图案1382和第二反射图案1384中的每个可以具有多层结构。
因此，虽然设置了具有大厚度的第一反射图案1382和第二反射图案1384，但是OLED装置1000可以沿第三方向D3经由开口1383显示显示的图像。第一反射图案1382和第二反射图案1384的厚度确定为足够厚以反射光，使得OLED装置1000可以沿第三方向D3反射位于OLED装置1000的第一表面S1前面的物体的图像。另外，OLED装置1000可以通过反射结构1380和外部装置来检测用户的接触位置。
图15是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图。除了反射结构1385之外，图15中示出的OLED装置可以具有与参照图12、图13和图14描述的OLED装置1000的构造基本相同或相似的构造。在图15中，可以不再重复对与参照图12、图13和图14描述的元件基本相同或相似的元件的详细描述。
参照图12、图13、图14和图15，反射结构1385可以包括第一反射图案1382和第二反射图案1384。第一反射图案1382可以设置在基底110上，第二反射图案1384可以设置在层间绝缘层190上。例如，在层间绝缘层190上形成预备电极之后，可以通过部分地去除预备电极来形成源电极210和漏电极230以及第二反射图案1384。即，可以使用相同的材料同时形成源电极210、漏电极230和第二反射图案1384。
图16是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图。除了介电镜面结构200之外，图16中示出的OLED装置可以具有与参照图12、图13和图14描述的OLED装置1000的构造基本相同或相似的构造。在图16中，可以不再重复对与参照图12、图13和图14描述的元件基本相同或相似的元件的详细描述。
参照图12、图13、图14和图16，OLED装置可以包括基底110、介电镜面结构200、反射结构1380、缓冲层115、半导体元件250、平坦化层270、子像素结构300、像素限定层310和TFE结构450。这里，半导体元件250可以包括有源层130、栅极绝缘层150、栅电极170、层间绝缘层190、源电极210和漏电极230。子像素结构300可以包括下电极290、发光层330和上电极340。另外，反射结构1380可以包括多个第一反射图案1382和多个第二反射图案1384。此外，介电镜面结构200可以包括第一介电层111、第二介电层112和第三介电层113。
第一介电层111可以设置在基底110上，覆盖整个基底110。在示例实施例中，第一介电层111可以具有第一折射率。例如，第一介电层111可以通过控制第一介电层111中包括的材料的重量比，或通过控制第一介电层111的厚度来具有第一折射率。第一介电层111可以包括硅化合物和金属氧化物中的一种或更多种。
第二介电层112可以设置在第一介电层111上，覆盖整个第一介电层111。在示例实施例中，第二介电层112可以具有与第一折射率不同的第二折射率。第二介电层112可以通过控制第二介电层112中包括的材料的重量比，或通过控制第二介电层112的厚度来具有第二折射率。例如，第一折射率可以是高折射率，第二折射率可以是低折射率。第二介电层112可以包括硅化合物和金属氧化物中的一种或更多种。
第三介电层113可以设置在第二介电层112上，覆盖整个第二介电层112。在示例实施例中，第三介电层113可以具有第一折射率。例如，第三介电层113和第一介电层111可以基本相同。第三介电层113可以包括硅化合物和金属氧化物中的一种或更多种。可选择地，附加的介电层可以设置在第三介电层113上。例如，所述附加的介电层和第二介电层112可以具有相同的折射率。
图17是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图。除了反射结构1385和介电镜面结构200之外，图17中示出的OLED装置可以具有与参照图12、图13和图14描述的OLED装置1000的构造基本相同或相似的构造。在图17中，可以不再重复对与参照图12、图13和图14描述的元件基本相同或相似的元件的详细描述。
参照图12、图13、图14和图17，OLED装置可以包括基底110、介电镜面结构200、反射结构1385、缓冲层115、半导体元件250、平坦化层270、子像素结构300、像素限定层310和TFE结构450。这里，半导体元件250可以包括有源层130、栅极绝缘层150、栅电极170、层间绝缘层190、源电极210和漏电极230。子像素结构300可以包括下电极290、发光层330和上电极340。另外，反射结构1385可以包括多个第一反射图案1382和多个第二反射图案1384。此外，介电镜面结构200可以包括第一介电层111、第二介电层112和第三介电层113。
第一介电层111可以设置在基底110上。在示例实施例中，第一介电层111可以具有第一折射率。第一介电层111可以包括硅化合物和金属氧化物中的一种或更多种。
第二介电层112可以设置在第一介电层111上。在示例实施例中，第二介电层112可以具有与第一折射率不同的第二折射率。例如，第一折射率可以是高折射率，第二折射率可以是低折射率。第二介电层112可以包括硅化合物和金属氧化物中的一种或更多种。
第三介电层113可以设置在第二介电层112上。在示例实施例中，第三介电层113可以具有第一折射率。例如，第三介电层113和第一介电层111可以基本相同。
