CN107180646B - 磁盘装置和头位置的校正方法 - Google Patents

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Abstract

本实施方式涉及磁盘装置和头位置的校正方法，磁盘装置具有：具备包括多个伺服扇区的磁道的盘；对盘执行数据的写入处理和读取处理的头；以及控制器，其从磁道的磁道中心取得针对第1方向的可重复性偏摆的第1校正数据和与第1校正数据不同的针对可重复性偏摆的第2校正数据，在从磁道中心朝向第1方向设定的第1允许范围内，向多个伺服扇区中的第1伺服扇区写入第1校正数据，在包含第1允许范围和第2允许范围的写入允许范围内，向与第1伺服扇区不同的第2伺服扇区写入第2校正数据，第2允许范围是从磁道中心朝向与第1方向相反侧的第2方向设定的允许范围，读取第1校正数据和第2校正数据的至少一方，将头的位置校正成位于写入允许范围内。

Description

磁盘装置和头位置的校正方法
技术领域
本实施方式涉及磁盘装置和头位置的校正方法。
背景技术
在磁盘装置中，向盘写入用于将磁头(以下简称为头)定位到磁盘(以下简称为盘)上的目标位置的伺服数据。伺服数据被写入到沿圆周方向按预定间隔离散地配置在盘上的伺服区域。为了基于伺服数据高精度地将头定位到目标位置，期望的是，写入有伺服数据的磁道(track)的磁道中心的形状为理想的正圆。
但是，盘上的磁道的磁道中心的形状通常发生变形而偏离正圆。其原因以使盘旋转的主轴马达的旋转轴的抖动、即与盘的旋转同步的抖动为代表。在磁道的磁道中心的形状发生变形的情况下，伺服数据将会包含因该变形引起的误差、即因与盘的旋转同步的抖动、所谓的可重复性偏摆(RRO：repeatable runout)引起的误差。
磁盘装置在预定的磁道的磁道中心执行RRO学习，取得RRO校正数据，将取得的RRO校正数据写入预定的磁道的磁道中心。在向预定的磁道写入RRO校正数据时，磁盘装置在写入伺服数据后，将用于校正因RRO引起的误差的RRO校正数据接着伺服数据而写入。
磁盘装置在将头定位到预定的磁道时，读取已写入的RRO校正数据，使用根据读取到的RRO校正数据取得的RRO校正量来校正头位置。
磁盘装置在即使在从磁道中心离开了预定距离的位置(以下称为偏移位置)也能够再现在磁道中心通过RRO学习而取得的RRO校正量的情况下，使用取得的RRO校正量来校正头位置。在该情况下，有时与本来应该校正的RRO校正量不同，因而在偏移位置，伺服定位误差(Repeatable Position Error:RPE，可重复性位置误差)有可能会变大。因此，磁盘装置有可能会在偏移位置不能像磁道中心那样执行适当的RRO校正。
当在偏移位置处RPE较大的情况下，头跳出允许写入数据的范围的概率变高。其结果是，由于重试引起的旋转等待，写入性能下降。另外，由于有可能将相邻的数据清除，因而难以减小数据磁道间距。
发明内容
本实施方式提供能够改善头被偏移配置的情况下的RPE的磁盘装置和头位置的校正方法。
本实施方式的磁盘装置具有：盘，其具备包括多个伺服扇区的磁道；头，其对所述盘执行数据的写入处理和读取处理；以及控制器，其从所述磁道的磁道中心取得针对第1方向的可重复性偏摆的第1校正数据和与所述第1校正数据不同的针对可重复性偏摆的第2校正数据，在从所述磁道中心朝向所述第1方向设定的第1允许范围内，向所述多个伺服扇区中的第1伺服扇区写入所述第1校正数据，在包含所述第1允许范围和第2允许范围的写入允许范围内，向与所述第1伺服扇区不同的第2伺服扇区写入所述第2校正数据，所述第2允许范围是从所述磁道中心朝向与所述第1方向相反侧的第2方向设定的允许范围，读取所述第1校正数据和所述第2校正数据的至少一方，将所述头的位置校正成位于所述写入允许范围内。
附图说明
图1是示出第1实施方式涉及的磁盘装置的结构的框图，
图2是示出盘的一例的示意图，
图3是示出预定的磁道的RRO校正量的一例的概念图，
图4是示出允许范围内的RRObit的配置的一例的图，
图5是示出第1实施方式的RRObit的配置的一例的图，
图6是示出第1实施方式的RRO校正处理发生变化的头位置范围的一例的示意图，
图7是示出可读取全部伺服区域的RRO校正数据的情况下的头的定位位置与RRO校正量之间的关系的一例的图，
图8是示出第1实施方式的头位置的校正处理的一例的流程图，
图9是示出第2实施方式的RRObit的配置的一例的图，
图10是示出第2实施方式的RRObit的配置的一例的图，
图11是示出预定的偏移位置的RRO校正量的测定值与预测值的差值的平方和的一例的图，
图12是示出向最优的偏移位置写入了RRO校正数据的情况下的头的定位位置与RRO校正量之间的关系的一例的图，
图13是示出第2实施方式的与RRObit的结构相关的RPE的分布的一例的图。
具体实施方式
以下，参照附图来说明实施方式。
(第1实施方式)
图1是示出第1实施方式涉及的磁盘装置1的结构的框图。
磁盘装置1具有后述的头盘组件(head-disk assembly：HDA)、驱动器IC20、头放大器集成电路(以下记作头放大器IC)30、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓冲存储器(缓冲器)90和由单芯片的集成电路构成的系统控制器130。另外，磁盘装置1与主机系统(主机)100连接。
HDA具有磁盘(以下称为盘)10、主轴马达(SPM)12、搭载有头15的臂13、以及音圈马达(VCM)14。盘10通过主轴马达12进行旋转。臂13和VCM14构成致动器。致动器通过VCM14的驱动，将搭载于臂13的头15移动控制到盘10上的预定的位置。盘10和头15也可以设置两个以上的数量。
盘10对数据区域分配可由用户利用的记录区域10a和写入系统管理所需的信息的系统区域10b。
图2是示出盘10的一例的示意图。
盘10例如具有同心圆状的多个磁道TG。此外，盘10也可以具有1条螺旋状的磁道。盘10还具有多个伺服区域Sv0、Sv1、SV2、Sv3、Sv4、SV5、Sv6、…、Sv2k和SV2k+1…。此处，将赋予各伺服区域的编号、例如Sv0的0、…、Sv2k的2k和Sv2k+1的2k+1称为伺服编号。多个伺服区域Sv0～Sv2k+1沿盘10的半径方向(以下简称为半径方向)形成为放射状，沿盘10的圆周方向(以下简称为周向)按相等间隔离散地配置。另外，有时也将伺服区域称为伺服帧(servo frame)。
