CN106981469A - 封装制程及其所用的封装基板 - Google Patents
封装制程及其所用的封装基板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106981469A CN106981469A CN201610078223.9A CN201610078223A CN106981469A CN 106981469 A CN106981469 A CN 106981469A CN 201610078223 A CN201610078223 A CN 201610078223A CN 106981469 A CN106981469 A CN 106981469A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- dielectric layer
- package substrate
- layer
- encapsulation procedure
- supporting plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title abstract 5
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 title abstract 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 124
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 11
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims description 6
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 6
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 claims description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- -1 for example Polymers 0.000 description 5
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 3
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000002283 diesel fuel Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001084 poly(chloroprene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- XDLDASNSMGOEMX-UHFFFAOYSA-N benzene benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1 XDLDASNSMGOEMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000005690 diesters Chemical class 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000010721 machine oil Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000010705 motor oil Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4839—Assembly of a flat lead with an insulating support, e.g. for TAB
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Abstract
一种封装制程及其所用的封装基板，该封装基板包括：介电层、设于该介电层上的第一线路层、以及通过绝缘层结合至该介电层与该第一线路层上的支撑板，以通过该绝缘层具有浸泡溶剂后可恢复黏性的特性，故于该封装基板完成封装制程后，能重复使用该支撑板与该绝缘层，以避免浪费该支撑板。
Description
技术领域
本发明涉及一种封装制程，尤指一种节省资源的封装制程及其封装基板。
背景技术
随着电子产业的蓬勃发展，电子产品也逐渐迈向多功能、高性能的趋势。为了提高多层电路板的布线精密度，业界遂发展出一种增层技术(Build-up)，也就是在一核心板(Core board)的两表面上分别以线路增层技术交互堆迭多层的介电层及线路层，并于该介电层中开设导电盲孔(Conductive via)以供上下层线路之间电性连接。进一步地，为了满足微型化(miniaturization)的需求，发展出无核心板(coreless)的封装技术。
图1为悉知无核心层(coreless)的封装基板1的剖面示意图。如图1所示，该封装基板1包括一介电层10、形成于该介电层10上、下侧的第一线路层11与第二线路层12、以及形成于该介电层10上侧及该第二线路层12上的防焊层13，其中，形成多个导电盲孔100于该介电层10中，以电性连接该第一与第二线路层11,12，且该防焊层13形成有多个开孔130以露出该第二线路层12的电性接触垫120。
由于该封装基板1为无核心层，因而其板厚较薄，故于进行封装制程(即设置芯片)前，容易产生运送不易及板体弯翘等问题。因此，该封装基板1的下侧会保留制程耗品(即具有铜层30的硬质板3，如铜箔基板)与用以制作该第一线路层11的导电层110，以增加该封装基板1的结构强度，而避免该封装基板1运送不易、发生翘曲或破裂等问题。
但是，悉知封装基板1于封装制程后，会利用移除该铜层30以分离该硬质板3与该封装基板1，故分离后的硬质板3需丢弃，因而造成该硬质板3浪费的问题。
因此，如何克服上述悉知技术的问题，实已成目前亟欲解决的课题。
发明内容
鉴于上述悉知技术的种种缺失，本发明提供一种封装制程及其所用的封装基板，，于封装基板完成封装制程后，能重复使用支撑板与绝缘层，以避免浪费该支撑板。
本发明的封装基板，包括：介电层，其具有相对的第一表面与第二表面；第一线路层，其设于该介电层的第一表面上；以及支撑板，其通过绝缘层以结合至该介电层的第一表面上。
本发明还提供一种封装制程，其包括：提供一前述的封装基板；将至少一电子元件结合至该介电层的第二表面上；以及将该支撑板与该绝缘层自该介电层的第一表面上分离。
前述的封装制程中，该封装基板的制法包括：提供表面上形成有该第一线路层的一承载件；形成该介电层于该承载件及该第一线路层上，其中，该介电层以其第一表面结合该承载件；以及将该支撑板利用该绝缘层结合于该介电层的第一表面上。
前述的封装制程中，该电子元件为主动元件、被动元件或其二者组合。
前述的封装制程中，该电子元件通过多个导电元件结合至该第二表面上。
前述的封装制程中，还包括自该介电层上分离该支撑板后，将该支撑板结合至另一介电层上。例如，该绝缘层浸泡于溶剂中，使该绝缘层具有黏性，以结合该另一介电层。
前述的封装基板及封装制程中，该第一线路层的表面齐平或低于该介电层的第一表面。
前述的封装基板及封装制程中，形成该支撑板的材质为纸质基材、复合基材或FR-4基材。
前述的封装基板及封装制程中，形成该绝缘层的材质为胶体，且形成该绝缘层的材质为弹性体。
前述的封装基板及封装制程中，该封装基板还包括设于该介电层的第二表面上的第二线路层。该封装基板又包括形成于该介电层中的多个导电盲孔，以通过该些导电盲孔电性连接该第一与第二线路层。该封装基板另包括绝缘保护层，其设于该介电层的第二表面及该第二线路层上，且该第二线路层部分外露于该绝缘保护层。
由上可知，本发明的封装基板及封装制程中，通过该绝缘层的设计，使该绝缘层浸泡溶剂后即可恢复黏性，故相比于悉知技术，本发明能重复使用该支撑板与该绝缘层，以避免悉知使用支撑板后即丢弃所造成的浪费问题。
附图说明
图1为悉知封装基板的剖视示意图；
图2A至图2E为本发明的封装基板的制法的剖视示意图；以及
图3A至图3C为本发明的封装制程的剖视示意图。
符号说明:
1,2 封装基板
10,20,20’ 介电层
100,200 导电盲孔
11,21 第一线路层
110 导电层
12,22 第二线路层
120,220 电性接触垫
13 防焊层
130,230 开孔
20a 第一表面
20b 第二表面
23 绝缘保护层
24 支撑板
240 绝缘层
3 硬质板
30 铜层
4 承载件
40 金属层
40’ 铜箔
9 电子封装结构
90 电子元件
91 导电元件。
具体实施方式
以下通过特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。
须知，本说明书所附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“第一”、“第二”及“一”等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当也视为本发明可实施的范畴。
图2A至图2E为本发明封装基板2的制法的剖面示意图。
如图2A所示，提供一承载件4，其中，该承载件4为绝缘板、陶瓷板、铜箔基板或玻璃板等。
于本实施例中，该承载件4为铜箔基板，其上、下表面具有一铜箔40’，且于各该铜箔40’上形成一金属层40以作为导电层(seed layer)，其中，该金属层40的厚度为2微米(μm)，且该铜箔40’的厚度则为18微米(μm)。
如图2B所示，利用该金属层40电镀形成一第一线路层21于该承载件4的上、下侧。
如图2C所示，形成一介电层20于该承载件4及该第一线路层21上，且该介电层20具有相对的第一表面20a与第二表面20b，使该介电层20的第一表面20a接触结合该金属层40，并使该第一线路层21嵌埋于该介电层20中。接着，形成一第二线路层22于该介电层20的第二表面20b上，且形成多个导电盲孔200于该介电层20中，以电性连接该第一与第二线路层21,22。
于本实施例中，该介电层20的材质为预浸材(prepreg)，且该第二线路层22具有多个电性接触垫220。
再者，形成一绝缘保护层23于该介电层20的第二表面20b及该第二线路层22上，且该绝缘保护层23形成有多个开孔230，以令各该电性接触垫220外露于各该开孔230。
如图2D所示，移除该承载件4及其金属层40与铜箔40’，以外露该介电层20的第一表面20a与该第一线路层21。
如图2E所示，将一支撑板24利用一绝缘层240结合于该介电层20的第一表面20a与该第一线路层21上。
于本实施例中，形成该支撑板24的材质为聚合物，例如，聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，简称PET)或纸质基材、复合基材或FR-4基材，且形成该绝缘层240的材质为胶体或弹性体(elastomer)，例如，丁腈橡胶(NBR)、氯丁橡胶(Neoprene)或聚硅氧橡胶聚合物(Silicone rubber compound)。具体地，该支撑板24可为PET，且该绝缘层240可为聚硅氧橡胶弹性体。
于后续封装制程中，是使用图2E所示的封装基板2进行如图3A至图3C所示的本发明的封装制程。
如图3A所示，将至少一电子元件90通过多个导电元件91结合至该些电性接触垫220上，再形成固定该电子元件90的封装胶体(图略)，以形成一电子封装结构9。
于本实施例中，该导电元件91为例如铜柱或焊锡凸块，且该电子元件90为主动元件、被动元件或其二者组合，其中，该主动元件为例如半导体芯片，而该被动元件为例如电阻、电容及电感。
如图3B所示，利用机械方式或物理方式将该绝缘层240自该介电层20的第一表面20a上脱离，使该支撑板24与该绝缘层240自该介电层20的第一表面20a上分离，即分离该支撑板24与该电子封装结构9。
如图3C所示，回收该支撑板24与该绝缘层240，并重复使用该支撑板24与该绝缘层240。
于本实施例中，将分离后的绝缘层240浸泡于溶剂中，使该绝缘层240重新恢复黏性，以令该支撑板24可通过该绝缘层240结合至另一介电层20’上。
于本实施例中，该溶剂的种类可配合该绝缘层240，以重新恢复该绝缘层240的黏性，故该溶剂可选择非极性有机(non-polar organic)溶剂，例如，汽油(Gasoline)、机油(Motor oil)、柴油(Diesel fuel)、苯(Benzene)、或甲苯(Toluene)等。
本发明提供一种封装基板2包括：一介电层20、一第一线路层21以及一支撑板24。
所述的介电层20具有相对的第一表面20a与第二表面20b。
所述的第一线路层21设于该介电层20的第一表面20a上，且其表面齐平或低于该介电层20的第一表面20a。
所述的支撑板24具有一绝缘层240以结合至该介电层20的第一表面20a与该第一线路层21上，且形成该绝缘层240的材质为胶体。
于一实施例中，形成该支撑板24的材质为纸质基材、复合基材或FR-4基材。
于一实施例中，该封装基板2还包括设于该介电层20的第二表面20b上的第二线路层22。该封装基板2又包括形成于该介电层20中的多个导电盲孔200，以电性连接该第一与第二线路层21,22。该封装基板2另包括一绝缘保护层23，其设于该介电层20的第二表面20b及该第二线路层22上，且该绝缘保护层23形成有多个露出部分该第二线路层22的开孔230。
综上所述，本发明的封装基板及封装制程中，主要通过该绝缘层的设计，使该绝缘层浸泡溶剂后即可恢复黏性，故能重复使用该支撑板与该绝缘层，以避免悉知使用支撑板后即丢弃所造成的浪费问题。
上述实施例仅用以例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何本领域技术人员均可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修改。因此本发明的权利保护范围，应如权利要求书所列。
Claims (21)
1.一种封装基板，其特征为，该封装基板包括：
介电层，其具有相对的第一表面与第二表面；
第一线路层，其设于该介电层的第一表面上；以及
支撑板，其通过绝缘层以结合至该介电层的第一表面上。
2.如根据权利要求1所述的封装基板，其特征为，该第一线路层的表面齐平或低于该介电层的第一表面。
3.如根据权利要求1所述的封装基板，其特征为，形成该支撑板的材质为纸质基材、复合基材或FR-4基材。
4.如根据权利要求1所述的封装基板，其特征为，形成该绝缘层的材质为胶体。
5.如根据权利要求1所述的封装基板，其特征为，形成该绝缘层的材质为弹性体。
6.如根据权利要求1所述的封装基板，其特征为，该封装基板还包括设于该介电层的第二表面上的第二线路层。
7.如根据权利要求6所述的封装基板，其特征为，该封装基板还包括形成于该介电层中的多个导电盲孔，以通过该些导电盲孔电性连接该第一与第二线路层。
8.如根据权利要求6所述的封装基板，其特征为，该封装基板还包括绝缘保护层，其设于该介电层的第二表面及该第二线路层上，且该第二线路层部分外露于该绝缘保护层。
9.一种封装制程，其特征为，该封装制程包括：
提供一如根据权利要求1所述的封装基板；
将至少一电子元件结合至该介电层的第二表面上；以及
将该支撑板与该绝缘层自该介电层的第一表面上分离。
10.如根据权利要求9所述的封装制程，其特征为，该封装基板的制法包括：
提供表面上形成有该第一线路层的一承载件；
形成该介电层于该承载件及该第一线路层上，其中，该介电层以其第一表面结合该承载件；
移除该承载件；以及
将该支撑板通过该绝缘层结合于该介电层的第一表面上。
11.如根据权利要求9所述的封装制程，其特征为，该第一线路层的表面齐平或低于该介电层的第一表面。
12.如根据权利要求9所述的封装制程，其特征为，形成该支撑板的材质为纸质基材、复合基材或FR-4基材。
13.如根据权利要求9所述的封装制程，其特征为，形成该绝缘层的材质为胶体。
14.如根据权利要求9所述的封装制程，其特征为，形成该绝缘层的材质为弹性体。
15.如根据权利要求9所述的封装制程，其特征为，该封装基板还包括设于该介电层的第二表面上的第二线路层。
16.如根据权利要求15所述的封装制程，其特征为，该封装基板还包括形成于该介电层中的多个导电盲孔，以通过该些导电盲孔电性连接该第一与第二线路层。
17.如根据权利要求15所述的封装制程，其特征为，该封装基板还包括绝缘保护层，其设于该介电层的第二表面及该第二线路层上，且该第二线路层部分外露于该绝缘保护层。
18.如根据权利要求9所述的封装制程，其特征为，该电子元件为主动元件、被动元件或其二者组合。
19.如根据权利要求9所述的封装制程，其特征为，该电子元件通过多个导电元件结合至该第二表面上。
20.如根据权利要求9所述的封装制程，其特征为，该封装制程还包括自该介电层上分离该支撑板后，将该支撑板结合至另一介电层上。
21.如根据权利要求20所述的封装制程，其特征为，该封装制程还包括自该介电层上分离该支撑板后，将该绝缘层浸泡于溶剂中，使该绝缘层具有黏性，以结合该另一介电层。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW105101365 | 2016-01-18 | ||
| TW105101365A TWI632647B (zh) | 2016-01-18 | 2016-01-18 | 封裝製程及其所用之封裝基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106981469A true CN106981469A (zh) | 2017-07-25 |
| CN106981469B CN106981469B (zh) | 2019-10-11 |
Family
ID=59340792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610078223.9A Active CN106981469B (zh) | 2016-01-18 | 2016-02-04 | 封装制程及其所用的封装基板 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106981469B (zh) |
| TW (1) | TWI632647B (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090121334A1 (en) * | 2007-11-09 | 2009-05-14 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor apparatus and semiconductor apparatus |
| CN102054714A (zh) * | 2009-11-06 | 2011-05-11 | 欣兴电子股份有限公司 | 封装结构的制法 |
| CN105097558A (zh) * | 2014-04-21 | 2015-11-25 | 富葵精密组件(深圳)有限公司 | 芯片封装结构、制作方法及芯片封装基板 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9230899B2 (en) * | 2011-09-30 | 2016-01-05 | Unimicron Technology Corporation | Packaging substrate having a holder, method of fabricating the packaging substrate, package structure having a holder, and method of fabricating the package structure |
| CN103632979B (zh) * | 2012-08-27 | 2017-04-19 | 碁鼎科技秦皇岛有限公司 | 芯片封装基板和结构及其制作方法 |
| CN103681559B (zh) * | 2012-09-25 | 2016-11-09 | 宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司 | 芯片封装基板和结构及其制作方法 |
| CN103889168A (zh) * | 2012-12-21 | 2014-06-25 | 宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司 | 承载电路板、承载电路板的制作方法及封装结构 |
| CN104332412A (zh) * | 2013-07-22 | 2015-02-04 | 宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司 | 封装基板、封装结构以及封装基板的制作方法 |
| US20150262927A1 (en) * | 2014-02-13 | 2015-09-17 | ADL Engineering Inc. | Electronic package, package carrier, and methods of manufacturing electronic package and package carrier |
-
2016
- 2016-01-18 TW TW105101365A patent/TWI632647B/zh active
- 2016-02-04 CN CN201610078223.9A patent/CN106981469B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090121334A1 (en) * | 2007-11-09 | 2009-05-14 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor apparatus and semiconductor apparatus |
| CN102054714A (zh) * | 2009-11-06 | 2011-05-11 | 欣兴电子股份有限公司 | 封装结构的制法 |
| CN105097558A (zh) * | 2014-04-21 | 2015-11-25 | 富葵精密组件(深圳)有限公司 | 芯片封装结构、制作方法及芯片封装基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106981469B (zh) | 2019-10-11 |
| TWI632647B (zh) | 2018-08-11 |
| TW201727840A (zh) | 2017-08-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8064215B2 (en) | Semiconductor chip package and printed circuit board | |
| CN108987371A (zh) | 元件内埋式封装载板及其制作方法 | |
| US8978244B2 (en) | Method for manufacturing printed circuit board | |
| CN106158814B (zh) | 具有包埋无源组件的电路板和其制造方法 | |
| US7908744B2 (en) | Method for fabricating printed circuit board having capacitance components | |
| US7839650B2 (en) | Circuit board structure having embedded capacitor and fabrication method thereof | |
| CN103889168A (zh) | 承载电路板、承载电路板的制作方法及封装结构 | |
| KR101164957B1 (ko) | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 | |
| CN105514053B (zh) | 半导体封装件及其制法 | |
| CN107809855A (zh) | 一种类载板的制作方法 | |
| JP2007088461A5 (zh) | ||
| CN104768318B (zh) | 软硬结合电路板及其制作方法 | |
| US9661759B2 (en) | Printed circuit board and method of manufacturing the same | |
| JP2014022715A (ja) | コアレス基板及びその製造方法 | |
| CN106981469B (zh) | 封装制程及其所用的封装基板 | |
| CN101546740B (zh) | 嵌入式印刷电路板及其制造方法 | |
| KR20130120099A (ko) | 인쇄회로기판 및 그의 제조 방법 | |
| CN107454761A (zh) | 高密度增层多层板的制造方法 | |
| CN108172561B (zh) | 承载基板与其封装结构，及半导体封装元件的制作方法 | |
| KR102052761B1 (ko) | 칩 내장 기판 및 그 제조 방법 | |
| KR101147343B1 (ko) | 복수의 소자가 내장된 집적 인쇄회로기판 및 그 제조 방법 | |
| CN103828493A (zh) | 元器件内置基板的制造方法及使用该制造方法的元器件内置基板 | |
| US20080212287A1 (en) | Semiconductor package structure with buried electronic device and manufacturing method therof | |
| TWI782247B (zh) | 多層基板及其製造方法 | |
| KR101283164B1 (ko) | 인쇄회로기판 및 그의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |