CN107210729A - 声表面波装置 - Google Patents

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Abstract

具备：压电基板(10)其在一方的主面设置激振声表面波的IDT电极(13)；覆盖层(20)，其配置于与该一方的主面对置的位置，覆盖IDT电极(13)；支承构件(30)，其立设于该一方的主面上的IDT电极(13)的周围，在覆盖层(20)与IDT电极(13)分开的状态下支承覆盖层(20)的压电基板(10)侧的面；和接合构件(40)，其设于覆盖层(20)的压电基板(10)侧的面，将覆盖层(20)和支承构件(30)接合，支承构件(30)中的覆盖层(20)侧的端部的至少一部分存在于接合构件(40)内，该一方的主面所对应的法线方向上的接合构件(40)的尺寸小于该法线方向上的支承构件(30)的尺寸。

Description

声表面波装置
技术领域
本发明涉及由设于压电基板上的电极激振声表面波的声表面波装置。
背景技术
过去，作为在通信设备等的RF(Radio Frequency，射频)电路中使用的带通滤波器，使用声表面波装置。在便携电话机等通信设备中，由于谋求小型化以及薄型化，因此朝着声表面波装置等的构成部件的小型化以及薄型化不断努力。在声表面波装置中，作为用于小型化以及薄型化的封装结构而提出WLP(Wafer Level Package，晶片级封装)结构(例如专利文献1以及2)。
图17以及图18分别是表示专利文献1以及2公开的具有WLP结构的声表面波装置501以及502的截面图。如图17以及图18所示那样，声表面波装置501以及502分别具备设有IDT(Inter Digital Transducer，叉指式换能器)电极513以及514的压电基板511以及512、支承构件531以及532和覆盖层521以及522。在声表面波装置501以及502中，分别由支承构件531以及532和覆盖层521以及522覆盖形成有IDT电极513以及514的区域，且为了不妨碍IDT电极513以及514等的振动而在该IDT电极的上方确保中空的空间。如以上那样，在具有WLP结构的声表面波装置中，通过将压电基板利用为封装的一部分来实现小型化。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2009/116222号
专利文献2：JP特开2014-7727号公报
发明内容
发明要解决的课题
在专利文献1公开的声表面波装置501中，如图17所示那样覆盖层521层叠在支承构件531。但由于覆盖层521仅在支承构件531的覆盖层521侧的端面与支承构件531接合，因此覆盖层521与支承构件531的接合强度不充分。即，封装结构的强度不充分。
另一方面，在专利文献2公开的声表面波装置502中，如图18所示那样，覆盖层522在支承构件532的覆盖层522侧的端面以及内壁与支承构件532接合。如此，由于覆盖层522与支承构件532的接合面积被做大，因此与专利文献1公开的声表面波装置501相比，覆盖层522与支承构件532的接合强度更高。
但在专利文献2公开的声表面波装置502中，通过加热覆盖层522使其下垂到支承构件532的内壁，来将覆盖层522和支承构件532的内壁接合。在该情况下，有可能覆盖层522会与IDT电极514接触。在覆盖层522接触到IDT电极514的情况下，由于不能在IDT电极514上确保空间，因此有在声表面波装置502中得不到所期望的特性的情况。
为此，本发明的目的在于，提供能确保IDT电极上的空间且具有强度高的WLP结构的声表面波装置。
用于解决课题的手段
为了达成上述目的，本发明的1个方式所涉及的声表面波装置具备：压电基板，其在一方的主面设置激振声表面波的电极；覆盖层，其配置在与所述一方的主面对置的位置，覆盖所述电极；支承构件，其立设于所述一方的主面上的所述电极的周围，在所述覆盖层与所述电极分开的状态下支承所述覆盖层的所述压电基板侧的面；和接合构件，其设于所述覆盖层的所述压电基板侧的面，将所述覆盖层和所述支承构件接合，所述支承构件中的所述覆盖层侧的端部的至少一部分存在于所述接合构件内，所述一方的主面所对应的法线方向上的所述接合构件的尺寸小于所述法线方向上的所述支承构件的尺寸。
根据中这样的构成，由于能加大支承构件与覆盖层或接合构件的接合面积，因此能强化支承构件与覆盖层的接合力。因此能实现强度高的具有WLP结构的声表面波装置。另外，由于上述法线方向上的接合构件的尺寸小于支承构件的尺寸，因此即使支承构件的覆盖层侧的端部到达覆盖层的压电基板侧的面，接合构件也不会与压电基板相接。因此确保了电极的上方的空间。
另外也可以，构成所述支承构件的材料的杨氏模量为构成所述覆盖层的所述压电基板侧的面的材料的杨氏模量以下。
根据这样的构成，抑制了支承构件陷埋到覆盖层。因此抑制了覆盖层的压电基板侧的面移动得比支承构件的覆盖层侧的端面更靠压电基板侧。即，能维持覆盖层与电极分开的状态。由此确保了电极的上方的空间。
另外也可以，所述支承构件在所述覆盖层侧的端部具有凸状的形状。
根据这样的构成，在制造声表面波装置时，能使支承构件的覆盖层侧的端部容易地陷埋到接合构件。
另外也可以，所述支承构件与所述覆盖层相接。
另外也可以，所述支承构件不与所述覆盖层相接。
另外也可以，所述接合构件设置在所述覆盖层的所述压电基板侧的面中的与所述电极对置的区域的周围。
根据这样的构成，即使接合构件的压电基板侧的端部因制造误差等与压电基板相接，也会确保电极的上方的空间。
另外也可以，所述接合构件具备在所述法线方向上层叠的多个层。
根据这样的构成，能将层叠的至少一部分的层例如为了提高电极的上方的空间的液密性而利用。
另外，所述覆盖层具备在所述法线方向上层叠的多个层。
根据这样的构成，能将层叠的至少一部分的层例如为了提高电极的上方的空间的液密性而利用。另外，还能将层叠的至少一部分的层为了印刷或刻印产品编号等而利用。
另外也可以，所述接合构件由含环氧树脂(Epoxy)、聚氨酯、酚醛、聚酯、苯并环丁烯以及聚苯并噁唑的至少一种的材料构成。
另外也可以，所述支承构件由含聚酰亚胺、环氧树脂、苯并环丁烯、聚苯并噁唑、金属以及氧化硅的至少一种的材料构成。
另外也可以，所述覆盖层的所述压电基板侧的面由含聚酰亚胺、环氧树脂、苯并环丁烯、聚苯并噁唑、硅、氧化硅、钽酸锂、铌酸锂的至少一种的材料构成。
