CN107195760A - 一种led封装工艺 - Google Patents

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Abstract

一种LED封装工艺，属于LED灯制造技术领域，包括以下步骤：(1)选取银胶和荧光粉，将银胶和荧光粉混合在一起然后进行加热，得到混合液a；(2)向混合液a内加入强化剂，边加热边搅拌，然后进行保温处理，得到混合物b；(3)将混合物b注入模具中成型，成型后取出得到混合物c，然后将混合物c贴在芯片与支架之间，得到半成品LED；(4)将半成品LED放入烘烤箱内进行一次烘烤；(5)将一次烘烤后的半成品LED进行二次烘烤，二次烘烤为高压烘烤，二次烘烤后的半成品LED冷却至常温，得到LED封装成品。本发明具有散热性能好和出光率高的特点，本发明提高LED的稳定性，延长使用寿命；本发明粘接牢固，提高LED出光效率。

Description

一种LED封装工艺
技术领域
本发明属于LED灯制造技术领域，尤其涉及一种LED封装工艺。
背景技术
LED支架是LED灯珠在封装之前的底基座，在LED支架的基础上，将芯片固定进去，焊上正负电极，再用封装胶一次封装成形。目前，封装后的LED灯存在散热性能差，出光率低的问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种散热性能好和出光率高的LED封装工艺。
为解决上述问题，本发明所述的一种LED封装工艺，包括以下步骤：
(1)选取银胶和荧光粉，银胶与荧光粉的比例为1:14～1:24,将银胶和荧光粉混合在一起然后进行加热，加热温度为75～85℃，加热时间为20～25分钟，得到混合液a；
(2)向混合液a内加入强化剂，边加热边搅拌，加热时间为47～57分钟，加热温度为100～105℃，然后进行保温处理，保温时间为30～40分钟，保温温度为90～95℃，得到混合物b；
(3)将混合物b注入模具中成型，成型后取出得到混合物c，然后将混合物c贴在芯片与支架之间，得到半成品LED；
(4)将半成品LED放入烘烤箱内进行一次烘烤，一次烘烤温度为105～110℃，一次烘烤时间为16～19分钟；
(5)将一次烘烤后的半成品LED进行二次烘烤，二次烘烤为高压烘烤，压强为1.7～1.9Mpa，二次烘烤温度为115～120℃，二次烘烤时间为10～12分钟，二次烘烤后的半成品LED冷却至常温，使得混合物c固化，得到LED封装成品。
所述强化剂是由以下重量份的成分制成：镁0.4～0.5、钒0.2～0.3、石墨0.7～0.9和硅酸盐1.3～1.5。
所述强化剂的制备方法是：将镁0.4～0.5、钒0.2～0.3、石墨0.7～0.9和硅酸盐1.3～1.5混合在一起，搅拌均匀，即可制得所述强化剂。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：本发明具有散热性能好和出光率高的特点，本发明提高LED的稳定性，延长使用寿命；本发明粘接牢固，提高LED出光效率。
具体实施方式
实施例1
一种LED封装工艺，包括以下步骤：
(1)选取银胶和荧光粉，银胶与荧光粉的比例为1:14,将银胶和荧光粉混合在一起然后进行加热，加热温度为75℃，加热时间为20分钟，得到混合液a；
