CN107068884A - 一种高效率紫外有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

一种高效率紫外有机电致发光器件及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107068884A
CN107068884A CN201710218783.4A CN201710218783A CN107068884A CN 107068884 A CN107068884 A CN 107068884A CN 201710218783 A CN201710218783 A CN 201710218783A CN 107068884 A CN107068884 A CN 107068884A
Authority
CN
China
Prior art keywords
moox
pss
pedot
hole injection
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710218783.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107068884B (zh
Inventor
张小文
郑清红
游凤娇
许积文
王�华
刘黎明
王红航
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guilin University of Electronic Technology
University of Electronic Science and Technology of China Zhongshan Institute
Original Assignee
Guilin University of Electronic Technology
University of Electronic Science and Technology of China Zhongshan Institute
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guilin University of Electronic Technology, University of Electronic Science and Technology of China Zhongshan Institute filed Critical Guilin University of Electronic Technology
Priority to CN201710218783.4A priority Critical patent/CN107068884B/zh
Publication of CN107068884A publication Critical patent/CN107068884A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107068884B publication Critical patent/CN107068884B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17Carrier injection layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H10K85/1135Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了一种高效率紫外有机电致发光器件及其制备方法。所述紫外有机电致发光器件至少包括空穴注入层,所述空穴注入层所用材料是掺杂了MoOx的PEDOT:PSS,其中x=2~3。所述制备方法包括:将MoOx粉末溶解在纯水中,按质量百分比配置成浓度为0.1%~0.2%的MoOx水溶液,将该MoOx水溶液与PEDOT:PSS按质量比(1~3):(1~4)配成PEDOT:PSS+MoOx混合溶液,在ITO阳极上旋涂上述PEDOT:PSS+MoOx混合溶液制备空穴注入层。采用掺杂MoOx的PEDOT:PSS空穴注入层能有效提高空穴注入能力,增加发光层中的空穴数量,从而改善空穴‑电子的平衡性,提高紫外OLED器件的发光效率,同时器件的制备工艺简单,稳定性好,实用性广。