反射结构1385可以包括第一反射图案1382和第二反射图案1384。第一反射图案1382可以设置在基底110上，第二反射图案1384可以设置在层间绝缘层190上。例如，在层间绝缘层190上形成预备电极之后，可以通过部分地去除预备电极来形成源电极210和漏电极230以及第二反射图案1384。即，可以使用相同的材料同时形成源电极210、漏电极230和第二反射图案1384。
图18是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图，图19是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图。除了第一辅助布线1180和第二辅助布线1190之外，图18和图19中示出的OLED装置可以具有与参照图12、图13和图14描述的OLED装置1000的构造基本相同或相似的构造。在图18和图19中，可以不再重复对与参照图12、图13和图14描述的元件基本相同或相似的元件的详细描述。
参照图12、图13、图14和图18，OLED装置可以包括基底110、反射结构1380、缓冲层115、半导体元件250、第一辅助布线1180、平坦化层270、子像素结构300、像素限定层310和TFE结构450。这里，半导体元件250可以包括有源层130、栅极绝缘层150、栅电极170、层间绝缘层190、源电极210和漏电极230。子像素结构300可以包括下电极290、发光层330和上电极340。另外，反射结构1380可以包括多个第一反射图案1382和多个第二反射图案1384。
第一辅助布线1180可以在反射区域20中设置在层间绝缘层190上，与反射结构1380叠置。第一辅助布线1180可以经由通过去除层间绝缘层190的一部分形成的接触孔与第二反射图案1384接触。第一辅助布线1180可以电连接到第二反射图案1384，使得第二反射图案1384的布线电阻减小。可选择地，反射结构1380可以用作触摸感测电极，外部装置可以利用由第一反射图案1382与第一辅助布线1180形成的电容器检测压力或力感测(forcesensing)，并且/或者感测压力或力感触控(force touch)。
在一些示例实施例中，第一辅助布线1180可以经由去除层间绝缘层190、栅极绝缘层150和缓冲层115中每个的一部分形成的接触孔与第一反射图案1382接触，第一辅助布线1180可以电连接到第一反射图案1382，使得第一反射图案1382的布线电阻减小。
在一些示例实施例中，如图19所示，OLED装置还可以包括设置在平坦化层270上的第二辅助布线1190。第二辅助布线1190可以经由通过去除平坦化层270的一部分形成的接触孔与第一辅助布线1180接触。即，第二辅助布线1190可以电连接到第一辅助布线1180和第二反射图案1384。
图20是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图，图21是描绘图20的OLED装置中包括的密封件的剖视图。除了基底110、密封件410和包封基底350之外，图20和图21中示出的OLED装置可以具有与参照图1、图2、图3和图4描述的OLED装置100的构造基本相同或相似的构造。在图20和图21中，可以不再重复对与参照图1、图2、图3和图4描述的元件基本相同或相似的元件的详细描述。
参照图20和图21，OLED装置可以包括基底110、反射结构380、缓冲层115、半导体元件250、平坦化层270、子像素结构300、像素限定层310、密封件410和包封基底350。这里，半导体元件250可以包括有源层130、栅极绝缘层150、栅电极170、层间绝缘层190、源电极210和漏电极230。子像素结构300可以包括下电极290、发光层330和上电极340。另外，反射结构380可以包括多个第一反射图案382、多个第二反射图案384和多个连接图案180。
基底110可以由透明材料形成。在示例实施例中，基底110可以包括石英基底、人造石英基底、氟化钙基底、掺氟石英基底、钠钙玻璃基底、无碱玻璃基底等。
包封基底350可以设置在上电极340上。包封基底350和基底110可以具有相同的材料。例如，包封基底350可以包括石英基底、人造石英基底、氟化钙基底、掺氟石英基底、钠钙玻璃基底、无碱玻璃基底等。
如图21所示，显示面板400可以设置在基底110与包封基底350之间。例如，显示面板400可以包括设置在基底110上的反射结构380、缓冲层115、多个半导体元件250、平坦化层270、多个子像素结构300和像素限定层310。
密封件410可以置于基底110与包封基底350之间，并且可以设置在基底110和包封基底350的外区域内。基底110和包封基底350的设置有密封件410的外区域可以总体上对应于基底110和包封基底350的边界区域。在一些情况下，基底110和/或包封基底350的小的边缘部分可以延伸到基底110和/或包封基底350的外区域之外。可以执行包封工艺以将基底110和包封基底350结合。在这种情况下，密封件410可以置于基底110与包封基底350之间的外区域中。
密封件可以包括熔料(frit)等。例如，可以通过激光照射工艺将基底110和包封基底350彼此结合。这里，激光可以照入密封件410中。在激光照射工艺中，密封件410的相可以从固相变为液相。然后，在预定的时间之后，液相的密封件410可以再次被固化为固相。根据密封件410的相位变化，基底110可以与包封基底350结合。基底110和包封基底350的密封结构可以保护OLED装置免受水、潮气、氧等的渗入。OLED装置不会被水、潮气、氧等劣化。
本公开可以应用于包括有机发光显示(OLED)装置的各种类型和用途的显示装置。例如，本公开可以应用于车用显示装置、船用显示装置、飞行器用显示装置、便携式通信装置、用于显示或用于信息传输的显示装置、医用显示装置等。
