CN107077034A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种抑制在将图像显示于显示面板时按与实际不同的色调进行显示的技术。显示装置具备包括有源矩阵基板(11a)和相对基板(11b)的显示面板以及反射部(12)。有源矩阵基板(11a)具备栅极线和源极线(24),具有由栅极线和源极线(24)规定的多个像素区域。相对基板(11b)在与各像素区域对应的位置具备R、G、B的各彩色滤光片(31R、31G、31B)。反射部(12)使来自光源(14)的光透射过,使来自有源矩阵基板(11a)的光反射。R、G、B的各像素区域具有反射区域,上述反射区域使来自反射部(12)的光反射,从而使在各像素区域中出射的光量大致均匀。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置。
背景技术
特开2002-156628号公报公开了一种作为透射式显示器的等离子体液晶显示装置。该等离子体液晶显示装置具备:多个开口部,其通过使从光源照射的照射光透射过或者将该照射光遮挡来显示图像;以及反射层,其在与划分开口部的黑膜对应的位置包括使照射光向光源侧反射的铝等。通过在与黑膜对应的位置设置反射层,一部分照射光会向光源侧反射,由光源反射而再次照射到开口部。其结果是,照射到开口部的光量增加,照射光的利用效率提高。
发明内容
然而,在显示面板与光源之间设有由电介质反射镜等构成的反射层的液晶显示装置中,从光源照射的光的一部分透射过显示面板中的R(红)、G(绿)、B(蓝)的各像素的开口部而向显示面侧出射,但是其它光会由栅极线、源极线等金属电极反射,入射到反射层。入射到反射层的光被反射层反射而再次入射到各像素,透射过像素的开口部而向显示面侧出射。
在栅极线、源极线等金属电极的反射率在R、G、B的各波长区域中不同的情况下,再次入射到R、G、B的各像素的反射光量会产生差别。如果R、G、B的各像素的开口率是均匀的,则从各像素出射的光量会产生差异,导致按与实际不同的色调进行显示。
本发明的目的在于提供一种在显示面板中显示图像时抑制按与实际的色调不同的色调进行显示的技术。
本发明的显示装置具备:显示面板,其包括有源矩阵基板和相对基板,上述有源矩阵基板具备栅极线和源极线,具有由栅极线和源极线规定的多个像素区域,上述相对基板在与上述多个像素区域分别对应的位置具备R(红)、G(绿)、B(蓝)的各彩色滤光片;以及反射部,其使从光源照射的光透射过而照射到上述有源矩阵基板,使从上述有源矩阵基板照射的光向上述有源矩阵基板反射,上述多个像素区域分别具有反射区域,上述反射区域反射来自上述反射部的光,使得在分别与R(红)、G(绿)、B(蓝)的各彩色滤光片对应的各像素区域中出射的光量大致均匀。
根据本发明的构成,能抑制在显示面板中显示图像时按与实际的色调不同的色调进行显示。
附图说明
图1是示出第1实施方式的液晶显示装置的概要构成的示意图。
图2是示出图1所示的有源矩阵基板的概要构成的示意图。
图3是示出沿I-I线切断图2所示的有源矩阵基板后的截面及所对应的相对基板的截面的示意图。
图4是例示出图3所示的有源矩阵基板和相对基板中的光的光路的示意图。
图5是示出层叠膜(Cu/Ti)和层叠膜(Ti/Cu/Ti)的反射率的图。
图6是示出开口率固定的情况下的R、G、B像素区域中的各光量的图。
图7A是示出使开口率匹配图6所示的B像素区域的情况下的R、G、B像素区域中的各光量的图。
图7B是示出使开口率匹配图6所示的G像素区域的情况下的R、G、B像素区域中的各光量的图。
图7C是示出使开口率匹配图6所示的R像素区域的情况下的R、G、B像素区域中的各光量的图。
图8是示出第2实施方式中的有源矩阵基板的概要构成的示意图。
图9是示出图8所示的栅极驱动器的等效电路的一个例子的图。
图10A是示出构成图9所示的栅极驱动器的一部分元件的配置例的示意图。
图10B是示出构成图9所示的栅极驱动器的一部分元件的配置例的示意图。
图10C是示出构成图9所示的栅极驱动器的一部分元件的配置例的示意图。
图11是示出图9所示的栅极驱动器的动作的时序图。
图12是表示第2实施方式中的相对基板和有源矩阵基板的截面的示意图。
图13A是示出在变形例1中使R和B像素区域的开口率降低的情况下的颜色坐标和使LED的色调变化的情况下的颜色坐标的图。
图13B是示出变形例1中的R和B像素区域的开口率以及白显示时的亮度值的图。
图14是表示变形例(2)中的相对基板和有源矩阵基板的截面的示意图。
具体实施方式
本发明的一个实施方式的显示装置具备:显示面板,其包括有源矩阵基板和相对基板,上述有源矩阵基板具备栅极线和源极线,具有由栅极线和源极线规定的多个像素区域,上述相对基板在与上述多个像素区域分别对应的位置具备R(红)、G(绿)、B(蓝)的各彩色滤光片;以及反射部,其使从光源照射的光透射过而照射到上述有源矩阵基板,使从上述有源矩阵基板照射的光向上述有源矩阵基板反射,上述多个像素区域分别具有反射区域,上述反射区域反射来自上述反射部的光,使得在与R(红)、G(绿)、B(蓝)的各彩色滤光片对应的各像素区域中出射的光量大致均匀(第1构成)。
根据第1构成,显示装置具备显示面板和反射部。显示面板在有源矩阵基板中具备栅极线和源极线,具有与相对基板中的R(红)、G(绿)、B(蓝)的各彩色滤光片对应的多个像素区域。反射部使从光源照射的光向有源矩阵基板照射,使从有源矩阵基板照射的光向有源矩阵基板反射。各像素区域具有使来自反射部的光反射的反射区域。入射到像素区域的光的一部分在反射区域中反射,其余的光从除了反射区域以外的部分出射。反射区域是以使从R、G、B的各彩色滤光片所对应的像素区域出射的光量大致均匀的方式决定的。因此,与未以使从R、G、B的各像素区域出射的光量大致均匀的方式设置反射区域的情况相比,能减少从各像素区域出射的光量的差别,能抑制显示图像时的色调的变化。
第2构成可以是,在第1构成中,在上述反射区域的至少一部分设有上述源极线,在与R(红)、G(绿)、B(蓝)的各彩色滤光片对应的各像素区域中,上述源极线所占的面积相互不同。
根据第2构成,使R、G、B的各像素区域中的源极线的面积不同,由此能使向各像素区域出射的光量均匀。
第3构成可以是,在第1或者第2构成中,在上述反射区域的至少一部分设有上述栅极线,在与R(红)、G(绿)、B(蓝)的各彩色滤光片对应的各像素区域中,上述栅极线所占的面积相互不同。
根据第3构成,使R、G、B的各像素区域中的栅极线的面积不同,由此能使向各像素区域出射的光量均匀。
第4构成可以是,在第1至第3构成中的任意一个构成中,上述有源矩阵基板还具备驱动电路部,上述驱动电路部具有开关元件和控制配线,上述开关元件按每条栅极线设置,将栅极线切换为选择状态或者非选择状态,上述控制配线向上述开关元件提供控制信号,在与R(红)、G(绿)、B(蓝)中的一种颜色的彩色滤光片对应的像素区域中的上述反射区域的至少一部分设有上述开关元件和上述控制配线中的至少一方。
根据第4构成,在与R(红)、G(绿)、B(蓝)中的一种颜色的彩色滤光片对应的像素区域中的反射区域的至少一部分配置有将栅极线切换为选择状态或者非选择状态的开关元件以及向开关元件提供控制信号的控制配线中的至少一方。在反射区域对上述一种颜色的反射率比对其它颜色的反射率高的情况下,通过在与该一种颜色对应的像素区域的反射区域的至少一部分配置开关元件和控制配线中的至少一方,从而不会降低显示面板整体的透射率就能调整从各像素区域出射的光量。
第5构成可以是,在第1至第3构成中的任意一个构成中,上述有源矩阵基板还具备:驱动电路部,其具有开关元件和控制配线,上述开关元件按每条栅极线设置,将栅极线切换为选择状态或者非选择状态,上述控制配线向上述开关元件提供控制信号;以及调整用配线,其用于调整像素区域的开口率,在上述反射区域的至少一部分设有上述开关元件、上述控制配线以及上述调整用配线中的至少任意1种,在与R(红)、G(绿)、B(蓝)的各彩色滤光片对应的各像素区域中,上述开关元件、上述控制配线以及上述调整用配线中的至少1种所占的面积相互不同。
根据第5构成,在各像素区域中的反射区域的至少一部分配置有将栅极线切换为选择状态或者非选择状态的开关元件、向开关元件提供控制信号的控制配线以及用于调整像素区域的开口率的调整用配线中的至少任意1种。在R、G、B的各像素区域中,使开关元件、控制配线以及调整用配线中的至少1种所占的面积相互不同,由此能使在R、G、B的各像素区域中出射的光量均匀化。另外,通过将驱动电路配置在像素区域内,与将驱动电路配置在像素区域外的情况相比,能实现窄边框化。
第6构成可以是,在第1至第4构成中的任意一个构成中,上述反射区域包括含有铜(Cu)的金属膜,在与R(红)的彩色滤光片对应的像素区域中上述反射区域所占的比例大于在与其它颜色的彩色滤光片对应的像素区域中上述反射区域所占的比例。
铜对R的波长成分的反射率比对G和B的波长成分的反射率高,因此在反射区域中使用含有铜的金属膜的情况下,由反射区域反射的光含有较多R的波长成分。因此,由反射区域反射的光透射过R的彩色滤光片的光量比透射过其它彩色滤光片的光量多,以偏红的颜色进行显示。根据第6构成,与R的彩色滤光片对应的像素区域的反射区域比与其它颜色的彩色滤光片对应的像素区域的反射区域大,因此与R的彩色滤光片对应的像素区域的开口率比与其它颜色的彩色滤光片对应的像素区域的开口率小。其结果是,能使在各像素区域中出射的光量均匀化,不会进行比实际偏红的显示。
以下,参照附图详细说明本发明的实施方式。在图中对相同或者相当的部分标注相同的附图标记,不重复其说明。
<第1实施方式>
(液晶显示装置的构成)
图1是示出本实施方式的液晶显示装置的概要构成的示意图。液晶显示装置1包括显示面板11、反射部12、偏振板13A、13B以及光源14。
显示面板11具有有源矩阵基板11a、相对基板11b以及被这些基板夹持的液晶层11c。
反射部12设于有源矩阵基板11a和光源14之间。反射部12具备电介质多层膜。反射部12使从光源14照射的光透射过,使由有源矩阵基板11a反射的光反射。
