CN106997845A - 柔性衬底修补结构、制造方法及检测修补方法 - Google Patents
柔性衬底修补结构、制造方法及检测修补方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106997845A CN106997845A CN201710032252.6A CN201710032252A CN106997845A CN 106997845 A CN106997845 A CN 106997845A CN 201710032252 A CN201710032252 A CN 201710032252A CN 106997845 A CN106997845 A CN 106997845A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- flexible substrate
- layer
- repairs
- repair layer
- repair
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 235
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 81
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 230000008439 repair process Effects 0.000 claims abstract description 263
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 50
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 23
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 claims abstract description 21
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 17
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 68
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 31
- -1 silicon nitrogen silane compound Chemical class 0.000 claims description 25
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 10
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 claims description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 5
- 230000010148 water-pollination Effects 0.000 claims description 5
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 claims description 3
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 abstract description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 6
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 abstract description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 abstract description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 abstract 1
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 24
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 12
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 229910007991 Si-N Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910006294 Si—N Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 5
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 3
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 3
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 3
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 3
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 3
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 3
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 3
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 3
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 3
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical class [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Chemical class 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000636 poly(norbornene) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004812 Fluorinated ethylene propylene Substances 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 239000004425 Makrolon Substances 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910008051 Si-OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006358 Si—OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007605 air drying Methods 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N