上述内容是对示例实施例的举例说明，不被解释为示例实施例的限制。虽然已经描述了一些示例实施例，但是本领域技术人员将容易理解的是，在实质上不脱离本公开的新颖的教导和优点的情况下，可对示例性实施例做出其他变化和/或修改。因此，所有这样的变化和/或修改意图包括在本公开的范围内。因此，要理解的是，前述是对各种示例实施例的举例说明，且不被解释为局限于公开的特定示例实施例，对公开的示例实施例的修改和其他示例实施例意图包括在本公开的范围内。

Claims (31)

1.一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：
基底，包括多个子像素区域和围绕所述多个子像素区域的反射区域；
反射结构，在所述反射区域中设置在所述基底上，并且具有暴露所述多个子像素区域的多个开口，其中，所述反射结构包括：第一反射图案，沿与所述基底的上表面平行的第一方向延伸，并且在与所述第一方向垂直的第二方向上彼此间隔开；第二反射图案，在所述第一反射图案中的两个相邻的第一反射图案之间沿所述第一方向彼此间隔开；以及连接图案，将所述第二反射图案中在所述第二方向上的两个相邻的第二反射图案电连接；以及
子像素结构，在所述多个子像素区域中的每个子像素区域中设置在所述基底上。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述反射结构设置在所述基底与所述子像素结构之间。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一反射图案被构造为从外部装置接收第一触摸感测电压，所述第二反射图案被构造为从所述外部装置接收第二触摸感测电压，
其中，所述外部装置检测所述第一反射图案与所述第二反射图案之间电容的变化。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一反射图案中的每个第一反射图案具有平面的条形形状，并沿所述第二方向规则地布置，
其中，所述第二反射图案中的每个第二反射图案具有岛形状，并沿所述第一方向规则地布置，
其中，所述第一反射图案和所述第二反射图案彼此间隔开。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一反射图案和所述第二反射图案中的每个具有包括所述多个开口的网格结构。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，至少一个沟槽形成在所述第一反射图案和所述第二反射图案的边界中。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括：
薄膜包封结构，设置在所述子像素结构上，
其中，所述基底和所述薄膜包封结构中的每者具有至少一个有机层和至少一个无机层交替堆叠的堆叠结构，所述堆叠结构是柔性的，
其中，所述反射结构与所述基底的所述至少一个无机层接触，所述子像素结构与所述薄膜包封结构的所述至少一个无机层接触。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括：
包封基底，设置在所述子像素结构上；以及
密封件，置于所述基底与所述包封基底之间，所述密封件设置在所述基底和所述包封基底的外区域内，
其中，所述基底和所述包封基底中的每者包括刚性材料，所述密封件包括熔料，
其中，所述基底和所述包封基底被所述密封件结合。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述子像素结构包括：
下电极，设置在所述基底上，所述下电极透射光；
发光层，设置在所述下电极上；以及
上电极，设置在所述发光层上，所述上电极对从所述发光层发射的光进行反射，
其中，所述上电极的反射率大于所述下电极的反射率，所述上电极在所述多个子像素区域和所述反射区域中设置在所述基底上。
10.根据权利要求9所述的有机发光显示装置，其中，所述反射结构反射位于所述有机发光显示装置的第一表面前面的物体的图像，所述上电极反射位于所述有机发光显示装置的第二表面前面的物体的图像，
其中，所述第二表面与所述第一表面相对，所述有机发光显示装置通过所述多个开口在所述第一表面中显示显示的图像。
11.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括：
半导体元件，在所述反射区域中设置在所述基底上；以及
缓冲层，设置在所述基底上在所述反射结构与所述半导体元件之间，
其中，所述半导体元件包括：有源层，在所述反射区域中设置在所述缓冲层上；栅电极，设置在所述有源层上；以及源电极和漏电极，设置在所述栅电极上。
12.根据权利要求11所述的有机发光显示装置，其中，所述连接图案和所述栅电极使用相同的材料同时形成。
13.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括：
介电镜面结构，设置在所述基底与所述反射结构之间。
14.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其中，所述介电镜面结构包括：
一个或更多个第一介电层，具有第一折射率；以及
一个或更多个第二介电层，设置在所述一个或更多个第一介电层上，所述一个或更多个第二介电层具有与所述第一折射率不同的第二折射率，
其中，所述一个或更多个第一介电层以及所述一个或更多个第二介电层交替地堆叠。
