一种OLED材料及其应用
技术领域
本发明属于有机电致发光领域,具体涉及一种OLED材料及其应用。
背景技术
有机电致发光(OLED:Organic Light Emission Diodes)器件技术既可以用来制造新型显示产品,也可以用于制作新型照明产品,有望替代现有的液晶显示和荧光灯照明,应用前景十分广泛。
OLED发光器件犹如三明治的结构,包括电极材料膜层,以及夹在不同电极膜层之间的有机功能材料,各种不同功能材料根据用途相互叠加在一起共同组成OLED发光器件。作为电流器件,当对OLED发光器件的两端电极施加电压,并通过电场作用有机层功能材料膜层中正负电荷,正负电荷进一步在发光层中复合,即产生OLED电致发光。
当前,OLED显示技术已经在智能手机,平板电脑等领域获得应用,进一步还将向电视等大尺寸应用领域扩展,但是,和实际的产品应用要求相比,OLED器件的发光效率,使用寿命等性能还需要进一步提升。
对于OLED发光器件提高性能的研究包括:降低器件的驱动电压,提高器件的发光效率,提高器件的使用寿命等。为了实现OLED器件的性能的不断提升,不但需要从OLED器件结构和制作工艺的创新,更需要OLED光电功能材料不断研究和创新,创制出更高性能OLED的功能材料。
应用于OLED器件的OLED光电功能材料从用途上可划分为两大类,即电荷注入传输材料和发光材料,进一步,还可将电荷注入传输材料分为电子注入传输材料、电子阻挡材料、空穴注入传输材料和空穴阻挡材料,还可以将发光材料分为主体发光材料和掺杂材料。
针对当前OLED器件的产业应用要求,以及OLED器件的不同功能膜层,器件的光电特性需求,必须选择更适合,具有高性能的OLED功能材料或材料组合,才能实现器件的高效率、长寿命和低电压的综合特性。就当前OLED显示照明产业的实际需求而言,目前OLED材料的发展还远远不够,落后于面板制造企业的要求,作为材料企业开发更高性能的有机功能材料的开发显得尤为重要。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种用于有机电致发光器件中,作为发光层、空穴传输层或电子传输层使用的OLED材料,具有优良光电性能。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种OLED材料,其特征在于,包括具有符合式(1)所示的分子结构,
其中R选自甲基、乙基、异丙基、叔丁基、直链或支化的C1~C12含氧烷基、苯环取代的含氮杂环结构与C5~C60多环芳基共轭结构基团中的任一种;其中Ar选自苯环取代的含氮杂环结构或C5~C60多环芳基共轭结构基团中的任一种。
在上述技术方案的基础上,本发明还可以做如下改进。
进一步,式(1)中所述四个Ar相同或不相同,所述四个R相同或不相同。
进一步,所述C5~C60多环芳基共轭结构基团为蒽基、联苯基、苯基或其衍生物中的一种。
进一步,所述苯环取代的含氮杂环结构为三苯胺基、咔唑基、N-苯基咔唑基或其衍生物中的一种。
本发明提供一种OLED材料的制备方法,包括以下步骤:
A、将二取代咪唑与二氯马来酸酐、催化剂、碱加入到溶剂中,进行偶联反应,得到中间体-A,其反应方程式为:
B、将步骤A中得到的中间体-A、氢氧化钠加入到溶剂中,制得中间体-B,其反应方程式为:
C、将步骤B中得到的中间体-B在甲磺酸催化作用下,制得中间体-C,其反应方程式为:
D、将步骤C中的中间体-C与格式试剂加入到溶剂中,制得最终产物,其反应方程式为:
进一步,在步骤A中,所述催化剂为醋酸钯、CXA中的一种或几种,所述碱为叔丁醇钠,所述溶剂为二甲苯,在步骤B中,所述溶剂为无水乙醇,在步骤D中,所述溶剂为THF。
进一步,在步骤A中,所述反应温度为110~135℃,反应时间为5~15h;在步骤B中,所述反应温度为60~70℃,反应时间为5~15h;在步骤C中,所述反应温度为50~80℃,反应时间为5~15h;在步骤D中,所述反应温度为-20~5℃,反应时间为3~5h。
进一步,在步骤A中,所述二取代咪唑与所述二氯马来酸酐的摩尔比为1:(0.4~0.6),所述二取代咪唑与所述催化剂的摩尔比为1:(0.001~0.04),所述二取代咪唑与所述碱的摩尔比为1:(1.2~4.0,所述二取代咪唑与所述溶剂的质量比为1:(10~30);
在步骤B中,所述中间体-A与所述氢氧化钠的摩尔比为1:(1.2~3.0),所述中间体-A与所述溶剂的质量比为1:(10~30);
在步骤C中,所述中间体-B与所述甲磺酸的质量比为1:(1~5);
在步骤D中,所述中间体-C与所述格式试剂的摩尔比为1:(5~8),所述中间体-C与所述溶剂的质量比为1:(10~30)。
本发明提供一种OLED材料在有机电致发光领域中的应用。
本发明提供一种有机电致发光器件,所述有机电致发光器件包括发光层、空穴传输层与电子传输层,所述发光层、空穴传输层或电子传输层含上述一种OLED材料。
以下所列化合物M-1至M-10,与P-1至P-10是本发明一种OLED材料的部分优选结构,是符合本发明精神和原则的代表结构,应当理解,列出以下化合物结构,只是为了更好地解释本发明,并非是对本发明的限制。
本发明的有益效果是:本发明提供的化合物成膜性好,在室温下具有较好的稳定性,且易成模的特征使得制造成本更低,在室温下较好的稳定性使得器件工作更加稳定,实用寿命较长。另外,可有效的应用于有机电致发光器件中,作为发光层发光材料、电子传输层或空穴传输层材料,且较高的电子传输性能,使得作为电子传输材料,能明显的降低驱动电压,具有高载流子迁移率,提高电子效率,具有优良光电性能。
附图说明
图1为本发明提供的一种有机电致发光器件的结构示意图。
附图中,各标号所代表的部件列表如下:
1、透明基板层,2、ITO,3、空穴注入层,4、空穴传输/电子阻挡层,5、发光层,6、电子传输/空穴阻挡层,7、电子注入层,8、阴极反射电极层。
具体实施方式
以下对本发明的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。
方便引用,将各实施例制备得到的化合物与上述各化合物名称相一一对应,例如:
表一 结构式与实施例对应表
目标产物 |
实施例 |
M-1 |
实施例一 |
M-2 |
实施例二 |
M-3 |
实施例三 |
M-4 |
实施例四 |
M-5 |
实施例五 |
M-6 |
实施例六 |
P-1 |
实施例七 |
P-2 |
实施例八 |
P-3 |
实施例九 |
P-4 |
实施例十 |
P-5 |
实施例十一 |
P-6 |
实施例十二 |
本发明中所用到的二取代咪唑、二氯马来酸酐、醋酸钯、CXA、二甲苯、氢氧化钠、无水乙醇、甲磺酸、格式试剂等均可在国内化工市场买到。
以实施例一为例,合成路线如下:
实施例一
步骤1)M-1-A的制备:
将22.0g(0.1mol)4,5-二苯基咪唑与8.4g(0.05mol)二氯马来酸酐混合,以0.22g(0.001mol)醋酸钯、0.72g(0.002)CXA为催化剂,以38.4g(0.4mol)叔丁醇钠为碱,以90g二甲苯为溶剂,回流反应13.0hr,降温,水洗,干燥,脱溶剂得到25.4g(0.048mol)M-1-A粗品,经柱层析得20.0g(0.038mol)M-1-A精品。
步骤2)M-1-B的制备:
将20.0g(0.04mol)M-1-A精品、1.8g(0.05mol)氢氧化钠、50g无水乙醇混合,升温至回流反应5.0hr,脱干溶剂,大量固体析出,加入150g甲苯,滴加9.0g(0.09mol)浓盐酸,大量固体析出,抽滤得17.6g(0.033mol)M-1-B精品。
步骤3)M-1-C的制备:
将17.6g(0.03mol)M-1-B精品、162g(1.69mol)甲磺酸混合,升温至70~80℃反应5.0hr,降温,将体系倒入500.0g冰水,加入300g甲苯,分层,水洗,有机相脱溶剂得14.8(0.028mol)M-1-C粗品,经柱层析得13.4g(0.026mol)M-1-C精品。
步骤4)化合物结构M-1的制备:
将13.4g(0.026mol)M-1-C精品、50.0gTHF混合,降温至-10℃,滴加0.13mol碘甲烷格式试剂,控制体系温度<-5℃,滴加完毕保温1.0hr,回温至室温保温2.0hr,水解,分液,干燥,脱溶剂得14.2g(0.026mol)产品M-1粗品,,经柱层析得11.7g(0.0216mol)M-1精品。使用HPLC-MS来识别该化合物,分子式C38H32N4,检测值[M+1]+=545.72,计算值544.69。