发明的效果
根据本发明，能提供能确保IDT电极上的振动空间且具有强度充分的WLP结构的声表面波装置。
附图说明
图1是实施方式1所涉及的声表面波装置的顶视图。
图2是实施方式1所涉及的声表面波装置的截面图。
图3是表示能分别构成实施方式1所涉及的声表面波装置的覆盖层以及支承构件的材料的示例以及该材料的杨氏模量的表。
图4是实施方式1的变形例1所涉及的声表面波装置的截面图。
图5是实施方式1的变形例2所涉及的声表面波装置的截面图。
图6是实施方式1的变形例3所涉及的声表面波装置的截面图。
图7A是实施方式1的变形例4的第1例所涉及的声表面波装置的截面图。
图7B是实施方式1的变形例4的第2例所涉及的声表面波装置的截面图。
图7C是实施方式1的变形例4的第3例所涉及的声表面波装置的截面图。
图7D是实施方式1的变形例4的第4例所涉及的声表面波装置的截面图。
图8是实施方式2所涉及的声表面波装置的顶视图。
图9是实施方式2所涉及的声表面波装置的截面图。
图10是实施方式2的变形例1所涉及的声表面波装置的截面图。
图11是实施方式2的变形例2所涉及的声表面波装置的截面图。
图12是实施方式2的变形例3所涉及的声表面波装置的截面图。
图13是实施方式2的变形例4所涉及的声表面波装置的截面图。
图14是实施方式2的变形例5所涉及的声表面波装置的截面图。
图15是实施方式2的变形例6所涉及的声表面波装置的截面图。
图16是实施方式2的变形例7所涉及的声表面波装置的截面图。
图17是专利文献1公开的具有WLP结构的声表面波装置的截面图。
图18是专利文献2公开的具有WLP结构的声表面波装置的截面图。
具体实施方式
以下使用附图来详细说明本发明的实施方式。另外，以下说明的实施方式均表示总括或具体的示例。以下的实施方式所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置以及连接形态等都是一例，并非限定本发明的主旨。关于以下的实施方式在恒定构成要素当中未记载于独立权利要求的构成要素，说明为任意的构成要素。另外，附图所示的构成要素的大小或大小的比不一定准确。
(实施方式1)
[声表面波装置的整体构成]
首先使用附图来说明实施方式1所涉及的声表面波装置。
图1是本实施方式所涉及的声表面波装置1A的顶视图。
图2是本实施方式所涉及的声表面波装置1A的截面图。图2表示图1所示的II-II线的声表面波装置1A的截面。
如图1以及图2所示那样，本实施方式所涉及的声表面波装置1A具备压电基板10、电极部12、贯通导体16、焊料突起17、覆盖层20、支承构件30以及接合构件40。
压电基板10是在一方的主面设有激振声表面波的IDT电极13的基板。在本实施方式中，压电基板10如图1所示那样，在顶视观察下具有一边为1mm程度的矩形的形状，但压电基板10的顶视观察下的形状并不限定于矩形，可以是任意的形状。
压电基板10是由例如钽酸锂(LiTaO3)、铌酸锂(LiNbO3)、水晶等压电单晶或压电陶瓷构成的基板。
电极部12是包含设于压电基板10上的IDT电极13以及与IDT电极13连接的布线电极15(未图示IDT电极13与布线电极15的连接部)的层。
IDT电极13是激振声表面波的梳形电极。IDT电极13例如由Ti、Al、Cu、Au、Pt、Ag、Pd、Ni等金属或合金构成。另外，IDT电极13可以由上述的金属或合金所构成的多个层叠体构成。
布线电极15是与IDT电极13连接的电极，构成将IDT电极13和声表面波装置1A的外部的布线连接的布线路径的一部分。布线电极15由与IDT电极13同样的材料构成。
贯通导体16是经由布线电极15与IDT电极13连接的导电构件，构成将布线电极15和外部的布线连接的布线路径的一部分。在贯通覆盖层20、接合构件40以及支承构件30的孔填充导体来形成贯通导体16。贯通导体16由与IDT电极13同样的材料构成。
焊料突起17是经由贯通导体16以及布线电极15与IDT电极13连接的外部端子。
电介质膜14是覆盖IDT电极13以及布线电极15而形成的保护膜。另外，电介质膜14也可以为了改善声表面波装置1A的特性而用。电介质膜14覆盖IDT电极13以及布线电极15那样设于压电基板10上。电介质膜14例如由氧化硅、氮化硅等电介质构成。
覆盖层20配置在与压电基板10的一方的主面对置的位置，是覆盖形成有IDT电极13的区域的层。如图1以及图2所示那样，在本实施方式中，覆盖层20在顶视观察下具有与压电基板10同样的矩形的形状，但覆盖层20的顶视观察下的形状并不限定于矩形，可以是任意的形状。另外，覆盖层20以及压电基板10的顶视观察下的形状也可以相互不同。另外，在本实施方式中，覆盖层20例如由含聚酰亚胺、环氧树脂、苯并环丁烯(Benzocyclobutene：BCB)、聚苯并噁唑(Polybenzoxazole：PBO)、硅、氧化硅、LiTaO3、LiNbO3的至少一种的材料构成。
支承构件30立设于压电基板10的一方的主面上的IDT电极13的周围，是在覆盖层20IDT与电极13分开的状态下支承覆盖层20的压电基板10侧的面的构件。如图1所示那样，在本实施方式中，支承构件30在顶视观察下具有矩形环状的形状，但支承构件30的形状并不限定于此。支承构件30的形状设置在IDT电极13的周围的至少一部分，只要是能支承覆盖层20的形状即可。另外，支承构件30具有环状的形状，包围IDT电极13，由此能由支承构件30以及覆盖层20将IDT电极13与覆盖层20之间的空间液密地密封。即，能抑制水等液体浸入IDT电极13上的空间。另外，在本实施方式中，构成支承构件30的材料的杨氏模量是构成覆盖层20的压电基板10侧的面的材料的杨氏模量以下。关于支承构件30以及覆盖层20的杨氏模量的关系，之后详述。构成支承构件30的材料只要是具有上述的杨氏模量的材料即可，没有特别限定。支承构件30对应于构成覆盖层20的压电基板10侧的面的材料，例如由含聚酰亚胺、环氧树脂、BCB、PBO、金属以及氧化硅的至少一种的材料构成。
接合构件40设于覆盖层20的压电基板10侧的面，是将覆盖层20和支承构件30接合的构件。构成接合构件40的材料并没有特别限定，但期望构成接合构件40的材料的杨氏模量不足构成支承构件30的材料的杨氏模量。由此能使支承构件30容易地陷埋在接合构件40。接合构件40例如由含环氧树脂、聚氨酯、酚醛、聚酯、BCB以及PBO的至少一种的材料构成。