15.一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：
基底，包括多个子像素区域和围绕所述多个子像素区域的反射区域；
子像素结构，在所述多个子像素区域中的每个子像素区域中设置在所述基底上；以及
反射结构，在所述反射区域中设置在所述基底上并具有多个开口，所述多个子像素区域通过所述多个开口暴露，
其中，所述反射结构包括沿第一方向布置的第一反射图案和沿与所述第一方向垂直的第二方向布置的第二反射图案。
16.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，其中，所述反射结构设置在所述基底与所述子像素结构之间。
17.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，其中，所述第一反射图案被构造为从外部装置接收第一触摸感测电压，所述第二反射图案被构造为从所述外部装置接收第二触摸感测电压，
其中，所述外部装置检测所述第一反射图案与所述第二反射图案之间电容的变化。
18.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，其中，所述第一反射图案和所述第二反射图案中的每个具有平面的条形形状并彼此规则地布置，
其中，所述第一反射图案和所述第二反射图案中的每个具有包括所述多个开口的网格结构。
19.根据权利要求18所述的有机发光显示装置，其中，所述第一反射图案和所述第二反射图案在交叉区域交叉，其中，位于所述交叉区域的所述第一反射图案的所述多个开口中的第一组和所述第二反射图案的所述多个开口中的第二组彼此叠置。
20.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括：
薄膜包封结构，设置在所述子像素结构上，
其中，所述基底和所述薄膜包封结构中的每者具有至少一个有机层和至少一个无机层交替堆叠的堆叠结构，所述堆叠结构是柔性的，
其中，所述反射结构与所述基底的所述至少一个无机层接触，所述子像素结构与所述薄膜包封结构的所述至少一个无机层接触。
21.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括：
半导体元件，在所述反射区域中设置在所述基底上；以及
缓冲层，设置在所述基底上在所述第一反射图案与所述半导体元件之间，
其中，所述半导体元件包括：有源层，在所述反射区域中设置在所述缓冲层上；栅电极，设置在所述有源层上；源电极和漏电极，设置在所述栅电极上，
其中，所述第二反射图案和所述栅电极使用相同的材料同时形成。
22.根据权利要求21所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括：
辅助布线，设置在所述第二反射图案上，所述辅助布线电连接到所述第二反射图案，
其中，所述辅助布线与所述源电极和所述漏电极使用相同的材料同时形成。
23.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括设置在所述基底与所述反射结构之间的介电镜面结构，
其中，所述介电镜面结构包括：
一个或更多个第一介电层，具有第一折射率；以及
一个或更多个第二介电层，设置在所述一个或更多个第一介电层上，所述一个或更多个第二介电层具有与所述第一折射率不同的第二折射率，
其中，所述一个或更多个第一介电层以及所述一个或更多个第二介电层交替地堆叠。
24.一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：
基底，包括多个子像素区域和围绕所述多个子像素区域的反射区域；
子像素结构，在所述多个子像素区域中的每个子像素区域中设置在所述基底上；以及
感测结构，在所述反射区域中设置在所述基底上并具有多个开口，所述多个子像素区域通过所述多个开口暴露，
其中，所述感测结构包括第一感测图案和与所述第一感测图案绝缘的第二感测图案，
其中，所述感测结构设置在所述基底与所述子像素结构之间。
25.根据权利要求24所述的有机发光显示装置，其中，所述感测结构还包括：连接图案，将所述第二感测图案中在第二方向上的两个相邻的第二感测图案电连接，其中，所述第一感测图案沿与所述第二方向垂直的第一方向延伸并沿所述第二方向彼此间隔开，其中，所述第二感测图案沿所述第一方向和所述第二方向彼此间隔开。
26.根据权利要求24所述的有机发光显示装置，其中，所述第一感测图案沿第一方向布置，所述第二感测图案沿与所述第一方向垂直的第二方向布置。
27.根据权利要求24所述的有机发光显示装置，其中，所述第一感测图案和所述第二感测图案中的每个对通过所述基底进入的光进行反射。
28.根据权利要求24所述的有机发光显示装置，其中，所述第一感测图案施加有第一电压，所述第二感测图案施加有第二电压，其中，检测所述第一感测图案与所述第二感测图案之间电容的变化来确定触摸的位置。
29.根据权利要求28所述的有机发光显示装置，其中，所述第一电压是感测输入信号，所述第二电压是感测输出信号。
30.根据权利要求28所述的有机发光显示装置，其中，所述第一感测图案与所述第二感测图案之间电容的所述变化度量触摸的压力。
31.根据权利要求28所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括被构造为产生所述第一电压和所述第二电压的电路。
CN201611071351.7A 2016-03-24 2016-11-28 有机发光显示装置 Active CN107230746B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2016-0035194 2016-03-24