盘10在多个伺服区域Sv0～SV2k+1各自之间具有用户数据区域UD0、UD1、UD2、UD3、UD4、UD5、UD6、…、UD2k和UD2k+1…。另外，有时也将伺服区域、例如伺服区域Sv2k+1和相邻的该伺服区域的用户数据区域、例如UD2k+1合称为伺服扇区。
在图2中，针对预定的磁道Tn，示出了作为目标的磁道中心(目标中心)TTn和定位到目标中心的情况下的头15的实际轨迹ATn。目标中心是在预定的磁道中使头15进行跟随时的理想的正圆磁道。在图2中，各磁道的实线的配置为同心圆状的多条实线分别表示各磁道的目标中心，表示为折线状的多条虚线分别表示在各磁道定位到目标中心的情况下的头15的实际轨迹。
多个伺服区域Sv0～Sv2k+1分别被写入伺服数据和RRO校正数据。伺服数据包含伺服标记、地址数据和突发(burst，脉冲串)数据。伺服标记由用于识别对应的伺服扇区的特定代码(模式信号，pattern signal)构成。地址数据由多个磁道TG内的对应的磁道的地址、即柱面地址和该磁道内的对应的伺服扇区的地址、即伺服扇区地址构成。
突发数据是用于检测头15从多个磁道TG内的对应的磁道的目标中心起的位置偏离(位置误差)的数据(相对位置数据)，由预定周期的重复模式(pattern，图形)构成。
突发数据横跨对外相邻的磁道而被锯齿状地写入。突发数据包含写入伺服数据时的、因与盘10的旋转同步的抖动(Repeatable Run Out:RRO，可重复性偏摆)产生的磁道从正圆的变形而引起的误差。
为了校正这样的RRO引起的误差，多个伺服区域Sv0～Sv2k+1分别被写入构成RRO校正数据的模式(以下简称为RRO校正数据)。RRO校正数据是伺服数据的一种附加数据。RRO校正数据用于校正伺服数据(更具体而言，伺服数据中的伺服突发数据)的RRO引起的误差、即用于校正磁道从正圆的变形。有时也将该变形校正称为正圆校正。
RRO校正数据包含对RRO前导模式(preamble pattern)、同步模式和校正量进行编码而得到的数字数据(以下称为RRO校正码RROCode)。RRO前导模式和同步模式用于检测对写入到后续区域的校正量进行编码而得到的数字数据的读取开始时机(timing)。此时，RRO校正编码RROCode构成RRO校正数据的主要部分。有时也将记录有这样的RRO校正数据的区域称为RRObit或PostCode。
头15以滑块(slider)为主体，具有安装于该滑块的写入头15W和读取头15R。读取头15R读取盘10上的数据磁道所记录的数据。写入头15W向盘10上写入数据。
驱动器IC20按照系统控制器130(具体而言，后述的MPU60)的控制来控制SPM12和VCM14的驱动。
头放大器IC30具有读取放大器和写入驱动器。读取放大器将由读取头15R读出的读取信号进行放大并传输给读/写(R/W)通道40。写入驱动器将与从R/W通道40输出的写入数据对应的写入电流传输到写入头15W。
易失性存储器70是若电力供给断开则所保存的数据消失的半导体存储器。易失性存储器70保存磁盘装置1的各部中的处理所需的数据等。易失性存储器70例如为SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory：同步动态随机存取存储器)。
非易失性存储器80是即使电力供给断开也会保持所保存的数据的半导体存储器。非易失性存储器80例如为闪速ROM(Flash Read Only Memory:FROM，闪速只读存储器)。
缓冲存储器90是对在盘10与主机系统100之间收发的数据等进行暂时保持的半导体存储器。此外，缓冲存储器90也可以与易失性存储器70配置为一体。缓冲存储器90例如为DRAM(Dynamic Random Access Memory：动态随机存取存储器)、SRAM(Static RandomAccess Memory：静态随机存取存储器)、SDRAM、FeRAM(Ferroelectric Random Accessmemory：铁电随机存取存储器)和MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory：磁阻随机存取存储器)等。
系统控制器(控制器)130例如使用将多个元件集成到单个芯片的被称为System-on-a-Chip(SoC，片上系统)的大规模集成电路(LSI)来实现。系统控制器130包含读/写(R/W)通道40、硬盘控制器(HDC)50和微处理器(MPU)60。
R/W通道40执行读取数据和写入数据的信号处理。R/W通道40具有测定读取数据的信号质量的电路或功能。
HDC50根据来自MPU60的指示，控制主机系统100与R/W通道40之间的数据传送。
MPU60是控制磁盘装置1的各部的主控制器。MPU60经由驱动器IC20控制VCM14，执行进行头15的定位的伺服控制。另外，MPU60控制向盘10写入数据的写入工作。
MPU60包含读写控制部61、RRO学习部62、RRO记录部63和位置校正部64。此外，MPU60在固件上执行该各部的处理。
读写控制部61按照指令，控制数据的读取/写入。
RRO学习部62将读取头15R定位到盘10的预定的目标位置，测定目标位置与从读取到的伺服数据解调出的头15(读取头15R)的位置之差(RRO校正量)，根据该测定结果来算出RRO校正数据(称为RRO学习)。此处，目标位置是盘10的半径方向的预定位置的正圆的轨道。另外，RRO学习部62也能够在预定的目标位置取得对RRO校正量进行了测定而得到的周向的位置信息等。RRO学习部62可以对盘10的几个半径方向的位置执行RRO学习，也可以对盘10的半径方向的全部位置执行RRO学习。以下，有时也将执行了RRO学习的预定的目标位置称为学习位置。
以下，有时也将头15的宽度的中心位置简称为头15，将写入头15W的宽度的中心位置简称为写入头15W，将读取头15R的宽度的中心位置简称为读取头15R。
图3是示出预定的磁道Tn的RRO校正量的一例的概念图。以下，为了便于说明，作为一例，对磁道Tn进行说明。将从预定的磁道的目标中心朝向半径方向的预定距离称为偏移量x，将预定的偏移量的位置称为偏移位置。此外，如图2所示，磁道为曲线，但为了便于图示，以直线示出。
图3示出了磁道中心(x＝0)(目标中心)、从目标中心起的半径方向的外周侧(以下简称为外周侧)的偏移位置x＝x_out、和从目标中心起的半径方向的内周侧(以下简称为内周侧)的预定的偏移位置x＝x_in。设偏移位置x＝x_out处的目标位置为TTOn，设偏移位置x＝x_in处的目标位置为TTIn。
另外，图3示出了偏移位置x＝0处的RRO引起的头15的实际轨迹ATn、偏移位置x＝x_out处的RRO引起的头15的实际轨迹ATOn和偏移位置x＝x_in处的RRO引起的头15的实际轨迹ATIn。
在图3中，由RRO校正量RCC表示头15的实际轨迹ATn相对于目标中心TTn之差，由RRO校正量RCI表示头15的实际轨迹ATIn相对于目标位置TTIn之差，由RRO校正量RCO表示的头15的实际轨迹ATOn相对于目标位置TTOn之差。
例如，RRO学习部62定位到目标中心TTn，读取伺服数据，根据头15的实际轨迹ATn相对于目标中心TTn的差分来取得RRO校正量RCC。
RRO学习部62定位到从目标中心朝外周侧偏离预定距离的目标位置TTOn，读取伺服数据，根据头15的实际轨迹ATOn相对于目标位置TTOn的差分来取得RRO校正量RCO。
与外周侧的目标位置TTOn同样地，RRO学习部62定位到朝内周侧偏离预定距离的目标位置TTIn，读取伺服数据，根据头15的实际轨迹ATIn相对于目标位置TTIn的差分来取得RRO校正量RCI。
RRO学习部62根据取得的RRO校正量RCC、RCO和RCI，分别算出RRO校正数据。RRO学习部62也可以将通过RRO学习取得的测定结果、例如RRO校正数据保存到存储器、例如易失性存储器70等。
RRO记录部63将头15(写入头15W)定位到预定的位置、例如学习位置，写入通过RRO学习取得的RRO校正数据。此时，在按预定的磁道间距、使学习位置与写入头位置一致来对盘10的各磁道进行了写入的情况下，实际写入到盘10的RRO校正数据的可读取宽度(以下称为再现宽度)的中心位置有可能会与学习位置发生偏离。在该情况下，RRO记录部63也能够预先检测RRO校正数据的再现宽度的中心位置与学习位置的偏差，参照检测出的偏差等，在写入RRO校正数据时，使写入头15W的定位位置从学习位置偏离。
RRO记录部63向各伺服区域写入至少1个RRO校正数据。例如RRO记录部63在磁盘装置1的试验阶段或制造阶段执行RRO校正数据的写入处理。
RRO记录部63能够调整RRO校正数据的可读取宽度(以下称为再现宽度)。RRO记录部63例如能够根据RRO校正数据的配置间隔和写入条件(例如写入电流和/或写入上浮)等来增减再现宽度。另外，再现宽度也可以根据写入头的宽度和读取头的宽度等设计的条件来进行增减。
RRO记录部63写入RRO校正数据，使得RRO校正数据的再现宽度的中心位置(以下简称为RRO校正数据)在各磁道被配置在从允许写入数据的目标中心朝向半径方向设定的预定范围(以下称为允许范围)内。以下，有时也将写入进了伺服区域的RRO校正数据称为RRObit。
在本实施方式中，RRO记录部63写入RRO校正数据，使得在从目标中心到外周侧或内周侧的允许范围的上限值(drift of*Level：DOL)(以下简称为上限值)DOL为止的范围内能够由头15(读取头15R)进行读取。另外，RRO校正数据(RRObit)存在写入用和读取用，但以写入用的RRO校正数据(RRObit)来进行说明。
图4是示出允许范围内的RRObit的配置的一例的图。以下，设外周侧的上限值的位置为x＝-DOL，设内周侧的上限值为x＝DOL。在该情况下，允许范围为-DOL≤x≤DOL。此外，设外周侧的上限值的位置为负方向的位置(x＝-DOL)，设内周侧的上限值的位置为正方向的位置(x＝DOL)，但也可以设外周侧的上限值为正方向的位置(x＝DOL)，设内周侧的上限值的位置为负值(x＝-DOL)。
在图4中，RRObit_Ex1、RRObit_Ex2、RRObit_Ex3和RRObi_Ex4分别被写入到磁道Tn的允许范围内的预定的偏移量ofst1、ofst2、ofst3和ofst4的位置。RRObit_Ex1的中心CpE1配置在目标中心TTn(x＝ofst1＝0)。RRObit_EX2的中心CpE2配置在朝向外周侧的预定偏移量(-DOL<x＝Ofst2<0)的位置x＝x2。RRObit_EX3的中心CpE3配置在朝向内周侧偏移预定偏移量(0<x＝ofst3<DOL)的位置x＝x1。RRObit_EX4的中心CpE4配置在内周侧的上限值(x＝ofst4＝DOL)的位置x＝DOL。
另外，作为一例，如图4的RRObit_Ex1所示，以RRObit的再现宽度RRO_Rw表示来。在图4中，RRObit_Ex1～Ex4的半径方向的宽度分别表示再现宽度RRO_Rw。
此外，在图4中，为了便于图示，仅简单示出了伺服区域内的RRObit，但实际上还写入有上述的伺服标记、地址数据、突发数据和用户数据等。
例如，如图4所示，RRO记录部63将头15定位到偏移位置x＝ofst1＝0(目标中心)，将在偏移位置x＝ofst1通过RRO学习取得的RRO校正数据作为RRObit_Ex1，写入到定位了头15的偏移位置x＝ofst0。
与RRObit_Ex1同样地，RRO记录部63将头15分别定位到偏移位置x＝ofst2、x＝ofst3和x＝ofst4，将在偏移位置x＝ofst2、ofst3和ofst4分别通过RRO学习取得的RRO校正数据作为RRObit_Ex2、RRObit_Ex3和RObit_Ex4，分别写入到定位了头15的偏移位置x＝ofst2、ofst3和odft4。
此外，在图4中，在写入时RRO校正数据(RRObit_Ex1、RRObit_EX2、RRObit_Ex3和RRObit_Ex4)的再现宽度的中心位置有时会偏离作为学习位置的预定的偏移位置x。在该情况下，RRO记录部63也能够以使RRO校正数据(RRObit_Ex1、RRObit_EX2、RRObit_Ex3和RRObit_Ex4)的再现宽度的中心位置与学习位置一致的方式，使写入头位置偏离预定的偏移位置x来写入RRO校正数据。
图5是示出本实施方式的RRObit的配置的一例的图。