如以上那样，本实施方式所涉及的声表面波装置1A具有用压电基板10、覆盖层20、支承构件30以及接合构件40包围IDT电极13的上方的空间的WLP结构。以下详述本实施方式所涉及的声表面波装置1A的WLP结构的构成。
如图2所示那样，在本实施方式中，支承构件30的覆盖层20侧的端部存在于接合构件40内。即，支承构件30从接合构件40的压电基板10侧的端部陷埋到接合构件40。由此，支承构件30不仅在覆盖层20侧的端面，在该端面的近旁的侧面(与压电基板10的主面所对应的法线方向平行的面)也与接合构件40相接。由此，与支承构件30仅在覆盖层20侧的端面与接合构件40相接的情况相比，支承构件30与接合构件40的接合面积变大。因此，支承构件30与接合构件40之间的接合力得以强化。另外，关于接合构件40与覆盖层20之间的接合，由于也能使接合构件40与覆盖层20之间的接合面积大于支承构件30的覆盖层20侧端面的面积，因此能强化接合力。如以上那样，由于能强化支承构件30与接合构件40之间的接合力以及接合构件40与覆盖层20之间的接合力，因此能实现强度高的WLP结构。
另外，在本实施方式中，压电基板10的设有IDT电极13的主面所对应的法线方向上的接合构件40的尺寸(图2所示的尺寸y)小于该法线方向上的支承构件30的尺寸(图2所示的尺寸x)。由此，就算支承构件30的覆盖层20侧的端部进一步陷埋到接合构件40而到达覆盖层20的压电基板10侧的面，接合构件40的压电基板10侧的端部也不会与压电基板10相接。因此确保了IDT电极13的上方的空间。
进而在本实施方式中，如图1以及图2所示那样，接合构件40设于覆盖层20的压电基板10侧的面中与IDT电极13对置的区域的周围。由此，即使接合构件40的压电基板10侧的端部因制造误差等与压电基板10相接，也会确保IDT电极13的上方的空间。
另外，进而在本实施方式中，如上述那样，构成支承构件30的材料的杨氏模量为构成覆盖层20的压电基板10侧的面的材料的杨氏模量以下。由此，就算支承构件30的覆盖层20侧的端部贯通接合构件40到达覆盖层20，也能抑制支承构件30陷埋到覆盖层20。因此抑制了覆盖层20的压电基板10侧的面比支承构件30的覆盖层20侧的端面移动得更靠压电基板10侧。即，能维持覆盖层20与IDT电极13分开的状态。由此确保了IDT电极13的上方的空间。
用图3来说明分别构成满足上述的杨氏模量的关系的覆盖层20以及支承构件30的材料的组合。
图3是表示能分别构成本实施方式所涉及的声表面波装置1A的覆盖层20以及支承构件30的材料的示例以及该材料的杨氏模量的表。
根据图3所示的材料与杨氏模量的关系，例如在作为覆盖层20而使用聚酰亚胺的情况下，作为支承构件30，能使用具有聚酰亚胺的杨氏模量以下的杨氏模量的聚酰亚胺、环氧树脂、BCB等。
[声表面波装置的制造方法]
接下来说明本实施方式所涉及的声表面波装置1A的制造方法的一例。
首先准备压电基板10。在本实施方式中例如使用42°Y切割LiTaO3基板。
接下来在压电基板10的一方的主面用光刻技术形成抗蚀剂图案。在形成该抗蚀剂图案的压电基板10上成膜导电性膜后，除去抗蚀剂图案，由此形成IDT电极13以及布线电极15。在本实施方式中，例如作为IDT电极13，从压电基板10侧成膜Ti膜以及AlCu膜，作为布线电极15，从压电基板10侧成膜Ti膜以及A1膜。构成IDT电极13以及布线电极15的各膜例如能用蒸镀法等成膜。
接下来，在压电基板10上成膜电介质膜14来覆盖IDT电极13以及布线电极15。在本实施方式中，例如作为电介质膜14，用CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)法等成膜氧化硅膜。
接下来，在压电基板10的形成IDT电极13等的一侧的主面上的IDT电极13的周围形成支承构件30。在本实施方式中，支承构件30例如由环氧树脂构成。关于支承构件30，例如在压电基板10上成膜感光性环氧树脂，用光刻法形成支承构件30的图案。支承构件30的压电基板10的主面所对应的法线方向上的尺寸例如为10μm～20μm程度。另外，支承构件30如图2所示那样形成于布线电极15上。
接下来，在支承构件30上贴附由接合构件40以及覆盖层20这二层构成的预先层叠的薄片状的复合件。接合构件40例如由环氧树脂构成，图案形成为与支承构件30对应的图案。接合构件40的压电基板10的主面所对应的法线方向上的尺寸例如为5μm～15μm程度。另外，覆盖层20例如由聚酰亚胺构成，接合上述接合构件40。覆盖层20的厚度例如为10μm～30μm程度。
贴附在支承构件30的接合构件40以及覆盖层20，在支承构件30陷埋到接合构件40的状态被置于300℃上下的环境下，由此硬化。由此支承构件30和覆盖层20通过接合构件40接合。另外，为了使支承构件30充分陷埋到接合构件40，也可以在上述硬化工序之前对覆盖层20以及接合构件40朝向压电基板10施加压力。
接下来说明贯通导体16以及焊料突起17的形成方法的概要。
首先在覆盖层20和支承构件30重叠的部分从覆盖层20侧照射激光。由此除去覆盖层20以及支承构件30的一部分，从而使布线电极15在覆盖层20侧露出。
接下来从覆盖层20侧成膜镀覆供电层。镀覆供电层从布线电极15侧具有Ti以及Ni的层。接下来，用抗蚀剂图案覆盖上述的用激光除去的部分以外。
接下来进行Ni电解镀，使未被抗蚀剂图案覆盖的部分(即被上述的激光除去的部分)生长Ni镀覆膜。接下来直接进行Au电解镀，使Ni镀覆膜上生长Au镀覆膜。
接下来在除去抗蚀剂图案后，通过蚀刻除去镀覆供电膜。由此形成贯通导体16。
接下来通过丝网印刷在Au镀覆上同步焊料膏，通过回流焊工序形成焊料突起17。接下来进行助焊剂清洗。
能如以上那样制造图1以及图2所示的声表面波装置1A。另外，通常声表面波装置1A在基板上形成多个，通过划片切割而单片化。
(实施方式1的变形例1)
接下来使用附图来说明实施方式1的变形例1所涉及的声表面波装置。
图4是本变形例所涉及的声表面波装置1B的截面图。
如图4所示那样，本变形例所涉及的声表面波装置1B在接合构件40B以及支承构件30B的构成与上述实施方式1所涉及的声表面波装置1A相异，在其他构成上一致。在本变形例所涉及的声表面波装置1B中，支承构件30B贯通接合构件40B与覆盖层20相接。另外，在本说明书中，将支承构件30B贯通接合构件40B的构成也定义为支承构件30B「陷埋」到接合构件40B的一个方式。