KR1020160035194A KR102496913B1 (ko) 2016-03-24 2016-03-24 유기 발광 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107230746A true CN107230746A (zh) 2017-10-03
CN107230746B CN107230746B (zh) 2020-08-25

Family

ID=59897382

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611071351.7A Active CN107230746B (zh) 2016-03-24 2016-11-28 有机发光显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9991318B2 (zh)
KR (1) KR102496913B1 (zh)
CN (1) CN107230746B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109755278A (zh) * 2019-01-02 2019-05-14 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板及其制造方法和驱动方法、显示装置

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102460509B1 (ko) * 2015-10-06 2022-10-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102409120B1 (ko) * 2017-12-12 2022-06-15 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
TWI754829B (zh) * 2019-07-17 2022-02-11 瑩耀科技股份有限公司 有機發光二極體封裝結構及其製造方法
CN110910781B (zh) * 2019-12-31 2022-08-30 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
KR20220072107A (ko) * 2020-11-24 2022-06-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101303472A (zh) * 2007-02-15 2008-11-12 三星电子株式会社 显示基板及具有其的显示面板
CN102916031A (zh) * 2011-08-04 2013-02-06 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
US20140055028A1 (en) * 2012-08-22 2014-02-27 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device
CN203607413U (zh) * 2013-11-12 2014-05-21 宸鸿光电科技股份有限公司 发光显示装置
US20140145979A1 (en) * 2012-11-29 2014-05-29 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same
US20150102292A1 (en) * 2013-10-14 2015-04-16 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3695308B2 (ja) * 2000-10-27 2005-09-14 日本電気株式会社 アクティブマトリクス有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
KR101152508B1 (ko) 2010-05-06 2012-06-01 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
US8643481B2 (en) 2010-09-17 2014-02-04 Johnson Controls Technology Company Interior rearview mirror assembly with integrated indicator symbol
KR20120042037A (ko) * 2010-10-22 2012-05-03 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 장치 및 그 제조 방법
KR102056864B1 (ko) * 2013-04-09 2019-12-18 삼성디스플레이 주식회사 미러 기능을 구비한 유기 발광 표시 장치
KR20150011235A (ko) * 2013-07-22 2015-01-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
WO2015143011A1 (en) * 2014-03-19 2015-09-24 Bidirectional Display Inc. Image sensor panel and method for capturing graphical information using same
