CN107065444A - 一种制备亲疏图案的光刻方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种制备亲疏图案的光刻方法，包括以下步骤：首先在基底上涂覆或喷涂带有图案的图案连接层，其次涂覆、喷涂或旋涂表面涂层，最后由紫外光或太阳光或可见光或红外光进行照射，得到亲疏图案；所述的基底的材料选自玻璃、金属、合金、不锈钢、墙体、纸张、棉织物中的任一种；所述的图案连接层为具有图案的有机硅胶或硅氧烷；所述表面涂层为尺寸为10nm～10μm微纳二氧化钛颗粒或表面修饰有低表面能物质的微纳二氧化钛颗粒。本发明不需要光掩模，制备方法简单，扩大了光刻技术的使用范围，并且节省了能源，并可以制备任意尺寸的图案，实现低表面能物质的自供应，从而延长了其使用寿命，具有广泛的应用前景。

Description

一种制备亲疏图案的光刻方法
技术领域：
本发明涉及一种制备亲疏图案的方法，具体涉及一种制备亲疏图案的光刻方法。
背景技术：
亲疏图案是指由亲水区和疏水区组成的图案，它在微通道、胶版印刷、细胞生长和筛选、表面粘附性的控制等都有着广泛的应用前景。亲疏图案的制备方法包括剥离、喷墨印刷、激光刻蚀、紫外光刻等方法，其中紫外光刻方法是应用最为广泛的一种。
紫外光刻技术是指在紫外光照作用下，借助光刻胶将光掩膜版上的图形转移到基片上的技术。在此种紫外光刻技术中，光掩模版是必须的。然而，光掩模版的使用在一定程度上使光刻过程变得复杂，并且限制了光刻技术的使用范围和图形的大小。另外，如何利用太阳光的曝光技术也是人们所需解决的难题之一。
发明内容：
本发明的目的是提供一种制备亲疏图案的光刻方法，该方法不需要光掩模，制备方法简单，扩大了光刻技术的使用范围，并且可以直接利用紫外或太阳光进行曝光来实现，节省了能源，并可以制备任意尺寸的图案，不受尺寸限制。
本发明是通过以下技术方案予以实现的：
一种制备亲疏图案的光刻方法，该方法包括以下步骤：首先在基底上涂覆或喷涂一层带有图案的图案连接层，其次涂覆、喷涂或旋涂一层表面涂层，最后由紫外光或太阳光或可见光或红外光进行照射，得到亲疏图案；所述的基底的材料选自玻璃、金属、合金、不锈钢、墙体、纸张、棉织物中的任一种；所述的图案连接层为具有图案的有机硅胶或硅氧烷；所述表面涂层为尺寸为10nm～10μm微纳二氧化钛颗粒或表面修饰有低表面能物质的微纳二氧化钛颗粒；所述的低表面能物质为氟硅烷或硅氧烷。
优选地，所述的图案连接层的图案的制备方法为丝网印刷、点胶机或手动绘制。
所述的低表面能物质为主链含碳原子数≥4的氟硅烷或硅氧烷，优选为十三氟三乙氧基辛基硅烷、三乙氧基九氟己基硅烷。
所述的图案连接层为具有图案的有机硅胶或硅氧烷，其在光照的作用下，TiO2的光催化作用将其分解成小分子，扩散到TiO2的表面，形成疏水涂层，从而实现了低表面能物质的自供应。
本发明的有益效果如下：
本发明不需要光掩模，制备方法简单，扩大了光刻技术的使用范围，并且可以直接利用紫外或太阳光进行曝光来实现，节省了能源，并可以制备任意尺寸的图案，不受尺寸限制，本发明可以实现低表面能物质的自供应，从而延长了其使用寿命，具有广泛的应用前景。
附图说明：
图1是本发明的工艺流程示意图；
其中，1、基底，2、图案连接层，3、表面涂层，4、亲或疏水区域，5、疏或亲水区域。
具体实施方式：
以下是对本发明的进一步说明，而不是对本发明的限制。
实施例1：
如图1所示的一种制备亲疏图案的光刻方法，该方法包括以下步骤：首先在玻璃基底1上采用点胶机涂覆或喷涂一层带有点状结构图案的有机硅胶图案连接层2，其次涂覆、喷涂或旋涂一层表面涂层3，最后由紫外光进行照射5分钟，得到亲疏图案，底部涂覆有有机硅胶的为疏水区域，底部直接为玻璃基底的为亲水区域；所述表面涂层3为表面修饰有十三氟三乙氧基辛基硅烷的微纳二氧化钛颗粒；二氧化钛颗粒为25nm和1μm的复合尺寸的颗粒。
实施例2：
参考图1，制备亲疏图案的光刻方法包括以下步骤：首先在不锈钢基底1上采用丝网印刷印刷一层带有线状图案的聚二甲基硅氧烷的图案连接层2，其次涂覆、喷涂或旋涂一层表面涂层，最后由太阳光进行照射5分钟，得到亲疏图案，底部涂覆有聚二甲基硅氧烷的为疏水区域，底部直接为不锈钢基底的为亲水区域；所述表面涂层为120nm微纳二氧化钛颗粒。