在本变形例所涉及的声表面波装置1B中，也与上述实施方式1所涉及的声表面波装置1A同样，支承构件30B在覆盖层20侧的端面的近旁的侧面与接合构件40B相接。另外，支承构件30B的覆盖层20侧的端面与覆盖层20相接。由此，支承构件30B在覆盖层20侧的端面与覆盖层20接合，且在该端面的近旁的侧面隔着接合构件40B与覆盖层20接合。由此，与支承构件30B仅在覆盖层20侧的端面与覆盖层20相接的情况相比，支承构件30B与覆盖层20的接合力得以强化。因此能实现强度高的WLP结构。
另外，在本变形例中，也与上述实施方式1同样，压电基板10的设有IDT电极13的主面所对应的法线方向上的接合构件40B的尺寸小于该法线方向上的支承构件30B的尺寸。由此如本变形例那样，即使支承构件30B的覆盖层20侧的端面与覆盖层20的压电基板10侧的面相接，接合构件40B的压电基板10侧的端部也不会与压电基板10相接。因此确保了IDT电极13的上方的空间。
另外，在本变形例中也与上述实施方式1同样，构成支承构件30B的材料的杨氏模量为构成覆盖层20的压电基板10侧的面的材料的杨氏模量以下。由此在本变形例中也与上述实施方式1同样，能维持覆盖层20与IDT电极13分开的状态。由此确保了IDT电极13的上方的空间。
(实施方式1的变形例2)
接下来使用附图来说明实施方式1的变形例2所涉及的声表面波装置。
图5是本变形例所涉及的声表面波装置1C的截面图。
如图5所示那样，本变形例所涉及的声表面波装置1C在接合构件40C以及支承构件30C的构成上与上述实施方式1所涉及的声表面波装置1A相异，在其他构成上一致。在本变形例所涉及的声表面波装置1C中，支承构件30C的覆盖层20侧的端面的至少一部分陷埋到接合构件40C。另外，如图5的左侧所示的接合构件40C与支承构件30C的位置关系那样，也将支承构件30C的覆盖层20侧的端部的仅一部分陷埋到接合构件40C的构成定义为支承构件30C「陷埋」到接合构件40C的状态的1个方式。
在本变形例所涉及的声表面波装置1C中，也与上述实施方式1所涉及的声表面波装置1A同样，支承构件30C在覆盖层20侧的端面的近旁的侧面(与压电基板10的主面的法线方向平行的面)与接合构件40C相接。另外，支承构件30C的覆盖层20侧的端面的至少一部分与接合构件40C相接。由此，与支承构件30C仅在覆盖层20侧的端面的一部分与接合构件40C接合的情况相比，支承构件30与接合构件40C的接合力得以强化。另外，能使接合构件40C与覆盖层20之间的接合面积也大于支承构件30的覆盖层20侧端面的面积。因此能实现强度高的WLP结构。
另外，在本变形例中也与上述实施方式1同样，压电基板10的设有IDT电极13的主面所对应的法线方向上的接合构件40C的尺寸，小于该法线方向上的支承构件30C的尺寸。另外，构成支承构件30C的材料的杨氏模量为构成覆盖层20的压电基板10侧的面的材料的杨氏模量以下。由此在本变形例中也与上述实施方式1同样，确保了IDT电极13的上方的空间。
(实施方式1的变形例3)
接下来使用附图来说明实施方式1的变形例3所涉及的声表面波装置。
图6是本变形例所涉及的声表面波装置1D的截面图。
如图6所示那样，本变形例所涉及的声表面波装置1D在支承构件30D的构成上与上述实施方式1所涉及的声表面波装置1A相异，在其他构成上一致。在本变形例所涉及的声表面波装置1D中，支承构件30D在覆盖层20侧的端部，朝向覆盖层20地具有凸状的曲面形状。
在本变形例所涉及的声表面波装置1C中，也与上述实施方式1所涉及的声表面波装置1A同样，支承构件30D陷埋到接合构件40D。由此与支承构件30D仅在覆盖层20侧端与接合构件40D接合的情况相比，支承构件30D与接合构件40D的接合力得以强化。另外，接合构件40D与覆盖层20之间的接合面积也能大于支承构件30D的覆盖层20侧端的面积。因此能实现强度高的WLP结构。进而，通过支承构件30D具有上述形状，在制造声表面波装置1D时，能使支承构件30D的覆盖层20侧的端部容易地陷埋到接合构件40D。
另外，在本变形例中也与上述实施方式1同样，压电基板10的设有IDT电极13的主面所对应的法线方向上的接合构件40D的尺寸，小于该法线方向上的支承构件30D的尺寸。另外，构成支承构件30D的材料的杨氏模量为构成覆盖层20的压电基板10侧的面的材料的杨氏模量以下、。由此在本变形例中也与上述实施方式1同样，确保了IDT电极13的上方的空间。
本变形例所涉及的支承构件30D的形成方法并没有特别限定。例如在用感光性树脂形成支承构件的情况下，通过使显影时间长于通常，能形成在端部具有凸状的曲面的支承构件30D。另外，也可以通过在支承构件的端部实施离子溅射等物理蚀刻来形成支承构件30D。另外，也可以通过减小支承构件的宽度(即图6中左右方向的宽度)形成支承构件来形成支承构件30D。在该情况下，支承构件30D的宽度对应于构成支承构件30D的材料适宜决定。
(实施方式1的变形例4)
接下来使用附图来说明实施方式1的变形例4所涉及的声表面波装置。
图7A是本变形例的第1例所涉及的声表面波装置101A的截面图。
图7B是本变形例的第2例所涉及的声表面波装置101B的截面图。
图7C是本变形例的第3例所涉及的声表面波装置101C的截面图。
图7D是本变形例的第4例所涉及的声表面波装置101D的截面图。
如图7A～图7D所示那样，本变形例所涉及的声表面波装置101A～101D在支承构件130A～130D以及接合构件140A～140D具有锥形这一点上与上述实施方式1所涉及的声表面波装置1A相异，在其他构成上一致。
在图7A以及图7B所示的支承构件130A以及130B中，从压电基板10侧到覆盖层20侧，宽度(即图7A以及图7B中的左右方向的宽度)渐减。另一方面，在图7C以及图7D所示的支承构件130C以及130D中，从压电基板10侧到覆盖层20侧宽度渐增。
在图7A以及图7D所示的接合构件140A以及140D中，从压电基板10侧到覆盖层20侧宽度渐增。另一方面，在图7B以及图7C所示的接合构件140B以及140C中，从压电基板10侧到覆盖层20侧宽度渐减。
在本变形例所涉及的声表面波装置101A～101D中，也与上述实施方式1所涉及的声表面波装置1A同样，支承构件130A～130D分别陷埋到接合构件140A～140D。由此与支承构件130A～130D分别仅在覆盖层20侧端与接合构件140A～140D接合的情况相比，支承构件130A～130D与接合构件140A～140D的接合力得以强化。另外，能使接合构件140A～140D与覆盖层20之间的接合面积也大于支承构件130A～130D的覆盖层20侧端的面积。因此能实现强度高的WLP结构。
进而在本变形例的第1例以及第2例中，通过让支承构件130A以及130B具有上述形状，在制造声表面波装置101A以及101B时，能使支承构件130A以及130B的覆盖层20侧的端部分别容易地陷埋到接合构件140A以及140B。由此能在将支承构件130A以及130B分别与接合构件140A以及140B接合时，减低对压电基板10以及覆盖层20施加的压力。由此在本变形例的第1例以及第2例所涉及的声表面波装置101A以及101B中，能减低覆盖层20以及压电基板10的破损以及变形。
另外，在本变形例的第3例以及第4例中，通过支承构件130C以及130D具有上述形状，能使各支承构件与各接合构件的接合面积维持得与上述实施方式1所涉及的声表面波装置1A中的接合面积同等。并且能减低压电基板10上的各支承构件的专有面积。因此，在本变形例的第3例以及第4例所涉及的声表面波装置101C以及101D中，能使压电基板10小型化。
另外，在本变形例中也与上述实施方式1同样，压电基板10的设有IDT电极13的主面所对应的法线方向上的各接合构件的尺寸小于该法线方向上的各支承构件的尺寸。另外，构成各支承构件的材料的杨氏模量为构成覆盖层20的压电基板10侧的面的材料的杨氏模量以下。由此在本变形例中也与上述实施方式1同样，确保了IDT电极13的上方的空间。
本变形例所涉及的各支承构件以及各接合构件的形成方法，并没有特别限定。例如也可以通过对各支承构件以及各接合构件实施离子溅射等物理蚀刻来将各支承构件以及各接合构件整形成锥形。
另外，在图7A～图7D所示的各例中，各支承构件以及各接合构件均具有锥形，但本变形例的构成并不限定于这些示例。例如也可以仅支承构件以及接合构件的一方具有锥形。
进而在对构件使用感光性树脂的情况下，可以控制光刻中的曝光条件(对焦、曝光量)来形成锥形或倒锥形。
(实施方式2)
接下来使用附图来说明实施方式2所涉及的声表面波装置。
图8是本实施方式所涉及的声表面波装置1E的顶视图。
图9是本实施方式所涉及的声表面波装置1E的截面图。图9表示图8所示的VIII-VIII线的声表面波装置1E的截面。
如图8以及图9所示那样，本实施方式所涉及的声表面波装置1E在接合构件40E的形状上与上述实施方式1所涉及的声表面波装置1A相异，在其他点上一致。具体地，本实施方式所涉及的接合构件40E未进行图案形成，具有顶视观察下有与覆盖层20同样形状的薄片状的形状。由此在本实施方式所涉及的接合构件40E的制造中，由于不需要图案形成，因此相比上述实施方式1所涉及的接合构件40，能削减制造所需的成本以及时间。
另外，在本实施方式中，压电基板10的设有IDT电极13的主面所对应的法线方向上的接合构件40E的尺寸，小于该法线方向上的支承构件30的尺寸。由此即使如本实施方式那样在IDT电极13的上方设置接合构件40E，也会确保IDT电极13的上方的空间。
另外，在本实施方式所涉及的声表面波装置1E中，也与上述实施方式1所涉及的声表面波装置1A等同样，能实现强度高的WLP结构。
(实施方式2的变形例1)
接下来使用附图来说明实施方式2的变形例1所涉及的声表面波装置。
图10是本变形例所涉及的声表面波装置1F的截面图。
如图10所示那样，本变形例所涉及的声表面波装置1F在接合构件40F以及支承构件30F的构成上与上述实施方式2所涉及的声表面波装置1E相异，在其他构成上一致。在本变形例所涉及的声表面波装置1F中，支承构件30F贯通接合构件40F而与覆盖层20相接。
另外，在本实施方式中，压电基板10的设有IDT电极13的主面所对应的法线方向上的接合构件40F的尺寸，也小于该法线方向上的支承构件30F的尺寸。由此，在本变形例所涉及的声表面波装置1F中，也与上述实施方式1的变形例1所涉及的声表面波装置1B同样，能实现强度高的WLP结构。另外，关于声表面波装置1F的其他效果，与实施方式2所涉及的声表面波装置1E同样。
(实施方式2的变形例2)
接下来使用附图来说明实施方式2的变形例2所涉及的声表面波装置。
图11是本变形例所涉及的声表面波装置1G的截面图。
如图11所示那样，本变形例所涉及的声表面波装置1G在接合构件40G以及支承构件30G的构成上与上述实施方式2所涉及的声表面波装置1E相异，在其他构成上一致。本变形例所涉及的接合构件40G具备在压电基板10的主面所对应的法线方向上层叠的多个层。具体地，接合构件40G具备相异的两个层即第一接合构件41G以及第二接合构件42G。第一接合构件41G是配置于接合构件40G的压电基板10侧的层，具有与上述实施方式2所涉及的接合构件40E同样的构成。第二接合构件42G是配置于第一接合构件41G的覆盖层20侧的层。构成第二接合构件42G的材料并没有特别限定。第二接合构件42G例如为了提高IDT电极13的上方的空间的液密性而利用。
关于本变形例所涉及的声表面波装置1G的其他效果，与上述实施方式2所涉及的声表面波装置1E同样。
(实施方式2的变形例3)
接下来使用附图来说明实施方式2的变形例3所涉及的声表面波装置。
图12是本变形例所涉及的声表面波装置1H的截面图。
如图12所示那样，本变形例所涉及的声表面波装置1H在接合构件40H以及支承构件30H的构成上与上述实施方式2所涉及的声表面波装置1E相异，在其他构成上一致。本变形例所涉及的接合构件40H与上述变形例所涉及的声表面波装置1G同样，具备相异的两个层即第一接合构件41H以及第二接合构件42H。另外，支承构件30H贯通第一接合构件41H并陷埋到第二接合构件42H。
本变形例所涉及的声表面波装置1H也能起到与上述变形例2所涉及的声表面波装置1G同样的效果。
(实施方式2的变形例4)
接下来使用附图来说明实施方式2的变形例4所涉及的声表面波装置。
图13是本变形例所涉及的声表面波装置1J的截面图。
如图13所示那样，本变形例所涉及的声表面波装置1J在接合构件40J以及支承构件30J的构成上与上述实施方式2所涉及的声表面波装置1E相异，在其他构成上一致。本变形例所涉及的接合构件40J与上述变形例所涉及的声表面波装置1G以及1H同样，具备相异的两个层即第一接合构件41J以及第二接合构件42J。另外，支承构件30J贯通第一接合构件41J以及第二接合构件42J并与覆盖层20相接。
本变形例所涉及的声表面波装置1J也能起到与上述变形例所涉及的声表面波装置1G以及1H同样的效果。
(实施方式2的变形例5)
接下来使用附图来说明实施方式2的变形例5所涉及的声表面波装置。
图14是本变形例所涉及的声表面波装置1K的截面图。
如图14所示那样，本变形例所涉及的声表面波装置1K在覆盖层20K的构成上与上述实施方式2的变形例4所涉及的声表面波装置1J相异，在其他构成上一致。本变形例所涉及的覆盖层20K具备在压电基板10的主面所对应的法线方向上层叠的多个层。具体地，覆盖层20K具备相异的两个层即第一覆盖层21K以及第二覆盖层22K。第一覆盖层21K是配置于覆盖层20K的压电基板10侧的层，具有与上述实施方式1以及2所涉及的覆盖层20同样的构成。第二覆盖层22K是图14中配置于第一覆盖层21K的上方(即远离压电基板10一侧)的面的层。构成第二覆盖层22K的材料并没有特别限定。第二覆盖层22K例如为了提高IDT电极13的上方的空间的液密性而利用。另外，第二覆盖层22K也可以为了在声表面波装置1K印刷或刻印产品编号等而利用。
另外，本变形例所涉及的声表面波装置1K也能起到与上述变形例所涉及的声表面波装置1G、1H以及1J同样的效果。
(实施方式2的变形例6)
接下来使用附图来说明实施方式2的变形例6所涉及的声表面波装置。
图15是本变形例所涉及的声表面波装置1L的截面图。
如图15所示那样，本变形例所涉及的声表面波装置1L在覆盖层20L的构成上与上述实施方式2的变形例1所涉及的声表面波装置1F相异，在其他构成上一致。本变形例所涉及的覆盖层20L具备在压电基板10的主面所对应的法线方向上层叠的多个层。具体地，覆盖层20L具备相异的两个层即第一覆盖层21L以及第三覆盖层23L。第一覆盖层21L是配置于图15中的覆盖层20L的上方(远离压电基板10一侧)的面的层，具有与上述实施方式1以及2所涉及的覆盖层20同样的构成。第三覆盖层23L是图14中配置于第一覆盖层21K的压电基板10侧的面的层。构成第三覆盖层23L的材料只要是比支承构件30F杨氏模量更高的材料即可，没有特别限定。第三覆盖层23L例如为了提高IDT电极13的上方的空间的液密性而利用。
另外，本变形例所涉及的声表面波装置1L也能起到与上述变形例所涉及的声表面波装置1F同样的效果。
(实施方式2的变形例7)
接下来使用附图来说明实施方式2的变形例7所涉及的声表面波装置。
图16是本变形例所涉及的声表面波装置1M的截面图。
如图16所示那样，本变形例所涉及的声表面波装置1M在覆盖层20M的构成上与上述实施方式2的变形例6所涉及的声表面波装置1L相异，在其他构成上一致。本变形例所涉及的覆盖层20M具备在压电基板10的主面所对应的法线方向上层叠的多个层。具体地，覆盖层20M具备第一覆盖层21M、第二覆盖层22M以及第三覆盖层23M。
第一覆盖层21M是配置于覆盖层20M的厚度方向的中央附近的层，具有与上述实施方式1以及2所涉及的覆盖层20同样的构成。
第二覆盖层22M是图16中配置于第一覆盖层21M的上方(即远离压电基板10一侧)的面的层，具有与上述实施方式2的变形例5所涉及的第二覆盖层22K同样的构成。
第三覆盖层23M是图16中配置于第一覆盖层21K的压电基板10侧的面的层，具有与上述实施方式2的变形例6所涉及的第三覆盖层23L同样的构成。
另外，本变形例所涉及的声表面波装置1M也能起到与上述变形例所涉及的声表面波装置1K以及1L同样的效果。
(其他变形例等)
以上说明了本发明的各实施方式所涉及的声表面波装置，但本发明并不限定于各个实施方式。例如对上述各实施方式实施如下那样变形的方式也能包含在本发明中。
例如将上述各实施方式以及它们的变形例中的特征部分任意组合而实现的形态也包含在本发明中。
另外，关于上述实施方式1所涉及的声表面波装置1A的制造方法，作为使支承构件30陷埋到接合构件40的方法，示出对覆盖层20以及接合构件40朝向压电基板10施加压力的方法。但使支承构件30陷埋到接合构件40的方法并不限定于此。例如也可以预先在与接合构件40的支承构件30对应的部分设置凹部，在该凹部内插入支承构件30。
另外，在上述各实施方式所涉及的声表面波装置中具备覆盖IDT电极13以及布线电极15的电介质膜14，但也可以没有电介质膜14。
另外，也可以在上述实施方式1所涉及的发明中运用实施方式2的变形例2～7所涉及的各接合构件以及各覆盖层的层叠结构。
产业上的利用可能性
本发明作为小型且薄型的声表面波装置而能广泛运用在便携电话等通信设备中。
标号的说明
1A、1B、1C、1D、1E、1F、1G、1H、1J、1K、1L、1M、101A、101B、101C、101D、501、502 声表面波装置
10、511、512 压电基板
11 基板部
12 电极部
13、513、514 IDT电极
14 电介质膜
15 布线电极
20、20K、20L、20M、521、522 覆盖层
21K、21L、21M 第一覆盖层
22K、22M 第二覆盖层
23L、23M 第三覆盖层
30、30B、30C、30D、30F、30G、30H、30J、130A、130B、130C、130D、531、532 支承构件
40、40B、40C、40D、40E、40F、40G、40H、40J、140A、140B、140C、140D 接合构件
41G、41H、41J 第一接合构件
42G、42H、42J 第二接合构件

Claims (11)

1.一种声表面波装置，具备：
压电基板，其在一方的主面设置有激振声表面波的电极；
覆盖层，其配置在与所述一方的主面对置的位置，覆盖所述电极；
支承构件，其立设于所述一方的主面上的所述电极的周围，在所述覆盖层与所述电极分开的状态下支承所述覆盖层的所述压电基板侧的面；和
接合构件，其设于所述覆盖层的所述压电基板侧的面，将所述覆盖层和所述支承构件接合，
所述支承构件中的所述覆盖层侧的端部的至少一部分存在于所述接合构件内，
所述一方的主面所对应的法线方向上的所述接合构件的尺寸小于所述法线方向上的所述支承构件的尺寸。
2.根据权利要求1所述的声表面波装置，其中，
构成所述支承构件的材料的杨氏模量，为构成所述覆盖层的所述压电基板侧的面的材料的杨氏模量以下。
3.根据权利要求1或2所述的声表面波装置，其中，