KR20160044414A (ko) * 2014-10-15 2016-04-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 터치 패널 및 전자 기기
KR102295584B1 (ko) * 2014-10-31 2021-08-27 엘지디스플레이 주식회사 터치 패널 내장형 유기 발광 표시 장치
CN104393021B (zh) * 2014-11-28 2018-07-17 京东方科技集团股份有限公司 像素结构、透明触摸显示屏及其制作方法、和显示装置
KR102490624B1 (ko) * 2015-10-30 2023-01-20 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 및 이의 제조 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101303472A (zh) * 2007-02-15 2008-11-12 三星电子株式会社 显示基板及具有其的显示面板
CN102916031A (zh) * 2011-08-04 2013-02-06 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
US20140055028A1 (en) * 2012-08-22 2014-02-27 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device
US20140145979A1 (en) * 2012-11-29 2014-05-29 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same
US20150102292A1 (en) * 2013-10-14 2015-04-16 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
CN203607413U (zh) * 2013-11-12 2014-05-21 宸鸿光电科技股份有限公司 发光显示装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109755278A (zh) * 2019-01-02 2019-05-14 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板及其制造方法和驱动方法、显示装置
US11216098B2 (en) 2019-01-02 2022-01-04 Fuzhou Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. OLED display panel and method for manufacturing same, and display apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
US20170278898A1 (en) 2017-09-28
KR20170113729A (ko) 2017-10-13
KR102496913B1 (ko) 2023-02-08
US9991318B2 (en) 2018-06-05
CN107230746B (zh) 2020-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106997894A (zh) 有机发光显示装置
CN107230746A (zh) 有机发光显示装置
CN107026245B (zh) 有机发光显示装置
TWI712195B (zh) 具有觸控感測器之發光顯示裝置
TWI681216B (zh) 顯示裝置
CN108874202A (zh) 显示装置
CN107887409A (zh) 具有触摸传感器的显示装置
CN108241451A (zh) 显示装置
CN107919380A (zh) 一种柔性触控显示屏的制作方法
CN107783690A (zh) 有机发光显示器及其制造方法、以及显示装置
CN108241449A (zh) 具有集成式触摸屏的显示装置
CN108878477A (zh) 显示装置
KR102476117B1 (ko) 유기발광 표시장치
CN107026190A (zh) 显示装置
CN108258009A (zh) 显示装置
CN109144306A (zh) 触摸传感器以及包括触摸传感器的显示装置
CN110391277A (zh) 具有触摸传感器的有机发光显示装置
CN106775081A (zh) 有机发光显示面板及压力感应显示装置
CN108958529A (zh) 显示装置及其制造方法
CN106992201A (zh) 有机发光显示装置
CN109599425A (zh) Oled触控显示屏及其制作方法
CN108155215A (zh) 装饰膜、盖面板以及制造装饰膜的方法
CN110400823A (zh) 具有触摸传感器的有机发光显示设备
CN109725764A (zh) 具有触摸传感器的显示装置
CN107957813A (zh) 一种柔性触控显示屏及其制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant