CN107172830A - 一种低互调高频模块电路板的孔化方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开的一种低互调高频模块电路板的孔化方法,包括以下步骤:S1、孔化前处理;S2、去除钻孔孔内污渍;S3、表面除油;S4、微蚀;S5、预浸;S6、活化;S7、加速;S8、孔内沉铜;S9、全板电镀。该低互调高频模块电路板的孔化方法能有效保护反向铜箔表面的结构,有利于进一步降低传输信号的干扰性,具有更低的低互调。
Description
技术领域
本发明涉及电路板孔化的技术领域,特别涉及一种低互调高频模块电路板的孔化方法。
背景技术
互调干扰是由传输信道中非线性电路产生的,当两个或多个不同频率的信号输入到非线性电路时,由于非线性器件的作用,会产生很多谐波和组合频率分量,其中与所需要的信号频率ω0相接近的组合频率分量会顺利通过接收机而形成干扰。
因此,在高频电路模块运用过程中传输信道中非线性电路产生的互调干扰越小,电路信号的传输性能就越好。而低互调指标的高频电路基板,其表面铜箔采用的是一种具有低互调指标的反向铜箔,而这种反向铜箔若按照传统PCB工艺进行常规孔化,那将会损坏反向铜箔表面的结构,影响降低互调干扰的能力。
发明内容
本发明的目的在于提供一种低互调高频模块电路板的孔化方法,解决上述现有技术问题中的一个或者多个。
本发明提供的一种低互调高频模块电路板的孔化方法,包括以下步骤:
S1、孔化前处理:采用高速喷砂机对板子表面的反向铜箔进行孔化前的物理处理;
S2、去除钻孔孔内污渍:采用NaOH、KMnO4、去钻污剂及纯水的混合溶液去除钻孔孔内污渍,然后经过二次高压水洗;
S3、表面除油:采用浓度为3-5%的盐酸溶液对电路板表面进行有机除油,然后经过60-80℃的热水清洗;
S4、微蚀:采用H2SO4、H2O2、微蚀稳定剂及纯水的混合溶液对反向铜箔表面及其内孔进行微蚀;
S5、预浸:将微蚀后的电路板放入HCL、预浸盐及去离子水的混合溶液中进行预浸,预浸溶液的温度控制在80℃,预浸时间控制在20min;
S6、活化:采用NaOH、H3BO3、活化剂及纯水的混合溶液再一次对板子的反向铜箔表面和内孔进行活化,活化溶液温度控制在60℃,活化时间控制在10min;
S7、加速:在上述混合溶液中采用钯离子作为加速的催化剂,对孔化进行加速;
S8、孔内沉铜:采用HCHO、NaOH、Cu2+及纯水的混合溶液进行孔内沉铜,沉铜溶液温度控制在60℃,活化时间控制在30min,然后依次进行二次高压水洗;
S9、全板电镀:将沉铜完毕的板子采用全自动电镀线进行全板电镀。
在一些实施方式中,步骤S1的物理处理为依次进行水洗、高压水洗、表面除油、热水洗、金刚石喷砂、高压水洗、热风烘干、冷风吹干。
在一些实施方式中,步骤S2的混合溶液中NaOH的浓度为40g/L、KMnO4的浓度为65g/L的、去钻污剂的浓度为100ml/L。
在一些实施方式中,步骤S4的混合溶液中H2SO4的浓度为80ml/L,H2O2的浓度为65ml/L,微蚀稳定剂的浓度为40ml/L。
在一些实施方式中,步骤S5的混合溶液中HCL的浓度为80ml/L,预浸盐的浓度为240g/L。
在一些实施方式中,步骤S6的混合溶液中NaOH的浓度为5g/L、H3BO3的浓度为5g/L、活化剂的浓度为40ml/L。
在一些实施方式中,步骤S6的混合溶液中HCHO的浓度为6g/L,NaOH的浓度为1g/L、Cu2+的浓度为2g/L。
有益效果:本发明所采用的金刚砂高速喷砂能够有效保护反向铜箔表面的结构,有利于进一步降低传输信号的干扰性,具有更低的低互调;本发明所采用的去钻污能够轻松咬蚀膨松软化后的基材及胶渣,使孔壁之聚四氟乙烯之间形成一种蜂巢状的微粗糙表面,以利于钯的吸附,并增强化学铜层与聚四氟乙烯间以及内层的结合力,防止孔壁分离及孔破的发生;本发明所采用的微蚀方法具有优良的微蚀速率,铜面微蚀层均匀,能清除铜面氧化物,溶液稳定。
具体实施方式
下面的实施案例,对本发明进行进一步详细的说明。
实施案例:
A1、将钻孔后的板子采用高速喷砂机对板子表面的反向铜箔进行孔化前的物理处理,其依次进行水洗、高压水洗、表面除油、热水洗、金刚石喷砂、高压水洗、热风烘干、冷风吹干;
A2、采用4Kg的NaOH、6.5Kg的KMnO4、10L的去钻污剂及100L纯水的混合溶液去除钻孔孔内污渍,然后经过二次高压水洗;