在图5中，对于伺服编号为偶数的伺服区域(以下简称为偶数伺服区域)，将RRObit配置在内周侧的偏移位置x＝x1，对于伺服编号为奇数的伺服区域(以下简称为奇数伺服区域)，将RRObit配置在外周侧的偏移位置x＝x2。在图5中，作为偶数伺服区域的一例，示出了伺服区域Sv2k和伺服区域Sv2k+2，作为奇数伺服区域的一例，示出了伺服区域Sv2k+1和伺服区域Sv2k+3。
对图5所示的偶数伺服区域的一例进行说明。伺服区域Sv2k包含RRObit01，伺服区域Sv2k+2包含RRObit21。
RRObit01包含与当前的伺服编号对应的伺服区域(以下简称为当前的伺服区域)SV2k的下一伺服编号所对应的伺服区域(以下简称为下一伺服区域)Sv2k+1的RRO校正数据RCD01和伺服区域Sv2k+1的下一伺服区域Sv2k+2的RRO校正数据RCD02。RRO校正数据RCD01的中心Cp01和RRO校正数据RCD02的中心Cp02分别配置在内周侧的预定的偏移位置x＝x1(0<x＝x1<DOL)。
RRObit21包含当前的伺服区域Sv2k+2的下一伺服区域v2k+3的RRO校正数据RCD21和伺服区域Sv2k+3的下一伺服区域Sv2k+4的RRO校正数据RCD22。RRO校正数据RCD21的中心Cp21和RRO校正数据RCD22的中心Cp22分别配置在内周侧的预定的偏移位置x＝x1(0<x＝x1<DOL)。
对图5所示的奇数伺服区域的一例进行说明。伺服区域Sv2k+1包含RRObit12，伺服区域Sv2k+3包含RRObit32。
RRObit12包含当前的伺服区域Sv2k+1的下一伺服区域Sv2k+2的RRO校正数据RCD11和伺服区域Sv2k+2的下一伺服区域Sv2k+3的RRO校正数据RCD12。RRO校正数据RCD11的中心Cp11和RRO校正数据RCD12的中心Cp12分别配置在外周侧的预定的偏移位置x＝x2(-DOL<x＝x2<0)。
RRObit32包含当前的伺服区域Sv2k+3的下一伺服区域Sv2k+4的RRO校正数据RCD31和伺服区域Sv2k+4的下一伺服区域Sv2k+5的RRO校正数据RCD32。校正数据RCD31的中心Cp31和校正数据RCD32的中心Cp32分别配置在外周侧的预定的偏移位置x＝x2(-DOL<x＝x2<0))。
RRO记录部63在沿周向与包含当前的伺服区域的伺服扇区(以下简称为当前的伺服扇区)相邻的伺服扇区的伺服区域中，向与当前的伺服区域的RRObit的偏移位置不同的偏移位置写入RRObit。RRO记录部63可以向预先设定的偏移位置写入RRObit，也可以按照指令向任意指定的偏移位置写入RRObit。
例如，RRO记录部63以目标中心为基轴，跨多个伺服区域锯齿状地写入RRObit。
如图5所示，RRO记录部63在偶数伺服区域Sv2k的偏移位置x＝x1写入RRObit01，在偶数Sv伺服区域2k+2的偏移位置x＝x1写入RRObit21。进而，RRO记录部63例如在奇数伺服区域Sv2k+1的偏移位置x＝x2写入RRObit12，在奇数伺服区域Sv2k+3的偏移位置x＝x2写入RRObit32。此处，x1与x2可以是相同值，x1与x2也可以是不同值。
RRO记录部63在1个预定的伺服区域写入包含该伺服区域的伺服扇区的下一伺服扇区中包含的伺服区域(以下简称为下一伺服区域)的相同偏移位置的RRO校正数据和该伺服区域的再下一伺服区域的相同偏移位置的RRO校正数据。
例如，RRO记录部63在偶数伺服区域Sv2k的偏移位置x＝x1写入下一伺服区域Sv2k+1的相同偏移位置x＝x1的RRO校正数据RCD01和再下一伺服区域Sv2k+2的相同偏移位置x＝x1的RRO校正数据RCD02。
RRO记录部63例如在偶数伺服区域Sv2k+2的偏移位置x＝x1写入下一伺服区域Sv2k+3的相同偏移位置x＝x1的RRO校正数据RCD21和再下一伺服区域Sv2k+4的相同偏移位置x＝x1的RRO校正数据RCD22。
与偶数伺服区域同样地，在奇数伺服区域，RRO记录部63也在奇数伺服区域Sv2k+1的偏移位置x＝x2写入RRO校正数据RCD11、RRO校正数据RCD12，在奇数伺服区域SV2k+3的偏移位置x＝x2写入RRO校正数据RCD31和RRO校正数据32。
此外，RRO记录部63也可以不是写入两个RRO校正数据，而在1个伺服区域写入3个以上的RRO校正数据。另外，RRO记录部63也可以在1个伺服区域写入不同偏移位置的两个以上的RRO校正数据。
RRO记录部63在从目标中心到外周侧或内周侧的上限值DOL为止的范围内(0≤|x|≤DOL)，以能够由头15读取的方式写入RRObit。在该情况下，RRObit的偏移量x设定在
DOL-RRO_Rw/2≤|x|≤RRO_Rw/2 (1)
的范围内。此处，为了在从目标中心到外周侧或内周侧的上限值DOL为止的范围内能够由头15读取，再现宽度RRO_Rw满足下式。
RRO_Rw>DOL (2)
例如，在图5中，RRO记录部63将偶数伺服区域的RRObit的偏移量x1设定在
DOL–RRO_Rw/2≤x1≤RRO_Rw/2 (3)
的范围内，将奇数伺服区域的RRObit的偏移量x2设定在
-RRO_Rw/2≤x2≤-DOL+RRO_Rw/2 (4)
的范围内。
另外，在所设定的RRObit的偏移量的范围内，在能够将RRObit写入到允许范围的上限值DOL的位置或允许范围的上限值DOL的位置附近的情况下，将RRObit配置在允许范围的上限值DOL的附近，由此能够适当地降低RPE。
在所设定的RRObit的偏移量的范围内，在能够在允许范围的上限值DOL的位置或附近写入RRObit的情况下，RRO记录部63也可以在允许范围的上限值DOL的位置或上限值DOL的位置附近写入RRObit。
例如，RRO记录部63在偶数伺服区域的偏移位置x1＝DOL和奇数伺服区域的偏移位置x2＝-DOL写入RRObit。
在RRObit的再现宽度RRO_Rw为DOL<RRO_Rw<2DOL的情况下，若在偏移位置|x|＝DOL写入RRObit，则不能在目标中心读取RRObit。在该情况下，RRO记录部63在偶数伺服区域的偏移位置x1＝RRO_Rw/2和奇数伺服区域的偏移位置x2＝-RRO_Rw/2写入RRObit。
位置校正部64从RRObit读取RRO校正数据，根据读取到的RRO校正数据算出RRO校正量，参照RRO校正量和/或读取到的RRObit的偏移位置来校正头15的位置(以下简称为头位置)。
图6是示出本实施方式的RRO校正处理发生变化的头位置范围的一例的示意图。图6与图5大致相同，但将允许范围分为多个区域。在图6中，对与图5相同的部分标注相同的参照标号，省略其详细说明。
在图6中，允许范围(-DOL≤x≤DOL)被划分为区域Reg1、区域Reg2和区域Reg3这3个区域。此处，区域Reg1为如下范围：
x2+RRO_Rw/2＜x≤DOL (5)
区域Reg2为如下范围：
-DOL＜x≤x1–RRO_Rw/2 (6)
区域Reg3为如下范围：
x1–RRO_Rw/2≤x≤x2+RRO_Rw/2 (7)
在将头15定位到区域Reg1的范围内的情况下，位置校正部64读取在偶数伺服区域的偏移位置x＝x1写入的RRObit、例如RRObit01和RRObit21。在该情况下，位置校正部64参照根据在偶数伺服区域的偏移位置x＝x1写入的RRO校正数据取得的RRO校正量和偏移位置x＝x1，将头位置校正成位于允许范围内、例如目标中心。
在将头15定位到区域Reg2的范围内的情况下，位置校正部64读取在奇数伺服区域的偏移位置x＝x2写入的RRObit、例如RRObit12和RRObit32。在该情况下，位置校正部64参照根据在奇数伺服区域的偏移位置x＝x2写入的RRO校正数据取得的RRO校正量和偏移位置x＝x2，将头位置校正成位于允许范围内、例如目标中心。
在将头15定位到区域Reg3的范围内的情况下，位置校正部64读取在偶数伺服区域的偏移位置x＝x1写入的RRObi和在奇数伺服区域的偏移位置x＝x2写入的RRObit的全部RRObit。在该情况下，位置校正部64参照根据在偶数伺服区域的偏移位置x＝x1写入的RRO校正数据取得的RRO校正量、偏移量x1、根据在奇数伺服区域的偏移位置x＝x2写入的RRO校正数据取得的RRO校正量、和偏移量x2，将头位置校正成位于允许范围内、例如目标中心。
图7是示出能够读取全部伺服区域的RRO校正数据的情况下的头15的定位位置与RRO校正量之间的关系的一例的图。在图7中，纵轴表示RRO校正量，横轴表示偏移位置。例如，图7示出了将读取头15R定位到图6的Reg3的情况。
在图7中，P71是在到内周侧的上限值DOL为止的范围内的预定的偏移位置写入的RRO校正数据(第一RRO校正数据)，P72是在到外周侧的上限值DOL为止的范围内的预定的偏移位置写入的RRO校正数据(第二RRO校正数据)，L71表示在盘10的半径方向的各目标位置测定出的半径方向的RRO校正量的变化(以下称为测定值分布)，L72表示根据第一RRO校正数据P71和第二RRO校正数据P72计算出的半径方向的RRO校正量的变化(以下称为预测值分布)。在图7中，在第一RRO校正数据的偏移位置和第二RRO校正数据的偏移位置的范围内，预测值分布与测定值分布大致相同。
位置校正部64根据第一RRO校正数据和第二RRO校正数据算出预测值分布，参照该预测值分布和头15的定位位置，算出头15的定位位置的RRO校正量。位置校正部64参照计算出的头15的定位位置的RRO校正量、和读取到的第一RRO校正数据的偏移位置或第二RRO校正数据的偏移位置来校正头位置。此时，在设头15的定位位置为hp时，在从外周侧的上限值到内周侧的上限值为止的范围内
x1–RRO_Rw/2≤hp≤x2+RRO_Rw/2 (8)
定位了头15的情况下，头位置的校正量通过
RROh(hp)＝(RRO2–RRO1)/(x2–x1)×(hp–x1)+RRO1 (9)
或
RRh(hp)＝(RRO2-RRO1)/(x2–x1)×(hp–x2)+RRO2 (10)
来求出。
图8是示出本实施方式的头位置的校正处理的一例的流程图。
MPU60取得头位置(B801)，判定是否读取出了当前的伺服扇区的RRObit(B802)。在读取出了当前的伺服扇区的RRObit的情况下(B802的OK)，MPU60取得当前的伺服区域的RRO校正数据(以下称为当前的RRO校正数据)(B803)，判定是否读取出了当前的伺服扇区的前一伺服扇区(以下简称为前一伺服扇区)的RRObit(B804)。
在读取出了前一伺服扇区的RRObit的情况下(B804的OK)，MPU60取得前一伺服扇区的RRO校正数据(以下称为前一RRO校正数据)(B805)。
MPU60参照当前的RRO校正数据和前一RRO校正数据，算出与已定位的当前的头位置对应的RRO校正量(B806)。此时，MPU60判断头位置是否在式(8)的范围内，并使用式(9)或式(10)来算出RRO校正量。
在未读取出前一伺服扇区的RRObit的情况下(B804的否)，MPU60根据当前的RRO校正数据取得RRO校正量(B807)。
当在B802中未读取出当前的伺服扇区的RRObit的情况下(B802的否)，MPU60判定是否读取出了前一伺服扇区的RRObit(B808)。
在读取出了前一伺服扇区的RRObit的情况下(B808的OK)，MPU60取得前一RRO校正数据(B809)，根据前一RRO校正数据取得RRO校正量(B810)。
在未读取出前一伺服扇区的RRObit的情况下(B808的否)，MPU60将RRO校正量设为无(＝0)(B811)。
MPU60使用取得的RRO校正量和读取到的RRObit的偏移位置来校正头位置(B812)，结束处理。此时，例如MPU60将头位置校正成位于允许范围内、例如目标中心。
根据本实施方式，磁盘装置1在盘10的各磁道的多个伺服区域中，在外周侧的预定的偏移位置和内周侧的预定的偏移位置具有RRO校正数据。RRO校正数据的偏移位置在到外周侧的上限值为止的范围或到内周侧的上限值为止的范围被设定在能够读取的范围内。多个RRO校正数据在多个伺服区域中，被交替地配置在外周侧的偏移位置和内周侧的偏移位置。即，多个RRO校正数据分别被写入到与相邻的伺服扇区的伺服区域的偏移位置不同的偏移位置。
磁盘装置1根据头15相对于预定磁道的定位位置来读取适当的RRO校正数据，取得RRO校正量。磁盘装置1使用取得的RRO校正量和读取到的RRO校正数据的偏移位置，将头位置校正成位于允许范围内。其结果是，磁盘装置1能够改善头15被偏移定位的情况下的定位质量中的RPE。
另外，由于在与周向上相邻的伺服扇区的伺服区域的偏移位置不同的偏移位置写入RRO校正数据，因此磁盘装置1在读取RRO校正数据时，能够抑制来自配置在半径方向上相邻的磁道的RRO校正数据的干涉。
接下来，对其它实施方式的磁盘装置和头位置的校正方法进行说明。在其它实施方式中，对于与上述实施方式相同的部分标注相同的参照标号，省略其详细说明。
(第2实施方式)
第2实施方式的磁盘装置1与第1实施方式的不同之处在于，在允许范围内，以能够由头15读取的方式写入RRO校正数据。
图9是示出本实施方式的RRObit的配置的一例的图。图9与图5大致相同，但各RRObit的再现宽度不同。在图9中，对与图5相同的部分标注相同的参照标号，省略其详细说明。
RRO记录部63在允许范围(-DOL≤x≤DOL)内，以能够由头15读取的方式写入RRObit。在该情况下，RRObit的偏移量x被设定在
0≤|x|≤RRO_Rw/2–DOL (11)
的范围内。此处，为了在允许范围内能够由头15读取RRObit，再现宽度RRO_Rw满足下式。
RRO_Rw>2DOL (12)
例如，在图9中，RRO记录部63将偶数伺服区域的RRObit的偏移量x1设定在
0≤x1≤RRO_Rw/2-DOL (13)的范围内，将奇数伺服区域的RRObit的偏移量x2将设定在
-RRO_Rw/2+DOL≤x2≤0 (14)
的范围内。
图10是示出本实施方式的RRObit的配置的一例的图。图10与图5大致相同，但各RRObit的再现宽度和RRO校正数据的偏移位置不同。在图10中，偶数伺服区域的RRObit被写入到偏移位置x＝x1＝DOL，奇数伺服区域的RRObit被写入到偏移位置x＝x2＝-DOL。
在所设定的RRObit的偏移量的范围内，在能够在允许范围的上限值DOL的位置或附近写入RRObit的情况下，RRO记录部63为了适当地降低RPE，也可以在允许范围的上限值DOL的位置或上限值DOL的位置附近写入RRObit。
例如，如图10所示，RRO记录部63在偶数伺服区域的偏移位置x1＝DOL和奇数伺服区域的偏移位置x2＝-DOL写入RRObit。
在该情况下，RRO记录部63也能够取得允许范围的上限值DOL的位置附近的最优的偏移位置，在取得的最优的偏移位置写入RRObit。
例如，RRO记录部63算出测定值分布与预测值分布的各偏移位置的值的差值(以下称为校正误差分布)，取得校正误差分布的各偏移位置的值的平方和(以下称为评价值)最小的偏移位置来作为最优的偏移位置。
此处，设头位置为hp，设RRO校正量的测定值分布的预定的偏移位置的测定值为RRO(hp)，设RRO校正量的预测值分布的预定的偏移位置的预测值为RROh(hp)。此时，RRO校正量的测定值RRO(hp)与预测值RROh(hp)的差值dRRO(hp)为
dRRO(hp)＝RRO(hp)–RROh(hp) (15)。
允许范围内的差值dRRO(hp)的平方和(评价值)SS为
SS＝ΣdRRO(hp)：-DOL≤hp≤DOL (16)。
RRO记录部63根据允许写入的范围、式(16)的范围的差值dRRO(hp)算出平方和(评价值)SS。RRO记录部63在满足配置RRObit的偏移量x1的范围和配置RRObit的偏移量x2的范围、且评价值SS最小的偏移位置写入RRObit。
图11是示出预定的偏移位置x＝x1的RRO校正量的测定值RRO(hp)与预测值RROh(hp)的差值dRRO(hp)的平方和(评价值)SS的一例的图。在图11中，评价值SS在偏移位置BST_x1处最小。在图11所示的情况下，设为配置在内周侧的RRObit的偏移位置与配置在外周侧的RRObit的偏移位置相同。
RRO记录部63根据允许写入的范围、例如式(16)的范围来算出评价值SS。RRO记录部63在预定的多个伺服区域、例如偶数伺服区域中，在计算出的评价值SS为最小值的偏移位置x1＝BST_x1写入RRObit。此处，配置在外周侧的RRObit的偏移量与配置在内周侧的RRObit的偏移量BST_x1相同。因此，RRO记录部63在预定的多个伺服区域、例如奇数伺服区域中，在偏移位置x2＝-BST_x1写入RRObit。
此外，使用了RRO校正量的测定值与预测值的差值的平方和作为评价值，但也可以使用允许范围内的RPE作为评价值。在该情况下，RRO记录部63在允许范围内的外周侧和内周侧，分别使RRObit的配置变动来评价RPE。RRO记录部63根据RPE的评价结果，在外周侧和内周侧，分别取得RPE的平均值最小的位置来作为最优的偏移位置。
另外，在上述例子中，针对1个伺服区域求出最优的偏移位置，但也可以针对多个例如存在于数据磁道的全部伺服区域求出最优的偏移位置。
在本实施方式中，位置校正部64在能够读取第1实施方式的全部伺服区域的RRO校正数据的情况下，例如与图7所示的情况同样地，参照头15的定位位置的RRO校正量、和第一RRO校正数据的偏移位置或第二RRO校正数据的偏移位置来执行头位置的校正。此外，在本实施方式中，位置校正部64也可以仅算出头15被偏移配置的方向上的、从目标中心到上限值为止的范围内(0≤|x|≤DOL)的RRO校正量。
图12是针对指定伺服区域而示出在最优的偏移位置写入了RRO校正数据的情况下的头15的定位位置与RRO校正量之间的关系的一例的图。在图12中，P121是在到内周侧的上限值DOL为止的范围内的最优的偏移位置写入的第一RRO校正数据，P122是在到外周侧的上限值DOL为止的范围内的最优的偏移位置写入的第二RRO校正数据，L121表示盘10的半径方向的测定值分布，L122表示允许范围内的RRO校正量的测定值分布，L123表示RRO校正量的预测值分布，L124表示RRO校正量的测定值分布与RRO校正量的预测值分布的差值分布。
位置校正部64根据配置在最优的偏移位置的第一RRO校正数据和第二RRO校正数据算出预测值，参照该预测值分布和头15的定位位置，算出头15的定位位置的RRO校正量。位置校正部64参照计算出的头15的定位位置的RRO校正量、和读取到的第一RRO校正数据的偏移位置或第二RRO校正数据的偏移位置来校正头位置。