Description

一种高效率紫外有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及半导体发光器件技术领域,具体涉及一种高效率紫外有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
紫外有机电致发光器件(紫外OLED器件)由于其在高密度信息存储、传感器、激发光源等方面具有潜在的应用前景而广泛受到关注,与性能卓越的可见光OLED器件相比,紫外OLED器件在效率和稳定性等方面仍然存在很大不足。制约紫外OLED器件发展的主要原因是紫外有机发光材料的禁带宽带较大,空穴很难注入到有机发光层中,从而导致了发光层中空穴-电子极不平衡,制约了紫外OLED器件效率的提高。目前解决此类问题的主要方法仍然是借鉴可见光OLED器件的研究成果:在铟锡氧化物(ITO)阳极与空穴传输层之间引入空穴注入层(如PEDOT:PSS、CuPc、MoO3、F16CuPc等)以提高空穴注入能力。但对于紫外OLED器件来说,传统的空穴注入层在提高空穴注入能力方面仍然不足,器件性能不理想,其主要原因是紫外OLED器件的空穴注入势垒比可见光OLED器件的空穴注入势垒要高很多,如果将现有空穴注入层直接应用到紫外OLED器件中,器件的性能改善效果不太理想。
发明内容
基于上述背景,本发明提供一种高效稳定的紫外有机电致发光器件及其制备方法。本发明的贡献主要在于给出了一种制备空穴注入层的新型材料:掺杂了MoOx的PEDOT:PSS,以及该材料的制备方法。用该新型材料制备的空穴注入层能有效提高空穴注入能力,增加发光层中的空穴数量,从而改善空穴-电子的平衡性,提高紫外OLED器件的发光效率,同时器件的制备工艺简单,稳定性好,实用性广。本发明主要技术方案如下:
位于阳极层和空穴传输层之间的空穴注入层采用掺杂了MoOx的PEDOT:PSS制备,其中x=2~3;紫外OLED器件的制备方法主要包括:将MoOx粉末溶解在纯水中,按质量百分比配置成浓度为0.1%~0.2%的MoOx水溶液,将该MoOx水溶液与PEDOT:PSS按质量比(1~3):(1~4)配成PEDOT:PSS+MoOx混合溶液,在ITO阳极上旋涂上述PEDOT:PSS+MoOx混合溶液制备空穴注入层。
紫外OLED器件的其它部分结构及制备方法都可以采用现有技术。
附图说明
图1为紫外OLED器件的结构示意图。
图2描述了本发明实施例中器件一~器件九在不同电压下的辐照度对比。
图3描述了本发明实施例中器件一~器件九在不同电流密度下的外量子效率对比。
图1中:1.衬底层;2.阳极层;3.空穴注入层;4.空穴传输层;5.发光层;6.电子传输层;7.电子注入层;8.反射金属阴极层。
具体实施方式
下面利用给出的实施例和器件效果图对本发明做进一步阐述,便于更充分地了解本发明及获得的有益效果。
实施例1:
本例中紫外OLED器件的结构如图1所示,所对应的器件记为器件一。衬底层1、阳极层2、可溶液加工复合空穴注入层3、空穴传输层4、发光层5、电子传输层6、电子注入层7、反射金属阴极层8顺序叠接为一体。
制备方法包括如下步骤:
(1)衬底采用玻璃,阳极选用ITO膜,方阻约为15Ω/□。依次采用丙酮、ITO清洗液、纯水和异丙醇进行超声清洗后烘干,然后经紫外-臭氧处理10-20分钟。
(2)将氧化钼粉末(MoOx)溶解在纯水中,按质量百分比配置成浓度为0.1%的MoOx水溶液。将该MoOx水溶液与PEDOT:PSS按质量比为1:1配成PEDOT:PSS+MoOx混合溶液。
(3)在ITO阳极上旋涂PEDOT:PSS+MoOx混合溶液制备复合空穴注入层,转速为4000rpm、旋涂时间为60s,热处理温度为120℃、热处理时间为20min。
(4)在真空度优于5×10-4Pa的条件下采用真空热蒸镀工艺依次沉积空穴传输层CBP(厚度为20-40nm)、发光层TAZ(厚度为20nm)、电子传输层BPhen(厚度为50-80nm)、电子注入层LiF(厚度为1-2nm)。
CBP表示4,4’-bis(carbazol-9-yl)biphenyl。
TAZ表示3-(4-biphenyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole。
BPhen表示4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline。
(5)在没有破坏真空的条件下更换掩膜板,沉积反射金属阴极层Al(厚度不少于100nm)。
(6)从阳极层由正向负连接反射金属阴极层构成外电路。
当施加直流电压时,从阳极一侧观测近紫外出射发光线。用电压电流源表测量器件的驱动电压和电流,用光谱计测量器件的辐照度和电致发光光谱,外电路驱动电源可选择直流4V-20V。
实施例2:
将氧化钼粉末(MoOx)溶解在纯水中,按质量百分比配置成浓度为0.15%,的MoOx水溶液。将该MoOx水溶液与PEDOT:PSS按质量比为1:1配成PEDOT:PSS+MoOx混合溶液;其余与实施例1相同。记为器件二。
实施例3:
将氧化钼粉末(MoOx)溶解在纯水中,按质量百分比配置成浓度为0.20%,的MoOx水溶液。将该MoOx水溶液与PEDOT:PSS按质量比为1:1配成PEDOT:PSS+MoOx混合溶液;其余与实施例1相同。记为器件三。
实施例4:
将氧化钼粉末(MoOx)溶解在纯水中,按质量百分比配置成浓度为0.20%,的MoOx水溶液。将该MoOx水溶液与PEDOT:PSS按质量比为2:1配成PEDOT:PSS+MoOx混合溶液;其余与实施例1相同。记为器件四。
实施例5:
将氧化钼粉末(MoOx)溶解在纯水中,按质量百分比配置成浓度为0.20%,的MoOx水溶液。将该MoOx水溶液与PEDOT:PSS按质量比为3:1配成PEDOT:PSS+MoOx混合溶液;其余与实施例1相同。记为器件五。
实施例6:
将氧化钼粉末(MoOx)溶解在纯水中,按质量百分比配置成浓度为0.20%,的MoOx水溶液。将该MoOx水溶液与PEDOT:PSS按质量比为1:2配成PEDOT:PSS+MoOx混合溶液;其余与实施例1相同。记为器件六。
实施例7:
将氧化钼粉末(MoOx)溶解在纯水中,按质量百分比配置成浓度为0.20%,的MoOx水溶液。将该MoOx水溶液与PEDOT:PSS按质量比为1:3配成PEDOT:PSS+MoOx混合溶液;其余与实施例1相同。记为器件七。
实施例8:
将氧化钼粉末(MoOx)溶解在纯水中,按质量百分比配置成浓度为0.20%,的MoOx水溶液。将该MoOx水溶液与PEDOT:PSS按质量比为1:4配成PEDOT:PSS+MoOx混合溶液;其余与实施例1相同。记为器件八。
实施例9:
在ITO阳极上旋涂PEDOT:PSS(即不掺杂MoOx)制备空穴注入层,取代器件1中的复合空穴注入层;其余与实施例1相同。该器件作为参考器件,记为器件九。
本发明效果说明:
由图2可知,在电压为8V时,器件一~器件八的辐照度分别为0.66、1.05、1.15、1.00、0.75、0.85、0.71、0.63mW/cm2,而电压为8V时器件九的辐照度为0.22mW/cm2,器件一~器件八的辐照度比器件九(参考器件)提高了两倍以上。在电压为10V时,器件一~器件八的辐照度分别为2.97、4.29、4.50、3.91、2.88、3.37、2.86、2.53mW/cm2,而电压为10V时器件九的辐照度为1.10mW/cm2,器件一~器件八的辐照度比器件九也提高了两倍以上。在电压为12V时,器件一~器件八的辐照度分别为7.03、8.91、9.97、8.00、6.21、6.95、6.09、5.76mW/cm2,而电压为12V时器件九的辐照度为3.04mW/cm2,器件一~器件八的辐照度比器件九提高了很多;器件一~器件八的最大辐照度分别为10.41mW/cm2(14V)、12.27mW/cm2(14V)、12.2mW/cm2(14V)、11.05mW/cm2(14V)、10.86mW/cm2(14V)、10.4mW/cm2(14V)、9.73mW/cm2(14V)、9.65mW/cm2(14V),而器件九的最大辐照度为7.46mW/cm2(15V),器件一~器件八的最大辐照度也比器件九提高了很多。因此,采用掺杂MoOx的PEDOT:PSS空穴注入层可大幅度提高紫外OLED的辐照度。
由图3可知,器件一~器件八的最大外量子效率分别为3.86%、4.25%、4.37%、4.42%、4.09%、4.42%、4.17%、3.96%,而器件九的最大外量子效率为3.34%,器件一~器件八的最大外量子效率比器件九有较大的提高。因此,采用掺杂MoOx的PEDOT:PSS空穴注入层也大幅度提高了紫外OLED的外量子效率。

Claims (3)

1.一种高效率紫外有机电致发光器件,包括空穴注入层,其特征在于:所述空穴注入层所用材料是掺杂了MoOx的PEDOT:PSS,其中x=2~3。
2.根据权利要求1所述的高效率紫外有机电致发光器件,还包括阳极层和空穴传输层,其特征在于:所述空穴注入层位于阳极层和空穴传输层之间。
3.一种高效率紫外有机电致发光器件的制备方法,所述方法包括:将MoOx粉末溶解在纯水中,按质量百分比配置成浓度为0.1%~0.2%的MoOx水溶液,将该MoOx水溶液与PEDOT:PSS按质量比(1~3):(1~4)配成PEDOT:PSS+MoOx混合溶液,在ITO阳极上旋涂上述PEDOT:PSS+MoOx混合溶液制备空穴注入层。
CN201710218783.4A 2017-04-05 2017-04-05 一种高效率紫外有机电致发光器件及其制备方法 Expired - Fee Related CN107068884B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710218783.4A CN107068884B (zh) 2017-04-05 2017-04-05 一种高效率紫外有机电致发光器件及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710218783.4A CN107068884B (zh) 2017-04-05 2017-04-05 一种高效率紫外有机电致发光器件及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107068884A true CN107068884A (zh) 2017-08-18
CN107068884B CN107068884B (zh) 2019-07-05