偏振板13B使来自反射部12的光发生偏振而向有源矩阵基板11a侧出射。偏振板13A使透射过相对基板11b的光发生偏振,向液晶显示装置1的显示面侧出射。
光源14具备LED等发光元件。光源14通过未图示的发光控制装置使发光元件发出的光扩散,经由反射部12使光照射到有源矩阵基板11a。
接下来,详细说明显示面板11。有源矩阵基板11a具备多个栅极线22(参照图2)和多个源极线24(参照图2),具有由栅极线22和源极线24划分的多个像素区域。
图2是表示有源矩阵基板11a中的一部分像素区域的平面的示意图。图2所示的各像素区域Pr、Pg、Pb表示设于后述的相对基板11b的R(红)、G(绿)、B(蓝)的彩色滤光片31的颜色。也就是说,像素区域Pr与相对基板11b中的R的彩色滤光片对应,像素区域Pg与G的彩色滤光片对应,像素区域Pb与B的彩色滤光片对应。
如图2所示,各像素区域Pr、Pg、Pb具备与划分像素区域的1个栅极线22和1个源极线24连接的薄膜晶体管(TFT)26。虽然省略了图示,但是各栅极线22与将栅极线22切换为选择状态或者非选择状态的驱动电路连接,在栅极线22为选择状态时TFT26切换为导通,像素区域中的像素电极28被驱动(参照图3)。
另外,各像素区域Pr、Pg、Pb的栅极线22的延伸方向的宽度Wr、Wg、Wb如图2所示是大致均匀的。另外,成为像素区域Pr、Pg的边界的源极线24的宽度Sr、成为像素区域Pg、Pb的边界的源极线24的宽度Sg以及成为像素区域Pb、Pr的边界的源极线24的宽度Sb满足Sr>Sg>Sb的关系。
图3是表示沿I-I线切断图2所示的有源矩阵基板11a后的截面和设于与该截面部分对应的位置的相对基板11b的截面的示意图。
如图3所示,在有源矩阵基板11a中,在玻璃等具有透射性的基板20上形成有源极线24,以覆盖源极线24的方式形成有保护膜26,在保护膜26上形成有包括ITO等透明导电膜的像素电极层28。
另外,在相对基板11b中,在玻璃等具有透射性的基板30上,在与有源矩阵基板11a中的源极线24对应的位置按与源极线24大致相同的宽度形成有黑矩阵32。在基板30上,R、G、B的各彩色滤光片31R、31G、31B形成在黑矩阵32和黑矩阵32之间。以覆盖黑矩阵32和彩色滤光片31R、31G、31B的方式形成有保护层33,在保护层33上形成有包括ITO等透明导电膜的共用电极34。
在本实施方式中,栅极线22和源极线24包括含有铜(Cu)的金属膜。TFT26(参照图2)的栅极端子、源极端子以及漏极端子包括与栅极线22和源极线24相同的金属膜。配置有这些包括金属膜的金属电极的区域是使光反射的反射区域。
在此,说明向显示面板11照射的光的光路。图4是示出从光源14照射的光的光路的示意图。此外,在图4中,为了方便,省略了液晶层11c的图示。
图4中的实线箭头表示从光源14照射而透射过反射部12的光。如图4所示,从光源14照射而透射过反射部12的光的一部分入射到有源矩阵基板11a的各像素区域Pr、Pg、Pb,经由液晶层12c(参照图1)透射过相对基板11b的彩色滤光片31R、31G、31B。
另一方面,如图4中的虚线箭头所示,透射过反射部12的光中的由配置有源极线24等金属电极的反射区域(遮光区域)反射的光入射到反射部12,由反射部12反射,分别再次入射到有源矩阵基板11a的像素区域Pr、Pg、Pb。再次入射到像素区域Pr、Pg、Pb的反射光的一部分透射过像素区域Pr、Pg、Pb的各透射区域,而透射过相对基板11b的彩色滤光片31R、31G、31B。
也就是说,入射到彩色滤光片31R、31G、31B的是透射过反射部12而直接入射的透射光和由反射区域反射后被反射部12反射而再次入射的反射光加在一起的光(以下称为合成光)。各像素区域Pr、Pg、Pb具有反射区域和透射区域(开口部),上述反射区域是配置有金属电极的区域,即,是使来自光源14的光反射的区域,上述透射区域(开口部)使光透射过。
在金属电极的反射率在R、G、B的各波长区域中不同的情况下,从有源矩阵基板11a的R、G、B的各像素区域向相对基板11b的彩色滤光片31R、31G、31B入射的反射光的光量会产生差别。在此,图5示出了铜(Cu)与钛(Ti)的层叠膜(Cu/Ti)和将钛(Ti)、铜(Ti)、钛(Ti)该按顺序层叠而成的层叠膜(Ti/Cu/Ti)的反射率。此外,在图5中,用虚线表示层叠膜(Cu/Ti)的反射率,用单点划线表示层叠膜(Ti/Cu/Ti)的反射率。
如图5所示,层叠膜(Ti/Cu/Ti)在450nm附近的波长区域中具有约50%的反射率,在550nm附近的波长区域中具有约53%的反射率,在650nm附近的波长区域中具有约57%的反射率。另外,层叠膜(Cu/Ti)在450nm附近的波长区域中具有约55%的反射率,在550nm附近的波长区域中具有约60%的反射率,在650nm附近的波长区域中具有约95%的反射率。因此,从图5可知,含有铜(Cu)的层叠膜在R、G、B的各波长区域中反射率不同。
图6示出由层叠膜(Cu/Ti)构成源极线24,使R、G、B的各像素区域的开口率均匀(60%)的情况下的R、G、B的各像素区域的遮光率、透射光量、反射光量、合成光量。此外,图6所示的W是R、G、B的各像素区域的上述各值的平均值。
图6中的R、G、B的各像素区域的透射光量与各像素区域的开口率大致等效,是与开口率相同的值。各像素区域的遮光率(金属电极)是像素区域中的金属电极所占的比例,用(100-开口率)表示。另外,各像素区域的反射光量通过以下的式(1)算出。
反射光量=遮光率×反射率×偏振板透射率×开口率…式(1)
在该例中,在式(1)中,设反射部12和偏振板13的各透射率为80%,算出偏振板透射率=0.82。另外,式(1)中的反射率为透射过与像素区域对应的彩色滤光片的波长成分的反射率,使用图5所示的650nm附近、550nm附近以及450nm附近的各反射率。也就是说,在R像素区域的情况下,R的波长成分会透射过彩色滤光片31R,因此反射率采用95%。在G像素区域的情况下,G的波长成分会透射过彩色滤光片31G,因此反射率采用60%。在B像素区域的情况下,B的波长成分会透射过彩色滤光片31B,因此反射率采用55%。
图6中的R、G、B的各像素区域的合成光量是通过将透射光量和反射光量相加而算出的。
如图5所示,R的波长成分的反射率比G、B的波长成分的反射率高,因此如图6所示,R、G、B的各像素区域的反射光量按R>G>B依次变大。因此,在R、G、B的各像素区域的开口率均匀的情况下,R像素区域的合成光量会比其它颜色的像素区域多,色调会变得偏向红色调。
在本实施方式中,通过调整各像素区域的开口率使R、G、B的各像素区域的合成光量大致均匀来调整色调。具体地说,按照根据金属电极的反射率而决定的R、G、B的各像素区域的开口率,调整各像素区域中的反射区域所占的比例。在本实施方式中,特别是通过调整源极线24的宽度来调整像素区域中的反射区域的比例。
例如,在以B像素区域的开口率为基准,调整开口率使得各像素区域的合成光量成为图6所示的B像素区域的合成光量68%的情况下,根据以下的式(2)(3)求出R和G像素区域的调整后的开口率(Ar,Ag)。
Ar=R像素区域的开口率×|(Lb-|Lr-Lb|)/Lb|…式(2)
(开口率:60%,Lr:R像素区域的合成光量,Lb:B像素区域的合成光量)
Ag=G像素区域的开口率×|(Lb-|Lg-Lb|)/Lb|…式(3)
(开口率:60%,Lg:G像素区域的合成光量,Lb:B像素区域的合成光量)
图7A示出根据上述式(2)(3)调整R和G像素区域的开口率后的结果。如图7A所示,调整后的R和G像素区域的开口率分别为53%、59%,各遮光率分别为47%、41%。根据上述式(1),R和G像素区域的反射光量分别为15%、9%,因此R和G像素区域的合成光量为与B像素区域相同的68%。
因此,在这种情况下,只要调整R像素区域中的源极线24的宽度Sr、G像素区域中的源极线24的宽度Sg以及B像素区域中的源极线24的宽度Sb使得R、G、B的各像素区域的开口率分别为53%、59%、60%即可。由此,各像素区域中的源极线24满足Sr>Sg>Sb的关系。
在上述中,以图6所示的B像素区域的开口率(=60%)为基准,调整R和G像素区域的开口率使得R和G的各像素区域的合成光量成为B像素区域的合成光量,但是也可以是以图6所示的G或者R像素区域的开口率为基准,调整其它颜色的像素区域的开口率。
例如,在以G像素区域的开口率为基准,调整R和B像素区域的开口率使得R和B像素区域的合成光量成为图6所示的G像素区域的合成光量69%的情况下,只要根据以下的式(4)(5)求出R和B像素区域的调整后的开口率(Ar,Ab)即可。
Ar=R像素区域的开口率×|(Lg-|Lr-Lg|)/Lg|…式(4)
Ab=B像素区域的开口率×|(Lg-|Lb-Lg|)/Lg|…式(5)
(开口率:60%)
图7B示出根据上述式(4)(5)调整R和B像素区域的各开口率后的结果。如图7B所示,调整后的R和B像素区域的开口率分别为54%、61%,各遮光率分别为46%、39%。根据上述式(1),R和B像素区域的反射光量分别为15%、8%,因此R和G像素区域的合成光量为与G像素区域相同的69%。在这种情况下,只要调整R像素区域中的源极线24的宽度Sr、G像素区域中的源极线24的宽度Sg以及B像素区域中的源极线24的宽度Sb使得R、G、B的各像素区域的开口率分别为54%、60%、61%即可。
另外,例如在以R像素区域为基准,调整G和B像素区域的各开口率使得G和B像素区域的合成光量为图6所示的R像素区域的合成光量75%的情况下,根据以下的式(6)(7)求出G和B像素区域的调整后的开口率(Ag,Ab)即可。
Ag=G像素区域的开口率×|(Lr-|Lg-Lr|)/Lr|…式(6)
Ab=B像素区域的开口率×|(Lr-|Lb-Lr|)/Lr|…式(7)