所述支承构件在所述覆盖层侧的端部具有凸状的形状。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的声表面波装置，其中，
所述支承构件与所述覆盖层相接。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的声表面波装置，其中，
所述支承构件不与所述覆盖层相接。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的声表面波装置，其中，
所述接合构件设于所述覆盖层的所述压电基板侧的面中的与所述电极对置的区域的周围。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的声表面波装置，其中，
所述接合构件具备在所述法线方向上层叠的多个层。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的声表面波装置，其中，
所述覆盖层具备在所述法线方向上层叠的多个层。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的声表面波装置，其中，
所述接合构件由含环氧树脂、聚氨酯、酚醛、聚酯、苯并环丁烯以及聚苯并噁唑的至少一种的材料构成。
10.根据权利要求1～8中任一项所述的声表面波装置，其中，
所述支承构件由含聚酰亚胺、环氧树脂、苯并环丁烯、聚苯并噁唑、金属以及氧化硅的至少一种的材料构成。
11.根据权利要求1～8中任一项所述的声表面波装置，其中，
所述覆盖层的所述压电基板侧的面由含聚酰亚胺、环氧树脂、苯并环丁烯、聚苯并噁唑、硅、氧化硅、钽酸锂、铌酸锂的至少一种的材料构成。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110289826A (zh) * 2018-03-19 2019-09-27 株式会社村田制作所 弹性波装置

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5713224B1 (ja) * 2013-08-20 2015-05-07 株式会社村田製作所 弾性表面波デバイス及びその製造方法
KR101953219B1 (ko) * 2016-11-24 2019-02-28 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치
JP6547914B2 (ja) * 2016-12-16 2019-07-24 株式会社村田製作所 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
KR101996844B1 (ko) * 2018-02-14 2019-07-05 주식회사 오킨스전자 접합층 확산 방지 구조를 갖는 필터 칩 패키지와 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 제조 방법
KR102207617B1 (ko) 2018-12-19 2021-01-26 주식회사 오킨스전자 탄성파 필터 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 제조 방법
KR20200077857A (ko) 2018-12-21 2020-07-01 주식회사 오킨스전자 공정 마진이 개선되는 탄성파 필터 ｗｌｐ 패키지
TWI690156B (zh) * 2019-07-10 2020-04-01 頎邦科技股份有限公司 表面聲波裝置及其製造方法
CN114731152A (zh) * 2019-11-21 2022-07-08 株式会社村田制作所 电子部件
KR102377880B1 (ko) 2019-11-28 2022-03-23 주식회사 오킨스전자 탄성파 필터 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 제조 방법

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006333130A (ja) * 2005-05-26 2006-12-07 Alps Electric Co Ltd 表面弾性波装置
US20070252481A1 (en) * 2005-06-16 2007-11-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric device and method for producing same
US20100289600A1 (en) * 2008-02-18 2010-11-18 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastic wave device and method for manufacturing the same
US20110018389A1 (en) * 2008-01-30 2011-01-27 Kyocera Corporation Acoustic Wave Device and Method for Production of Same
US20110227658A1 (en) * 2010-03-16 2011-09-22 Seiko Epson Corporation Resonator element, piezoelectric device, and electronic device
US20120086309A1 (en) * 2010-10-07 2012-04-12 Toru Yamaji Acoustic wave element and electronic device including the same
CN102694526A (zh) * 2011-03-22 2012-09-26 太阳诱电株式会社 电子组件、电子装置以及电子组件的制造方法
JP5473784B2 (ja) * 2010-02-26 2014-04-16 京セラ株式会社 弾性表面波装置
CN103873010A (zh) * 2014-03-17 2014-06-18 电子科技大学 一种压电薄膜体声波谐振器及其制备方法
CN104052427A (zh) * 2013-03-11 2014-09-17 精工电子水晶科技股份有限公司 压电振动片、压电振动器、振荡器、电子设备及电波钟表
CN104202010A (zh) * 2014-08-28 2014-12-10 中国工程物理研究院电子工程研究所 一种镂空空腔型薄膜体声波谐振器及其制作方法
US20140368298A1 (en) * 2011-01-31 2014-12-18 Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg Ceramic bushing with filter

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0974329A (ja) * 1995-09-06 1997-03-18 Rohm Co Ltd 弾性表面波素子を有する装置およびその製造方法
JP3767453B2 (ja) * 2001-10-17 2006-04-19 株式会社村田製作所 電子部品及び圧電共振部品
CN101803189B (zh) * 2007-10-30 2014-01-08 京瓷株式会社 弹性波装置
JP5120446B2 (ja) * 2008-03-19 2013-01-16 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
JP5106633B2 (ja) * 2008-06-27 2012-12-26 京セラ株式会社 弾性波装置
JP5120385B2 (ja) 2010-01-08 2013-01-16 富士通株式会社 圧電振動子及び圧電発振器
CN103748787B (zh) 2011-08-22 2017-04-12 京瓷株式会社 弹性波装置以及电子部件
KR101514193B1 (ko) * 2013-03-27 2015-04-21 엔지케이 인슐레이터 엘티디 복합 기판 및 탄성파 디바이스

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006333130A (ja) * 2005-05-26 2006-12-07 Alps Electric Co Ltd 表面弾性波装置
US20070252481A1 (en) * 2005-06-16 2007-11-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric device and method for producing same
US20110018389A1 (en) * 2008-01-30 2011-01-27 Kyocera Corporation Acoustic Wave Device and Method for Production of Same
US20100289600A1 (en) * 2008-02-18 2010-11-18 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastic wave device and method for manufacturing the same
JP5473784B2 (ja) * 2010-02-26 2014-04-16 京セラ株式会社 弾性表面波装置
US20110227658A1 (en) * 2010-03-16 2011-09-22 Seiko Epson Corporation Resonator element, piezoelectric device, and electronic device
US20120086309A1 (en) * 2010-10-07 2012-04-12 Toru Yamaji Acoustic wave element and electronic device including the same
US20140368298A1 (en) * 2011-01-31 2014-12-18 Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg Ceramic bushing with filter
CN102694526A (zh) * 2011-03-22 2012-09-26 太阳诱电株式会社 电子组件、电子装置以及电子组件的制造方法
CN104052427A (zh) * 2013-03-11 2014-09-17 精工电子水晶科技股份有限公司 压电振动片、压电振动器、振荡器、电子设备及电波钟表
CN103873010A (zh) * 2014-03-17 2014-06-18 电子科技大学 一种压电薄膜体声波谐振器及其制备方法
CN104202010A (zh) * 2014-08-28 2014-12-10 中国工程物理研究院电子工程研究所 一种镂空空腔型薄膜体声波谐振器及其制作方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
HIROYUKI NAKAMURA: "Small-sized SAW Duplexer on Non-flat Si02/AI/LiNb03 Structure for UMTS Band I System", 《2010 IEEE MTT-S INTERNATIONAL MICROWAVE SYMPOSIUM》 *
何世堂: "声表面波气体传感器研究进展", 《应用声学》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110289826A (zh) * 2018-03-19 2019-09-27 株式会社村田制作所 弹性波装置
CN110289826B (zh) * 2018-03-19 2023-04-18 株式会社村田制作所 弹性波装置

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Publication number Publication date
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