(2)向混合液a内加入强化剂，边加热边搅拌，加热时间为47分钟，加热温度为100℃，然后进行保温处理，保温时间为30分钟，保温温度为90℃，得到混合物b；
(3)将混合物b注入模具中成型，成型后取出得到混合物c，然后将混合物c贴在芯片与支架之间，得到半成品LED；
(4)将半成品LED放入烘烤箱内进行一次烘烤，一次烘烤温度为105℃，一次烘烤时间为16分钟；
(5)将一次烘烤后的半成品LED进行二次烘烤，二次烘烤为高压烘烤，压强为1.7Mpa，二次烘烤温度为115℃，二次烘烤时间为10分钟，二次烘烤后的半成品LED冷却至常温，使得混合物c固化，得到LED封装成品。
强化剂是由以下重量份的成分制成：镁0.4、钒0.2、石墨0.7和硅酸盐1.3。
强化剂的制备方法是：将镁0.4、钒0.2、石墨0.7和硅酸盐1.3混合在一起，搅拌均匀，即可制得所述强化剂。
实验证明，此参数下LED灯散热性能较好，出光率较高。
实施例2
一种LED封装工艺，包括以下步骤：
(1)选取银胶和荧光粉，银胶与荧光粉的比例为1:19,将银胶和荧光粉混合在一起然后进行加热，加热温度为80℃，加热时间为22分钟，得到混合液a；
(2)向混合液a内加入强化剂，边加热边搅拌，加热时间为42分钟，加热温度为103℃，然后进行保温处理，保温时间为35分钟，保温温度为93℃，得到混合物b；
(3)将混合物b注入模具中成型，成型后取出得到混合物c，然后将混合物c贴在芯片与支架之间，得到半成品LED；
(4)将半成品LED放入烘烤箱内进行一次烘烤，一次烘烤温度为108℃，一次烘烤时间为17分钟；
(5)将一次烘烤后的半成品LED进行二次烘烤，二次烘烤为高压烘烤，压强为1.8Mpa，二次烘烤温度为118℃，二次烘烤时间为11分钟，二次烘烤后的半成品LED冷却至常温，使得混合物c固化，得到LED封装成品。
强化剂是由以下重量份的成分制成：镁0.4、钒0.3、石墨0.8和硅酸盐1.4。
强化剂的制备方法是：将镁0.4、钒0.3、石墨0.8和硅酸盐1.4混合在一起，搅拌均匀，即可制得所述强化剂。
实验证明，此参数下LED灯散热性能最好，出光率最高。
因此，本实施例为本发明最佳实施例。
实施例3
一种LED封装工艺，包括以下步骤：
(1)选取银胶和荧光粉，银胶与荧光粉的比例为1:24,将银胶和荧光粉混合在一起然后进行加热，加热温度为85℃，加热时间为25分钟，得到混合液a；
(2)向混合液a内加入强化剂，边加热边搅拌，加热时间为57分钟，加热温度为105℃，然后进行保温处理，保温时间为40分钟，保温温度为95℃，得到混合物b；
(3)将混合物b注入模具中成型，成型后取出得到混合物c，然后将混合物c贴在芯片与支架之间，得到半成品LED；
(4)将半成品LED放入烘烤箱内进行一次烘烤，一次烘烤温度为110℃，一次烘烤时间为19分钟；
(5)将一次烘烤后的半成品LED进行二次烘烤，二次烘烤为高压烘烤，压强为1.9Mpa，二次烘烤温度为120℃，二次烘烤时间为12分钟，二次烘烤后的半成品LED冷却至常温，使得混合物c固化，得到LED封装成品。
强化剂是由以下重量份的成分制成：镁0.5、钒0.3、石墨0.9和硅酸盐1.5。
强化剂的制备方法是：将镁0.5、钒0.3、石墨0.9和硅酸盐1.5混合在一起，搅拌均匀，即可制得所述强化剂。
实验证明，此参数下LED灯散热性能最好，出光率较高。

Claims (6)