图7C示出根据上述式(6)(7)调整G和B像素区域的各开口率后的结果。如图7C所示,调整后的G和B像素区域的开口率分别为66%、67%,遮光率分别为34%、33%。另外,根据上述式(1),G和B像素区域的反射光量分别为9%、8%,因此G和B像素区域的合成光量为与R像素区域相同的75%。在这种情况下,只要调整R像素区域中的源极线24的宽度Sr、G像素区域中的源极线24的宽度Sg以及B像素区域中的源极线24的宽度Sb使得R、G、B的各像素区域的开口率分别为60%、66%、67%即可。
这样,调整源极线24的宽度来调整各像素区域的开口率,使得从有源矩阵基板11a中的各像素区域向相对基板11b的彩色滤光片31R、31G、31B入射的合成光量大致均匀,由此能减少以与实际的色调不同的色调进行显示的现象。
<第2实施方式>
在上述第1实施方式中,说明了在R、G、B的各像素区域的开口率的调整中调整各像素区域中的源极线24的宽度的例子,但是用于开口率调整的金属电极不限于源极线24。以下,说明该方式的一个例子。
图8是示出本实施方式的有源矩阵基板的概要构成的示意图。在图8中,为了方便,省略了源极线24(参照图2)的图示,但是在有源矩阵基板211a中,以与各栅极线22交叉的方式设有多个源极线24。
如图8所示,在本实施方式中,在有源矩阵基板211a的显示区域100内,在栅极线22与栅极线22之间设有栅极驱动器(驱动电路)220。相邻的栅极驱动器220经由控制配线221相互连接。另外,在有源矩阵基板211a的显示区域100的外侧设有端子部223,端子部223经由控制配线221与各栅极驱动器220连接,并且与设于有源矩阵基板211a的外部的显示控制电路240和电源250连接。
显示控制电路240将用于驱动栅极驱动器220的控制信号(CKA,CKB)经由端子部223提供给栅极驱动器220。控制信号包括电位在每一水平扫描期间在高电平和低电平之间转变的信号(以下称为时钟信号)和与时钟信号的高电平为相同电位的信号(以下称为复位信号)。
电源250将电源电压信号提供给显示控制电路240,并经由端子部223提供给各栅极驱动器220。此外,虽然在该图中省略了图示,但是有源矩阵基板211a中的各源极线24(参照图2)是与源极驱动器连接的,从源极驱动器接收数据信号。
栅极驱动器220根据所提供的控制信号和电源电压信号对所连接的栅极线22输出表示选择状态和非选择状态中的一种状态的电压信号。在以下的说明中,将栅极线22被选择的状态称为栅极线22的驱动。
在此,说明栅极驱动器220的构成。图9是示出驱动第n(n:自然数,n>1)级栅极线22(n)的栅极驱动器220(以下称为栅极驱动器220(n))的等效电路的一个例子的图。
栅极驱动器220(n)具有作为开关元件的由薄膜晶体管(TFT:Thin FilmTransistor)构成的TFT-A~TFT-J、电容器Cbst、端子111~120以及输入低电平的电源电压信号的端子群。
端子111、112经由前级(n-1)的栅极线22(n-1)接收置位信号(S)。此外,与第1级栅极线22(1)连接的栅极驱动器220的端子111、112接收从显示控制电路240输出的栅极起始脉冲信号(S)。端子113~115接收从显示控制电路240输出的复位信号(CLR)。端子116、117接收所输入的时钟信号(CKA)。端子118、119接收所输入的时钟信号(CKB)。端子120将置位信号(OUT)输出到后级(n+1)的栅极线22(n+1)。
图9例示出驱动栅极线22(n)的栅极驱动器220(n),但是在驱动栅极线22(n-1)的前级的栅极驱动器220的情况下,端子116、117接收时钟信号(CKB),该栅极驱动器220的端子118、119接收时钟信号(CKA)。也就是说,各栅极驱动器220的端子116和117以及端子118和119接收与相邻行的栅极驱动器220所接收的时钟信号为相反相位的时钟信号。
在图9中,将连接TFT-B的源极端子、TFT-A的漏极端子、TFT-C的源极端子、电容器Cbst的一电极以及TFT-F的栅极端子的配线称为netA。另外,将连接TFT-C的栅极端子、TFT-G的源极端子、TFT-H的漏极端子、TFT-I的源极端子以及TFT-J的源极端子的配线称为netB。
TFT-A是将2个TFT(A1,A2)以串联的方式连接而构成的。TFT-A的各栅极端子与端子113连接,A1的漏极端子与netA连接,A2的源极端子与电源电压端子VSS连接。
TFT-B是将2个TFT(B1,B2)以串联的方式连接而构成的。TFT-B的各栅极端子和B1的漏极端子与端子111连接(连接成二极管),B2的源极端子与netA连接。
TFT-C是将2个TFT(C1,C2)以串联的方式连接而构成的。TFT-C的各栅极端子与netB连接,C1的漏极端子与netA连接,C2的源极端子与电源电压端子VSS连接。
电容器Cbst的一电极与netA连接,另一电极与端子120连接。
TFT-D的栅极端子与端子118连接,漏极端子与端子120连接,源极端子与电源电压端子VSS连接。
TFT-E的栅极端子与端子114连接,漏极端子与端子120连接,源极端子与电源电压端子VSS连接。
TFT-F的栅极端子与netA连接,漏极端子与端子116连接,源极端子与输出端子120连接。