Family

ID=59602626

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710218783.4A Expired - Fee Related CN107068884B (zh) 2017-04-05 2017-04-05 一种高效率紫外有机电致发光器件及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107068884B (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109980113A (zh) * 2019-04-04 2019-07-05 上海大学 一种有机发光二极管及其制备方法
CN110048004A (zh) * 2019-03-26 2019-07-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN110518139A (zh) * 2019-09-13 2019-11-29 桂林电子科技大学 一种倒置结构紫外有机发光器件双电子注入层的制备方法
CN111628092A (zh) * 2019-02-28 2020-09-04 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN111697150A (zh) * 2020-08-11 2020-09-22 河南大学 一种基于MoOx空穴注入层的QLED器件及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2618638A1 (en) * 2011-04-22 2013-07-24 Panasonic Corporation Organic el display panel and method for manufacturing same
CN105374953A (zh) * 2015-12-24 2016-03-02 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及制备方法、发光模组与显示装置
WO2016089131A1 (ko) * 2014-12-03 2016-06-09 경희대학교 산학협력단 용액공정을 통해 형성된 전하 생성층을 사용한 발광 소자 및 이의 제조 방법
CN106129262A (zh) * 2016-07-11 2016-11-16 电子科技大学中山学院 一种具有双空穴注入层的紫外有机发光器件及其制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2618638A1 (en) * 2011-04-22 2013-07-24 Panasonic Corporation Organic el display panel and method for manufacturing same
WO2016089131A1 (ko) * 2014-12-03 2016-06-09 경희대학교 산학협력단 용액공정을 통해 형성된 전하 생성층을 사용한 발광 소자 및 이의 제조 방법
CN105374953A (zh) * 2015-12-24 2016-03-02 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及制备方法、发光模组与显示装置
CN106129262A (zh) * 2016-07-11 2016-11-16 电子科技大学中山学院 一种具有双空穴注入层的紫外有机发光器件及其制备方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111628092A (zh) * 2019-02-28 2020-09-04 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN111628092B (zh) * 2019-02-28 2022-01-18 Tcl科技集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN110048004A (zh) * 2019-03-26 2019-07-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN110048004B (zh) * 2019-03-26 2021-11-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN109980113A (zh) * 2019-04-04 2019-07-05 上海大学 一种有机发光二极管及其制备方法
CN110518139A (zh) * 2019-09-13 2019-11-29 桂林电子科技大学 一种倒置结构紫外有机发光器件双电子注入层的制备方法
CN110518139B (zh) * 2019-09-13 2021-08-24 桂林电子科技大学 一种倒置结构紫外有机发光器件双电子注入层的制备方法
CN111697150A (zh) * 2020-08-11 2020-09-22 河南大学 一种基于MoOx空穴注入层的QLED器件及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN107068884B (zh) 2019-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106129262B (zh) 一种具有双空穴注入层的紫外有机发光器件及其制备方法
CN107068884B (zh) 一种高效率紫外有机电致发光器件及其制备方法
CN102694131B (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法以及显示装置
CN107123742B (zh) 一种倒置型底发射有机发光二极管及其制备方法
CN106450012A (zh) 一种双空穴注入层的有机电致发光器件及其制备方法
CN101339977A (zh) 一种有机小分子空穴注入层及其电致发光器件
CN107046101B (zh) 等离子体共振增强的蓝光有机发光二极管及其制备方法
CN102074658A (zh) 电荷产生层、叠层有机发光二极管及其制备方法
CN206293474U (zh) 等离子体共振增强的蓝光有机发光二极管
CN108417739A (zh) 一种基于喷涂工艺的钙钛矿发光二极管及其制备方法
CN108183175A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN103746079B (zh) 一种单层结构的倒置顶发射有机电致发光器件
CN204464323U (zh) 一种基于梯度结构空穴注入传输的紫外有机电致发光器件
CN104681730A (zh) 一种基于梯度结构空穴注入传输的紫外有机电致发光器件及其制备方法
CN106920886A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN103797600A (zh) 一种具有三元掺杂空穴传输层的有机电致发光器件及其制备方法
CN205542905U (zh) 一种紫外有机发光器件
CN106207014B (zh) 一种有机发光器件的制备方法
CN105762294A (zh) 利用铱配合物的白光有机电致发光器件及其制备方法
CN103137889A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN106920899A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN109360898A (zh) 一种同步优化有机聚合物激光性质和电致发光器件载流子注入的方法
CN101609871A (zh) 有机电致发光器件及其制作方法
CN103545450A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN105552243A (zh) 一种紫外有机发光器件及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20190705