A3、采用3~5%的HCL对板子表面进行有机除油,然后经过60~80℃的热水洗;
A4、采用8L的H2SO4(98%)、6.5L的H2O2(30%)、4L的微蚀稳定剂及100L纯水的混合溶液对反向铜箔表面及其内孔进行微蚀;
A5、将微蚀后的板子放入8L的HCL、24Kg的预浸盐及100L去离子水的混合溶液中进行预浸,预浸溶液温度控制在80℃,预浸时间控制在20min;
A6、采用NaOH、H3BO3、活化剂及纯水的混合溶液再一次对板子的反向铜箔表面和内孔进行活化,活化溶液温度控制在60℃,活化时间控制在10min;
A7、采用钯离子作为加速的催化剂,对孔化进行加速;
A8、采用0.6Kg的HCHO、1.1Kg的NaOH、0.2Kg的Cu2+及100L纯水的混合溶液进行孔内沉铜,沉铜溶液温度控制在60℃,活化时间控制在30min,然后依次进行二次高压水洗;
A9、将沉铜完毕的板子采用全自动电镀线进行全板电镀。
本发明提供的实施方案中的一种低互调高频模块电路板的孔化方法能有效保护反向铜箔表面的结构,有利于进一步降低传输信号的干扰性,具有更低的低互调。
以上表述仅为本发明的优选方式,应当指出,对本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明创造构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些也应视为本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种低互调高频模块电路板的孔化方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、孔化前处理:采用高速喷砂机对板子表面的反向铜箔进行孔化前的物理处理;
S2、去除钻孔孔内污渍:采用NaOH、KMnO4、去钻污剂及纯水的混合溶液去除钻孔孔内污渍,然后经过二次高压水洗;
S3、表面除油:采用浓度为3-5%的盐酸溶液对电路板表面进行有机除油,然后经过60-80℃的热水清洗;
S4、微蚀:采用H2SO4、H2O2、微蚀稳定剂及纯水的混合溶液对反向铜箔表面及其内孔进行微蚀;
S5、预浸:将微蚀后的电路板放入HCL、预浸盐及去离子水的混合溶液中进行预浸,预浸溶液的温度控制在80℃,预浸时间控制在20min;
S6、活化:采用NaOH、H3BO3、活化剂及纯水的混合溶液再一次对板子的反向铜箔表面和内孔进行活化,活化溶液温度控制在60℃,活化时间控制在10min;
S7、加速:在上述混合溶液中采用钯离子作为加速的催化剂,对孔化进行加速;
S8、孔内沉铜:采用HCHO、NaOH、Cu2+及纯水的混合溶液进行孔内沉铜,沉铜溶液温度控制在60℃,活化时间控制在30min,然后依次进行二次高压水洗;
S9、全板电镀:将沉铜完毕的板子采用全自动电镀线进行全板电镀。
2.根据权利要求1所述的一种低互调高频模块电路板的孔化方法,其特征在于,所述步骤S1的物理处理为依次进行水洗、高压水洗、表面除油、热水洗、金刚石喷砂、高压水洗、热风烘干、冷风吹干。
3.根据权利要求1所述的一种低互调高频模块电路板的孔化方法,其特征在于,所述步骤S2的混合溶液中NaOH的浓度为40g/L、KMnO4的浓度为65g/L的、去钻污剂的浓度为100ml/L。
4.根据权利要求1所述的一种低互调高频模块电路板的孔化方法,其特征在于,所述步骤S4的混合溶液中H2SO4的浓度为80ml/L,H2O2的浓度为65ml/L,微蚀稳定剂的浓度为40ml/L。
5.根据权利要求1所述的一种低互调高频模块电路板的孔化方法,其特征在于,所述步骤S5的混合溶液中HCL的浓度为80ml/L,预浸盐的浓度为240g/L。
6.根据权利要求1所述的一种低互调高频模块电路板的孔化方法,其特征在于,所述步骤S6的混合溶液中NaOH的浓度为5g/L、H3BO3的浓度为5g/L、活化剂的浓度为40ml/L。
7.根据权利要求1所述的一种低互调高频模块电路板的孔化方法,其特征在于,所述步骤S8的混合溶液中HCHO的浓度为6g/L,NaOH的浓度为1g/L、Cu2+的浓度为2g/L。
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