TFT-G是将2个TFT(G1,G2)以串联的方式连接而构成的。TFT-G的各栅极端子和G1的漏极端子与端子119连接(连接成二极管),G2的源极端子与netB连接。
TFT-H的栅极端子与端子117连接,漏极端子与netB连接,源极端子与电源电压端子VSS连接。
TFT-I的栅极端子与端子115连接,漏极端子与netB连接,源极端子与电源电压端子VSS连接。
TFT-J的栅极端子与端子112连接,漏极端子与netB连接,源极端子与电源电压端子VSS连接。
此外,在图9中,示出了TFT-A、B、C、G为将2个TFT以串联的方式连接而构成的例子,但是这些也可以由1个TFT构成。
(栅极驱动器的整体布局)
接下来,说明显示区域100中的栅极驱动器220的各元件的配置。图10A~图10C是示出配置在栅极线22(n)与栅极线22(n-1)之间、栅极线22(n-1)与栅极线22(n-2)之间的1个栅极驱动器11的配置例的图。在图10A~图10C中,为了方便,将栅极线22(n)与栅极线22(n-1)之间的像素区域211R~217B以及栅极线22(n-1)与栅极线22(n-2)之间的像素区域201R~207B分离记载,但是实际上在栅极线22(n-1)的栅极线22中,上下的像素区域是连续的。此外,表示像素区域的附图标记中包含的R、G、B表示在相对基板11b中形成的彩色滤光片(图示略)的颜色。
如图10A~图10C所示,在像素区域211R~217B(以下称为上段像素区域)和像素区域201R~207B(以下称为下段像素区域)中,在源极线24和栅极线22交叉的附近,形成有用于显示图像的TFT26。
另外,在上段像素区域和下段像素区域中,分散配置有构成1个栅极驱动器11的元件(TFT-A~TFT-J,电容器Cbst)。在这些像素区域中的配置有接收时钟信号(CKA,CKB)、复位信号(CLR)、电源电压信号中的任意一种信号的开关元件(TFT-A,C~F,H~J)的像素区域中,形成有用于提供这些信号的控制配线221。控制配线221以与源极线24大致平行的方式贯穿上段像素区域和下段像素区域而形成。另外,在上段像素区域和下段像素区域中形成有netA和netB的内部配线222。内部配线222在上段像素区域和下段像素区域中以与栅极线22大致平行的方式贯穿配置有与netA和netB连接的元件(TFT-A~C,F,G~J,Cbst)的像素区域而形成。
此外,在本实施方式中配置为,使向栅极驱动器11中的TFT-D、TFT-F、TFT-H以及TFT-G分别提供的时钟信号与向相邻行的栅极驱动器11的这些TFT分别提供的时钟信号为相反相位。也就是说,TFT-D、TFT-F、TFT-H以及TFT-G配置在与相邻行的这些TFT所处的像素区域在水平方向上错开的像素区域。
具体地说,如图10A所示,上段像素区域的TFT-D形成于像素区域211R和211G,而下段像素区域的TFT-D形成于像素区域201B和202R。上段像素区域的TFT-F形成于像素区域213G,而下段像素区域的TFT-F形成于像素区域203R。另外,如图10C所示,上段像素区域的TFT-H形成于像素区域215G和215B,而下段像素区域的TFT-H形成于像素区域206R和206G。上段像素区域的TFT-G形成于像素区域216G,而下段像素区域的TFT-G形成于像素区域205B。通过这样构成,对上段像素区域的TFT-D提供时钟信号(CKA),对下段像素区域的TFT-D提供与时钟信号(CKA)为相反相位的时钟信号(CKB)。对于TFT-G、TFT-H,如图10A和图10C所示,也提供在上段像素区域和下段像素区域为相反相位的时钟信号(CKA或者CKB)。
另外,上段像素区域的TFT-B和TFT-J与栅极线22(n-1)连接,下段像素区域的TFT-B和TFT-J与栅极线22(n-2)连接。另外,上段像素区域的TFT-D和TFT-F与栅极线22(n)连接,下段像素区域的TFT-D和TFT-F与栅极线22(n-1)连接。配置于下段像素区域的栅极驱动器11经由栅极线22(n-2)接收置位信号(S),向栅极线22(n)输出置位信号(S)来驱动栅极线22(n-1)。配置于上段像素区域的栅极驱动器11经由栅极线22(n-1)接收置位信号(S),向栅极线22(n+1)输出置位信号(S)来驱动栅极线22(n)。
(栅极驱动器11的动作)
接下来,说明1个栅极驱动器220的动作。图11是栅极驱动器220驱动栅极线22(n)时的时序图。在图11中,t3至t4的期间是栅极线22(n)被选择的期间。从显示控制电路240提供的相位按每一水平扫描期间反转的时钟信号(CKA)和时钟信号(CKB)经由端子116~119输入到栅极驱动器11。另外,虽然在图11中省略了图示,但是按每一垂直扫描期间以固定期间成为高(High)电平的复位信号(CLR)从显示控制电路4经由端子113~115输入到栅极驱动器11。当输入复位信号(CLR)时,netA、netB、栅极线22转变为低(Low)电平。