根据图12的差值分布L124，预测值分布L123与RRO校正量的测定值分布L122大致相同。因此，使用根据配置在最优的偏移位置的第一RRO校正数据和第二RRO校正数据而算出的预测值分布，位置校正部64能够适当地校正头位置。
图13是示出与本实施方式的RRObit的结构相关的RPE的分布的一例的图。在图13中，作为比较例，示出了仅在预定的磁道的目标中心的各伺服区域配置了RRObit的情况下的RPE分布(以下称为比较例的RPE分布)RPE1和本实施方式的RRObit的结构的情况下的RPE分布RPE2。此处，设数据磁道间距为DataTp。在图13中，配置在内周侧的RRObit的偏移位置为x1＝0.1DataTp，配置在外周侧的RRObit的偏移位置为x2＝-0.1DataTp，允许范围的上限值DOL为0.15DataTp，再现宽度RRO_Rw为0.9DataTP。
根据图13可知，在允许范围内，RPE分布RPE2的目标中心的RPE，未在目标中心配置RRObit，因此，略微大于比较例的RPE分布RPE1的中心位置的RPE，但与比较例的RPE分布RPE1的偏移位置处的RPE相比，RPE分布RPE2的偏移位置处的RPE得到改善。
根据本实施方式，磁盘装置1在盘10的各磁道的多个伺服区域中，在外周侧的预定的偏移位置和内周侧的预定的偏移位置具有RRO校正数据。RRO校正数据的偏移位置在允许范围内被设定在能够由头15读取RRO校正数据的范围内。
另外，磁盘装置1根据RRO校正数据的测定值分布与预测值分布的各偏移位置的值的校正误差分布来算出评价值，取得评价值最小的位置来作为最优的偏移位置，在最优的偏移位置写入RRO校正数据。磁盘装置1使用在最优的位置写入的RRO校正数据来执行头位置的校正。其结果是，与上述的实施方式相比，磁盘装置1能够改善头15被偏移配置的情况下的RPE。
此外，与第2实施方式同样地，磁盘装置1在第1实施方式中也能够取得最优的偏移位置，在该最优的偏移位置写入RRO校正数据。在该情况下，磁盘装置1能够读取在最优的偏移位置写入的RRO校正数据，适当地校正头位置。
另外，在上述实施方式中，采用了用于在写入处理时使用的RRObit的配置，但在读取处理时能够由头15读取上述实施方式所示的配置的RRObit的情况下，磁盘装置1也能够在读取处理时的RRO校正中使用上述实施方式所示的配置的RRObit的RRO校正数据。
说明了本发明的几个实施方式，但这些实施方式是作为例子提示的，没有限定发明范围的意图。这些新实施方式可以通过其它各种方式来实施，在不脱离发明主旨的范围内，能够进行各种省略、替换、变更。这些实施方式及其变形包含在发明范围和要旨中，并包含在权利要求书所述的发明及其均等范围内。

Claims (20)

1.一种磁盘装置，其中，具备：
盘，其具有包括多个伺服扇区的磁道；
头，其对所述盘执行数据的写入处理和读取处理；以及
控制器，
所述控制器，
从所述磁道的磁道中心取得针对第1方向的可重复性偏摆的第1校正数据、和针对与所述第1校正数据不同的可重复性偏摆的第2校正数据，
在从所述磁道中心朝向所述第1方向设定的第1允许范围内，向所述多个伺服扇区中的第1伺服扇区写入所述第1校正数据，在包含所述第1允许范围和第2允许范围的写入允许范围内，向与所述第1伺服扇区不同的第2伺服扇区写入所述第2校正数据，所述第2允许范围是从所述磁道中心朝向与所述第1方向相反侧的第2方向设定的允许范围，
读取所述第1校正数据和所述第2校正数据的至少一方，将所述头的位置校正成位于所述写入允许范围内。
2.根据权利要求1所述的磁盘装置，其中，
所述控制器从所述磁道中心取得所述第2方向的所述第2校正数据，在所述第2允许范围内，在所述磁道向与所述第1伺服扇区相邻的所述第2伺服扇区写入所述第2校正数据。
3.根据权利要求2所述的磁盘装置，其中，
所述控制器以使能够由所述头读取的所述第1校正数据的第1读取宽度的中心位置配置在所述第1允许范围内的方式，写入所述第1校正数据，以使能够由所述头读取的所述第2校正数据的第2读取宽度的中心位置配置在所述第2允许范围内的方式，写入所述第2校正数据。
4.根据权利要求3所述的磁盘装置，其中，
所述控制器在所述第1允许范围内，以能够由所述头读取的方式，写入所述第1读取宽度比所述第1允许范围大的所述第1校正数据，在所述第2允许范围内，以能够由所述头读取的方式，写入所述第2读取宽度比所述第2允许范围大的所述第2校正数据。
5.根据权利要求3所述的磁盘装置，其中，
所述控制器在所述第1允许范围内，以使所述第1读取宽度的中心位置配置在第1区域的方式写入所述第1校正数据，在所述第2允许范围内，以使所述第2读取宽度的中心位置配置在第2区域的方式写入所述第2校正数据，所述第1区域是从所述磁道中心起到与所述磁道中心的距离为所述第1读取宽度的一半大小的值的位置为止的区域，所述第2区域是从所述磁道中心起到与所述磁道中心的距离为所述第2读取宽度的一半大小的值的位置为止的区域。
6.根据权利要求5所述的磁盘装置，其中，
所述控制器根据测定值分布与预测值分布的差分来算出校正误差，求出所述校正误差的平方和最小的所述第1区域的第1位置和所述第2区域的第2位置，以使所述第1读取宽度的中心位置配置在所述第1位置的方式写入所述第1校正数据，以使所述第2读取宽度的中心位置配置在所述第2位置的方式写入所述第2校正数据，所述测定值分布是在所述写入允许范围对用于校正可重复性偏摆的校正值进行了测定而得到的分布，所述预测值分布是根据所述第1校正数据和所述第2校正数据算出的所述写入允许范围的所述校正值的分布。
7.根据权利要求3所述的磁盘装置，其中，
所述控制器在所述写入允许范围内，以能够由所述头读取的方式写入所述第1读取宽度比所述写入允许范围大的所述第1校正数据，在所述写入允许范围内，以能够由所述头读取的方式写入所述第2读取宽度比所述写入允许范围大的所述第2校正数据。
8.根据权利要求7所述的磁盘装置，其中，
所述控制器算出所述第1读取宽度的一半大小的值与所述第1允许范围的大小的值的第1差值，在所述第1允许范围内，以使所述第1读取宽度的中心位置配置在第3区域的方式写入所述第1校正数据，所述第3区域是从所述磁道中心起到与所述磁道中心的距离为所述第1差值的位置为止的区域，
算出所述第2读取宽度的一半大小的值与所述第2允许范围的大小的值的第2差值，在所述第2允许范围内，以使所述第2读取宽度的中心位置配置在第4区域的方式写入所述第2校正数据，所述第4区域是从所述磁道中心起到与所述磁道中心的距离为所述第2差值的位置为止的区域。
9.根据权利要求8所述的磁盘装置，其中，
所述控制器根据测定值分布与预测值分布的差分来算出校正误差，求出所述校正误差的平方和最小的所述第3区域的第3位置和所述第4区域的第4位置，以使所述第1读取宽度的中心位置配置在所述第3位置的方式写入所述第1校正数据，以使所述第2读取宽度的中心位置配置在所述第4位置的方式写入所述第2校正数据，所述测定值分布是在所述写入允许范围对用于校正可重复性偏摆的校正值进行了测定而得到的分布，所述预测值分布是根据所述第1校正数据和所述第2校正数据算出的所述写入允许范围的所述校正值的分布。
10.根据权利要求3所述的磁盘装置，其中，
所述控制器在所述第1允许范围内的从所述磁道中心向所述第1方向离开了第1距离的第5位置取得所述第1校正数据，以使所述第1读取宽度的中心位置配置在所述第5位置的方式写入所述第1校正数据，在所述第2允许范围内的从所述磁道中心向所述第2方向离开了第1距离的第6位置取得所述第2校正数据，以使所述第2读取宽度的中心位置配置在所述第6位置的方式写入所述第2校正数据。
11.一种头位置的校正方法，是适用于磁盘装置的校正方法，所述磁盘装置具备盘和头，所述盘具有包括多个伺服扇区的磁道，所述头对所述盘执行数据的写入处理和读取处理，在所述校正方法中，
从所述磁道的磁道中心取得针对第1方向的可重复性偏摆的第1校正数据、和针对与所述第1校正数据不同的可重复性偏摆的第2校正数据，
在从所述磁道中心朝向所述第1方向设定的第1允许范围内，向所述多个伺服扇区中的第1伺服扇区写入所述第1校正数据，
在包含所述第1允许范围和第2允许范围的写入允许范围内，向与所述第1伺服扇区不同的第2伺服扇区写入所述第2校正数据，所述第2允许范围是从所述磁道中心朝向与所述第1方向相反侧的第2方向设定的允许范围，
读取所述第1校正数据和所述第2校正数据的至少一方，将所述头的位置校正成位于所述写入允许范围内。
12.根据权利要求11所述的头位置的校正方法，其中，
从所述磁道中心取得所述第2方向的所述第2校正数据，
在所述第2允许范围内，在所述磁道向与所述第1伺服扇区相邻的所述第2伺服扇区写入所述第2校正数据。
13.根据权利要求12所述的头位置的校正方法，其中，
以使能够由所述头读取的所述第1校正数据的第1读取宽度的中心位置配置在所述第1允许范围内的方式，写入所述第1校正数据，
以使能够由所述头读取的所述第2校正数据的第2读取宽度的中心位置配置在所述第2允许范围内的方式，写入所述第2校正数据。
14.根据权利要求13所述的头位置的校正方法，其中，
在所述第1允许范围内，以能够由所述头读取的方式，写入所述第1读取宽度比所述第1允许范围大的所述第1校正数据，
在所述第2允许范围内，以能够由所述头读取的方式，写入所述第2读取宽度比所述第2允许范围大的所述第2校正数据。
15.根据权利要求13所述的头位置的校正方法，其中，
在所述第1允许范围内，以使所述第1读取宽度的中心位置配置在第1区域的方式写入所述第1校正数据，所述第1区域是从所述磁道中心起到与所述磁道中心的距离为所述第1读取宽度的一半大小的值的位置为止的区域，
在所述第2允许范围内，以使所述第2读取宽度的中心位置配置在第2区域的方式写入所述第2校正数据，所述第2区域是从所述磁道中心起到与所述磁道中心的距离为所述第2读取宽度的一半大小的值的位置为止的区域。
16.根据权利要求15所述的头位置的校正方法，其中，
根据测定值分布与预测值分布的差分来算出校正误差，所述测定值分布是在所述写入允许范围对用于校正可重复性偏摆的校正值进行了测定而得到的分布，所述预测值分布是根据所述第1校正数据和所述第2校正数据算出的所述写入允许范围的所述校正值的分布，
求出所述校正误差的平方和最小的所述第1区域的第1位置和所述第2区域的第2位置，以使所述第1读取宽度的中心位置配置在所述第1位置的方式写入所述第1校正数据，
以使所述第2读取宽度的中心位置配置在所述第2位置的方式写入所述第2校正数据。
17.根据权利要求13所述的头位置的校正方法，其中，
在所述写入允许范围内，以能够由所述头读取的方式，写入所述第1读取宽度比所述写入允许范围大的所述第1校正数据，
在所述写入允许范围内，以能够由所述头读取的方式，写入所述第2读取宽度比所述写入允许范围大的所述第2校正数据。
18.根据权利要求17所述的头位置的校正方法，其中，
算出所述第1读取宽度的一半大小的值与所述第1允许范围的大小的值的第1差值，
在所述第1允许范围内，以使所述第1读取宽度的中心位置配置在第3区域的方式写入所述第1校正数据，所述第3区域是从所述磁道中心起到与所述磁道中心的距离为所述第1差值的位置为止的区域，
算出所述第2读取宽度的一半大小的值与所述第2允许范围的大小的值的第2差值，
在所述第2允许范围内，以使所述第2读取宽度的中心位置配置在第4区域的方式写入所述第2校正数据，所述第4区域是从所述磁道中心起到与所述磁道中心的距离为所述第2差值的位置为止的区域。
19.根据权利要求18所述的头位置的校正方法，其中，
根据测定值分布与预测值分布的差分来算出校正误差，所述测定值分布是在所述写入允许范围对用于校正可重复性偏摆的校正值进行了测定而得到的分布，所述预测值分布是根据所述第1校正数据和所述第2校正数据算出的所述写入允许范围的所述校正值的分布，
求出所述校正误差的平方和最小的所述第3区域的第3位置和所述第4区域的第4位置，以使所述第1读取宽度的中心位置配置在所述第3位置的方式写入所述第1校正数据，
以使所述第2读取宽度的中心位置配置在所述第4位置的方式写入所述第2校正数据。
20.根据权利要求13所述的头位置的校正方法，其中，
在所述第1允许范围内的从所述磁道中心向所述第1方向离开了第1距离的第5位置取得所述第1校正数据，
以使所述第1读取宽度的中心位置配置在所述第5位置的方式写入所述第1校正数据，
在所述第2允许范围内的从所述磁道中心向所述第2方向离开了第1距离的第6位置取得所述第2校正数据，
以使所述第2读取宽度的中心位置配置在所述第6位置的方式写入所述第2校正数据。
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