benzene-1,4-diol;bis(4-fluorophenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1.C1=CC(F)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(F)C=C1 JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- HQQADJVZYDDRJT-UHFFFAOYSA-N ethene;prop-1-ene Chemical group C=C.CC=C HQQADJVZYDDRJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000003205 fragrance Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 229920009441 perflouroethylene propylene Polymers 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000006223 plastic coating Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0277—Bendability or stretchability details
- H05K1/028—Bending or folding regions of flexible printed circuits
- H05K1/0281—Reinforcement details thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C73/00—Repairing of articles made from plastics or substances in a plastic state, e.g. of articles shaped or produced by using techniques covered by this subclass or subclass B29D
- B29C73/02—Repairing of articles made from plastics or substances in a plastic state, e.g. of articles shaped or produced by using techniques covered by this subclass or subclass B29D using liquid or paste-like material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C37/00—Component parts, details, accessories or auxiliary operations, not covered by group B29C33/00 or B29C35/00
- B29C37/0078—Measures or configurations for obtaining anchoring effects in the contact areas between layers
- B29C37/0082—Mechanical anchoring
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2995/00—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds
- B29K2995/0037—Other properties
- B29K2995/0092—Other properties hydrophilic
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
本发明提供一种柔性衬底修补结构、制造方法及检测修补方法。柔性衬底修补结构包括柔性衬底与至少一修补层。柔性衬底具有规则凹陷。至少一修补层位于柔性衬底上且填满规则凹陷，其中至少一修补层的材料包括具有以下化学式(1)所示单元的聚硅氮烷化合物，其中Rx、Ry及Rz分别为氢原子或碳数为1～10的经取代的烷基、未经取代的烷基、烯基或芳香基。通过修补层的形成以避免或减少柔性衬底上的膜层产生裂纹或是断裂等问题。
Description
技术领域
本发明涉及基板制造领域，特别涉及柔性衬底修补结构、制造方法及检测修补方法。
背景技术
在柔性衬底(又称柔性基板、挠性基板)的制造、后处理(post-treatment)与传送过程中，均有可能在其表面或是内部产生缺陷。经检测后，具有这些缺陷的柔性衬底可能被判定为废品，而提高制造成本。否则，在具有这些缺陷的柔性衬底上继续进行后续的加工生产，将使产品合格率下降。因此，如何修补柔性衬底的缺陷，成为本领域重要的课题。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明目的在于提供一种柔性衬底修补结构，提高产品良品率，提供一种柔性衬底修补结构的制造方法，降低修补层与柔性衬底之间色差，以及提供一种柔性衬底的检测与修补方法，减少柔性衬底的废品率，进而降低制造成本。
具体地说，本发明公开了一种柔性衬底修补结构，包括：
柔性衬底，具有规则凹陷；以及
至少一修补层，位于所述柔性衬底上且填满所述规则凹陷，
其中所述至少一修补层的材料为聚硅氮烷化合物，其包括具有以下化学式(1)所示单元的聚硅氮烷化合物，
其中Rx、Ry及Rz各自分别为氢原子或碳数为1～10的经取代的烷基、未经取代的烷基、烯基或芳香基。
所述的柔性衬底修补结构，其中所述规则凹陷为具有平滑轮廓的凹陷。
所述的柔性衬底修补结构，其中所述规则凹陷的开口形状包括圆形、椭圆形、矩形或多边形。
所述的柔性衬底修补结构，其中在与所述柔性衬底接触的修补层中，邻近于所述柔性衬底的一侧的氮原子百分比低于其远离所述柔性衬底的另一侧的氮原子百分比。
所述的柔性衬底修补结构，其中所述至少一修补层为多数个修补层。
所述的柔性衬底修补结构，其中所述多数个修补层的氮原子百分比的变化在所述柔性衬底的法线方向上为高低交替。
本发明还公开了一种柔性衬底修补结构的制造方法，包括：
将修补溶液涂布于柔性衬底上，其中所述修补溶液的毛细管指数小于10-5；
去除所述修补溶液中的溶剂而形成至少一修补材料层；以及
进行光学调整步骤，以改变所述至少一修补材料层的折射率，而形成所述至少一修补层。
所述的柔性衬底修补结构的制造方法，所述修补溶液的溶质包括具有以下化学式(1)所示的单元的硅氮烷化合物，
其中Rx、Ry及Rz各自分别为氢原子或碳数为1～10的经取代的烷基、未经取代的烷基、烯基或芳香基。
所述的柔性衬底修补结构的制造方法，其中所述光学调整步骤包括调整所述至少一修补材料层中的氮原子百分比。
所述的柔性衬底修补结构的制造方法，其中所述光学调整步骤包括对所述至少一修补材料层进行热处理，以降低所述至少一修补材料层的氮原子百分比。
所述的柔性衬底修补结构的制造方法，其中还包括在进行所述热处理之后，对所述至少一修补层进行后处理，以降低所述至少一修补层的氮原子百分比。
所述的柔性衬底修补结构的制造方法，其中所述光学调整步骤包括对所述至少一修补材料层进行等离子体处理，以提高所述至少一修补材料层的氮原子百分比。
所述的柔性衬底修补结构的制造方法，其中在所述柔性衬底上形成所述至少一修补层包括在所述柔性衬底上形成多数个修补层。
所述的柔性衬底修补结构的制造方法，其中形成每一所述修补层所采用的所述光学调整步骤的方法与参数相同。
所述的柔性衬底修补结构的制造方法，其中形成每一所述修补层所采用的所述光学调整步骤的方法与参数至少其中之一相异。
所述的柔性衬底修补结构的制造方法，其中通过所述光学调整步骤，以使所述多数个修补层的氮原子百分比的变化在所述柔性衬底表面的法线方向上为高低交替。
所述的柔性衬底修补结构的制造方法，其中还包括在形成所述至少一修补层之前，进行移除步骤，以移除位于所述柔性衬底上及/或所述柔性衬底内的缺陷。
所述的柔性衬底修补结构的制造方法，其中所述移除步骤包括进行脉冲激光蚀刻或对所述柔性衬底的表面进行研磨。
所述的柔性衬底修补结构的制造方法，其中还包括在形成所述至少一修补层之前对所述柔性衬底进行亲水性处理。
本发明还公开了一种柔性衬底的检测与修补方法，包括：
对柔性衬底进行检测，以判断所述柔性衬底是否具有缺陷；
若检测的结果为具有缺陷，则依据缺陷的种类以及位置将检测出的缺陷进行分类；以及
进行所述的柔性衬底修补结构的制造方法。
基于上述，在本发明实施例的柔性衬底修补结构中，修补层填满柔性衬底的凹陷。据此，可避免在柔性衬底中形成孔洞，而造成在后续的生产流程中形成于柔性衬底的膜层产生裂纹或是断裂的问题。此外，柔性衬底与修补层中的聚硅氮烷化合物之间的附着力佳，故可避免柔性衬底与修补层之间产生脱层的问题。再者，修补层的聚硅氮烷化合物还可阻绝空气中的水气及氧气，使其不能穿透柔性衬底进而侵入形成于柔性衬底上的电子元件。
此外，本发明实施例的柔性衬底修补结构的制造方法包括进行光学调整步骤，以改变修补层的折射率，进而降低柔性衬底与修补层的整体的有效折射率与柔性衬底的折射率的差异。因此，可有效地降低修补层与柔性衬底之间的色差。
再者，本发明实施例的柔性衬底的检测与修补方法包括依据缺陷的种类以及位置将柔性衬底的缺陷进行分类，且对具有缺陷的柔性衬底进行修补。据此，可使部分具有缺陷的柔性衬底经修补后进行后续的加工，也就是说可减少柔性衬底被判定为废品的数量，故可降低制造成本。
为让本发明的上述特征和效果能阐述的更明确易懂，下文特举实施例，并配合说明书附图作详细说明如下。
附图说明
图1A至图1F为依照本发明一些实施例的柔性衬底修补结构的制造流程的剖面示意图；
图2为依照本发明一些实施例的柔性衬底的检测与修补方法的流程图；
图3A至图3B为图1B的柔性衬底的表面经亲水性处理后于其上形成修补材料层的流程的放大示意图；
图4A至图4B为图1C的修补层经后处理的流程的放大剖面图；
图5为依照本发明另一些实施例的柔性衬底修补结构的剖面示意图；
图6为依照本发明另一些实施例的柔性衬底的检测与修补方法的流程图；
图7A至图7L为依照本发明其他实施例的柔性衬底修补结构的剖面示意图。
具体实施方式
请同时参照图1A与图2，本实施例的柔性衬底的检测与修补方法包括下列步骤。进行步骤S200，提供柔性衬底100。柔性衬底100的材料例如是聚酰亚胺(Polyimide；PI)、聚甲基丙烯酸甲脂(Polymethylmethacrylate；PMMA)、聚碳酸酯(Polycarbonate；PC)、聚醚砜(Polyethersulfone；PES)、聚酰胺(polyamide；PA)、聚降冰片烯(polynorbornene；PNB)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate；PET)、聚醚醚酮(Polyether etherketone；PEEK)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate；PEN)、聚乙烯亚胺(Polyethyleneimine；PEI)或其组合。
在一些实施例中，柔性衬底100形成于硬载板(rigid carrier)110上，且硬载板110上已形成离形层(de-bonding layer)108。另外，可依据柔性衬底100的材质而选用适当材料的离形层108，离形层108的材料包括金属材料、陶瓷材料或有机材料。有机材料例如是含氟有机化合物、含氯聚合物、含硅有机化合物或其组合。在一些实施例中，含氟有机化合物可例如是聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethene；PTEF)、聚偏二氟乙烯(polyvinylidenedifluoride；PVDF)、氟化乙烯丙烯(Fluorinated ethylene propylene；FEP)共聚物或其组合。在一些实施例中，含氯聚合物可例如是聚氯乙烯(PolyVinyl Chloride；PVC)。在一些实施例中，含硅有机化合物例如是硅氧树脂(polysiloxanes)。然而，本发明并不以离形层108的材料为限，其他具有低表面能(surface energy)且不易与相邻材料反应的特性的材料皆可适用。
由于柔性衬底100在制造、后处理或传送的过程可能产生缺陷。若在这些具有缺陷的柔性衬底100上制造电子元件，将导致此电子元件可能具有可被使用者察觉的光学瑕疵。因此，接着，进行步骤S202，对柔性衬底100进行检测，以判断柔性衬底100是否具有缺陷。在一些实施例中，进行检测的方法可为光学检测，例如是自动光学检测(Automated OpticalInspection；AOI)，其分辨率例如是1μm。换言之，大于1μm的缺陷可被检测出，而小于1μm的缺陷则不能被检测出。然而，本发明并不以此为限。
进行步骤S203，判断柔性衬底100是否具有缺陷。若柔性衬底100经判断不具有缺陷或其具有的缺陷的尺寸小于量测极限，则可直接进行步骤S214，在柔性衬底100上形成电子元件。接着，可进行步骤S216，裁切部分位于电子元件周围的柔性衬底。随后，可进行步骤S218，将离型层108及硬载板110从柔性衬底100移除。在一些实施例中，可通过机械力的方式使柔性衬底100与离型层108分离。在其他实施例中，还可通过例如是风刀、线或其他方式使柔性衬底100与离型层108分离。
若柔性衬底100经判断具有缺陷101，则进行柔性衬底修补结构的制造方法。进行步骤S204，将缺陷101进行分类。缺陷101的种类可包括不规则凹陷102、异物104、内部缺陷106，但不以此为限。不规则凹陷102位于柔性衬底100表面，其例如是轮廓不平滑且形状、截面积及/或深度彼此不同的凹陷。不规则凹陷102可包括不规则凹陷102a及不规则凹陷102b，其中不规则凹陷102b例如是刮伤或微裂痕，其上视放大示意图如图1A的虚线区域所绘示。不规则凹陷102a例如是针孔或是凹洞。异物104位于柔性衬底100上。内部缺陷106位于柔性衬底100内部，且内部缺陷106可包括内部缺陷106a及内部缺陷106b，其中内部缺陷106a例如是封闭的孔洞，而内部缺陷106b例如是杂质。
请同时参照图1B与图2，若柔性衬底100具有异物104，则可选择性地进行步骤S206a，移除异物104。若柔性衬底100具有内部缺陷106，则可进行步骤S206b，移除内部缺陷106，以形成自柔性衬底100的内部延伸至其表面的规则凹陷112，其包括分别对应到内部缺陷106a及内部缺陷106b的规则凹陷112a及规则凹陷112b。移除异物104与内部缺陷106的方法可以采用物理性的方法。在一些实施例中，移除异物104的方法是对异物104进行脉冲激光蚀刻，或对柔性衬底100的表面进行研磨。在一些实施例中，移除内部缺陷106的方法例如是对内部缺陷106进行脉冲激光蚀刻，以形成上述的规则凹陷112。规则凹陷112为投影在柔性衬底100上具有平滑轮廓的凹陷，其彼此之间的形状及/或截面积可以相同或是相异。规则凹陷112投影在柔性衬底100上的形状包括圆形、椭圆形、矩形或多边形。举例而言，规则凹陷112投影在柔性衬底100上的形状为圆形，其上视示意图如图1B的虚线区域所绘示。
在一些实施例中，规则凹陷112的截面积范围可在100μm2至900μm2之间，或大于900μm2。在一些例示实施例中，内部缺陷106的直径范围在1μm至10μm之间，所形成的规则凹陷112的截面积可为100μm2。在另一些例示实施例中，内部缺陷106的直径范围在10μm至20μm之间，所形成的规则凹陷112的截面积可为400μm2。在又一些例示实施例中，内部缺陷106的直径范围在20μm至30μm之间，所形成的规则凹陷112的截面积可为900μm2。
在另一些实施例中，若柔性衬底100的异物104的厚度小于1μm时，可选择不进行步骤S206a，而使后续形成的膜层覆盖于异物104上。另外，在其他实施例中，若内部缺陷106在柔性衬底100中的深度大于柔性衬底100的厚度的一半(也就是说，较接近离形层108)，则可选择不进行步骤S206b，以避免所形成的规则凹陷深度过深，造成柔性衬底的机械强度不足。
请同时参照图2与图3A，可选择性地进行步骤S208，对柔性衬底100进行亲水性处理，以在柔性衬底100的表面形成亲水性官能基(官能基是决定有机化合物的化学性质的原子或原子团，又称官能团、功能团)。举例而言，进行亲水性处理的方法可以醇类或酮类(例如是丙酮或乙醇)对柔性衬底100的表面进行去脂处理。接着，以碱性溶液对柔性衬底100的表面进行活化处理，其例如是在30分钟内以体积摩尔浓度(Molarity)为1M(mol/L)的氢氧化钠溶液进行此活化处理。之后，以酸性溶液将柔性衬底100的表面官能基化，以在柔性衬底100的表面形成例如是羟(OH官能基)的亲水性官能基。进行此官能基化处理所使用的酸性溶液例如是体积摩尔浓度为0.1M的乙酸溶液，且官能基化处理的时间例如是在30分钟内。最后，以纯水润洗柔性衬底100，并于空气中干燥柔性衬底100。
请同时参照图1C、图1D以及图2，之后，进行步骤S210，在柔性衬底100上形成修补层116。形成修补层116的步骤包括下列子步骤。首先，进行子步骤S210a，将修补溶液涂布(plastic coating)于柔性衬底100上。在本实施例中，柔性衬底100具有不规则凹陷102及规则凹陷112，此时修补溶液填满不规则凹陷102及规则凹陷112。修补溶液的溶质包括具有以下化学式(1)所示单元的硅氮烷化合物：
其中Rx、Ry及Rz各自分别为氢原子或碳数为1～10的经取代的烷基、未经取代的烷基、烯基或芳香基。在本发明一些实施例中，硅氮烷化合物可为单体、化合物、寡聚物(又称低聚物)或高聚物。换言之，在一些实施例中，硅氮烷化合物具有以下化学式(2)所示的单元的硅氮烷化合物，
其中Rx、Ry及Rz分别为氢原子或碳数为1～10的经取代的烷基、未经取代的烷基、烯基或芳香基，以及n为1至10000的自然数。
另外，在本发明一些实施例中，硅氮烷化合物的分子量(Relative molecularmass)范围可在约47至1×106之间。修补溶液的溶剂可以是芳香族，例如是乙苯或二甲苯。在一些实施例中，修补溶液的毛细管指数(又称界面张力数Capillary number)小于10-5，故其在具有不规则凹陷102及规则凹陷112的表面流动时是以毛细力主导，进而可使修补溶液完全地填满不规则凹陷102及规则凹陷112。若修补溶液的毛细管指数大于10-5，则修补溶液的流动是以黏滞力主导，其可能造成修补溶液无法完全填满不规则凹陷102及规则凹陷112而留下孔洞。此孔洞可能造成应力集中的现象，而使得在后续的生产流程中形成于柔性衬底100的膜层产生裂纹抑或是断裂的问题。此外，调整修补溶液的毛细管指数的方法例如是调整修补溶液的固含量。在本发明一些实施例中，修补溶液的固含量例如是3％时，其修补溶液的毛细管指数可以小于10-5。另外，在其他实施例中，若未在步骤S206a中移除异物104，则修补溶液还覆盖异物104。
之后，进行子步骤S210b，去除修补溶液中的溶剂而形成修补材料层114。去除溶剂的方法例如是对修补溶液进行预烘烤(pre-bake)。在一些实施例中，预烘烤的温度范围在120℃至150℃之间。所形成的修补材料层114自柔性衬底100的平坦面起算的厚度可小于1μm，例如为250nm。修补材料层114的材料具有上述化学式(1)所示的单元的硅氮烷化合物：
其中Rx、Ry及Rz各自分别为氢原子或碳数为1～10的经取代的烷基、未经取代的烷基、烯基或芳香基。在本发明一些实施例中，硅氮烷化合物可为单体、化合物、寡聚物或高聚物。换言之，在一些实施例中，硅氮烷化合物具有以下化学式(2)所示的单元的硅氮烷化合物，
其中Rx、Ry及Rz分别为氢原子或碳数为1～10的经取代的烷基、未经取代的烷基、烯基或芳香基，以及n为1至10000的自然数。
另外，在本发明一些实施例中，硅氮烷化合物的分子量范围可在约47至1×106之间。由于柔性衬底100与硅氮烷化合物所形成的材料层之间具有足够的附着力，其附着力高于柔性衬底100与修补材料层(其材料与柔性衬底100的材料相同)之间的附着力，故可避免柔性衬底与修补材料层产生脱层的问题。此外，硅氮烷化合物还可阻绝环境中的水气及氧气，使其不能穿透柔性衬底100进而侵入形成于柔性衬底100上的电子元件，因此可以避免电子元件与水气及氧气反应而劣化。
请参照图3B，在步骤S208中于柔性衬底100的表面所形成的亲水性官能基(例如是OH基)可与修补材料层114中的氮原子形成氢键。在修补材料层114为硅氮烷化合物的实施例中，亲水性官能基(例如是OH基)可以与硅氮烷化合物中的硅产生键结(例如是Si-OH键结)，据此，可进一步地加强柔性衬底100与修补材料层114之间的附着力。
接着，进行子步骤S210c，进行光学调整步骤，以形成修补层116。从另一方面来说，光学调整步骤也可以称为固化反应。在本实施例中，光学调整步骤可以是对修补材料层114进行热处理。热处理的温度范围例如是在200℃至400℃之间。在一些实施例中，修补材料层114包括硅氮烷化合物，而进行热处理时，硅氮烷化合物可以产生聚合反应，例如是交联聚合反应，降低修补材料层114中的氮原子百分比。换言之，在进行热处理时，修补材料层114中的硅氮烷化合物产生交联聚合反应，并与空气中与柔性衬底100的水气进行水解反应，而产生氨气并逸散到空气中，并且使硅氮烷化合物中的部分Si-N键结转变为Si-O键结，而形成修补层116。因此，进行热处理之后，所形成的修补层116包括具有下式(1)的重复单元的聚硅氮烷化合物：
其中Rx、Ry及Rz各自分别为氢原子或碳数为1～10的经取代的烷基、未经取代的烷基、烯基或芳香基。聚硅氮烷化合物的数目平均分子量(又称数均分子量number-averagemolecular weight)大于1×106。在一些实施例中，聚硅氮烷化合物为巨分子(macromolecule)。
此外，修补层116中的氮原子百分比低于修补材料层114中的氮原子百分比，且修补层116的折射率也低于修补材料层114的折射率。此外，热处理的温度越高，硅氮烷化合物中有更多的Si-N键结转变为Si-O键结，因此，所形成的修补层116中的氮原子百分比越低，且其折射率也越低。在本实施例中，热处理的加热时间为2分钟，当加热温度为90℃时修补层116的折射率为1.592；加热温度为120℃时修补层116的折射率为1.572；加热温度为150℃时修补层116的折射率为1.545；加热温度为180℃时修补层116的折射率为1.548。因此，可通过调整热处理的温度来控制修补层116中的氮原子百分比及其折射率。通过进行热处理，柔性衬底100与修补层116的整体的有效折射率可与柔性衬底100的折射率相匹配。在一些实施例中，修补层116的折射率小于或趋近于柔性衬底100的折射率时，可使柔性衬底100与修补层116的整体的有效折射率与柔性衬底100的折射率之间的差异可小于0.1，故可有效地降低修补层116与柔性衬底100之间的色差。
请同时参照图2、图4A及图4B，在形成修补层116之后，可选择性地进行步骤S212，对修补层116进行后处理，以形成修补层116a。在一些实施例中，进行后处理的方法例如是再次进行热处理。热处理的温度范围例如是在200℃至400℃之间。热处理可使修补层116的聚硅氮烷化合物进一步与空气以及柔性衬底100中的水气进行水解反应。由此，以进一步降低修补层116a中的氮原子百分比以及折射率。换言之，修补层116a中的氮原子百分比低于修补层116中的氮原子百分比，且修补层116a的折射率也低于修补层116的折射率。此外，与子步骤S210c的热处理相似，所属领域技术人员也可通过调整热处理的温度来控制修补层116a的折射率。并且，再次进行热处理还可使修补层116a的表面平整化。
至此，已完成柔性衬底修补结构的制造方法。请参照图1E、图1F与图2，后续的步骤还可以包括进行步骤S214，在修补层116a上形成电子元件118。电子元件118例如是有机发光元件、触控元件或其他光电元件，所属领域技术人员可依其需求，选择适当的电子元件的种类，本发明并不以此为限。之后，可进行步骤S216，进行裁切，将部分位于电子元件118周围的柔性衬底100与修补层116a裁切。最后，进行步骤S218，将离形层108及硬载板110从柔性衬底100移除，以形成电子装置200。电子装置200包括柔性衬底100、修补层116b以及电子元件118。
请参照图1E或图1D。在结构上，本实施例的柔性衬底修补结构包括柔性衬底100与修补层116a(或修补层116)。柔性衬底100具有规则凹陷112，其中规则凹陷112投影至柔性衬底100具有平滑轮廓。规则凹陷112投影至柔性衬底100的开口形状包括圆形、椭圆形、矩形或多边形，且规则凹陷112的截面积范围例如是在100μm2至900μm2之间或大于900μm2。柔性衬底100也可具有轮廓不平滑且形状、截面积及/或深度彼此不同的不规则凹陷102。修补层116a(或修补层116)位于柔性衬底100上且填满规则凹陷112，且还可填满不规则凹陷102。在其他实施例中，缺陷101还可包括位于柔性衬底100上的异物(未在附图中标示)，且修补层116a(或修补层116)可覆盖此异物。离形层108可设置于柔性衬底100与硬载板110之间。修补层116a(或修补层116)的材料为具有化学式(1)所示的单元的聚硅氮烷化合物，其中Rx、Ry及Rz分别为氢原子或碳数为1～10的经取代的烷基、未经取代的烷基、烯基或芳香基。聚硅氮烷化合物的数目平均分子量大于1×106。在一些实施例中，聚硅氮烷化合物为巨分子(macromolecule)。
请同时参照图5及图6，本实施例的柔性衬底的检测与修补方法与图2所示的方法类似，差异仅在于本实施例在完成子步骤S210b之后是进行子步骤S210d而非子步骤S210c。子步骤S210d为光学调整步骤，以对修补材料层114进行等离子体处理(又称等离子处理)，而形成修补层117。进行等离子体处理之后，所形成的修补层117包括具有下式(1)的重复单元的聚硅氮烷化合物：
其中Rx、Ry及Rz各自分别为氢原子或碳数为1～10的经取代的烷基、未经取代的烷基、烯基或芳香基。在一些实施例中，聚硅氮烷化合物为巨分子(macromolecule)。在子步骤S210d中，对柔性衬底100施加的偏压范围例如是在-5KV至-20KV之间，以使正离子注入修补材料层114，其中正离子例如是氩离子。若对柔性衬底100施加的偏压大于-5KV，则等离子体处理的机制将由镀膜主导或由蚀刻主导。注入修补材料层114的正离子可抑制硅氮烷化合物与空气中的水气反应而抑制Si-O键结的产生，故可提高所形成的修补层117的聚硅氮烷化合物中Si-N键结的比例，也就是说具有固氮的作用。据此，修补层117的氮原子百分比高于修补材料层114中的氮原子百分比，且修补层117的折射率也高于修补材料层114的折射率。此外，等离子体处理的功率越高，则修补层117中的氮原子百分比越高，且其折射率也越高。因此，可通过调整等离子体处理的功率来控制修补层117的折射率。当柔性衬底100的折射率高于修补材料层114的折射率时，可进行子步骤S210d而形成折射率较高的修补层117，使其折射率趋近于柔性衬底100的折射率，而使柔性衬底100与修补层117的整体的有效折射率与柔性衬底100的折射率之间的差异例如是小于0.1。据此，可有效地降低修补层117与柔性衬底100之间的色差。
另外，柔性衬底100中的水气可与邻近柔性衬底100的修补层117中的聚硅氮烷化合物进行水解反应，而造成氨气的逸散，以使聚硅氮烷化合物中的部分Si-N键结转变为Si-O键结。相反地，修补层117中的其他部分经等离子体处理，以使得Si-N键结的数量相对地提高。因此，在修补层117中，邻近于柔性衬底100的一侧的氮原子百分比可低于其远离柔性衬底100的另一侧的氮原子百分比。
除此之外，在一些实施例中，进行子步骤S210d之后可不进行图2所示的步骤S212。
请同时参照图1E(或图1D)以及图5，在结构上，本实施例的柔性衬底修补结构与图1E(或图1D)所示的结构相似。上述两者的差异仅在于本实施例的修补层为修补层117，而图1E(或图1D)所示的修补层为修补层116a(或修补层116)。本实施例的修补层117中，邻近于柔性衬底100的一侧的氮原子百分比可低于其远离柔性衬底100的另一侧的氮原子百分比。此外，本实施例的修补层117的氮原子百分比可高于图1E(或图1D)所示的修补层116a(或修补层116)的氮原子百分比，且修补层117的折射率也可高于修补层116a(修补层116)的折射率。
在以上的实施例中，修补层为单层，然而，本发明实施例的修补层可以是两层或更多层。每一修补层的形成方法可依照上述形成修补层116、修补层116a或是修补层117的方法。每一修补层所采用的光学调整步骤的方法与参数可彼此相同，或至少其中之一相异。
图7A至图7L为依照本发明其他实施例的柔性衬底修补结构的剖面示意图。请参照图7A至7D，在本实施例中，修补层可以是两层。
在图7A至7D中，修补层的形成方法可以采用图1E所示的修补层116a的形成方法，也就是说依序进行如图2所示的子步骤S210a至子步骤S210c以及步骤S212，而形成修补层116a或修补层216a。修补层的形成方法还可以采用图5所示的修补层117的形成方法，也就是说依序进行如图6所示的子步骤S210a、子步骤S210b及子步骤S210d而形成修补层117或修补层217。特别来说，形成图7A至图7D的修补层116a及修补层216a的参数可彼此相同或相异。相似地，形成修补层117及修补层217的参数也可彼此相同或相异。
由上述的实施例可知，修补层116a(或修补层216a)中的氮原子百分比低于修补层117(或修补层217)，且修补层116a(或修补层216a)的折射率小于修补层117(或修补层217)的折射率。此外，形成修补层116a(或修补层216a)的方法中，进行热处理或后处理的温度越高，则修补层116a(或修补层216a)中的氮原子百分比越低，且折射率也越低。再者，形成修补层117(或修补层217)的方法中，进行等离子体处理的功率越高，则修补层117(或修补层217)中的氮原子百分比越高，且折射率也越高。
据此，可通过堆栈修补层116a及修补层217，或堆栈修补层117及修补层216a，而形成柔性衬底100与两个修补层的折射率变化在柔性衬底100的法线方向上为高低交替，以提高在特定波长范围中(例如是可见光波长范围中)柔性衬底100与两个修补层的整体的穿透率。另外，还可通过堆栈彼此热处理温度不同的修补层116a及修补层216a，或堆栈彼此等离子体处理的功率不同的修补层117及修补层217，以形成柔性衬底100与两个修补层的折射率变化在柔性衬底100的法线方向上为高低交替，而提高在特定波长范围中(例如是可见光波长范围中)柔性衬底100与两个修补层的整体的穿透率。
在一些实施例中，上述的修补层116a及修补层216a还可由图1D所示的修补层116取代，也就是说仅依序进行如图2所示的子步骤S210a至子步骤S210c，而省略步骤S212。据此，修补层116可与修补层117或修补层217形成双层的修补层，或由热处理参数彼此相同或不同的修补层116形成双层的修补层。
请参照图7E至图7L，在本实施例中，修补层的层数为三层。每一修补层的形成方法可采用图1E所示的修补层116a的形成方法，而形成修补层116a、修补层216a或修补层316a。每一修补层的形成方法也可采用图5所示的修补层117的形成方法，以形成修补层117、修补层217或修补层317。据此，可通过堆栈修补层116a、修补层216a或修补层316a以及修补层117、修补层217或修补层317以形成三层的修补层。特别来说，形成图7E至图7L的修补层116a、修补层216a及修补层316a的参数可彼此相同或相异。相似地，形成修补层117、修补层217及修补层317的参数也可彼此相同或相异。
与图7A至图7D的实施例相似，可通过交替堆栈修补层116a、修补层216a及修补层316a中的一个修补层以及修补层117、修补层217及修补层317中的一个修补层，而形成柔性衬底100与三个修补层的折射率变化在柔性衬底100的法线方向上为高低交替，以提高在特定波长范围中(例如是可见光波长范围中)柔性衬底100与三个修补层的整体的穿透率。另外，还可通过堆栈彼此热处理温度不同的修补层116a、修补层216a及修补层316a，或堆栈彼此等离子体处理的功率不同的修补层117、修补层217及修补层317，以形成柔性衬底100与三个修补层的折射率变化在柔性衬底100的法线方向上为高低交替，而提高在特定波长范围中(例如是可见光波长范围中)柔性衬底100与三个修补层的整体的穿透率。
在一些实施例中，上述的修补层116a、修补层216a及修补层316a还可由图1D所示的修补层116取代，也就是说仅依序进行如图2所示的子步骤S210a至子步骤S210c，而省略步骤S212。据此，修补层116可与修补层117、修补层217或修补层317形成三层的修补层，或由热处理参数彼此相同或不同的修补层116形成三层的修补层。
当柔性衬底100的折射率大于或等于修补层117的折射率时，三个修补层的堆栈方式可为修补层117夹置于两层修补层116a(或修补层116)之间，以提高在特定波长范围中(例如是可见光波长范围中)柔性衬底100与三个修补层的整体的穿透率。反之，当柔性衬底100的折射率小于修补层116a(或修补层116)的折射率时，三个修补层的堆栈方式可为修补层116a(或修补层116)夹置于两层修补层117之间。除此之外，在其他实施例中，修补层的数量还可大于三个，本发明并不以修补层的数量为限。
综上所述，在本发明实施例的柔性衬底修补结构中，修补层填满柔性衬底的凹陷。据此，可避免在柔性衬底中形成孔洞，而造成在后续的生产流程中形成于柔性衬底的膜层产生裂纹或是断裂的问题。此外，柔性衬底与修补层中的聚硅氮烷化合物之间的附着力佳，故可避免柔性衬底与修补层之间产生脱层的问题。再者，修补层的聚硅氮烷化合物还可阻绝空气中的水气及氧气，使其不能侵入形成于柔性衬底上的电子元件。
此外，本发明实施例的柔性衬底修补结构的制造方法包括进行光学调整步骤，以改变修补层的折射率，进而降低柔性衬底与修补层的整体的有效折射率与柔性衬底的折射率的差异。因此，可有效地降低修补层与柔性衬底之间的色差。
再者，本发明实施例的柔性衬底的检测与修补方法包括依据缺陷的种类以及位置将柔性衬底的缺陷进行分类，且对具有缺陷的柔性衬底进行修补。据此，可使部分具有缺陷的柔性衬底经修补后参与后续的加工流程，也就是说可减少柔性衬底被判定为废品的数量，故可降低制造成本。
虽然本发明以上述实施例公开，但具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明，任何本技术领域技术人员，在不脱离本发明的构思和范围内，可作一些的变更和完善，故本发明的权利保护范围以权利要求书为准。
Claims (20)
1.一种柔性衬底修补结构，其特征在于，包括：
柔性衬底，具有规则凹陷；以及
至少一修补层，位于所述柔性衬底上且填满所述规则凹陷，
其中所述至少一修补层的材料为聚硅氮烷化合物，其包括具有以下化学式(1)所示单元的聚硅氮烷化合物，
其中Rx、Ry及Rz各自分别为氢原子或碳数为1～10的经取代的烷基、未经取代的烷基、烯基或芳香基。
2.如权利要求1所述的柔性衬底修补结构，其特征在于，所述规则凹陷为具有平滑轮廓的凹陷。
3.如权利要求2所述的柔性衬底修补结构，其特征在于，所述规则凹陷的开口形状包括圆形、椭圆形、矩形或多边形。
4.如权利要求1所述的柔性衬底修补结构，其特征在于，在与所述柔性衬底接触的修补层中，邻近于所述柔性衬底的一侧的氮原子百分比低于其远离所述柔性衬底的另一侧的氮原子百分比。
5.如权利要求1所述的柔性衬底修补结构，其特征在于，所述至少一修补层为多数个修补层。
6.如权利要求5所述的柔性衬底修补结构，其特征在于，所述多数个修补层的氮原子百分比的变化在所述柔性衬底的法线方向上为高低交替。
7.一种柔性衬底修补结构的制造方法，其特征在于，包括：
将修补溶液涂布于柔性衬底上，其中所述修补溶液的毛细管指数小于10-5；
去除所述修补溶液中的溶剂而形成至少一修补材料层；以及
进行光学调整步骤，以改变所述至少一修补材料层的折射率，而形成所述至少一修补层。
8.如权利要求7所述的柔性衬底修补结构的制造方法，其特征在于，所述修补溶液的溶质包括具有以下化学式(1)所示的单元的硅氮烷化合物，
其中Rx、Ry及Rz各自分别为氢原子或碳数为1～10的经取代的烷基、未经取代的烷基、烯基或芳香基。
9.如权利要求8所述的柔性衬底修补结构的制造方法，其特征在于，所述光学调整步骤包括调整所述至少一修补材料层中的氮原子百分比。
10.如权利要求7或9所述的柔性衬底修补结构的制造方法，其特征在于，所述光学调整步骤包括对所述至少一修补材料层进行热处理，以降低所述至少一修补材料层的氮原子百分比。
11.如权利要求10所述的柔性衬底修补结构的制造方法，其特征在于，还包括在进行所述热处理之后，对所述至少一修补层进行后处理，以降低所述至少一修补层的氮原子百分比。
12.如权利要求7或9所述的柔性衬底修补结构的制造方法，其特征在于，所述光学调整步骤包括对所述至少一修补材料层进行等离子体处理，以提高所述至少一修补材料层的氮原子百分比。
13.如权利要求7所述的柔性衬底修补结构的制造方法，其特征在于，在所述柔性衬底上形成所述至少一修补层包括在所述柔性衬底上形成多数个修补层。
14.如权利要求13所述的柔性衬底修补结构的制造方法，其特征在于，形成每一所述修补层所采用的所述光学调整步骤的方法与参数相同。
15.如权利要求13所述的柔性衬底修补结构的制造方法，其特征在于，形成每一所述修补层所采用的所述光学调整步骤的方法与参数至少其中之一相异。
16.如权利要求13或15所述的柔性衬底修补结构的制造方法，其特征在于，通过所述光学调整步骤，以使所述多数个修补层的氮原子百分比的变化在所述柔性衬底表面的法线方向上为高低交替。
17.如权利要求7所述的柔性衬底修补结构的制造方法，其特征在于，还包括在形成所述至少一修补层之前，进行移除步骤，以移除位于所述柔性衬底上及/或所述柔性衬底内的缺陷。
18.如权利要求17所述的柔性衬底修补结构的制造方法，其特征在于，所述移除步骤包括进行脉冲激光蚀刻或对所述柔性衬底的表面进行研磨。
19.如权利要求7所述的柔性衬底修补结构的制造方法，其特征在于，还包括在形成所述至少一修补层之前对所述柔性衬底进行亲水性处理。
20.一种柔性衬底的检测与修补方法，其特征在于，包括：
对柔性衬底进行检测，以判断所述柔性衬底是否具有缺陷；
若检测的结果为具有缺陷，则依据缺陷的种类以及位置将检测出的缺陷进行分类；以及
进行如权利要求7至19中任一项所述的柔性衬底修补结构的制造方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201662280681P | 2016-01-19 | 2016-01-19 | |
| US62/280,681 | 2016-01-19 | ||
| TW105139250A TWI674045B (zh) | 2016-01-19 | 2016-11-29 | 軟性基板修補結構、其製造方法以及軟性基板的檢測及修補方法 |
| TW105139250 | 2016-11-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106997845A true CN106997845A (zh) | 2017-08-01 |
| CN106997845B CN106997845B (zh) | 2022-01-11 |
Family
ID=79249231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710032252.6A Active CN106997845B (zh) | 2016-01-19 | 2017-01-16 | 柔性衬底修补结构、制造方法及检测修补方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106997845B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110109569A (zh) * | 2019-05-07 | 2019-08-09 | 业成科技（成都）有限公司 | 触控结构及其制备方法和触控装置 |
| CN110491788A (zh) * | 2019-08-29 | 2019-11-22 | 上海华力微电子有限公司 | 提高薄膜均匀性的方法 |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4863755A (en) * | 1987-10-16 | 1989-09-05 | The Regents Of The University Of California | Plasma enhanced chemical vapor deposition of thin films of silicon nitride from cyclic organosilicon nitrogen precursors |
| CN1694936A (zh) * | 2002-11-01 | 2005-11-09 | 克拉里安特国际有限公司 | 包含聚硅氮烷的涂覆溶液 |
| CN101080282A (zh) * | 2004-12-17 | 2007-11-28 | 国立大学法人德岛大学 | 基材表面的改性方法、具有改性表面的基材及其制造方法 |
| TW200919629A (en) * | 2007-10-31 | 2009-05-01 | Nanya Technology Corp | Method of forming semiconductor isolation structure |
| CN102728989A (zh) * | 2012-06-02 | 2012-10-17 | 安徽国通高新管业股份有限公司 | 成型模具上凹坑的修复工艺 |
| CN103582559A (zh) * | 2011-09-08 | 2014-02-12 | 琳得科株式会社 | 改性聚硅氮烷膜及隔气膜的制造方法 |
| TW201432848A (zh) * | 2013-02-06 | 2014-08-16 | Inotera Memories Inc | 隔離結構之製作方法 |
| CN104246918A (zh) * | 2012-04-19 | 2014-12-24 | 柯尼卡美能达株式会社 | 透明导电性膜的制造方法、透明导电性膜及电子器件 |
| CN104362079A (zh) * | 2014-09-15 | 2015-02-18 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种轻薄型显示面板及其制作方法、以及显示装置 |
| TW201511299A (zh) * | 2013-07-05 | 2015-03-16 | Gtat Corp | 用於光伏電池的聚矽氮烷塗層 |
| TW201531532A (zh) * | 2007-04-10 | 2015-08-16 | Honeywell Int Inc | 光電裝置 |
| CN106752895A (zh) * | 2017-01-18 | 2017-05-31 | 丽水市知科科技有限公司 | 一种自润滑修复剂及其制备方法 |
-
2017
- 2017-01-16 CN CN201710032252.6A patent/CN106997845B/zh active Active
Patent Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4863755A (en) * | 1987-10-16 | 1989-09-05 | The Regents Of The University Of California | Plasma enhanced chemical vapor deposition of thin films of silicon nitride from cyclic organosilicon nitrogen precursors |
| CN1694936A (zh) * | 2002-11-01 | 2005-11-09 | 克拉里安特国际有限公司 | 包含聚硅氮烷的涂覆溶液 |
| CN101080282A (zh) * | 2004-12-17 | 2007-11-28 | 国立大学法人德岛大学 | 基材表面的改性方法、具有改性表面的基材及其制造方法 |
| TW201531532A (zh) * | 2007-04-10 | 2015-08-16 | Honeywell Int Inc | 光電裝置 |
| TW200919629A (en) * | 2007-10-31 | 2009-05-01 | Nanya Technology Corp | Method of forming semiconductor isolation structure |
| TWI351732B (en) * | 2007-10-31 | 2011-11-01 | Nanya Technology Corp | Method of forming semiconductor isolation structur |
| CN103582559A (zh) * | 2011-09-08 | 2014-02-12 | 琳得科株式会社 | 改性聚硅氮烷膜及隔气膜的制造方法 |