在时刻t0至t1,低电平的时钟信号(CKA)输入到端子116、117,高电平的时钟信号(CKB)输入到端子118、119。由此,TFT-G成为导通状态,TFT-H成为截止状态,因此netB被充电为高电平。另外,TFT-C和TFT-D成为导通状态,TFT-F为截止状态,因此netA被充电为低电平的电源电压(VSS),从端子120输出低电平的电位。
接下来,当在时刻t1,时钟信号(CKA)成为高电平,时钟信号(CKB)成为低电平时,TFT-G成为截止状态,TFT-H成为导通状态,因此netB被充电为低电平。并且,TFT-C和TFT-D为截止状态,因此netA的电位维持低电平,从端子120输出低电平的电位。
在时刻t2,时钟信号(CKA)成为低电平,时钟信号(CKB)成为高电平,经由栅极线22(n-1)向端子111、112输入置位信号(S)。由此,TFT-B成为导通状态,netA被充电为高电平。另外,TFT-J成为导通状态,TFT-G成为导通状态,TFT-H成为截止状态,因此netB成为维持低电平的状态。由于TFT-C和TFT-F成为截止状态,因此netA的电位被维持而不会下降。在此期间,TFT-D为导通状态,因此从端子120输出低电平的电位。
当在时刻t3,时钟信号(CKA)成为高电平,时钟信号(CKB)成为低电平时,TFT-F成为导通状态,TFT-D成为截止状态。由于在netA和端子120之间设有电容器Cbst,因此随着TFT-F的端子116的电位上升,netA被充电为比时钟信号(CKA)的高电平高的电位。在此期间,TFT-G和TFT-J为截止状态,TFT-H为导通状态,因此netB的电位维持为低电平。由于TFT-C为截止状态,因此netA的电位不会下降,从端子120输出时钟信号(CKA)的高电平的电位(选择电压)。由此,与端子120连接的栅极线22(n)被充电为高电平,成为被选择的状态。
当在时刻t4,时钟信号(CKA)成为低电平,时钟信号(CKB)成为高电平时,TFT-G成为导通状态,TFT-H成为截止状态,因此netB被充电为高电平。由此,TFT-C成为导通状态,netA被充电为低电平。在此期间,TFT-D为导通状态,TFT-F为截止状态,因此从端子120输出低电平的电位(非选择电压),栅极线22(n)被充电为低电平。
这样,从栅极驱动器11的端子120向栅极线22输出置位信号(S),由此该栅极线22成为被选择的状态。在液晶显示装置1中,由与各栅极线22连接的栅极驱动器220依次驱动栅极线22,由源极驱动器(图示略)向各源极线24提供数据信号从而在显示面板11中显示图像。以上是栅极驱动器220的动作。
构成上述栅极驱动器220的元件(TFT-A~TFT-J,Cbst)、控制配线221、内部配线222与栅极线22和源极线24同样,是将铜(Cu)和钛(Ti)的各金属膜层叠而成的金属电极,使从光源14照射的光反射。因此,配置有构成栅极驱动器220的元件、控制配线221、内部配线222的像素区域的开口率比其它像素区域的开口率低。
在本实施方式中配置为,在有源矩阵基板的R、G、B的各像素区域中使源极线24的宽度均匀,在相对基板11b中使黑矩阵32为与源极线24同等的宽度而使各彩色滤光片的面积大致均匀。并且,与第1实施方式同样,配置构成栅极驱动器220的元件和包括控制配线221和内部配线222的金属配线,从而成为根据金属电极的反射率而决定的R、G、B的各像素区域的开口率。
具体地说,按照根据金属电极的反射率而决定的R、G、B的各像素区域的开口率,例如,如图12所示,将配置于图10A所示的像素区域201R、201G、201B的控制配线221的宽度Tr、TG、Tb调整为Tr>Tg>Tb。此外,在构成栅极驱动器220的元件、控制配线221、内部配线222中的任何一种均不配置的像素区域中配置用于调整开口率的调整用配线,从而成为根据金属电极的反射率而决定的开口率。调整用配线包括与栅极线22和源极线24同样的金属膜。
通过这样构成,不用改变有源矩阵基板211a中的源极线24的宽度就能使从各像素区域透射过相对基板11b中的R、G、B的各彩色滤光片31R、31G、31B的合成光量大致均匀化,能减少按与实际的色调不同的色调进行显示的现象。
另外,也可以在金属电极的反射率最高的R像素区域配置构成栅极驱动器220的元件(TFT-A~TFT-J,Cbst)和控制配线221,以R像素区域的开口率为基准调整G、B的各像素区域的开口率从而匹配R像素区域的合成光量。也就是说,将构成栅极驱动器220的元件和控制配线221配置在R像素区域,使得R像素区域的开口率成为例如图7A所示的R像素区域的开口率。并且,在G和B像素区域中配置调整用配线来调整开口率,使得G和B像素区域的开口率成为图7A所示的G和B像素区域各自的开口率。
通过这样构成,与在R、G、B的各像素区域中配置构成栅极驱动器220的元件、控制配线221、内部配线222、调整用配线中的任意一个的情况相比,能减少显示区域整体的透射率的降低。
以上,说明了本发明的实施方式,但是上述实施方式不过是用于实施本发明的例示。因此,本发明不限于上述实施方式,能在不脱离其主旨的范围内对上述实施方式进行适当变形或者组合实施。以下说明本发明的变形例。
