CN106971963B - 干法蚀刻机台制程腔及其快速抽底压漏率的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种干法蚀刻机台制程腔及其快速抽底压漏率的方法，所述制程腔包括一腔体、一气体箱、工作台及抽气装置，所述工作台置于所述腔体内，所述气体箱通过一气体管路与所述腔体连通，向所述腔体内通入气体，所述抽气装置与所述腔体连通，在所述腔体内设置有多个零部件，所述抽气装置通过抽气管路将所述气体箱通过气体管路注入腔体内的气体抽出。本发明的优点在于，在抽气的过程中，在腔体内通入一定流量的气体，并维持腔体内一定压力的方法，将零部件内的水气置换出来，可将抽气时间由12h缩短到8h左右，大大加快复机速度，大大提高产能。
Description
技术领域
本发明涉及干法蚀刻领域，尤其涉及一种干法蚀刻机台制程腔及其快速抽底压漏率的方法。
背景技术
液晶显示器是一种采用液晶为材料的显示器，随着电子产业数字技术的发展，薄膜晶体管液晶显示器得到了快速发展，在薄膜晶体管液晶显示器的制程中，刻蚀工艺是一个最重要的图形转移工艺步骤，尤其是多晶硅刻蚀，应用于需要去除硅的场合，如刻蚀多晶硅体管栅和硅槽电容等。
刻蚀是指利用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，刻蚀的基本工艺目的是在涂胶的硅片上正确的复制出掩膜图形，刻蚀是光刻工艺之后进行的，将需要的图形留的硅片上，刻蚀可以被称为最终的和最主要的图形转移工艺步骤。
干法刻蚀通常是利用辉光放电方式，产生包含离子、电子等带电粒子以及具有高度化学活性的中性原子、分子及自由基的电浆，来进行图案转印的刻蚀技术，干法刻蚀具有很好的各向异性线宽控制，干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，广泛应用于半导体或LCD前段制程等微电子技术中。
为了保证干法蚀刻装置的性能，干法蚀刻机台制程腔(DRY PC:DRY ProcessChamber) 需要进行预防性的维护保养(PM：Preventive Maintenance)。在维护保养后复机时，业界通常需要将干法蚀刻机台制程腔抽到5*10E-5T以下的底压，并且漏率也要求达到一定的要求，才能投入使用。目前传统的复机方式为，只用真空泵(Pump)抽气，到时间点测底压漏率，如更换零件(parts)较多，开腔时间较长，往往抽真空需12h以上，降低产能。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，提供一种干法蚀刻机台制程腔及其快速抽底压漏率的方法，其能够大大加快复机速度，大大提高产能。
为了解决上述问题，本发明提供了一种干法蚀刻机台制程腔，包括一腔体、一气体箱、工作台及抽气装置，所述工作台置于所述腔体内，所述气体箱通过一气体管路与所述腔体连通，向所述腔体内通入气体，所述抽气装置与所述腔体连通，在所述腔体内设置有多个零部件，所述抽气装置通过抽气管路将所述气体箱通过气体管路注入腔体内的气体抽出。
进一步，所述气体管路的出口位于腔体的顶端。
进一步，所述抽气管路的进口位于腔体的底部。
进一步，所述抽气装置包括抽气泵及多个分子泵，所述分子泵设置在抽气管路出口，所述抽气泵与多个分子泵连通。
本发明还提供一种干法蚀刻机台制程腔快速抽底压漏率的方法，所述方法包括如下步骤：复机时，抽气装置通过抽气管路对所述腔体抽气，同时气体箱通过气体管路向腔体内通入气体，所述气体的体积流量为3000～5000Sccm，并维持腔体内的真空度为10～30mT，抽气若干时间；停止通入气体，采用抽气装置抽气若干时间；停止抽气，测量底压漏率。
进一步，所述气体为氧气。
进一步，所述气体的注入时间为2～8小时。
进一步，停止通入气体后，抽气时间为0.5～1小时。
本发明的优点在于，在抽气的过程中，在腔体内通入一定流量的气体，并维持腔体内一定压力的方法，将零部件内的水气置换出来，可将抽气时间由12h缩短到8h左右，大大加快复机速度，大大提高产能。
附图说明
图1是本发明干法蚀刻机台制程腔的结构示意图；
图2是现有的抽气方法的示意图；
图3是本发明抽气方法的示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明提供的干法蚀刻机台制程腔及其快速抽底压漏率的方法的具体实施方式做详细说明。
图1是本发明干法蚀刻机台制程腔的结构示意图。参见图1，本发明干法蚀刻机台制程腔包括一腔体1、一气体箱2、工作台3及抽气装置4。所述干法蚀刻机台制程腔内的气体走向请参见图1箭头方向。
所述工作台3置于所述腔体1内。所述工作台3包括依次设置在腔体1底部的绝缘体30、电极背板31及电极32，其结构为现有结构。在所述腔体1的内部设置有很多零部件 10，现有技术中，采用真空泵抽真空的目的也在于去除零部件10上的水汽。
所述气体箱2通过一气体管路20与所述腔体1连通，向所述腔体1内通入气体。在本具体实施方式中，所述气体管路20置于腔体1的侧壁中，并沿所述侧壁延伸至腔体1顶端，所述气体管路20的出口位于腔体1的顶端。所述气体箱2传输的气体可以为氧气。进一步，参见图1，在腔体上方设置有匹配箱5及线圈6，所述匹配箱5及线圈6为干法刻蚀机内一种放电调节装置，其为现有结构。
所述抽气装置4与所述腔体1连通，所述抽气装置4通过抽气管路40将所述气体箱2通过气体管路20注入腔体1内的气体抽出，所述抽气管路40的进口可以位于腔体1的底部。在本具体实施方式中，所述抽气装置4包括抽气泵41及多个分子泵42。所述分子泵 42设置在抽气管路40从腔体1的出口处，所述抽气泵42与多个分子泵42连通，协同将腔体1内的气体抽出。
本发明还提供一种干法蚀刻机台制程腔快速抽底压漏率的方法。参见图1所示，所述方法包括如下步骤：
(1)干法蚀刻机台制程腔复机时，抽气装置4通过抽气管路40对所述腔体1抽气，同时气体箱2通过气体管路20向腔体1内通入气体，所述气体的体积流量为 3000～5000Sccm，例如，4000Sccm，并维持腔体内的真空度为10～30mT，例如，20mT，抽气若干时间。此处，抽气时间即为气体注入时间，所述气体的注入时间为2～8小时，例如4 小时、6小时等。所述气体可以为氧气。
(2)停止通入气体，采用抽气装置4抽气若干时间。
关闭气体箱2的阀门，停止向腔体1内通入气体。抽气装置4继续抽气若干时间，其中，其抽气时间可以为0.5～1小时。
(3)停止抽气，测量底压漏率。
本发明干法蚀刻机台制程腔复机时，在常规抽气的基础上，通入一定量的气体，并将干法蚀刻机台制程腔内的压力维持在一定的真空度，持续一定时间后，关闭气体阀门，停止气体供应，再常规抽气一定时间，即可达到规定的机台底压漏率。其抽气时间缩短，提高产能。图2是现有的抽气方法的示意图，图3是本发明抽气方法的示意图，参见图2及图3，现有的方法中，没有向腔体内注入气体，零部件表面的水汽被抽气装置缓慢地抽出，本发明的方法，向腔体内注入气体，气体会置换零部件表面的水汽，水汽随气体被抽出，加快了水汽被抽出的速度，因此，本发明的方法可缩短抽气时间，在短时间内即可达到规定的机台底压漏率。
表1是现有的抽气方法的抽气时间，表2是本发明抽气方法的抽气时间。参见表1及表2，采用本发明方法，可将抽气时间由12h缩短到8h左右。两者相差4小时，即每次复机可减少4小时复机时间，按照干法蚀刻机台的制程腔生产状态中(PC Run货)生产一枚产品的时间(Tact time)最多6分钟，则每次PM可提升4小时正常生产时间(Up time)，其折合约4*60/6＝40pcs产能。可见，本申请的方法能够大大加快复机速度，大大提高产能。
表1现有的抽气方法的抽气时间
| Date | PM类型 | Pumping时间(小时) |
| 2016-6-26 | RF保养 | 12.2 |
| 2016-7-1 | RF保养 | 14.0 |
| 2016-7-3 | RF保养 | 13.8 |
| 2016-7-5 | RF保养 | 15.5 |
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| 2016-7-10 | RF保养 | 16.3 |
| 2016-7-12 | RF保养 | 16.0 |
| 2016-7-27 | RF保养 | 20.6 |
表2本发明抽气方法的抽气时间
| Date | PM类型 | Pumping时间(小时) |
| 2016-8-25 | RF保养 | 7.8 |
| 2016-8-26 | RF保养 | 8.0 |
| 2016-8-29 | RF保养 | 7.3 |
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| 2016-9-14 | RF保养 | 8.7 |
| 2016-9-22 | RF保养 | 8.0 |
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以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (3)
1.一种干法蚀刻机台制程腔快速抽底压漏率的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
复机时，抽气装置通过抽气管路对制程腔抽气，同时气体箱通过气体管路向制程腔内通入氧气，所述氧气的体积流量为3000～5000sccm，并维持腔体内的真空度为10～30mT，抽气若干时间；
停止通入氧气，采用抽气装置抽气若干时间；
停止抽气，测量底压漏率。
2.根据权利要求1所述的干法蚀刻机台制程腔快速抽底压漏率的方法，其特征在于，所述气体的注入时间为2～8小时。
3.根据权利要求1所述的干法蚀刻机台制程腔快速抽底压漏率的方法，其特征在于，停止通入气体后，抽气时间为0.5～1小时。
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Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109559966B (zh) * | 2017-09-27 | 2021-10-15 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 加快工艺腔室复机的清洗方法 |
| CN113097095A (zh) * | 2019-12-23 | 2021-07-09 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体工艺的控制方法及其系统 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1357500A (zh) * | 2000-12-09 | 2002-07-10 | 洛阳晶润镀膜玻璃有限公司 | 镀膜玻璃生产抽真空的方法 |
| JP2002249876A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Nec Kansai Ltd | 真空排気方法および真空装置 |
| CN101320676A (zh) * | 2007-06-07 | 2008-12-10 | 东京毅力科创株式会社 | 抽真空方法和存储介质 |
| CN101877302A (zh) * | 2009-04-30 | 2010-11-03 | 台湾茂矽电子股份有限公司 | 对腔体抽真空的方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19960174A1 (de) * | 1999-12-14 | 2001-06-28 | Leybold Vakuum Gmbh | Verfahren zur Lecksuche und Lecklokalisierung sowie zur Durchführung dieser Verfahren geeignete Vorrichtungen |
| CN105448772B (zh) * | 2014-08-27 | 2018-11-06 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 腔室维护后的恢复方法 |
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2017
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1357500A (zh) * | 2000-12-09 | 2002-07-10 | 洛阳晶润镀膜玻璃有限公司 | 镀膜玻璃生产抽真空的方法 |
| JP2002249876A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Nec Kansai Ltd | 真空排気方法および真空装置 |
| CN101320676A (zh) * | 2007-06-07 | 2008-12-10 | 东京毅力科创株式会社 | 抽真空方法和存储介质 |
| CN101877302A (zh) * | 2009-04-30 | 2010-11-03 | 台湾茂矽电子股份有限公司 | 对腔体抽真空的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |