CN106972102B - 一种银掺杂氧化镍薄膜的制备及作为空穴传输层在钙钛矿太阳能电池中的应用 - Google Patents
一种银掺杂氧化镍薄膜的制备及作为空穴传输层在钙钛矿太阳能电池中的应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106972102B CN106972102B CN201710094986.7A CN201710094986A CN106972102B CN 106972102 B CN106972102 B CN 106972102B CN 201710094986 A CN201710094986 A CN 201710094986A CN 106972102 B CN106972102 B CN 106972102B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- nickel oxide
- oxide film
- doping
- hole transmission
- transmission layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 34
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 32
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 title claims abstract description 30
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 34
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 13
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N nickel(ii) nitrate Chemical compound [Ni+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 5
- AOPCKOPZYFFEDA-UHFFFAOYSA-N nickel(2+);dinitrate;hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.[Ni+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O AOPCKOPZYFFEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 3
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 claims description 4
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000146 host glass Substances 0.000 claims description 3
- 238000009396 hybridization Methods 0.000 claims description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 3
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 5
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 229910005855 NiOx Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 7
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 7
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 5
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101710134784 Agnoprotein Proteins 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N [60]pcbm Chemical compound C123C(C4=C5C6=C7C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C%14=C%15C%16=C%17C%18=C(C=%19C=%20C%18=C%18C%16=C%13C%13=C%11C9=C9C7=C(C=%20C9=C%13%18)C(C7=%19)=C96)C6=C%11C%17=C%15C%13=C%15C%14=C%12C%12=C%10C%10=C85)=C9C7=C6C2=C%11C%13=C2C%15=C%12C%10=C4C23C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 1
- JTCFNJXQEFODHE-UHFFFAOYSA-N [Ca].[Ti] Chemical compound [Ca].[Ti] JTCFNJXQEFODHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- -1 styrene sulfonic acid Salt Chemical class 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
一种银掺杂氧化镍薄膜的制备及作为空穴传输层在钙钛矿太阳能电池中的应用,银掺杂氧化镍薄膜的制备:将六水合硝酸镍和硝酸银溶解在含有二乙胺的乙二醇溶液中,室温下搅拌12‑16h,配制成金属离子总浓度为0.5‑1.5M的硝酸镍和硝酸银的混合前驱体溶液,Ag:Ni=1‑2:100;以2500‑3500rmp转速将硝酸镍和硝酸银的混合前驱体溶液旋涂于衬底上,随后300℃加热60‑80min。本发明银掺杂氧化镍薄膜具有更好的透光性和空穴传输能力;相比于纯氧化镍薄膜,在银掺杂氧化镍薄膜上生长的钙钛矿薄膜结晶度和表面覆盖率高;作为空穴传输层制备的反向平面钙钛矿太阳电池具有更高的光电转换效率和环境稳定性。
Description
技术领域
本发明属于新材料太阳能电池技术领域,涉及一种空穴传输层的制备及其在钙钛矿太阳能电池中的应用。
背景技术
自2009年有机铅卤钙钛矿材料被首次应用于光伏器件中以来 [J. Am. Chem. Soc., 2009, 131, 6050–6051],由于其具有高的吸光系数、激子寿命长且束缚能低、优异的载流子输运特性,在短短的几年间,钙钛矿太阳电池方面的研究取得了突飞猛进的发展,其光电转换效率从最初的3.8%跃升至22.1% [ http://www.nrel.gov/ncpv/images/efficiency_chart.jpg]。令人瞩目的光电转换效率以及制备工艺简单使得钙钛矿太阳能电池成为当今薄膜光伏技术领域最具竞争力的电池类型。然而,钙钛矿薄膜太阳能电池仍然面临着一个重要的问题:有机铅卤钙钛矿材料稳定性差,尤其是在潮湿环境稳定性差以及热稳定性差[J. Mater. Chem. A., 2015, 3, 19123-19128,Chem. Mater., 2015, 27,4229–4236,J. Phys. Chem. C, 2015, 119, 14919-14928],这直接影响钙钛矿型薄膜太阳能电池的使用,从而限制了其商业化应用。
为了提高钙钛矿太阳电池的稳定性,研究人员采取了许多技术手段,包括电池封装、有机铅卤钙钛矿材料组分工程以及界面工程等。目前,在钙钛矿太阳电池中,应用稳定性好的无机金属氧化物作为电荷传输材料来提高器件稳定性已经成为一条有效途径。其中,氧化镍作为一种p型半导体材料,由于其与有机铅卤钙钛矿材料具有良好的能级匹配和优异的环境稳定性,因此,氧化镍(NiOx)作为空穴传输材料应用于钙钛矿太阳电池引起人们的广泛关注[Adv. Mater, 2014, 26, 4107–4113]。已有研究表明,采用NiOx空穴传输材料能够有效地提高钙钛矿太阳电池的开路电压。然而,由于氧化镍自身导电性差,导致器件填充因子和短路电流偏低,从而影响器件性能。为提高氧化镍的导电性,掺杂是一种有效手段。目前已有报道的用于钙钛矿太阳电池中氧化镍空穴传输层的掺杂元素主要有:Co、Li、Mg和Cu [J. Mater. Chem. C., 2016, 4, 10839-10846,Science, 2015, 350, 944-948,Adv. Mater, 2015, 4, 695-701]。
发明内容
本发明的目的是提供了一种银掺杂氧化镍薄膜的制备方法,并将其作为空穴传输层材料应用于反向平面钙钛矿太阳电池中,提高器件光电转换效率和稳定性。
本发明是通过以下技术方案实现的。
本发明所述的一种银掺杂氧化镍薄膜的制备方法,其特征是按如下步骤。
(1)将六水合硝酸镍(Ni (NO3)2.6H2O)和硝酸银(AgNO3)溶解在含有二乙胺的乙二醇溶液中,在室温下搅拌12-16h,配制成金属离子总浓度为0.5-1.5M的硝酸镍和硝酸银的混合前驱体溶液用于银掺杂氧化镍薄膜的制备,优选地银掺杂氧化镍薄膜中原子比为Ag:Ni = 1-2:100。
(2)银掺杂氧化镍薄膜采用溶液旋涂法制备,即以2500-3500rpm的转速将硝酸镍和硝酸银的混合前驱体溶液旋涂于衬底上,随后300℃加热60-80min,即可制备出Ag:NiOx薄膜。
本发明所述的中银掺杂的氧化镍薄膜作为空穴传输层在反向平面钙钛矿太阳电池中的应用,其特征如下。
本发明所述的太阳能电池结构如附图1所示,包括基质玻璃或塑料材料(1)、ITO或FTO阳极层(2)、银掺杂的氧化镍空穴传输层(3)、有机无机杂化钙钛矿薄膜(4)、富勒烯衍生物和 2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(BCP) 电子传输层(5)、Ag或Au金属电极层(6)。所述的银掺杂的氧化镍薄膜主要用于反向平面钙钛矿太阳能电池的空穴传输层。
本发明所述的一种银掺杂的氧化镍薄膜作为空穴传输层在反向平面钙钛矿太阳电池的应用,其制备方法如下。
(1)将经盐酸刻蚀好的ITO或FTO玻璃用棉签沾取洗涤剂水擦洗,再依次用洗涤剂水,去离子水,丙酮,异丙醇分别超声清洗十五分钟,彻底清洗后放入等离子处理器中紫外臭氧清洗表面十分钟。
(2)在清洗干净的ITO或FTO玻璃上旋涂Ag:NiOx的前驱体溶液,放于热台上加热制备出Ag:NiOx薄膜。
(3)再制备钙钛矿薄膜,所述的钙钛矿薄膜为APbX3,A = CH3NH3 +或CH(NH2)2 +或两者混合物,X = Cl, Br, I或其混合物。
(4)钙钛矿薄膜制备好之后,再旋涂一定浓度的富勒烯衍生物溶液,之后,再旋涂2,9二甲基-4,7二苯基-1,10-菲哈琳(BCP )。
(5)最后,放入真空镀膜机腔内,抽真空至9×10-4 Pa以下,蒸镀Ag或Au电极,控制其厚度为250 nm左右,即可得到钙钛矿太阳能电池。
银掺杂的氧化镍(Ag:NiOx)薄膜作为空穴传输层应用于平面反型钙钛矿太阳电池中的结果表明,Ag:NiOx薄膜具有优良的透光性和空穴迁移率。同时,相比于纯氧化镍薄膜,Ag:NiOx薄膜更有利于有机铅卤钙钛矿薄膜的成核与结晶,从而得到结晶性更好,覆盖率更高的有机铅卤钙钛矿薄膜。更为重要的是,相比于聚(3,4-二氧乙烷噻吩)/(聚(苯乙烯磺酸盐) (PEDOT:PSS)或纯氧化镍为空穴传输层制作的钙钛矿太阳电池,以Ag:NiOx薄膜作为空穴传输层制备的平面反型钙钛矿太阳电池光电转换效率和环境稳定性明显提高。将银掺杂的氧化镍薄膜作为空穴传输材料应用于钙钛矿太阳电池,提高其效率和稳定性。
本发明的有益效果:本发明所述的银掺杂氧化镍薄膜作为空穴传输层应用于反向平面钙钛矿型太阳能电池中,具有如下有益之处:(1)相比于纯氧化镍薄膜而言,银掺杂的氧化镍薄膜具有更好的透光性和空穴传输能力。(2)相比于纯氧化镍薄膜,在银掺杂的氧化镍薄膜上生长有机铅卤钙钛矿薄膜,所制备的钙钛矿薄膜结晶度高,表面覆盖率高。(3)相比于聚(3,4-二氧乙烷噻吩)/(聚(苯乙烯磺酸盐) (PEDOT:PSS)或纯氧化镍为空穴传输层制作的钙钛矿太阳电池,以银掺杂的氧化镍作为空穴传输层制备的反向平面钙钛矿太阳电池具有更高的光电转换效率和环境稳定性。
附图说明
图1为反向平面钙钛矿型太阳能电池的结构示意图。1是基质玻璃或塑料材料、2是ITO或FTO阳极层、3是银掺杂的氧化镍薄膜空穴传输层、4是有机无机杂化钙钛矿薄膜、5是富勒烯衍生物和 2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(BCP) 电子传输层、6是Ag或Au金属电极层。
图2是实施例1中以银掺杂的氧化镍为空穴传输层制备的反向平面钙钛矿太阳电池与实施例2中以聚(3,4-二氧乙烷噻吩)/(聚(苯乙烯磺酸盐) (PEDOT:PSS)和实施例3中以纯氧化镍为空穴传输层制作的钙钛矿太阳电池的效率对比图。
图3是实施例中以银掺杂的氧化镍为空穴传输层制备的反向平面钙钛矿太阳电池与实施例2中以聚(3,4-二氧乙烷噻吩)/(聚(苯乙烯磺酸盐) (PEDOT:PSS)和实施例3中以纯氧化镍为空穴传输层制作的钙钛矿太阳电池的环境稳定性对比图。
具体实施方式
本发明将通过以下实施例作进一步说明。
实施例1:银掺杂的氧化镍薄膜(掺杂原子比为Ag:Ni = 2:98)的制备及其在CH3NH3PbI3反向平面钙钛矿太阳电池中的应用。
步骤1:清洗ITO玻璃表面,在紫外臭氧清洗表面10min。
步骤2:空穴传输层的制备:将六水合硝酸镍(Ni (NO3)2.6H2O)和硝酸银(AgNO3)按照摩尔比例为0.98:0.02,总摩尔浓度为1M溶解在含有二乙胺的乙二醇溶液中,在室温下搅拌12 h,配制成Ag:NiOx前驱体溶液。采用3000rpm的转速把Ag:NiOx前驱体溶液旋涂在ITO玻璃上,然后300oC加热60min。
步骤3:钙钛矿薄膜前躯体溶液的配制:将PbI2和CH3NH3I按照摩尔比例为1:1,摩尔浓度为0.88M溶解在含有二甲基亚砜(DMSO)的N, N-二甲基甲酰胺(DMF)溶液中,在室温下搅拌12 h。
步骤4:以3000rpm的转速将钙钛矿前躯体溶液旋涂于Ag:NiOx薄膜上,在旋涂10s后在其表面滴加适量氯苯,制备钙钛矿薄膜。旋涂后把基片放置在热台上,60oC加热3min,100oC加热2min。
步骤5:在钙钛矿薄膜表面以1500rpm的转速旋涂PCBM(25mg/ml,氯苯溶液)。之后在PCBM表面以5000rpm的转速旋涂BCP甲醇溶液。
步骤6:在高真空条件下,蒸镀Ag电极,得到太阳能电池。
实施例2:以聚(3,4-二氧乙烷噻吩)/(聚(苯乙烯磺酸盐) (PEDOT:PSS)为空穴传输层的反向平面CH3NH3PbI3钙钛矿太阳电池制备。
除步骤2外,所有步骤和方法与前述实施例1完全相同。
步骤2:PEDOT:PSS空穴传输层的制备:将商业化的PEDOT:PSS以4000rpm的转速旋涂于ITO玻璃上,随后在空气中于140oC加热10分钟。
实施例3:以纯氧化镍为空穴传输层的反向平面CH3NH3PbI3钙钛矿太阳电池制备。
除步骤2外,所有步骤和方法与前述实施例1完全相同。
步骤2:纯氧化镍空穴传输层的制备:将六水合硝酸镍(Ni (NO3)2.6H2O) 溶解在含有二乙胺的乙二醇溶液中,摩尔浓度为1M,在室温下搅拌12 h,配制成Ag:NiOx前驱体溶液。采用3000rpm的转速把Ag:NiOx前驱体溶液旋涂在ITO玻璃上,然后300oC加热60min。
实施效果:最后进行电池性能测试,比较电池光电转换性能的高低,将电池储存在湿度为30 ± 2%的玻璃容器中,每隔一段时间测其效率,比较电池的稳定性。
实施例1中以Ag:NiOx为空穴传输层的钙钛矿太阳电池与聚(3,4-二氧乙烷噻吩)/(聚(苯乙烯磺酸盐) (PEDOT:PSS)或纯氧化镍为空穴传输层制作的钙钛矿太阳电池效率对比如附图2,器件稳定性对比如附图3。
本领域的技术人员容易理解,以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (1)
1.一种银掺杂氧化镍薄膜作为空穴传输层在反向平面钙钛矿太阳电池的应用,所述的银掺杂氧化镍薄膜的制备方法,按如下步骤:
(1)将六水合硝酸镍和硝酸银溶解在含有二乙胺的乙二醇溶液中,在室温下搅拌12-16h,配制成金属离子总浓度为0.5-1.5M的硝酸镍和硝酸银的混合前驱体溶液,Ag:Ni = 1-2:100;
(2)以2500-3500rpm的转速将硝酸镍和硝酸银的混合前驱体溶液旋涂于衬底上,随后300℃加热60-80min;
所述的反向平面钙钛矿太阳电池的结构为:由下至上依次为基质玻璃或塑料材料、ITO或FTO阳极层、银掺杂的氧化镍空穴传输层、有机无机杂化钙钛矿薄膜、富勒烯衍生物和 2,9-二甲基-4 ,7-二苯基-1 ,10-菲啰啉(BCP) 电子传输层、Ag或Au金属电极层。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710094986.7A CN106972102B (zh) | 2017-02-22 | 2017-02-22 | 一种银掺杂氧化镍薄膜的制备及作为空穴传输层在钙钛矿太阳能电池中的应用 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710094986.7A CN106972102B (zh) | 2017-02-22 | 2017-02-22 | 一种银掺杂氧化镍薄膜的制备及作为空穴传输层在钙钛矿太阳能电池中的应用 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106972102A CN106972102A (zh) | 2017-07-21 |
CN106972102B true CN106972102B (zh) | 2019-04-16 |
Family
ID=59328322
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710094986.7A Expired - Fee Related CN106972102B (zh) | 2017-02-22 | 2017-02-22 | 一种银掺杂氧化镍薄膜的制备及作为空穴传输层在钙钛矿太阳能电池中的应用 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106972102B (zh) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107482122B (zh) * | 2017-08-23 | 2019-12-17 | 中节能万润股份有限公司 | 一种钙钛矿太阳能电池及制备方法 |
CN107611267A (zh) * | 2017-09-07 | 2018-01-19 | 济南大学 | 一种柔性可穿戴纸基钙钛矿太阳能电池的构建方法 |
CN108063186A (zh) * | 2017-11-20 | 2018-05-22 | 济南大学 | 锌掺杂氧化镍空穴传输层反置钙钛矿太阳能电池及制备方法 |
CN108615815A (zh) * | 2018-04-08 | 2018-10-02 | 华中科技大学鄂州工业技术研究院 | NiO基致密层、钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
CN108439492B (zh) * | 2018-04-16 | 2021-03-02 | 宁波晶鑫电子材料有限公司 | 一种银掺杂纳米氧化镍粉体的制备方法 |
CN109216558B (zh) * | 2018-09-10 | 2021-11-02 | 陕西师范大学 | 含氯氧化镍纳米颗粒作为空穴传输层的钙钛矿电池及其制备方法 |
CN109346604A (zh) * | 2018-09-19 | 2019-02-15 | 浙江师范大学 | 一种钙钛矿太阳能电池 |
CN110963535A (zh) * | 2018-09-29 | 2020-04-07 | Tcl集团股份有限公司 | 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管 |
CN109888100B (zh) * | 2019-01-22 | 2020-09-18 | 南昌大学 | 一种铷掺杂氧化镍薄膜的制备及作为空穴传输层在钙钛矿太阳能电池中的应用 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102392237A (zh) * | 2011-10-26 | 2012-03-28 | 东北大学 | 一种Ag-Li共掺杂氧化锌薄膜的制备方法 |
CN103178208A (zh) * | 2013-03-05 | 2013-06-26 | 东北大学 | 一种具有阻变存储特性的纳米粒子薄膜及其制备方法 |
CN105070834A (zh) * | 2015-07-28 | 2015-11-18 | 华中科技大学 | 一种基于掺杂型NiO空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100123117A1 (en) * | 2008-11-19 | 2010-05-20 | Seagate Technology Llc | Non volatile memory cells including a filament growth layer and methods of forming the same |
-
2017
- 2017-02-22 CN CN201710094986.7A patent/CN106972102B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102392237A (zh) * | 2011-10-26 | 2012-03-28 | 东北大学 | 一种Ag-Li共掺杂氧化锌薄膜的制备方法 |
CN103178208A (zh) * | 2013-03-05 | 2013-06-26 | 东北大学 | 一种具有阻变存储特性的纳米粒子薄膜及其制备方法 |
CN105070834A (zh) * | 2015-07-28 | 2015-11-18 | 华中科技大学 | 一种基于掺杂型NiO空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
《The First Observation of Ni and Ni2O3 Phases in the Sol-Gel Ag-Doped NiO Film》;Yidong Zhang;《Synthesis and Reactivity in Inorganic, Metal-Organic, and》;20160225;第46卷(第10期);1565-1570 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106972102A (zh) | 2017-07-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106972102B (zh) | 一种银掺杂氧化镍薄膜的制备及作为空穴传输层在钙钛矿太阳能电池中的应用 | |
Hu et al. | Sol-gel-processed yttrium-doped NiO as hole transport layer in inverted perovskite solar cells for enhanced performance | |
Jamal et al. | Effect of defect density and energy level mismatch on the performance of perovskite solar cells by numerical simulation | |
Hamed et al. | Mixed halide perovskite solar cells: progress and challenges | |
Akin et al. | Inorganic CuFeO2 delafossite nanoparticles as effective hole transport materials for highly efficient and long-term stable perovskite solar cells | |
CN105006522B (zh) | 一种基于钙钛矿的倒置薄膜太阳能电池及其制备方法 | |
Park et al. | High-performance flexible and air-stable perovskite solar cells with a large active area based on poly (3-hexylthiophene) nanofibrils | |
CN104993058B (zh) | 一种层状钙钛矿结构材料及在甲胺铅碘钙钛矿薄膜太阳能电池中的应用 | |
Liu et al. | Cu2O particles mediated growth of perovskite for high efficient hole-transporting-layer free solar cells in ambient conditions | |
Raj et al. | Recent advancement in inorganic-organic electron transport layers in perovskite solar cell: current status and future outlook | |
CN109802041B (zh) | 一种非富勒烯钙钛矿平面异质结太阳能电池及制备方法 | |
CN103474574A (zh) | 一种铝掺杂氧化锌纳米棒为电子传输层的杂化太阳能电池 | |
CN104022185A (zh) | 一种钙钛矿膜及其制备与应用方法 | |
CN104362253A (zh) | 全固态钙钛矿微晶硅复合太阳电池及其制备方法 | |
Wang et al. | Naphthalene imide dimer as interface engineering material: An efficient strategy for achieving high-performance perovskite solar cells | |
CN108063186A (zh) | 锌掺杂氧化镍空穴传输层反置钙钛矿太阳能电池及制备方法 | |
WO2015196794A1 (zh) | 一种有机太阳能电池及其制备方法 | |
CN103474575A (zh) | 一种以硫氧化锌为电子传输层的杂化太阳能电池及其制备 | |
CN108987583A (zh) | 缺陷被钝化的钙钛矿太阳能电池 | |
CN108292707A (zh) | 太阳能电池及其制造方法 | |
CN106450007A (zh) | 一种基于碘化亚铜/钙钛矿体异质结的太阳能电池及制备方法 | |
CN107093670A (zh) | 一种用拓扑绝缘体作为电子传输层的钙钛矿太阳能电池 | |
Yu et al. | Fabrication and optimization of polymer solar cells based on P3HT: PC 70 BM system | |
CN109851571B (zh) | 一种共轭有机小分子界面修饰材料、制备方法及其构成的有机太阳电池 | |
CN112968130B (zh) | 一种柔性太阳能电池器件及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20190416 |