Claims (4)

1.一种制备亲疏图案的光刻方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：首先在基底上涂覆或喷涂一层带有图案的图案连接层，其次涂覆、喷涂或旋涂一层表面涂层，最后由紫外光或太阳光或可见光或红外光进行照射，得到亲疏图案；所述的基底的材料选自玻璃、金属、合金、不锈钢、墙体、纸张、棉织物中的任一种；所述的图案连接层为具有图案的有机硅胶或硅氧烷；所述表面涂层为尺寸为10nm～10μm微纳二氧化钛颗粒或表面修饰有低表面能物质的微纳二氧化钛颗粒；所述的低表面能物质为氟硅烷或硅氧烷。
2.根据权利要求1所述的制备亲疏图案的光刻方法，其特征在于，所述的图案连接层的图案的制备方法为丝网印刷、点胶机或手动绘制。
3.根据权利要求1或2所述的制备亲疏图案的光刻方法，其特征在于，所述的低表面能物质为主链含碳原子数≥4的氟硅烷或硅氧烷。
4.根据权利要求3所述的制备亲疏图案的光刻方法，其特征在于，所述的低表面能物质为十三氟三乙氧基辛基硅烷、三乙氧基九氟己基硅烷。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109706066A (zh) * 2018-12-29 2019-05-03 赛纳生物科技(北京)有限公司 基因测序芯片微坑表面修饰方法
CN110372225A (zh) * 2019-07-24 2019-10-25 北京科技大学 具有多尺度结构的高效冷凝亲水疏水薄膜涂层的制备方法
CN113889577A (zh) * 2021-08-17 2022-01-04 中国农业科学院北京畜牧兽医研究所 柔性场效应传感器及基于紫外光刻制备其的方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020086235A1 (en) * 1997-09-17 2002-07-04 Ray Kevin Barry Planographic printing
CN1372514A (zh) * 2000-04-28 2002-10-02 三井化学株式会社 平版印刷用印版
CN1754126A (zh) * 2003-02-28 2006-03-29 大日本印刷株式会社 湿润性图案形成用涂敷液和图案形成体的制造方法
CN101016642A (zh) * 2006-12-31 2007-08-15 厦门大学 一种基于超亲/超疏水特性的钛表面微米级图案的构筑方法
JP2008171978A (ja) * 2007-01-11 2008-07-24 Konica Minolta Holdings Inc 有機薄膜トランジスタ
US8298755B2 (en) * 2008-07-28 2012-10-30 Illinois Institute Of Technology Methods for producing organic nanocrystals
CN102782580A (zh) * 2010-02-26 2012-11-14 株式会社尼康 图案形成方法
CN105573053A (zh) * 2014-10-31 2016-05-11 Jsr株式会社 具有亲液部与疏液部的基材的制造方法及其应用、组合物及感放射线性树脂组合物

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020086235A1 (en) * 1997-09-17 2002-07-04 Ray Kevin Barry Planographic printing
CN1372514A (zh) * 2000-04-28 2002-10-02 三井化学株式会社 平版印刷用印版
CN1754126A (zh) * 2003-02-28 2006-03-29 大日本印刷株式会社 湿润性图案形成用涂敷液和图案形成体的制造方法
CN101016642A (zh) * 2006-12-31 2007-08-15 厦门大学 一种基于超亲/超疏水特性的钛表面微米级图案的构筑方法
JP2008171978A (ja) * 2007-01-11 2008-07-24 Konica Minolta Holdings Inc 有機薄膜トランジスタ
US8298755B2 (en) * 2008-07-28 2012-10-30 Illinois Institute Of Technology Methods for producing organic nanocrystals
CN102782580A (zh) * 2010-02-26 2012-11-14 株式会社尼康 图案形成方法
CN105573053A (zh) * 2014-10-31 2016-05-11 Jsr株式会社 具有亲液部与疏液部的基材的制造方法及其应用、组合物及感放射线性树脂组合物

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109706066A (zh) * 2018-12-29 2019-05-03 赛纳生物科技(北京)有限公司 基因测序芯片微坑表面修饰方法
CN109706066B (zh) * 2018-12-29 2022-08-26 赛纳生物科技(北京)有限公司 基因测序芯片微坑表面修饰方法
CN110372225A (zh) * 2019-07-24 2019-10-25 北京科技大学 具有多尺度结构的高效冷凝亲水疏水薄膜涂层的制备方法
CN110372225B (zh) * 2019-07-24 2020-10-23 北京科技大学 具有多尺度结构的高效冷凝亲水疏水薄膜涂层的制备方法
CN113889577A (zh) * 2021-08-17 2022-01-04 中国农业科学院北京畜牧兽医研究所 柔性场效应传感器及基于紫外光刻制备其的方法
CN113889577B (zh) * 2021-08-17 2022-09-23 中国农业科学院北京畜牧兽医研究所 柔性场效应传感器及基于紫外光刻制备其的方法

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