<变形例>
(1)在上述第1实施方式和第2实施方式中,也可以在调整R、G、B的各像素区域中的开口率后,使R和B的开口率下降,将显示面板11的色调调整为偏向蓝色调,调整光源14的色调,由此调整所显示的色调。
图13A是表示使R和B像素区域的开口率变化的情况下的颜色坐标和使LED的色调变化的情况下的颜色坐标的CIE色度图。图13B示出使R和B像素区域的开口率在100%至70%的范围变化而显示白色时的亮度值。
在图13A中,◆记号表示使R和B像素区域在100%至70%的范围中变化的情况下的显示面板的颜色坐标。另外,△记号表示使LED的颜色从带有蓝色调的颜色变化到带有黄色调的颜色的情况下的颜色坐标。
如图13A所示,R和B像素区域的开口率越低则越为偏蓝的色调,如图13B所示,亮度值下降了约8%。然而,如图13A所示,可以预见LED的色调越接近黄色则亮度越高。LED在耗电相同时,与带有蓝色调的颜色的光相比,带有黄色调的颜色的光能使亮度(光量)提高。因此,即使R和B像素区域的开口率下降,也能通过将光源14的色调为偏向黄色调而利用光源14补偿显示面板11的亮度降低,能减少光源14的耗电。
(2)在上述第1实施方式中,示出了黑矩阵32的宽度不均匀,彩色滤光片31R、31G、31B的面积不同的例子,但是也可以如图14所示,构成为使黑矩阵32的宽度大致均匀,并且使彩色滤光片31R、31G、31B的面积大致均等。
(3)在上述第1实施方式中,说明了通过调整源极线24的宽度来调整R、G、B的各像素区域的开口率的例子,但是也可以根据开口率调整栅极线22的宽度,也可以调整栅极线22和源极线24的各宽度。
(4)在上述第1实施方式和第2实施方式中,说明了金属电极含有铜,金属电极的R、G、B的各波长区域的反射率按R>G>B依次变大的例子,但是金属电极的构成和反射特性不限于此。只要是金属电极含有R、G、B的各波长区域的反射率分别不同的金属即可。并且,只要根据金属电极的R、G、B的各波长区域的反射率调整各像素区域的开口率,使得透射过R、G、B的各像素区域的合成光量均匀即可。
(5)在上述第2实施方式中,说明了利用1个栅极驱动器220来驱动1个栅极线22的例子,但是也可以在显示区域100中配置驱动1个栅极线22的多个栅极驱动器220。

Claims (6)

1.一种显示装置,其特征在于,
具备:显示面板,其包括有源矩阵基板和相对基板,上述有源矩阵基板具备栅极线和源极线,具有由栅极线和源极线规定的多个像素区域,上述相对基板在与上述多个像素区域分别对应的位置具备R(红)、G(绿)、B(蓝)的各彩色滤光片;以及
反射部,其使从光源照射的光透射过而照射到上述有源矩阵基板,使从上述有源矩阵基板照射的光向上述有源矩阵基板反射,
上述多个像素区域分别具有反射区域,上述反射区域反射来自上述反射部的光,使得在分别与R(红)、G(绿)、B(蓝)的各彩色滤光片对应的各像素区域中出射的光量大致均匀。
2.根据权利要求1所述的显示装置,
在上述反射区域的至少一部分设有上述源极线,
在与R(红)、G(绿)、B(蓝)的各彩色滤光片对应的各像素区域中,上述源极线所占的面积相互不同。
3.根据权利要求1或2所述的显示装置,
在上述反射区域的至少一部分设有上述栅极线,
在与R(红)、G(绿)、B(蓝)的各彩色滤光片对应的各像素区域中,上述栅极线所占的面积相互不同。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的显示装置,
上述有源矩阵基板还具备驱动电路部,上述驱动电路部具有开关元件和控制配线,上述开关元件按每条栅极线设置,将栅极线切换为选择状态或者非选择状态,上述控制配线向上述开关元件提供控制信号,
在与R(红)、G(绿)、B(蓝)中的一种颜色的彩色滤光片对应的像素区域中的上述反射区域的至少一部分设有上述开关元件和上述控制配线中的至少一方。
5.根据权利要求1至3中的任意一项所述的显示装置,
上述有源矩阵基板还具备:驱动电路部,其具有开关元件和控制配线,上述开关元件按每条栅极线设置,将栅极线切换为选择状态或者非选择状态,上述控制配线向上述开关元件提供控制信号;以及调整用配线,其用于调整像素区域的开口率,
在上述反射区域的至少一部分设有上述开关元件、上述控制配线以及上述调整用配线中的至少任意1种,
在与R(红)、G(绿)、B(蓝)的各彩色滤光片对应的各像素区域中,上述开关元件、上述控制配线以及上述调整用配线中的至少1种所占的面积相互不同。
6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的显示装置,
上述反射区域的至少一部分包括含有铜(Cu)的金属膜,
在与R(红)的彩色滤光片对应的像素区域中上述反射区域所占的比例大于在与其它颜色的彩色滤光片对应的像素区域中上述反射区域所占的比例。
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