化合物结构式一的升华,称取10.0g化合物结构M-1的精品,于真空升华仪中,升华参数为升华真空度2×10-5Pa,升华三区温度为285℃,升华二区温度为185℃,升华一区温度为120℃,所设温度均为梯度升温,每15min升高50℃,升高至目标温度后,保温升华5.0hr,升华共得到精品9.1g,HPLC:99.9%,升华收率为91.0%。
实施例二-实施例六的制备
实施例二至实施例六与实施例一实验过程均相同,仅仅原料4,5-二苯基咪唑不同,将4,5-二苯基咪唑按照下表进行更换,即可得到实施例二-实施例六:
表二 原料与实施例对应表
目标产物 |
实施例 |
原料 |
M-1 |
实施例一 |
4,5-二苯基咪唑 |
M-2 |
实施例二 |
4,5-二(2-萘基)咪唑 |
M-3 |
实施例三 |
4,5-二(3,4-二甲基苯基)咪唑 |
M-4 |
实施例四 |
4,5-二(2-吡啶基)咪唑 |
M-5 |
实施例五 |
4,5-二(4-联苯基)咪唑 |
M-6 |
实施例六 |
4,5-二(3,4,5-三甲基苯基)咪唑 |
如上表所示,将M-1制备过程中的原料4,5-二苯基咪唑,更换为4,5-二(2-萘基)咪唑即为实施例二,即可得到M-2;以此类推即可得到实施例二—实施例六。
实施例七至实施例十二与实施例一实验过程均相同,仅仅原料4,5-二苯基咪唑及格式试剂不同,将4,5-二苯基咪唑及格式试剂按照下表进行更换,即可得到实施例七至实施例十二:
表三 原料与实施例对应表
如上表所示,将P-1制备过程中的原料4,5-二苯基咪唑,更换为4,5-二(2-萘基)咪唑、将碘甲烷格式试剂更换为溴苯格式试剂即为实施例八,即可得到P-2;以此类推即可得到实施例七—实施例十二。
按照化合物样品制备的实施例1中所述的方法制备新型有机光电材料(实施例一至实施例十二),相关化合物MS数据如下表:
表四 HPLC-MS检测数据
化合物 |
实施例 |
结构式 |
HPLC-MS检测值 |
计算值 |
M-1 |
实施例一 |
C<sub>38</sub>H<sub>32</sub>N<sub>4</sub> |
545.98 |
544.69 |
M-2 |
实施例二 |
C<sub>54</sub>H<sub>40</sub>N<sub>4</sub> |
745.69 |
744.92 |
M-3 |
实施例三 |
C<sub>46</sub>H<sub>48</sub>N<sub>4</sub> |
657.98 |
656.9 |
M-4 |
实施例四 |
C<sub>34</sub>H<sub>28</sub>N<sub>8</sub> |
549.69 |
548.64 |
M-5 |
实施例五 |
C<sub>62</sub>H<sub>48</sub>N<sub>4</sub> |
850.23 |
849.07 |
M-6 |
实施例六 |
C<sub>50</sub>H<sub>56</sub>N<sub>4</sub> |
714.32 |
713.01 |
P-1 |
实施例七 |
C<sub>58</sub>H<sub>40</sub>N<sub>4</sub> |
793.94 |
792.96 |
P-2 |
实施例八 |
C<sub>74</sub>H<sub>48</sub>N<sub>4</sub> |
994.23 |
993.2 |
P-3 |
实施例九 |
C<sub>66</sub>H<sub>56</sub>N<sub>4</sub> |
906.36 |
905.18 |
P-4 |
实施例十 |
C<sub>54</sub>H<sub>36</sub>N<sub>8</sub> |
797.81 |
796.92 |
P-5 |
实施例十一 |
C<sub>82</sub>H<sub>56</sub>N<sub>4</sub> |
1098.75 |
1097.35 |
P-6 |
实施例十二 |
C<sub>70</sub>H<sub>64</sub>N<sub>4</sub> |
962.54 |
961.28 |
有机电致发光器件可按照本领域方法制备,具体方法为:在高真空条件下,在经过清洗的导电玻璃(氧化铟锡)衬底上依次蒸镀MoO3,空穴传输层,发光层,BCP,电子传输层,1nm的LiF和120nm的Al。用该方法制得如图1所示的器件,按照作为器件的不同功能层可分为:作为发光层的器件一、器件二、器件七、器件八;作为空穴传输层的器件三、器件四、器件九、器件十;作为电子传输层的器件五、器件六、器件十一、器件十二。
作为发光层的器件
器件一
ITO/Mo O3(10nm)/NPB(50nm)/化合物结构M-1:Ir(piq)2:(acac)(6wt%,30nm)/BCP(10nm)/TPBI(30nm)/LiF(1nm)/Al(120nm)。
器件二
ITO/Mo O3(10nm)/NPB(50nm)/化合物结构M-2:Ir(piq)2:(acac)(6wt%,30nm)/BCP(10nm)/TPBI(30nm)/LiF(1nm)/Al(120nm)。
器件七
ITO/Mo O3(10nm)/NPB(50nm)/化合物结构P-1:Ir(piq)2:(acac)(6wt%,30nm)/BCP(10nm)/TPBI(30nm)/LiF(1nm)/Al(120nm)。
器件八
ITO/Mo O3(10nm)/NPB(50nm)/化合物结构P-2:Ir(piq)2:(acac)(6wt%,30nm)/BCP(10nm)/TPBI(30nm)/LiF(1nm)/Al(120nm)。
作为空穴传输层的器件
器件三
ITO/Mo O3(10nm)/化合物结构M-3(30nm)/Alq3(30nm)/BCP(10nm)/TPBI(30nm)/LiF(1nm)/Al(120nm)。
器件四
ITO/Mo O3(10nm)/化合物结构M-4(30nm)/Alq3(30nm)/BCP(10nm)/TPBI(30nm)/LiF(1nm)/Al(120nm)。
器件九
ITO/Mo O3(10nm)/化合物结构P-3(30nm)/Alq3(30nm)/BCP(10nm)/TPBI(30nm)/LiF(1nm)/Al(120nm)。
器件十
ITO/Mo O3(10nm)/化合物结构P-4(30nm)/Alq3(30nm)/BCP(10nm)/TPBI(30nm)/LiF(1nm)/Al(120nm)。
作为电子传输层的器件
器件五
ITO/Mo O3(10nm)/NPB(50nm)/Alq3(30nm)/BCP(10nm)/化合物结构M-5(30nm)/LiF(1nm)/Al(120nm)。
器件六
ITO/Mo O3(10nm)/NPB(50nm)/Alq3(30nm)/BCP(10nm)/化合物结构M-6(30nm)/LiF(1nm)/Al(120nm)。
器件十一
ITO/Mo O3(10nm)/NPB(50nm)/Alq3(30nm)/BCP(10nm)/化合物结构P-5(30nm)/LiF(1nm)/Al(120nm)。
器件十二
ITO/Mo O3(10nm)/NPB(50nm)/Alq3(30nm)/BCP(10nm)/化合物结构P-6(30nm)/LiF(1nm)/Al(120nm)。
对比器件
ITO/Mo O3(10nm)/NPB(50nm)/Alq3(30nm)/BCP(10nm)/TPBI(30nm)/LiF(1nm)/Al(120nm)。
器件的电流-亮度-电压特性是由带有校正过的硅光电二极管的keithley源测量系统(keithley236 source measure unit)完成的,器件的性能数据见表一。
表五 器件的性能数据
以本发明的化合物可作为主体材料所制得的器件一、器件二、器件七、器件八,最高电流效率达到9.3cd/A,最高亮度可达12847cd/m2,本发明的器件在亮度、效率等方面都有明显的优势。作为电子和/或空穴传输材料,能明显降低器件的驱动电压,提高器件效率。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。