1.一种LED封装工艺，其特征在于:包括以下步骤：
(1)选取银胶和荧光粉，银胶与荧光粉的比例为1:14～1:24,将银胶和荧光粉混合在一起然后进行加热，加热温度为75～85℃，加热时间为20～25分钟，得到混合液a；
(2)向混合液a内加入强化剂，边加热边搅拌，加热时间为47～57分钟，加热温度为100～105℃，然后进行保温处理，保温时间为30～40分钟，保温温度为90～95℃，得到混合物b；
(3)将混合物b注入模具中成型，成型后取出得到混合物c，然后将混合物c贴在芯片与支架之间，得到半成品LED；
(4)将半成品LED放入烘烤箱内进行一次烘烤，一次烘烤温度为105～110℃，一次烘烤时间为16～19分钟；
(5)将一次烘烤后的半成品LED进行二次烘烤，二次烘烤为高压烘烤，压强为1.7～1.9Mpa，二次烘烤温度为115～120℃，二次烘烤时间为10～12分钟，二次烘烤后的半成品LED冷却至常温，得到LED封装成品。
2.根据权利要求1所述一种LED封装工艺，其特征在于：所述强化剂是由以下重量份的成分制成：镁0.4～0.5、钒0.2～0.3、石墨0.7～0.9和硅酸盐1.3～1.5。
3.一种根据权利要求2所述强化剂的制备方法，其特征在于：所述强化剂的制备方法是：将镁0.4～0.5、钒0.2～0.3、石墨0.7～0.9和硅酸盐1.3～1.5混合在一起，搅拌均匀，即可制得所述强化剂。
4.根据权利要求1所述一种LED封装工艺，其特征在于：包括以下步骤：
(1)选取银胶和荧光粉，银胶与荧光粉的比例为1:14,将银胶和荧光粉混合在一起然后进行加热，加热温度为75℃，加热时间为20分钟，得到混合液a；
(2)向混合液a内加入强化剂，边加热边搅拌，加热时间为47分钟，加热温度为100℃，然后进行保温处理，保温时间为30分钟，保温温度为90℃，得到混合物b；
(3)将混合物b注入模具中成型，成型后取出得到混合物c，然后将混合物c贴在芯片与支架之间，得到半成品LED；
(4)将半成品LED放入烘烤箱内进行一次烘烤，一次烘烤温度为105℃，一次烘烤时间为16分钟；
(5)将一次烘烤后的半成品LED进行二次烘烤，二次烘烤为高压烘烤，压强为1.7Mpa，二次烘烤温度为115℃，二次烘烤时间为10分钟，二次烘烤后的半成品LED冷却至常温，使得混合物c固化，得到LED封装成品。
5.根据权利要求1所述一种LED封装工艺，其特征在于：包括以下步骤：
(1)选取银胶和荧光粉，银胶与荧光粉的比例为1:19,将银胶和荧光粉混合在一起然后进行加热，加热温度为80℃，加热时间为22分钟，得到混合液a；
(2)向混合液a内加入强化剂，边加热边搅拌，加热时间为42分钟，加热温度为103℃，然后进行保温处理，保温时间为35分钟，保温温度为93℃，得到混合物b；
(3)将混合物b注入模具中成型，成型后取出得到混合物c，然后将混合物c贴在芯片与支架之间，得到半成品LED；
(4)将半成品LED放入烘烤箱内进行一次烘烤，一次烘烤温度为108℃，一次烘烤时间为17分钟；
(5)将一次烘烤后的半成品LED进行二次烘烤，二次烘烤为高压烘烤，压强为1.8Mpa，二次烘烤温度为118℃，二次烘烤时间为11分钟，二次烘烤后的半成品LED冷却至常温，使得混合物c固化，得到LED封装成品。
6.根据权利要求1所述一种LED封装工艺，其特征在于：包括以下步骤：
(1)选取银胶和荧光粉，银胶与荧光粉的比例为1:24,将银胶和荧光粉混合在一起然后进行加热，加热温度为85℃，加热时间为25分钟，得到混合液a；
(2)向混合液a内加入强化剂，边加热边搅拌，加热时间为57分钟，加热温度为105℃，然后进行保温处理，保温时间为40分钟，保温温度为95℃，得到混合物b；
(3)将混合物b注入模具中成型，成型后取出得到混合物c，然后将混合物c贴在芯片与支架之间，得到半成品LED；
(4)将半成品LED放入烘烤箱内进行一次烘烤，一次烘烤温度为110℃，一次烘烤时间为19分钟；
(5)将一次烘烤后的半成品LED进行二次烘烤，二次烘烤为高压烘烤，压强为1.9Mpa，二次烘烤温度为120℃，二次烘烤时间为12分钟，二次烘烤后的半成品LED冷却至常温，使得混合物c固化，得到LED封装成品。
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