| CN104246918A (zh) * | 2012-04-19 | 2014-12-24 | 柯尼卡美能达株式会社 | 透明导电性膜的制造方法、透明导电性膜及电子器件 |
| CN102728989A (zh) * | 2012-06-02 | 2012-10-17 | 安徽国通高新管业股份有限公司 | 成型模具上凹坑的修复工艺 |
| TW201432848A (zh) * | 2013-02-06 | 2014-08-16 | Inotera Memories Inc | 隔離結構之製作方法 |
| TW201511299A (zh) * | 2013-07-05 | 2015-03-16 | Gtat Corp | 用於光伏電池的聚矽氮烷塗層 |
| CN104362079A (zh) * | 2014-09-15 | 2015-02-18 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种轻薄型显示面板及其制作方法、以及显示装置 |
| CN106752895A (zh) * | 2017-01-18 | 2017-05-31 | 丽水市知科科技有限公司 | 一种自润滑修复剂及其制备方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110109569A (zh) * | 2019-05-07 | 2019-08-09 | 业成科技（成都）有限公司 | 触控结构及其制备方法和触控装置 |
| CN110109569B (zh) * | 2019-05-07 | 2022-04-15 | 业成科技（成都）有限公司 | 触控结构及其制备方法和触控装置 |
| CN110491788A (zh) * | 2019-08-29 | 2019-11-22 | 上海华力微电子有限公司 | 提高薄膜均匀性的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106997845B (zh) | 2022-01-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Son et al. | Hierarchical nanostructures by sequential self‐assembly of styrene‐dimethylsiloxane block copolymers of different periods | |
| CN112080026B (zh) | 具有孔隙的聚酰亚胺薄膜及其制造方法 | |
| US7951726B2 (en) | Organic/inorganic hybrid thin film passivation layer for blocking moisture/oxygen transmission and improving gas barrier property | |
| US9263649B2 (en) | Layered product for fine pattern formation and method of manufacturing layered product for fine pattern formation | |
| US9884341B2 (en) | Methods of coating surfaces using initiated plasma-enhanced chemical vapor deposition | |
| CN106997845A (zh) | 柔性衬底修补结构、制造方法及检测修补方法 | |
| US8823154B2 (en) | Encapsulation architectures for utilizing flexible barrier films | |
| KR20180063940A (ko) | 저곡률로 굽힘이 가능한 플렉시블 글라스 물품 및 그 제조 방법 | |
| CN111051061B (zh) | 脱模薄膜及层叠体 | |
| TWI674045B (zh) | 軟性基板修補結構、其製造方法以及軟性基板的檢測及修補方法 | |
| TWI392578B (zh) | 即時壓印程序缺陷診斷技術 | |
| CN107887527A (zh) | Oled显示面板及制备方法、封装部失效判断方法、显示装置 | |
| KR101954410B1 (ko) | 플라즈마 에칭을 이용한 반사방지 표면의 제조방법 및 반사방지 표면이 형성된 기판 | |
| US9604314B2 (en) | Method for forming a mask pattern using a laser | |
| KR102267680B1 (ko) | 다이 구조물을 가지는 다이, 뿐만 아니라 이의 제조 방법 | |
| JP2014191173A (ja) | ハードコートフィルム及びその製造方法 | |
| US7916295B2 (en) | Alignment mark and method of getting position reference for wafer | |
| WO2012165330A1 (ja) | フラットパネルディスプレイ用ガラス基板および同ガラス基板の製造方法 | |
| Peters et al. | Graphoepitaxial assembly of cylinder forming block copolymers in cylindrical holes | |
| US9763322B2 (en) | Flexible substrate repair structure, manufacturing method thereof, and inspection and repair method of flexible substrate | |
| Ma et al. | Enhanced polymerization and surface hardness of colloidal siloxane films via electron beam irradiation | |
| US20130260030A1 (en) | Method for manufacturing flexible display panel | |
| Laachi et al. | Directed self‐assembly of linear arrays of block copolymer cylinders | |
| TWI658766B (zh) | 耐蝕性電子基板及用於其的塗敷組成物 | |
| KR102382260B1 (ko) | 광학 유리요소를 생산하기 위한 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20220413 Address after: 26, 1 song Chi Road, Xinyi District, Taipei, Taiwan, China Patentee after: HANNSTAR DISPLAY Corp. Address before: China Taiwan Hsinchu County town of bamboo East Zhongxing Road four paragraph 195 Patentee before: Industrial Technology Research Institute |
|
| TR01 | Transfer of patent right |